JPH0556855B2 - - Google Patents
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- JPH0556855B2 JPH0556855B2 JP62050090A JP5009087A JPH0556855B2 JP H0556855 B2 JPH0556855 B2 JP H0556855B2 JP 62050090 A JP62050090 A JP 62050090A JP 5009087 A JP5009087 A JP 5009087A JP H0556855 B2 JPH0556855 B2 JP H0556855B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理方法及び装置に係り、
特に、電子サイクロトロン共鳴（ECR）を利用
したプラズマCVDの高効率化、堆積膜質の高品
質化、低温プロセス化及び低ダメージ化を図る上
に好適なプラズマ処理装置に関する。
特に、電子サイクロトロン共鳴（ECR）を利用
したプラズマCVDの高効率化、堆積膜質の高品
質化、低温プロセス化及び低ダメージ化を図る上
に好適なプラズマ処理装置に関する。
従来の有磁場マイクロ波プラズマ処理方法及び
装置は、特開昭56−155535号公報に記載のよう
に、プラズマ生成室内においてプラズマ活性種を
生じさせ、その活性種を発散磁界等で活性種生成
効率最大領域から充分離れた位置に設置された被
処理基板にプラズマ流をあてて処理するものであ
つた。このプラズマ処理方法において、さらに高
効率化を図つた方法として、特開昭57−79621号
公報に記載のように、基板処理室外側に磁石を配
し、プラズマ流径を絞つてプラズマ密度を高めた
方法がある。また、特開昭59−3018号公報に記載
されているように、ミラー磁場によりプラズマ流
の拡散を抑制して、被処理基板付近のプラズマ密
度を高めて、処理効率の増大化を図つた方法があ
る。
装置は、特開昭56−155535号公報に記載のよう
に、プラズマ生成室内においてプラズマ活性種を
生じさせ、その活性種を発散磁界等で活性種生成
効率最大領域から充分離れた位置に設置された被
処理基板にプラズマ流をあてて処理するものであ
つた。このプラズマ処理方法において、さらに高
効率化を図つた方法として、特開昭57−79621号
公報に記載のように、基板処理室外側に磁石を配
し、プラズマ流径を絞つてプラズマ密度を高めた
方法がある。また、特開昭59−3018号公報に記載
されているように、ミラー磁場によりプラズマ流
の拡散を抑制して、被処理基板付近のプラズマ密
度を高めて、処理効率の増大化を図つた方法があ
る。
上記従来技術は、プラズマ活性種の寿命、ある
いは、活性値が被処理基板に達するまでの失活度
等の点について配慮がされておらず、必ずしもプ
ラズマ処理の高効率化が達成されていない。ま
た、被処理膜質の特性、例えば堆積膜の緻密性、
結晶性、組成等が良好ではない等の問題があつ
た。本発明の目的は、上記不都合を改善すること
にある。具体的には、活性種の失活度を考慮して
プラズマ処理の高効率化をはかつたプラズマ処理
装置を提供することにある。
いは、活性値が被処理基板に達するまでの失活度
等の点について配慮がされておらず、必ずしもプ
ラズマ処理の高効率化が達成されていない。ま
た、被処理膜質の特性、例えば堆積膜の緻密性、
結晶性、組成等が良好ではない等の問題があつ
た。本発明の目的は、上記不都合を改善すること
にある。具体的には、活性種の失活度を考慮して
プラズマ処理の高効率化をはかつたプラズマ処理
装置を提供することにある。
上記目的は、被処理基板の位置をプラズマ活性
種の最大生成点となる電子サイクロトロン共鳴点
（ECR点）から最大でも150mm以下にすることに
より達成される。
種の最大生成点となる電子サイクロトロン共鳴点
（ECR点）から最大でも150mm以下にすることに
より達成される。
ECR点と被処理基板との距離の調節は、プラ
ズマ生成室の磁束密度を高くし、また高精度に制
御することで達成される。
ズマ生成室の磁束密度を高くし、また高精度に制
御することで達成される。
マイクロ波プラズマ放電により反応ガスは活性
化される。特に、ECR点近傍で最も効率よく活
性化される。生成した活性種は、その後、エネル
ギー散逸により活性を失つたり、他端子との衝突
による粒子間相互作用による失活も起こる。従つ
て、被処理基板をECR点に近づけることにより、
プラズマ活性種を活性度の高い状態が維持された
状態にて基板に到達させることが出来る。このた
め、プラズマ処理の高効率化がなされる。また、
プラズマ処理特性、例えば、基板上に膜を堆積さ
せる際に、堆積させる分子あるいは原子の電子エ
ネルギ結合原子間振動力、回転及び並進エネルギ
が高い程、プラズマ中では集合体とならず単一粒
子である確率が高いため、堆積された膜質は熱化
学反応組成に近いものが得られる。更に、基板に
付着した堆積活性種は上記運動エネルギが高いた
め、予め基板上に形成された分子層に、エネルギ
が最小となる配列、配向位置まで、再配列及び再
配向運動する確率が高い。このため、得られた膜
質の緻密性や結晶性は高くなる。また、化学組成
比も熱化学反応により形成された膜に近くなる。
化される。特に、ECR点近傍で最も効率よく活
性化される。生成した活性種は、その後、エネル
ギー散逸により活性を失つたり、他端子との衝突
による粒子間相互作用による失活も起こる。従つ
て、被処理基板をECR点に近づけることにより、
プラズマ活性種を活性度の高い状態が維持された
状態にて基板に到達させることが出来る。このた
め、プラズマ処理の高効率化がなされる。また、
プラズマ処理特性、例えば、基板上に膜を堆積さ
せる際に、堆積させる分子あるいは原子の電子エ
ネルギ結合原子間振動力、回転及び並進エネルギ
が高い程、プラズマ中では集合体とならず単一粒
子である確率が高いため、堆積された膜質は熱化
学反応組成に近いものが得られる。更に、基板に
付着した堆積活性種は上記運動エネルギが高いた
め、予め基板上に形成された分子層に、エネルギ
が最小となる配列、配向位置まで、再配列及び再
配向運動する確率が高い。このため、得られた膜
質の緻密性や結晶性は高くなる。また、化学組成
比も熱化学反応により形成された膜に近くなる。
尚、磁場分布Ｂ(Z)（Ｚはプラズマ流方向を正と
した真空装置の中心軸座標）が単調減少でなけれ
ば、dB／dZ＞０となる位置にてマイクロ波の伝
播が阻害され、プラズマ活性種の生成効率が低下
するため望ましくない。
した真空装置の中心軸座標）が単調減少でなけれ
ば、dB／dZ＞０となる位置にてマイクロ波の伝
播が阻害され、プラズマ活性種の生成効率が低下
するため望ましくない。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて詳細に
説明する。第１図は本発明のプラズマ処理装置の
主要部の模式図である。本装置は、プラズマ生成
室４、マイクロ波導波管７、（マイクロ波６の発
振器は図省略）、ECR用磁場コイル９及び１３、
処理室２、排気口１２（排気系は図省略）、反応
ガス供給ノズル５及び１１（反応ガス供給系は図
省略）、基板支持台３より成る。プラズマ生成室
４は直径240〔mm〕φ、長さ250〔mm〕の透明石英製
で、円錐形の頂部がマイクロ波導入窓８となつて
いる。ECR用磁場コイル９及び１３は、プラズ
マ生成室及び処理室の周囲に設置され、プラズマ
生成室の最大磁束密度は2.6〔KGauss〕であり、
それぞれ３個及び２個に分割され個別に調整する
ことにより磁束密度を制御できる。処理室２は直
径240〔mm〕φのステンレス鋼製で、中に設置され
た基板支持台３は直径120〔mm〕φのアルミナ製で
その位置はプラズマ流方向（図面では左右）に可
変である。第２図はマイクロ波進行方向に単調減
少する磁束密度の分布の例を示す。ECR磁場コ
イル９及び１３を調整することにより、各種の分
布を作ること及び基板支持台３の位置を設定する
ことにより基板とECR点との距離を制御できる。
説明する。第１図は本発明のプラズマ処理装置の
主要部の模式図である。本装置は、プラズマ生成
室４、マイクロ波導波管７、（マイクロ波６の発
振器は図省略）、ECR用磁場コイル９及び１３、
処理室２、排気口１２（排気系は図省略）、反応
ガス供給ノズル５及び１１（反応ガス供給系は図
省略）、基板支持台３より成る。プラズマ生成室
４は直径240〔mm〕φ、長さ250〔mm〕の透明石英製
で、円錐形の頂部がマイクロ波導入窓８となつて
いる。ECR用磁場コイル９及び１３は、プラズ
マ生成室及び処理室の周囲に設置され、プラズマ
生成室の最大磁束密度は2.6〔KGauss〕であり、
それぞれ３個及び２個に分割され個別に調整する
ことにより磁束密度を制御できる。処理室２は直
径240〔mm〕φのステンレス鋼製で、中に設置され
た基板支持台３は直径120〔mm〕φのアルミナ製で
その位置はプラズマ流方向（図面では左右）に可
変である。第２図はマイクロ波進行方向に単調減
少する磁束密度の分布の例を示す。ECR磁場コ
イル９及び１３を調整することにより、各種の分
布を作ること及び基板支持台３の位置を設定する
ことにより基板とECR点との距離を制御できる。
実施例 １
被処理基板１としてシリコンウエハ（直径100
〔mm〕φ）を用い、シリコン酸化膜を形成した。
プラズマ生成室４内に第１のガス導入管５を通し
て酸素を40〔ml／min〕導入し、2.45〔ＧHz〕のマ
イクロ波６を導波管７により伝播させてマイクロ
波導入窓８を通してプラズマ生成室に導入する。
さらに、プラズマ生成容器の外側に設置された同
軸型の静磁場発生コイル９及び１３により875
〔Gauss〕以上の磁場を発生させてプラズマ流１
０を生成させ第２のガス導入管１１よりモノシラ
ン（SiH4）を６〔ml／min〕導入し、処理室２内
の圧力は排気系により１〔ｍTorr〕にした。上記
静磁場発生コイル９及び１３に流す電流値を調整
することにより、磁束密度分布を制御しあるいは
基板支持台位置を調整し、ECR点と被処理基板
間の距離を異ならせた。第３図ａ，ｂはSiO2膜
堆積速度と堆積速度の基板内でのバラツキ、ｃ，
ｄは堆積膜のバツフアエツチング（HF1容、
NH4F6容の混合）液によるエツチング速度と基
板内でのバラツキ、ｅ，ｆは形成された膜の光学
屈折率と屈折率の基板内でのバラツキ、ｇ，ｈは
形成された膜のオージエ分光から得られたSi／Ｏ
のモル比と基板内でのバラツキを、ECR点と基
板間距離ｄに対して図示したものである。なお、
図中破線は基板位置をプラズマ生成室内にした結
果である。堆積速度については、第３図ａから距
離ｄが０〜150〔mm〕あたりの領域で比較的速く、
特にｄ〜100〔mm〕付近から堆積速度が大きくなる
ことがわかる。また、第３図ｂから堆積速度のバ
ラツキはｄが０〜70〔mm〕で小さく、均一性が優
れていることがわかる。第３図ｃとｄから、ｄが
150〔mm〕以内の所にエツチング速度がおそい領域
があり、この領域内で緻密性の高い膜が得られて
いること、及びｄが０〜70〔mm〕の領域において
均一性が良好であることがわかる。第３図ｅとｆ
から、ｄが０〜150〔mm〕内で熱酸化膜に近い屈折
率の膜が得られていること、ｄが０〜70〔mm〕に
おいて均一性が良好であることがわかる。第３図
ｇ，ｈから、ｄが０以上である領域でSi／Ｏモル
比が0.5となり、均一性も良効であることがわか
る。
〔mm〕φ）を用い、シリコン酸化膜を形成した。
プラズマ生成室４内に第１のガス導入管５を通し
て酸素を40〔ml／min〕導入し、2.45〔ＧHz〕のマ
イクロ波６を導波管７により伝播させてマイクロ
波導入窓８を通してプラズマ生成室に導入する。
さらに、プラズマ生成容器の外側に設置された同
軸型の静磁場発生コイル９及び１３により875
〔Gauss〕以上の磁場を発生させてプラズマ流１
０を生成させ第２のガス導入管１１よりモノシラ
ン（SiH4）を６〔ml／min〕導入し、処理室２内
の圧力は排気系により１〔ｍTorr〕にした。上記
静磁場発生コイル９及び１３に流す電流値を調整
することにより、磁束密度分布を制御しあるいは
基板支持台位置を調整し、ECR点と被処理基板
間の距離を異ならせた。第３図ａ，ｂはSiO2膜
堆積速度と堆積速度の基板内でのバラツキ、ｃ，
ｄは堆積膜のバツフアエツチング（HF1容、
NH4F6容の混合）液によるエツチング速度と基
板内でのバラツキ、ｅ，ｆは形成された膜の光学
屈折率と屈折率の基板内でのバラツキ、ｇ，ｈは
形成された膜のオージエ分光から得られたSi／Ｏ
のモル比と基板内でのバラツキを、ECR点と基
板間距離ｄに対して図示したものである。なお、
図中破線は基板位置をプラズマ生成室内にした結
果である。堆積速度については、第３図ａから距
離ｄが０〜150〔mm〕あたりの領域で比較的速く、
特にｄ〜100〔mm〕付近から堆積速度が大きくなる
ことがわかる。また、第３図ｂから堆積速度のバ
ラツキはｄが０〜70〔mm〕で小さく、均一性が優
れていることがわかる。第３図ｃとｄから、ｄが
150〔mm〕以内の所にエツチング速度がおそい領域
があり、この領域内で緻密性の高い膜が得られて
いること、及びｄが０〜70〔mm〕の領域において
均一性が良好であることがわかる。第３図ｅとｆ
から、ｄが０〜150〔mm〕内で熱酸化膜に近い屈折
率の膜が得られていること、ｄが０〜70〔mm〕に
おいて均一性が良好であることがわかる。第３図
ｇ，ｈから、ｄが０以上である領域でSi／Ｏモル
比が0.5となり、均一性も良効であることがわか
る。
尚、磁束密度分布を一定にし、基板支持台の位
置を調整して、処理室内でECR点と被処理基板
間の距離ｄを変えた場合には同じ結果が得られた
が、基板位置をプラズマ生成室内に位置させた場
合、すなわち基板が第１のガス導入管と第２のガ
ス導入管間に位置させた場合は、第３図ａ〜ｈ中
で破線で示したように、基板位置を処理室に位置
させた場合と比較して、堆積速度の減少や、分布
が悪くなる等の値に差異はあるものの、これら値
のECR点と被処理基板間の距離の関係から見る
と同様の結果が得られていることがわかる。この
ことから、マイクロ波プラズマ放電による膜堆積
特性には、プラズマ活性種の最大生成領域、すな
わち、装置内のECR面と基板までの距離に大き
く依存していることがわかる。さらに、活性種の
寿命や不活性分子との衝突等の相互作用による失
活等の影響がない距離は平均自由行程以下である
ことがわかる。さらにｄが０〜70〔ｍ〕において
は成膜及び膜質均一性が優れ、これはモノシラン
の活性種SiH2 +等の脱活性寿命範囲と一致してい
る。
置を調整して、処理室内でECR点と被処理基板
間の距離ｄを変えた場合には同じ結果が得られた
が、基板位置をプラズマ生成室内に位置させた場
合、すなわち基板が第１のガス導入管と第２のガ
ス導入管間に位置させた場合は、第３図ａ〜ｈ中
で破線で示したように、基板位置を処理室に位置
させた場合と比較して、堆積速度の減少や、分布
が悪くなる等の値に差異はあるものの、これら値
のECR点と被処理基板間の距離の関係から見る
と同様の結果が得られていることがわかる。この
ことから、マイクロ波プラズマ放電による膜堆積
特性には、プラズマ活性種の最大生成領域、すな
わち、装置内のECR面と基板までの距離に大き
く依存していることがわかる。さらに、活性種の
寿命や不活性分子との衝突等の相互作用による失
活等の影響がない距離は平均自由行程以下である
ことがわかる。さらにｄが０〜70〔ｍ〕において
は成膜及び膜質均一性が優れ、これはモノシラン
の活性種SiH2 +等の脱活性寿命範囲と一致してい
る。
実施例 ２
上記装置にて、第１導入ガスとして窒素を40
〔ml／min〕第２導入ガスとしてモノシラン
（SiH4）を６〔ml／min〕を流し、圧力を１〔ｍ
Torr〕で処理室内でSi3N4膜堆積させた。結果を
第４図ａ〜ｈに示した。第３図のSiO2膜堆積時
と同様に、堆積速度、膜のエツチング速度、屈折
率、化学組成比、及びこれらの基板内でのバラツ
キはECR点と基板間距離ｄに大きく依存してい
る。化学組成比（Si／Ｎモル比）はｄが０以上で
一定であるが、ｄが０〜150〔mm〕で、膜のエツチ
ング度および屈折率が熱チツ化変膜と同じか又は
近いものが得られ、かつ堆積速度も大きい。基板
内の膜の均一性については、SiO2膜の形成と同
様、ｄが０〜70〔mm〕で比較的良好である。
〔ml／min〕第２導入ガスとしてモノシラン
（SiH4）を６〔ml／min〕を流し、圧力を１〔ｍ
Torr〕で処理室内でSi3N4膜堆積させた。結果を
第４図ａ〜ｈに示した。第３図のSiO2膜堆積時
と同様に、堆積速度、膜のエツチング速度、屈折
率、化学組成比、及びこれらの基板内でのバラツ
キはECR点と基板間距離ｄに大きく依存してい
る。化学組成比（Si／Ｎモル比）はｄが０以上で
一定であるが、ｄが０〜150〔mm〕で、膜のエツチ
ング度および屈折率が熱チツ化変膜と同じか又は
近いものが得られ、かつ堆積速度も大きい。基板
内の膜の均一性については、SiO2膜の形成と同
様、ｄが０〜70〔mm〕で比較的良好である。
実施例 ３
上記装置にて、第１導入ガスを水素、第２導入
ガスをモノシラン（SiH4）として、基板温度を
320℃として多結晶Si膜を処理室内で堆積した。
その結果、ｄが０〜150〔mm〕の距離において、第
５図ａ，ｂのように、堆積速度か大きく、かつＸ
線回折から調べた多結晶シリコンの結晶粒径が大
きく結晶性が優れていることが判る。
ガスをモノシラン（SiH4）として、基板温度を
320℃として多結晶Si膜を処理室内で堆積した。
その結果、ｄが０〜150〔mm〕の距離において、第
５図ａ，ｂのように、堆積速度か大きく、かつＸ
線回折から調べた多結晶シリコンの結晶粒径が大
きく結晶性が優れていることが判る。
実施例 ４
上記装置にて、第１導入ガスを水素、第２導入
ガスを六フツ化タングステン（WF6）として、
圧力0.3ｍTorrでＷ膜を処理室内で堆積させた。
ガスを六フツ化タングステン（WF6）として、
圧力0.3ｍTorrでＷ膜を処理室内で堆積させた。
第６図ａ，ｂのように、ｄが０〜150〔mm〕にお
いて、抵抗率が4.0μΩ／cmとバルクの抵抗率と同
様の低抵抗膜が効率良く形成された。WF6活性
種寿命における平均自由行程は、この圧力で前記
のSiH4と同程度であり、脱活性寿命範囲の膜特
性が優れていることが判つた。
いて、抵抗率が4.0μΩ／cmとバルクの抵抗率と同
様の低抵抗膜が効率良く形成された。WF6活性
種寿命における平均自由行程は、この圧力で前記
のSiH4と同程度であり、脱活性寿命範囲の膜特
性が優れていることが判つた。
実施例 ５
上記装置にて、第１導入ガスとして水素と窒素
の混合ガスを、第２導入ガスとして三塩化アルミ
ニウム（AlCl3）を窒素キヤリアで供給し、処理
室内で窒化アルミニウム（AlN）を堆積させた。
堆積速度及び堆積膜の破壊電圧を測定したとこ
ろ、第７図ａ，ｂのように、ｄが０〜150〔mm〕に
おいて破壊電圧が５〔MV／cm〕以上となる良好
な絶縁材が効率良く得られた。このときの界面準
位密度は1010〔cm-2〕と良好であつた。
の混合ガスを、第２導入ガスとして三塩化アルミ
ニウム（AlCl3）を窒素キヤリアで供給し、処理
室内で窒化アルミニウム（AlN）を堆積させた。
堆積速度及び堆積膜の破壊電圧を測定したとこ
ろ、第７図ａ，ｂのように、ｄが０〜150〔mm〕に
おいて破壊電圧が５〔MV／cm〕以上となる良好
な絶縁材が効率良く得られた。このときの界面準
位密度は1010〔cm-2〕と良好であつた。
実施例 ６
上記装置にて、第１導入ガスとして６フツ化イ
オウ（SF6）を導入し、圧力１〔ｍTorr〕にて多
結晶シリコン及び酸化ケイ素をエツチングした。
多結晶シリコンエツチング速度及び酸化ケイ素に
対するエツチング選択比（Si／SiO2）は、第８
図ａ，ｂのようになつた。ｄか０〜150〔mm〕にお
いて、多結晶シリコンは高選択的に、効率良くエ
ツチングされる。
オウ（SF6）を導入し、圧力１〔ｍTorr〕にて多
結晶シリコン及び酸化ケイ素をエツチングした。
多結晶シリコンエツチング速度及び酸化ケイ素に
対するエツチング選択比（Si／SiO2）は、第８
図ａ，ｂのようになつた。ｄか０〜150〔mm〕にお
いて、多結晶シリコンは高選択的に、効率良くエ
ツチングされる。
このようにこれらの実施例によれば、マイクロ
波プラズマ処理効率及び堆積膜の特性は、ECR
点と被処理基板間距離ｄ、すなわち、プラズマ活
性種の寿命及び不活性種との衝突等の相互作用に
よる電子エネルギーの活性度の失活度、あるい
は、振動、回転、並進エネルギーの低下度に大き
く依存しており、その結果、ｄが０〜150〔mm〕内
にすると堆積速度、膜質が良好となる効果があ
る。さらに、プラズマ活性種の寿命及び失活度の
分布があるため堆積速度あるいは膜質の均一性を
考慮すると、ｄが０〜70〔mm〕内で、これらも良
好となる効果がある。
波プラズマ処理効率及び堆積膜の特性は、ECR
点と被処理基板間距離ｄ、すなわち、プラズマ活
性種の寿命及び不活性種との衝突等の相互作用に
よる電子エネルギーの活性度の失活度、あるい
は、振動、回転、並進エネルギーの低下度に大き
く依存しており、その結果、ｄが０〜150〔mm〕内
にすると堆積速度、膜質が良好となる効果があ
る。さらに、プラズマ活性種の寿命及び失活度の
分布があるため堆積速度あるいは膜質の均一性を
考慮すると、ｄが０〜70〔mm〕内で、これらも良
好となる効果がある。
本発明によれば、ECR点と被処理材との距離
を150mm以下にしたので、マイクロ波プラズマ処
理において、膜堆積速度が向上し、その結果、ス
ループツトが向上する効果がある。また、成膜に
おいては低温の被処理基板上にも高温熱処理と同
等の結晶性、緻密性の膜質が得られる。
を150mm以下にしたので、マイクロ波プラズマ処
理において、膜堆積速度が向上し、その結果、ス
ループツトが向上する効果がある。また、成膜に
おいては低温の被処理基板上にも高温熱処理と同
等の結晶性、緻密性の膜質が得られる。
第１図は本発明のマイクロ波プラズマ処理装置
の断面図、第２図はプラズマ生成室及び処理室の
磁束密度分布の例を示す図、第３図ないし第８図
は本発明による実験データを示す図である。 １……被処理基板、２……処理室、３……プラ
ズマ生成室、６……マイクロ波、８……マイクロ
波導入窓、９，１３……プラズマ生成用静磁場発
生コイル、５，１１……反応ガス供給ノズル。
の断面図、第２図はプラズマ生成室及び処理室の
磁束密度分布の例を示す図、第３図ないし第８図
は本発明による実験データを示す図である。 １……被処理基板、２……処理室、３……プラ
ズマ生成室、６……マイクロ波、８……マイクロ
波導入窓、９，１３……プラズマ生成用静磁場発
生コイル、５，１１……反応ガス供給ノズル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空容器と、 真空容器に設けたガス導入口と、 真空容器に設けたマイクロ波導入窓と、 真空容器内に設けた被処理基板を支持する支持
台と、 真空容器の外側に配置して真空容器内に電子サ
イクロトロン共鳴によるプラズマを生成するに十
分な磁場を生成する磁場発生手段とを具備し、 磁場発生手段によつて真空容器内生成する磁場
が電子サイクロトロン共鳴点から支持台方向に単
調減少するものであり、被処理基板が電子サイク
ロトロン共鳴点から磁場の単調減少する側におい
て電子サイクロトロン共鳴点から150mm以内に位
置するようになつていることを特徴とするプラズ
マ処理装置。 ２ 前記被処理基板が該基板面と垂直をなす方向
に位置が調整可能であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。 ３ 前記磁場発生手段によつて発生する磁場の分
布が調整可能であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050090A JPS63217620A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | プラズマ処理装置 |
| KR1019880000369A KR960015609B1 (ko) | 1987-01-19 | 1988-01-19 | 플라즈마 처리장치 및 방법 |
| EP88100672A EP0275965B1 (en) | 1987-01-19 | 1988-01-19 | Plasma operation apparatus |
| DE3853890T DE3853890T2 (de) | 1987-01-19 | 1988-01-19 | Mit einem Plasma arbeitendes Gerät. |
| US07/145,371 US4876983A (en) | 1987-01-19 | 1988-01-19 | Plasma operation apparatus |
| US08/131,519 US5433788A (en) | 1987-01-19 | 1993-10-04 | Apparatus for plasma treatment using electron cyclotron resonance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050090A JPS63217620A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | プラズマ処理装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15835594A Division JPH07161700A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | プラズマ処理方法 |
| JP6158354A Division JP2703184B2 (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63217620A JPS63217620A (ja) | 1988-09-09 |
| JPH0556855B2 true JPH0556855B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=12849345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62050090A Granted JPS63217620A (ja) | 1987-01-19 | 1987-03-06 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63217620A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0672306B2 (ja) | 1987-04-27 | 1994-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JPH0362517A (ja) * | 1989-03-27 | 1991-03-18 | Anelva Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JP2709162B2 (ja) * | 1989-11-15 | 1998-02-04 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH0379421U (ja) * | 1989-12-01 | 1991-08-13 | ||
| JPH03259517A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-19 | Nec Corp | Ｅｃｒプラズマエッチング方法 |
| JPH0425022A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Nec Corp | マイクロ波プラズマエッチング装置及びその方法 |
| JP3071450B2 (ja) * | 1990-08-22 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| KR100237687B1 (ko) * | 1991-04-04 | 2000-01-15 | 가나이 쓰도무 | 드라이에칭 방법 |
| JP3327285B2 (ja) * | 1991-04-04 | 2002-09-24 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JPH0653170A (ja) * | 1992-03-18 | 1994-02-25 | Nec Corp | Ｅｃｒプラズマエッチング装置 |
| JP2715277B2 (ja) * | 1995-08-28 | 1998-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成装置 |
| US6066568A (en) * | 1997-05-14 | 2000-05-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and system |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
| JPS59136130A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマによる膜形成装置 |
| JPS60134423A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマエツチング装置 |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP62050090A patent/JPS63217620A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
| JPS59136130A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマによる膜形成装置 |
| JPS60134423A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマエツチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63217620A (ja) | 1988-09-09 |
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