JPH0556456B2 - - Google Patents

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JPH0556456B2
JPH0556456B2 JP59156030A JP15603084A JPH0556456B2 JP H0556456 B2 JPH0556456 B2 JP H0556456B2 JP 59156030 A JP59156030 A JP 59156030A JP 15603084 A JP15603084 A JP 15603084A JP H0556456 B2 JPH0556456 B2 JP H0556456B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
resistors
resistor
pressure sensor
temperature
Prior art date
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Application number
JP59156030A
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English (en)
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JPS6131934A (ja
Inventor
Mikio Betsusho
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS6131934A publication Critical patent/JPS6131934A/ja
Publication of JPH0556456B2 publication Critical patent/JPH0556456B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/02Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
    • G01L9/06Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
    • G01L9/065Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices with temperature compensating means

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体圧力センサの温度補償増幅回路
を高性能化するようにした半導体圧力検出装置に
関するものである。
〔従来技術〕
この種の従来装置として第1図に示すものがあ
つた。図において、1はブリツジ回路を構成する
半導体圧力センサで、圧力を加えられた際に歪を
生じ圧力を電気信号に変換する。6は半導体圧力
センサ1の出力端子2と入力端子3との間に接続
されたオフセツト電圧温度補償抵抗、7は半導体
圧力センサ1の出力端子4と入力端子3との間に
接続されたオフセツト電圧温度補償抵抗、8は入
力端子3,5間に接続された固定抵抗、9は入力
端子3と接地点との間に接続された固定抵抗で、
抵抗9と入力端子3との接続点はオペアンプ28
の反転入力端子に接続されている。入力端子3,
5間には半導体圧力センサ1を駆動する電源電圧
である励起電圧(ブリツジ電圧)が接続されてい
る。22,23は直列接続された固定抵抗で、そ
の接続点はオペアンプ28の非反転入力端子に接
続され、抵抗23は電源29の正側に、抵抗22
は電源29の負側に接続されている。24は抵抗
である。又、10,11は直列接続された抵抗
で、その接続点は抵抗16を介してオペアンプ2
5の反転入力端子に接続される。12,13は直
列接続された固定抵抗で、接続点は抵抗14,1
5を介してオペアンプ27の非反転入力端子に接
続されている。抵抗11,13は電源29の負側
に、抵抗10,12は電源29の正側に接続され
る。又、17〜21は抵抗、26はオペアンプで
ある。なお、オフセツト電圧は圧力センサ1に圧
力が印加されないときの出力端子2,4間の出力
電圧である。
次に、上記の従来装置の動作について説明す
る。半導体圧力センサ1で圧力−電圧変換された
圧力信号はオペアンプ25〜27で構成された増
幅器で所定の値に増幅される。この時、半導体圧
力センサ1に流れる電流はオペアンプ28等で構
成される定電流回路で一定値に保たれる。ここ
で、圧力センサ1の出力VPを(1)式で近似すると、
オペアンプ27の出力Vputは(3)式で示される。即
ち、 VP={Vpff(1+ηt)+k0・P・1/1+βt}・VB
(1) ただし、Vpff:VB=1Vのときのオフセツト電
圧、η=オフセツト電圧の温度係数、k0:圧力感
度係数、β:感度温度係数、P:圧力、VB:ブ
リツジ電圧、t:温度である。ここで、ブリツジ
抵抗温度係数をαとすると、ブリツジに定電流を
流した場合のブリツジ電圧もαの温度係数を持つ
ので、定電圧励起した場合の圧力センサ1の出力
−圧力特性は(2)式で表わされる。
VP={Vpff(1+ηt)+k0・P・1/1+
βt}・VB(1+αt)(2) 従つて、 Vput={Vpff(1+ηt)k0・P・1/1+βt・VB(1
+αt)・K2・K3+(k2・Vcc−k1・Vcc)・K3(3) ただし、Rnを抵抗nの抵抗値として K2=R21/R20、K3=1+R19/R18、k1=R11/R10+R1
1
、k2 =R13/R12+R13、Vcc:抵抗10,12に印加される 電圧であつて、電源29の電圧である。ここで、
抵抗8を接続したときのブリツジの見かけ上の抵
抗温度係数をα′とすると、α′=βとなるように抵
抗8を選択することにより感度の温度補償が可能
になる。又、抵抗6,7の選択によりオフセツト
電圧の温度補償が可能になる。
しかるに、上記の従来装置においては、圧力セ
ンサ1のオフセツト電圧温度ドリフVpff・ηtだけ
ではなく、Vpff・αtで表わされるオフセツト電圧
温度ドリフトが生じるため、オフセツト電圧温度
補償回路の調整が複雑になるといつた欠点があつ
た。
〔発明の概要〕 本発明は上記したような従来の欠点を除去する
ために成されたものであり、(3)式のVccにαの温
度係数を持たせることにより、Vpff・αtを自動的
に補償して調整工程を簡略化し、精度が良く安価
な半導体圧力検出装置を提供することを目的とす
る。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面とともに説明す
る。本実施例においては第2図に示すように、抵
抗10,12の接続点を圧力センサ1の入力端子
5に接続するとともに抵抗11,13の接続点を
圧力センサ1の入力端子3に接続しており、その
他の構成は従来と同様である。なお、オフセツト
電圧補償電圧とは、オフセツト電圧を補償するた
めの電圧であつて、オペアンプ25の反転入力端
子に接続された抵抗16に加わる電圧である。
次に、動作について説明する。第2図におい
て、オペアンプ27の出力Vputは Vput={Vpff(1+ηt)・K2+k2+k1}・VB(1+αt
)・K3+k0・P・VB/1+βt(1+αt)・K2・K3(4) で表わされ、α=β、Vpff・K3+k2−k1=0とす
ると、 Vput=Vpff・ηt・VB・(1+αt)・K2・K3
+K0・P・VB・K2・K3(5) となり、η=0となるよう抵抗6,7を調整する
ことにより、(5)式はさらに Vput=k0・P・VB・K2・K3 (6) となる。
このように、本実施例によれば圧力センサ1の
励起電圧が温度依存性を持つ場合でも温度依存性
を持たない場合のオフセツト電圧の温度ドリフト
のみを補償すれば良くなり、調整工程が簡単で精
度が高い半導体圧力検出装置を安価に提供するこ
とができる。ただし、抵抗8,10,11,1
2,13を接続したときの見かけ上の抵抗温度係
数α′=βが必要であり、α>βでなければならな
い。又、抵抗14,15の抵抗値は抵抗12,1
3の10倍以上必要である。即ち、α′はセンサ1の
抵抗の温度係数αと抵抗8,10〜13で決定さ
れたセンサ1の入力端子3,5から見た見かけ上
の抵抗温度係数であり、α′=βとすればセンサ1
の出力電圧の圧力依存項(圧力感度に相当)の温
度依存性がなくなり、温度補償が成立する。又、
抵抗9で計測される電流は各抵抗8,10〜13
を並列に流れ、これらの温度係数は小さいので、
見かけ上のセンサ1の抵抗温度係数α′はセンサ1
の抵抗温度係数αより小さく(α>α′)、α>β
でなければならない。一方、抵抗12,13の接
続点から抵抗14,15の直列回路に流れる電流
が抵抗9を流れる電流より十分小さくないと、
α′に影響を与える。即ち、抵抗9の両端の電圧は
抵抗22の両端の電圧に等しく、温度依存性を持
たないが、入力端子3,5間の電圧は温度係数
α′を有するので、抵抗12,13の直列体を流れ
る電流はα′の温度係数を有する。従つて、抵抗1
4,15を流れる電流の温度依存性(抵抗9の両
端電圧+センサ1の入力端子3,5間の電圧の抵
抗12,13による分圧電圧)とは異なるので抵
抗14,15によりα′が影響を受け、この影響を
小さくするためには抵抗14,15の抵抗値を抵
抗12,13の10倍以上とする必要がある。
尚、上記実施例ではオフセツト電圧の補償電圧
を発生させるために抵抗10,11の分圧回路を
用いたが、第3図に示すようにさらにバツフアア
ンプ30,31を付加しても同様の効果が得られ
るとともに抵抗10〜15の抵抗値の制限をなく
す効果もある。即ち、第2図の回路ではオペアン
プ25の入力インピーダンスが抵抗16,17で
決定され、抵抗14,15の直列値がそれぞれ抵
抗10,11、抵抗12,13の分圧による電源
(分圧電圧がその電源電圧であり、抵抗10,1
1及び抵抗12,13の並列値が電源インピーダ
ンスに相当する。)の負荷インピーダンスとなり、
負荷インピーダンスの影響を避けるには電源イン
ピーダンスと負荷インピーダンスの比を大きくす
る必要があるが、バツフアアンプ30,31を介
することにより抵抗値に無関係に電源インピーダ
ンスを小さくすることができる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明においては、オフセツト電
圧補償電圧に圧力センサの励起電圧と同じ温度依
存性を持たせたので、励起電圧の変化により生じ
るオフセツト電圧の自動的に補償することがで
き、励起電圧が温度依存性を持たず一定の場合の
オフセツト電圧温度ドリフトのみを補償すれば良
く、調整が簡単で高精度な圧力検出装置が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体圧力検出装置の回路図、
第2図および第3図は夫々本発明の第1および第
2の実施例に係る半導体圧力検出装置の回路図で
ある。 1……半導体圧力センサ、2,4……入力端
子、3,5……出力端子、6〜24……抵抗、2
5〜28……オペアンプ、29……電源、30,
31……バツフアアンプ。尚、図中同一符号は同
一又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 圧力を加えられた際に歪を生じ圧力を電気信
    号に変換する半導体圧力センサと、この半導体圧
    力センサの励起電圧入力端子間に接続された複数
    の抵抗で構成され、該センサの励起電圧と同じ温
    度依存性を有するオフセツト電圧補償電圧を発生
    し、半導体圧力センサの感度の温度依存性をその
    励起電圧の温度変化により補償させるオフセツト
    電圧補償回路を備えたことを特徴とする半導体圧
    力検出装置。
JP15603084A 1984-07-24 1984-07-24 半導体圧力検出装置 Granted JPS6131934A (ja)

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JP15603084A JPS6131934A (ja) 1984-07-24 1984-07-24 半導体圧力検出装置

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JP15603084A JPS6131934A (ja) 1984-07-24 1984-07-24 半導体圧力検出装置

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