JPH0555417A - ヒートシンク付半導体装置 - Google Patents
ヒートシンク付半導体装置Info
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- JPH0555417A JPH0555417A JP3209704A JP20970491A JPH0555417A JP H0555417 A JPH0555417 A JP H0555417A JP 3209704 A JP3209704 A JP 3209704A JP 20970491 A JP20970491 A JP 20970491A JP H0555417 A JPH0555417 A JP H0555417A
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- Japan
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- heat sink
- metal plate
- semiconductor device
- thermal expansion
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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Abstract
(57)【要約】
【目的】材質の異なるヒートシンク１と金属板３の接合
部において、熱膨張率の整合をとり接着部の信頼性を向
上させる。 【構成】電気絶縁基板１０にタングステン又はコバール
等を用いた金属板３がろう付してあり、その片面に半導
体素子６がその反対面にヒートシンク１が接着されてい
る。ヒートシンク１は銅又はアルミニウム製で、その金
属板３との接着面には、格子状にヒートシンク１の基材
と熱膨張率の異なる材料１ａが取付けてある。
部において、熱膨張率の整合をとり接着部の信頼性を向
上させる。 【構成】電気絶縁基板１０にタングステン又はコバール
等を用いた金属板３がろう付してあり、その片面に半導
体素子６がその反対面にヒートシンク１が接着されてい
る。ヒートシンク１は銅又はアルミニウム製で、その金
属板３との接着面には、格子状にヒートシンク１の基材
と熱膨張率の異なる材料１ａが取付けてある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はヒートシンク付半導体装
置に関し、特に放熱特性の優れたヒートシンク付半導体
装置に関する。
置に関し、特に放熱特性の優れたヒートシンク付半導体
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子搭載面を有する金属板
が電気絶縁基板（以下、基板と記す）に接着され、金属
板の半導体素子搭載面の反対側にヒートシンクを取付け
る構造の半導体装置おいて、基板にはアルミナ系セラミ
ックスが多く用いられ、金属板にはコバールという鉄・
ニッケル・コバルト合金や、タングステンの焼結体に銅
を含浸させた材料（以下、Ｃｕ／Ｗと記す）が多く用い
られ、ヒートシンクには銅または銅合金やアルミニウム
またはアルミニウム合金が多く用いられていた。基板と
金属板の接着は、銀と銅の合金の金属ろう材を用いて行
なわれることが多かった。金属板とヒートシンクの接着
は、金と錫の合金や半田等の金属ろう材や熱硬化性エポ
キシ樹脂等の樹脂材料を用いて行なわれることが多かっ
た。
が電気絶縁基板（以下、基板と記す）に接着され、金属
板の半導体素子搭載面の反対側にヒートシンクを取付け
る構造の半導体装置おいて、基板にはアルミナ系セラミ
ックスが多く用いられ、金属板にはコバールという鉄・
ニッケル・コバルト合金や、タングステンの焼結体に銅
を含浸させた材料（以下、Ｃｕ／Ｗと記す）が多く用い
られ、ヒートシンクには銅または銅合金やアルミニウム
またはアルミニウム合金が多く用いられていた。基板と
金属板の接着は、銀と銅の合金の金属ろう材を用いて行
なわれることが多かった。金属板とヒートシンクの接着
は、金と錫の合金や半田等の金属ろう材や熱硬化性エポ
キシ樹脂等の樹脂材料を用いて行なわれることが多かっ
た。
【０００３】以下、気密封止型のヒートシンク付半導体
装置の場合について図面を参照して説明する。
装置の場合について図面を参照して説明する。
【０００４】図３は従来のヒートシンク付半導体装置の
一例の要部断面図である。
一例の要部断面図である。
【０００５】図３に示すように、基板１０は、アルミナ
セラミックス製多層配線板が用いられている。これは、
アルミナの粉末をバインダと混ぜシート状にしたものに
必要な開孔部を設け、タングステン等の金属メタライズ
で配線パターンや金属板や外部端子等のろう付パターン
を形成した後、積層，焼成，めっき等を施こして作られ
る。
セラミックス製多層配線板が用いられている。これは、
アルミナの粉末をバインダと混ぜシート状にしたものに
必要な開孔部を設け、タングステン等の金属メタライズ
で配線パターンや金属板や外部端子等のろう付パターン
を形成した後、積層，焼成，めっき等を施こして作られ
る。
【０００６】次に、この基板１０に、Ｃｕ／Ｗ製の金属
板３を銀と銅の合金製の金属板接着用金属ろう４でろう
付される。
板３を銀と銅の合金製の金属板接着用金属ろう４でろう
付される。
【０００７】次に、半導体素子６を金属板３に半導体素
子接着剤５として金とシリコンの共晶合金のろう材を用
いて接着し、ボンディングワイヤ７としてアルミニウム
とシリコンの合金製の細線を用いて半導体素子６の基板
１０の配線パターンとを電気的に接続したのち、アルミ
ナセラミックス製の蓋８を低融点ガラス製の気密封止用
接着剤９で接着される。
子接着剤５として金とシリコンの共晶合金のろう材を用
いて接着し、ボンディングワイヤ７としてアルミニウム
とシリコンの合金製の細線を用いて半導体素子６の基板
１０の配線パターンとを電気的に接続したのち、アルミ
ナセラミックス製の蓋８を低融点ガラス製の気密封止用
接着剤９で接着される。
【０００８】最後に、ヒートシンク１を金属板３に接着
する。一般的には、ヒートシンク１に純度９９％以上の
純アルミニウムを用い表面にはアルマイト加工が施こさ
れている。ヒートシンク接着用樹脂接着材１１として市
販の熱硬化性エポキシ樹脂が用いられ接着される。金属
板３は、通常、ろう付後、Ｎｉめっきが施こされ、その
上に金めっきが施こされるが、金は樹脂との密着性が悪
いため、ヒートシンク接着面の金めっきは除去される。
する。一般的には、ヒートシンク１に純度９９％以上の
純アルミニウムを用い表面にはアルマイト加工が施こさ
れている。ヒートシンク接着用樹脂接着材１１として市
販の熱硬化性エポキシ樹脂が用いられ接着される。金属
板３は、通常、ろう付後、Ｎｉめっきが施こされ、その
上に金めっきが施こされるが、金は樹脂との密着性が悪
いため、ヒートシンク接着面の金めっきは除去される。
【０００９】なお、ヒートシンク１の接着方法は、上記
の方法以外に、ヒートシンク１の基材に銅，アルミニウ
ムを用いてＮｉめっき等の表面処理を施こし、半田等の
金属ろう材で接着する方法がある。
の方法以外に、ヒートシンク１の基材に銅，アルミニウ
ムを用いてＮｉめっき等の表面処理を施こし、半田等の
金属ろう材で接着する方法がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来のヒートシンク付
半導体装置では、金属板とヒートシンクの接合部におい
て、それぞれの基材の熱膨張率の差が大きいと温度変化
による熱ストレスにより機械的な破壊を生じることがあ
った。
半導体装置では、金属板とヒートシンクの接合部におい
て、それぞれの基材の熱膨張率の差が大きいと温度変化
による熱ストレスにより機械的な破壊を生じることがあ
った。
【００１１】一般に、金属板基材の熱膨張率は、これに
搭載する半導体素子の基材であるシリコンに合せている
ので金属板の材料は選択の幅が狭く、一般に、Ｃｕ／Ｗ
又はコバールが用いられていた。
搭載する半導体素子の基材であるシリコンに合せている
ので金属板の材料は選択の幅が狭く、一般に、Ｃｕ／Ｗ
又はコバールが用いられていた。
【００１２】これに対し、ヒートシンクの基材は熱伝導
率が高く、加工性の良いことが必要で有り、一般に、ア
ルミニウムや銅が用いられていた。
率が高く、加工性の良いことが必要で有り、一般に、ア
ルミニウムや銅が用いられていた。
【００１３】そのため、金属板とヒートシンクの接着
は、これらの熱膨張率の差を考慮する必要があった。た
とえば、樹脂で接着する場合は、接着樹脂で応力を緩和
するためある厚み以上にする必要があり、そのため、接
着部の熱抵抗が大きくなり半導体装置としての放熱性を
低下させるという問題点があった。
は、これらの熱膨張率の差を考慮する必要があった。た
とえば、樹脂で接着する場合は、接着樹脂で応力を緩和
するためある厚み以上にする必要があり、そのため、接
着部の熱抵抗が大きくなり半導体装置としての放熱性を
低下させるという問題点があった。
【００１４】また、金属ろう材で接着する場合も、応力
を押えるため接着面積をある大きさ以下にする必要があ
り、ヒートシンク又は半導体装置が大きくなると接着部
の強度が不足するという問題点があった。
を押えるため接着面積をある大きさ以下にする必要があ
り、ヒートシンク又は半導体装置が大きくなると接着部
の強度が不足するという問題点があった。
【００１５】本発明の目的は、放熱性に優れ、金属板と
ヒートシンクの接着強度の高いヒートシンク付半導体装
置を提供することにある。
ヒートシンクの接着強度の高いヒートシンク付半導体装
置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、電気絶縁基板
に接着された金属板の一方の面に半導体素子を搭載し前
記金属板の他方の面にヒートシンクを搭載する構造のヒ
ートシンク付半導体装置において、前記ヒートシンクの
前記金属板との接着面と前記金属板の前記ヒートシンク
との接着面とのうちの少くともいずれか一方の面に複数
の開孔を設け、該開孔にそれぞれの基板と熱膨張率の異
る金属材料を埋設したことを特徴とする。
に接着された金属板の一方の面に半導体素子を搭載し前
記金属板の他方の面にヒートシンクを搭載する構造のヒ
ートシンク付半導体装置において、前記ヒートシンクの
前記金属板との接着面と前記金属板の前記ヒートシンク
との接着面とのうちの少くともいずれか一方の面に複数
の開孔を設け、該開孔にそれぞれの基板と熱膨張率の異
る金属材料を埋設したことを特徴とする。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１８】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例の要部断面図及びヒートシンクの部分拡大底面図であ
る。
例の要部断面図及びヒートシンクの部分拡大底面図であ
る。
【００１９】第１の実施例は、図１（ａ），（ｂ）に示
すように、基板１０にはアルミナセラミックスを、金属
板３としては銅が１０重量％，タングステンが９０重量
％のＣｕ／Ｗを用い、金属板接着用金属ろう材４として
銀が７２重量％，銅が２８重量％のＡｇ／Ｃｕろうを用
いて基板１０と金属板３を接着している。
すように、基板１０にはアルミナセラミックスを、金属
板３としては銅が１０重量％，タングステンが９０重量
％のＣｕ／Ｗを用い、金属板接着用金属ろう材４として
銀が７２重量％，銅が２８重量％のＡｇ／Ｃｕろうを用
いて基板１０と金属板３を接着している。
【００２０】ヒートシンク１には、純度９９．９％以上
の無酸素銅を用い、金属板３との接着面のヒートシンク
の基材と熱膨張率の異なる材料１ａとしてＮｉが３５〜
３７重量％のＦｅ／Ｎｉ合金を用いた。ヒートシンクの
基材と熱膨張率の異なる材料１ａは、厚みが０．５ｍｍ
の板で全体に１辺１ｍｍの正方形の開孔部を２ｍｍ間隔
で格子状に設け埋設されている。これをヒートシンク１
の接着部にプレスを用いて圧着している。ヒートシンク
１の接着面における基材銅の露出率を２０〜３０％にす
ることで、基材銅の熱膨張率１６５×１０-7／℃に対
し、ヒートシンク１の接着面の実質的な熱膨張率を７５
×１０-7／℃にしている。
の無酸素銅を用い、金属板３との接着面のヒートシンク
の基材と熱膨張率の異なる材料１ａとしてＮｉが３５〜
３７重量％のＦｅ／Ｎｉ合金を用いた。ヒートシンクの
基材と熱膨張率の異なる材料１ａは、厚みが０．５ｍｍ
の板で全体に１辺１ｍｍの正方形の開孔部を２ｍｍ間隔
で格子状に設け埋設されている。これをヒートシンク１
の接着部にプレスを用いて圧着している。ヒートシンク
１の接着面における基材銅の露出率を２０〜３０％にす
ることで、基材銅の熱膨張率１６５×１０-7／℃に対
し、ヒートシンク１の接着面の実質的な熱膨張率を７５
×１０-7／℃にしている。
【００２１】ヒートシンク１の接着面にヒートシンクの
基材と熱膨張率の異なる材料１ａを圧着後、全体に無電
解Ｎｉめっきを施こし、このヒートシンク１を金属板３
に熱硬化性エポキシ樹脂で接着している。熱膨張率の調
整は、ヒートシンク１の接着面におけるヒートシンク１
の基材とヒートシンクの基材と熱膨張率の異なる材料１
ａの割合で行う。
基材と熱膨張率の異なる材料１ａを圧着後、全体に無電
解Ｎｉめっきを施こし、このヒートシンク１を金属板３
に熱硬化性エポキシ樹脂で接着している。熱膨張率の調
整は、ヒートシンク１の接着面におけるヒートシンク１
の基材とヒートシンクの基材と熱膨張率の異なる材料１
ａの割合で行う。
【００２２】図２は本発明の第２の実施例の要部断面図
である。
である。
【００２３】本実施例では、図２に示すように、ヒート
シンク１と金属板３の接着部において熱膨張率をより整
合させるため、金属板３の接着面にも金属板の基材と熱
膨張率の異なる材料３ａを部分的に取付けている。
シンク１と金属板３の接着部において熱膨張率をより整
合させるため、金属板３の接着面にも金属板の基材と熱
膨張率の異なる材料３ａを部分的に取付けている。
【００２４】金属板３にはＣｕ／Ｗを用い、そのヒート
シンク１接着面に格子状に溝を設け、そこに金属板の基
材と熱膨張率の異なる材料３ａとして純度９９．９％以
上の無酸素銅の薄板に格子状の開孔部を設けたものをは
め込み、それを還元雰囲気炉中で約１１００℃で加熱す
ることで接着し、その後、表面を軽く研磨している。
シンク１接着面に格子状に溝を設け、そこに金属板の基
材と熱膨張率の異なる材料３ａとして純度９９．９％以
上の無酸素銅の薄板に格子状の開孔部を設けたものをは
め込み、それを還元雰囲気炉中で約１１００℃で加熱す
ることで接着し、その後、表面を軽く研磨している。
【００２５】これにより、金属板３のヒートシンク１接
着面の実質的な熱膨張率を７０×１０-7／℃にしている
こと以外第１の実施例と同じである。
着面の実質的な熱膨張率を７０×１０-7／℃にしている
こと以外第１の実施例と同じである。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板に接
着された金属板の片面に半導体素子、反対面にヒートシ
ンクを搭載する構造のヒートシンク付半導体装置におい
て、金属板とヒートシンクの基材に熱膨張率の大きく異
なる材料を用いても、ヒートシンクの金属板との接着面
と金属板のヒートシンクとの接着面の少くともいずれか
一方の面に、それぞれの基材と熱膨張率の異る金属材料
を取付けることにより、接着面の実質的な熱膨張率を整
合できるので接合の信頼性を損なうことなく接着剤を薄
くでき、接着面積も大きくすることができ、その結果、
接着部の熱抵抗を低下できるとともに接着強度を向上で
きる効果がある。
着された金属板の片面に半導体素子、反対面にヒートシ
ンクを搭載する構造のヒートシンク付半導体装置におい
て、金属板とヒートシンクの基材に熱膨張率の大きく異
なる材料を用いても、ヒートシンクの金属板との接着面
と金属板のヒートシンクとの接着面の少くともいずれか
一方の面に、それぞれの基材と熱膨張率の異る金属材料
を取付けることにより、接着面の実質的な熱膨張率を整
合できるので接合の信頼性を損なうことなく接着剤を薄
くでき、接着面積も大きくすることができ、その結果、
接着部の熱抵抗を低下できるとともに接着強度を向上で
きる効果がある。
【００２７】特に、金属板にＣｕ／Ｗ，ヒートシンクに
アルミニウムを用い、接着に熱硬化性エポキシ樹脂を用
い接着部の大きさが直径２７ｍｍの場合、従来の接着剤
の厚みを３００μｍ以上にする必要があったが、本実施
例では、接着剤の厚みを５０μｍ程度にすることがで
き、これにより、接合部の熱抵抗が従来０．５℃／Ｗだ
ったのを０．１℃／Ｗ程度まで低下できる。
アルミニウムを用い、接着に熱硬化性エポキシ樹脂を用
い接着部の大きさが直径２７ｍｍの場合、従来の接着剤
の厚みを３００μｍ以上にする必要があったが、本実施
例では、接着剤の厚みを５０μｍ程度にすることがで
き、これにより、接合部の熱抵抗が従来０．５℃／Ｗだ
ったのを０．１℃／Ｗ程度まで低下できる。
【図１】本発明の第１の実施例の要部断面図及びヒート
シンクの部分拡大底面図である。
シンクの部分拡大底面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の要部断面図である。
【図３】従来のヒートシンク付半導体装置の一例の要部
断面図である。
断面図である。
１ ヒートシンク １ａ ヒートシンクの基材と熱膨張率の異る材料 ２ ヒートシンク接着用金属ろう材 ３ 金属板 ３ａ 金属板の基材と熱膨張の異る材料 ４ 金属板接着用金ろう材 ５ 半導体素子接着剤 ６ 半導体素子 ７ ボンディングワイヤ ８ 蓋 ９ 気密封止用接着剤 １０ 基板 １１ ヒートシンク接着用樹脂接着剤
Claims (3)
- 【請求項１】 電気絶縁基板に接着された金属板の一方
の面に半導体素子を搭載し前記金属板の他方の面にヒー
トシンクを搭載する構造のヒートシンク付半導体装置に
おいて、前記ヒートシンクの前記金属板との接着面と前
記金属板の前記ヒートシンクとの接着面とのうちの少く
ともいずれか一方の面に複数の開孔を設け、該開孔にそ
れぞれの基板と熱膨張率の異る金属材料を埋設したこと
を特徴とするヒートシンク付半導体装置。 - 【請求項２】 前記金属板の基材としてタングステンと
モリブデンとのうちのいずれか一方の焼結体に銅を含浸
させた材料、前記ヒートシンクの基材として銅と、アル
ミニウムと、銅とアルミニウムのうちの少くともいずれ
か一方を含む合金とのうちのいずれかの金属、前記基材
と熱膨張率の異る材料として鉄・ニッケル合金を用いた
ことを特徴とする請求項１記載のヒートシンク付半導体
装置。 - 【請求項３】 前記複数の開孔が格子状に配列して設け
られたことを特徴とする請求項１記載のヒートシンク付
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3209704A JPH0555417A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | ヒートシンク付半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3209704A JPH0555417A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | ヒートシンク付半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555417A true JPH0555417A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16577258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3209704A Pending JPH0555417A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | ヒートシンク付半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010525588A (ja) * | 2007-04-27 | 2010-07-22 | ヴィーラント ウェルケ アクチーエン ゲゼルシャフト | 冷却体 |
-
1991
- 1991-08-22 JP JP3209704A patent/JPH0555417A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010525588A (ja) * | 2007-04-27 | 2010-07-22 | ヴィーラント ウェルケ アクチーエン ゲゼルシャフト | 冷却体 |
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