JPH0553678A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0553678A
JPH0553678A JP3215230A JP21523091A JPH0553678A JP H0553678 A JPH0553678 A JP H0553678A JP 3215230 A JP3215230 A JP 3215230A JP 21523091 A JP21523091 A JP 21523091A JP H0553678 A JPH0553678 A JP H0553678A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oscillation
signal line
circuit
data bus
address signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3215230A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3285208B2 (ja
Inventor
Masaaki Abe
雅彰 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP21523091A priority Critical patent/JP3285208B2/ja
Publication of JPH0553678A publication Critical patent/JPH0553678A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3285208B2 publication Critical patent/JP3285208B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】電源電圧を切り替えても安定した発振特性を持
つ発振回路を提供する。 【構成】発振回路の電源電圧を切り替えるとき、発振イ
ンバータと共に帰還抵抗トランジスタサイズも切り替え
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に発振回路の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置は図2に示すように、
マイクロコンピュータ部(以下MCUと呼ぶ)201〜
205と、基準電圧発生回路206と、前記基準電圧発
生回路206より高い電圧を発生する基準電圧発生回路
207と、2つのアナログスイッチ208、209と、
演算増幅器210と、選択制御記憶回路(以下選択レジ
スタと呼ぶ)211と、発振回路212と、前記発振回
路212内の発振インバータ213、214と、リセッ
ト信号線215と、基本動作信号216から構成され
る。
【0003】まず、外部からリセット信号線215に入
力されるリセット信号により、中央処理ユニット(以下
CPUと呼ぶ)201および選択レジスタ211がそれ
ぞれ初期化され、CPU201のプログラムカウンタは
初期アドレス、選択レジスタ211の出力はLOWレベ
ルとなる。次に前記選択レジスタ211の初期出力結果
によりアナログスイッチ208がON、209がOFF
され、演算増幅器210の入力には基準電圧発生回路2
06より発生される電圧が供給される。この時点で演算
増幅器210は入力された電圧を安定強化して出力し、
MCU部201〜205および発振回路212に電源と
して供給。発振回路212内の発振インバータ213が
駆動され、CPU201へ基本動作信号216が供給さ
れる。
【0004】前記によりリセット信号線215の状態が
リセット解除となった場合、CPU201は動作を開始
し、アドレス信号線203および双方向データ母線(以
下データバスと呼ぶ)202を介して、リードオンリー
メモリ(以下ROMと呼ぶ)204からのプログラムの
読み出し、およびランダムアクセスメモリ(以下RAM
と呼ぶ)205に対するデータの読み書きを前記ROM
204から読み出されるプログラムによって実行するこ
とで、コンピュータとしての動作が実行される。 ま
た、高速動作を保証する時など、より高い電圧での動作
を必要とする場合、CPU201はアドレス信号線20
3に選択レジスタ211の割り当てられたアドレスデー
タを出力し、データバス202を介してデータ”1”を
書き込むことで、選択レジスタ211の出力はHIGH
レベルとなり、アナログスイッチ208がOFF、20
9がONし、MCU部201〜205および発振回路2
12の電源は、基準電圧発生回路206から基準電圧発
生回路207の出力電圧に切り換えられる。また発振回
路212内の発振インバータ213は停止し、発振イン
バータ214が駆動する。切り換えの制御はROM20
4から読み出されるプログラムによって実現される。
【0005】以上が従来の半導体装置の構成と動作であ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の従来技
術では、前記発振回路212の帰還抵抗をトランジスタ
のオン抵抗で実現する場合、前記発振回路212に供給
される電源電圧が前記選択レジスタ211によって切り
換えられるため、帰還抵抗トランジスタのオン抵抗値が
変化して、 a)帰還抵抗トランジスタのオン抵抗を低めに設計し、
かつ発振回路の電源電圧を高い方へ切り換えた場合、許
容リーク抵抗値が高くなる。
【0007】b)帰還抵抗トランジスタのオン抵抗を高
めに設計し、かつ発振回路の電源電圧を低い方へ切り換
えた場合、発振開始しにくくなる。
【0008】という2つの問題を有していた。
【0009】また、前記発振回路212の帰還抵抗をト
ランジスタのオン抵抗以外の拡散抵抗や多結晶シリコン
抵抗で実現する場合、単位面積当たりの抵抗値が数十オ
ームから数キロオームと小さく数メガオームから数十メ
ガオーム必要な帰還抵抗を実現するには非常に広いレイ
アウト領域が必要でありチップサイズが増大するという
問題がある。
【0010】そこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので、その目的は、発振回路の電源電圧を切り換え
た場合も、安定した発振を行う半導体装置を提供するこ
とにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、 a)演算機能の実行とコンピュータの動作の制御とを行
うCPUと、前記CPUに結合され、データのやりとり
を行うデータバスと、前記CPUに結合されるアドレス
信号線と、前記データバスおよび前記アドレス信号線に
結合され、コンピュータの動作を決定するプログラムを
蓄積するROMと、前記データバスおよび前記アドレス
信号線に結合され、演算処理のデータを格納するRAM
とからなるMCU部と、 b)少なくとも2つ以上の電圧を発生する基準電圧発生
回路と、 c)前記基準電圧発生回路より出力される2つ以上の電
圧を選択する少なくとも2つ以上のアナログスイッチ
と、 d)前記アナログスイッチにて選択された電圧を安定化
させる演算増幅器と、 e)少なくとも2つ以上の発振インバータと少なくとも
1つの帰還抵抗にて構成され、前記演算増幅器からの出
力を電源として動作し、かつその出力をMCU部へ基準
信号として供給する手段を有する発振回路と、 f)前記帰還抵抗は、トランジスタのオン抵抗を利用
し、前記トランジスタのサイズを切り換える手段を有
し、 g)前記MCU部の前記データバスおよび前記アドレス
信号線に結合され、前記2つ以上のアナログスイッチと
前記発振回路の2つ以上の発振インバータおよび帰還抵
抗トランジスタサイズを選択する選択レジスタと、 h)前記MCU部の前記CPUおよび前記選択レジスタ
に結合され、電源投入時または装置初期化時に前記CP
Uおよび前記選択レジスタを初期化するリセット信号線
を有することを特徴とする。
【0012】
【実施例】図1は本発明のー実施例を示す半導体装置の
回路図である。101は演算機能の実行とコンピュータ
の動作の制御を行うCPU。102はCPU101接続
されデータのやり取りを行うデータバス。103はCP
U101に結合されるアドレス信号線。104はデータ
バス102とアドレス信号線103に結合され、動作を
決定するプログラムを格納するROM。105はデータ
バス102とアドレス信号線103に結合され、演算処
理のデータを一時的に格納するRAM。前記101〜1
05によってMCU部が構成される。106と107は
それぞれ異なる電圧を発生する基準電圧発生回路で、基
準電圧発生回路107は基準電圧発生回路106より高
い電圧を発生する。108と109はそれぞれ基準電圧
発生回路106、107に結合され、発生されるそれぞ
れの電圧を選択するアナログスイッチ。110はアナロ
グスイッチ108、109によって選択された電圧を安
定強化する演算増幅器。111はCPU101に基本動
作信号を供給する発振回路。112と113は発振回路
内の発振インバータで、それぞれ駆動能力が異なり発振
インバータ112は発振インバータ113より高い駆動
能力をもつ。119、120は帰還抵抗、117、11
8はアナログスイッチである。帰還抵抗119と120
は直列に接続され、帰還抵抗120は発振インバータ1
12、113の出力側に接続されている。アナログスイ
ッチ117、118のー方端は発振インバータ112、
113の入力側に接続されており、アナログスイッチ1
17のもうー方端は帰還抵抗119に、アナログスイッ
チ118のもうー方端は帰還抵抗119と120の接続
点に接続されている。114は基準電圧発生回路10
6、107、発振インバータ112、113および帰還
抵抗119、120のそれぞれを選択する選択レジス
タ。115はCPU101および選択レジスタ114を
初期化するリセット信号線。116はCPU101に対
する基本動作信号。以上によって本発明の半導体装置が
構成される。
【0013】次にその動作について説明する。まず外部
からリセット信号線115に入力されるリセット信号に
より、CPU101および選択レジスタ114がそれぞ
れ初期化され、CPU101のプログラムカウンタは初
期アドレス、選択レジスタ114の出力はLOWレベル
となる。次に前記選択レジスタ114の初期出力結果に
よりアナログスイッチ108がON、109がOFFさ
れ、演算増幅器110の入力には基準電圧発生回路10
6より発生する電圧が供給される。この時点で演算増幅
器110は入力された電圧を安定強化して出力し、MC
U部101〜105および発振回路111に電源として
供給。また前記選択レジスタ114の初期出力結果は発
振回路111内の2つの発振インバータのうち、駆動能
力の高い発振インバータ112を選択、アナログスイッ
チ117はOFF、118はONされ帰還抵抗は120
のみが選択され、CPU101へ基本動作信号116を
供給する。
【0014】前述によりリセット信号線115がリセッ
ト解除になった場合、CPU101は動作を開始し、ア
ドレス信号線103およびデータバス102を介してR
OM104からプログラムを読みだし、RAM105に
対するデータの読み書きを前記ROM104から読みだ
されるプログラムによって実行することで、コンピュー
タとしての動作が実現される。
【0015】また、高速動作を保証する時など、より高
い電圧での動作を必要とする場合、CPU101はアド
レス信号線103に選択レジスタ114の割り当てられ
たアドレスデータを出力し、データバス102を介して
データ”1”を書き込むことで、選択レジスタ114の
出力はHIGHレベルとなり、アナログスイッチ108
がOFF、109がONし、MCU部101〜105お
よび発振回路111の電源は、基準電圧発生回路106
から基準電圧発生回路107の出力電圧に切り換えられ
る。また発振回路111内の発振インバータ112は停
止し、発振インバータ113が駆動する。更に発振回路
111内のアナログスイッチ117がON、118がO
FFされ、帰還抵抗は119と120が直列されたもの
が選択される。これらの切り換えの制御はROM204
から読み出されるプログラムによって実現される。
【0016】
【発明の効果】以上述べたように、本発明では、発振回
路に供給される電源電圧が切り換えられた時、前記発振
回路の帰還抵抗のトランジスタサイズを切り替えること
ができ、すなわち電源電圧に応じた適切な帰還抵抗値を
設定でき、許容リーク抵抗値が高くなったり、発振開始
しにくくなるという発振特性の劣化を防ぐことができ
る。
【0017】この、発振回路の帰還抵抗をトランジスタ
のオン抵抗で実現できることは、単位面積当たりの抵抗
値が低い数拡散抵抗や多結晶シリコン抵抗で実現する場
合のように、非常に広いレイアウト領域が必要でありチ
ップサイズが増大するという問題を回避でき、また、帰
還抵抗を外付部品にした場合のようにチップの付加価値
をさげることもない。言い替えれば、本発明は、チップ
サイズの増大によるコストアップやチップの付加価値を
さげることなしに、発振回路の電源電圧に応じた適切な
帰還抵抗値を設定でき、許容リーク抵抗値や発振開始特
性の安定した半導体装置を実現できるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置のー実施例を示す回路図。
【図2】従来の半導体装置の回路図。
【符号の説明】
101・・・・・・中央処理ユニット(CPU) 102・・・・・・双方向データ母線(データバス) 103・・・・・・アドレス信号線 104・・・・・・リードオンリーメモリ(ROM) 105・・・・・・ランダムアクセスメモリ(RAM) 106、107・・基準電圧発生回路 108、109・・アナログスイッチ 110・・・・・・演算増幅器 111・・・・・・発振回路 112、113・・発振インバータ 114・・・・・・選択制御記憶回路(選択レジスタ) 115・・・・・・リセット信号線 116・・・・・・基本動作信号 117、118・・アナログスイッチ 119、120・・帰還抵抗 201・・・・・・中央処理ユニット(CPU) 202・・・・・・双方向データ母線(データバス) 203・・・・・・アドレス信号線 204・・・・・・リードオンリーメモリ(ROM) 205・・・・・・ランダムアクセスメモリ(RAM) 206、207・・基準電圧発生回路 208、209・・アナログスイッチ 210・・・・・・演算増幅器 211・・・・・・選択制御記憶回路(選択レジスタ) 212・・・・・・発振回路 213、214・・発振インバータ 215・・・・・・リセット信号線 216・・・・・・基本動作信号

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】a)演算機能の実行とコンピュータの動作
    の制御とを行う中央処理ユニットと、前記中央処理ユニ
    ットに結合され、データのやりとりを行う双方向データ
    母線と、前記中央処理ユニットに結合されるアドレス信
    号線と、前記双方向データ母線および前記アドレス信号
    線に結合され、コンピュータの動作を決定するプログラ
    ムを蓄積するリードオンリーメモリと、前記双方向デー
    タ母線および前記アドレス信号線に結合され、演算処理
    のデータを格納するランダムアクセスメモリとからなる
    マイクロコンピュータ部と、 b)少なくとも2つ以上の電圧を発生する基準電圧発生
    回路と、 c)前記基準電圧発生回路より出力される2つ以上の電
    圧を選択する少なくとも2つ以上のアナログスイッチ
    と、 d)前記アナログスイッチにて選択された電圧を安定化
    させる演算増幅器と、 e)少なくとも2つ以上の発振インバータと少なくとも
    1つの帰還抵抗にて構成され、前記演算増幅器からの出
    力を電源として動作し、かつその出力をマイクロコンピ
    ュータ部へ基準信号として供給する手段を有する発振回
    路と、 f)前記帰還抵抗は、トランジスタのオン抵抗を利用
    し、前記トランジスタのサイズを切り換える手段を有
    し、 g)前記マイクロコンピュータ部の前記双方向データ母
    線および前記アドレス信号線に結合され、前記2つ以上
    のアナログスイッチと前記発振回路の2つ以上の発振イ
    ンバータおよび帰還抵抗トランジスタサイズを選択する
    選択制御記憶回路と、 h)前記マイクロコンピュータ部の前記中央処理ユニッ
    トおよび前記選択制御記憶回路に結合され、電源投入時
    または装置初期化時に前記中央処理ユニットおよび前記
    選択制御記憶回路を初期化するリセット信号線を有する
    ことを特徴とする半導体装置。
JP21523091A 1991-08-27 1991-08-27 半導体装置 Expired - Fee Related JP3285208B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21523091A JP3285208B2 (ja) 1991-08-27 1991-08-27 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21523091A JP3285208B2 (ja) 1991-08-27 1991-08-27 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0553678A true JPH0553678A (ja) 1993-03-05
JP3285208B2 JP3285208B2 (ja) 2002-05-27

Family

ID=16668869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21523091A Expired - Fee Related JP3285208B2 (ja) 1991-08-27 1991-08-27 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3285208B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5719517A (en) * 1993-06-29 1998-02-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Clock generating circuit for digital circuit operating in synchronism with clock, semiconductor integrated circuit including them, and logical gate used for them

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5719517A (en) * 1993-06-29 1998-02-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Clock generating circuit for digital circuit operating in synchronism with clock, semiconductor integrated circuit including them, and logical gate used for them

Also Published As

Publication number Publication date
JP3285208B2 (ja) 2002-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5295112A (en) Semiconductor memory
JPH03176681A (ja) Icデバイス
JPS6243280B2 (ja)
JPH0553678A (ja) 半導体装置
JPH0731917B2 (ja) 不揮発性メモリー用電圧供給スイッチングデバイス
JP2005537556A (ja) 相互接続されたデータ記憶デバイスを有する再構成可能な電子装置
US5353249A (en) Non-volatile semiconductor memory device
JP2773786B2 (ja) 書き込み電圧発生回路
US6713778B2 (en) Register setting method and semiconductor device
US6862241B2 (en) Semiconductor device and method for controlling semiconductor device
KR920008446B1 (ko) 마이크로 프로세서
JP5512226B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH104568A (ja) 簡易交換装置のデータ保存回路
JP2830424B2 (ja) 半導体装置
JPH05314789A (ja) 冗長アドレス記憶回路
JPH0563551A (ja) プログラマブル論理回路装置
US20030075716A1 (en) Semiconductor device with high speed switching of test modes
JPH04345995A (ja) 半導体記憶装置
KR940027663A (ko) 데이타처리시스템의 개발방법 및 데이타처리용 반도체집적회로
KR950020310A (ko) 종합회로카드
KR920003017Y1 (ko) 메모리 백업회로
JPS62145598A (ja) 記憶装置
JPS6059590A (ja) C−mosスタテツクメモリ素子
JPH1011357A (ja) データ書き込み装置
JPH01181146A (ja) シングルチップマイクロコンピュータ

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080308

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees