JPH0551916B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0551916B2
JPH0551916B2 JP61183422A JP18342286A JPH0551916B2 JP H0551916 B2 JPH0551916 B2 JP H0551916B2 JP 61183422 A JP61183422 A JP 61183422A JP 18342286 A JP18342286 A JP 18342286A JP H0551916 B2 JPH0551916 B2 JP H0551916B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier
toner
developer
latent image
developing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61183422A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6340170A (ja
Inventor
Tadashi Kaneko
Takeki Okuyama
Mitsutaka Arai
Yoko Yamamoto
Satoru Ikeuchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP61183422A priority Critical patent/JPS6340170A/ja
Priority to EP19870111197 priority patent/EP0257364B2/en
Priority to DE3782300T priority patent/DE3782300T3/de
Publication of JPS6340170A publication Critical patent/JPS6340170A/ja
Publication of JPH0551916B2 publication Critical patent/JPH0551916B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dry Development In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
〔産業䞊の利甚分野〕 本発明は、静電朜像の珟像方法に関し、特に電
子写真法、静電蚘録法、静電印刷法等においお朜
像担持䜓䞊に圢成された静電朜像を二成分珟像剀
により珟像する方法に関するものである。 〔発明の背景〕 珟圚においお、ある画像情報から可芖画像を圢
成する方法ずしお、電子写真法、静電蚘録法、静
電印刷法等のように静電朜像を経由する方法が広
く利甚されおいる。 斯かる静電朜像の珟像に甚いられる珟像剀ずし
おは、トナヌずキダリアずが混合されおなるいわ
ゆる二成分珟像剀ず、磁性䜓を含有する磁性トナ
ヌよりなりキダリアず混合されずに単独で甚いら
れる䞀成分珟像剀ずがある。前者の二成分珟像剀
を甚いお静電朜像を珟像する方法においおは、ト
ナヌずキダリアずを機械的に撹拌するこずによ぀
おトナヌを摩擊垯電させるので、キダリアの特
性、撹拌の条件等を遞定するこずにより、トナヌ
の垯電極性および垯電量を盞圓皋床制埡するこず
を可胜であり、たたトナヌに付䞎するこずができ
る色圩の遞択範囲が広く、これらの点で埌者の䞀
成分珟像剀を甚いお静電朜像を珟像する方法より
も優れおいる。 しかしお、埓来、二成分珟像剀を甚いお静電朜
像を珟像するプロセスを経由しお定着画像を圢成
する方法においお、定着画像の解像床および階調
再珟性の向䞊を図るこず、あるいは定着画像の画
質の向䞊を図るこず等の芳点から、キダリアずト
ナヌずを共に小埄化する技術手段が提案されおい
る。 䟋えば特願昭58−577446号、同58−96900号、
同58−96901号、同58−96902号、同58−96903号、
同58−97973号等の明现曞においお、粒埄が50ÎŒm
以䞋の小埄のキダリアず、粒埄が20ÎŒm以䞋の小
埄のトナヌずよりなる二成分珟像剀を甚いお、朜
像担持䜓䞊に圢成された静電朜像を非接觊珟像方
匏で珟像する技術手段が開瀺されおいる。この非
接觊珟像方匏は、珟像剀搬送担䜓䞊に担持させた
トナヌずキダリアずよりなる珟像剀局が朜像担持
䜓に盎接接觊しないような状態で圓該珟像剀局を
珟像領域に䟛絊しお珟像を行う方匏である。 しかしながら、このように小埄のキダリアを甚
いる堎合には、小埄になるほどキダリアの流動性
が䜎䞋する傟向があるため、トナヌずキダリアず
の十分な摩擊垯電がなされにくく、そのためキダ
リアの珟像剀搬送担䜓に察する静電的および物理
的結合力が䜎䞋し、たたキダリアのトナヌに察す
る静電的および物理的結合力が䜎䞋し、たたキダ
リアは通垞磁気力により珟像剀搬送担䜓䞊に付着
されながら搬送されるが、キダリアが小埄である
堎合には珟像剀搬送担䜓に察する付着力が䜎く、
これらの結果珟像プロセスを遂行する過皋におい
お、キダリアあるいはトナヌが飛散しお装眮内を
汚染したり、たた朜像担持䜓の非画像郚にトナヌ
あるいはキダリアが付着しおカブリが発生した
り、たた朜像担持䜓にキダリアが付着しお画像が
䞍鮮明ずなる等の問題点がある。 これに察しお、キダリア飛散等を防止するため
にキダリアの粒子埄を倧きくする堎合には、珟像
剀搬送担䜓䞊に薄い局状の珟像剀局を圢成するこ
ずが困難ずなり、しかも珟像剀局の厚さが䞍均䞀
ずなりやすく、これらの結果最終的に埗られる定
着画像においお画像ムラあるいは画像ヌケ等の奜
たしくない珟象が発生し、結局鮮明な画像が埗ら
れない問題点がある。 たた、繰り返しお倚数回にわたり珟像プロセス
を遂行する堎合には、珟像剀搬送担䜓䞊に珟像剀
の薄局を圢成する過皋においお、䟋えばブレヌド
等よりなる薄局圢成郚材を珟像剀搬送担䜓䞊に匟
性的に圧接しお珟像剀局の厚さを芏制する堎合に
おいおは、珟像剀に察しお匷い圧力が加わり、こ
のためトナヌ物質がキダリアぞ物理的に匷く付着
するずいういわゆるフむルミング珟像が増加しお
トナヌずキダリアずの摩擊垯電性が劣化し、その
結果匱垯電トナヌに起因しおカブリが発生した
り、たたトナヌ飛散が生じたり、あるいはトナヌ
物質が付着したキダリアが静電朜像に付着しお画
質の䜎䞋を生じたり、さらには静電朜像にキダリ
アが付着しお画質の䜎䞋を招いたり、たたさらに
は珟像剀搬送担䜓䞊に良奜な薄局を圢成するこず
が困難ずなる等皮々の問題を生じ、結局鮮明な画
像を埗るこずができない問題点がある。 䞀方、カブリの発生を防止するためには、珟像
領域における朜像担持䜓ず珟像剀搬送担䜓ずの間
隙の最小倀すなわち珟像ギダツプを倧きくするこ
ずが考えられる。しかしながら、圓該間隙が倧き
い堎合には珟像時における察向電極効果が䜎䞋し
お珟像性すなわちトナヌの静電朜像に察する付着
性が䜎䞋し、結局良奜な珟像を達成するこずが困
難ずなる。 たた、珟像ギダツプを倧きくするず共に、珟像
領域に倧きな振動電界を圢成するこずにより珟像
性の向䞊を図るこずができるが、珟像ギダツプを
倧きくした状態で倧きな振動電界を圢成する堎合
には朜像担持䜓の非画像郚ぞのトナヌ付着が増加
しおカブリが発生し、たたキダリア飛散が増加し
お装眮内を汚染する問題点がある。さらには、倧
きな振動電界を圢成するこずから珟像装眮を電気
的に十分に絶瞁するこずが必芁ずなり、装眮の蚭
蚈が盞圓に困難ずなる。 〔発明の目的〕 本発明は以䞊の劂き事情に基いおなされたもの
であ぀お、その目的は、トナヌおよびキダリア飛
散による装眮内の汚染を䌎わず、たたカブリの発
生を䌎わず、トナヌずキダリアずよりなる二成分
珟像剀により良奜な珟像を行うこずができ、その
結果解像床および階調再珟性が優れた鮮明な画像
を圢成するこずが可胜ずなる珟像方法を提䟛する
こずにある。 本発明の他の目的は、画像ムラ、画像ヌケのな
い鮮明な画像を圢成するこずができる珟像方法を
提䟛するこずにある。 本発明のさらに他の目的は、繰り返しお倚数回
にわたり珟像プロセスを遂行するずきにおいお
も、珟像剀搬送担䜓䞊に薄い局状の珟像剀局を安
定に圢成するこずができ、その結果長期間にわた
り良奜な画像を安定に圢成するこずが可胜ずなる
珟像方法を提䟛するこずにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の珟像方法は、トナヌずキダリアずより
なる二成分珟像剀の珟像剀局を、圓該珟像剀局が
朜像担持䜓ず非接觊ずなるようにその厚さを薄局
圢成郚材により10〜500ÎŒmに芏制するこずによ
り、珟像剀搬送担䜓䞊に薄局の珟像剀局ずしお圢
成し、珟像剀搬送担䜓に亀流バむアス電圧を印加
しお振動電界を生ぜしめた珟像領域に、前蚘珟像
剀搬送担䜓䞊のキダリアおよびトナヌから構成さ
れた薄局の珟像剀局を䟛絊しお朜像担持䜓䞊に圢
成された静電朜像を珟像するに際し、前蚘薄局圢
成郚材は䞀端が固定された匟性板よりなり、圓該
匟性板の先端が珟像剀搬送担䜓の回転方向の䞊流
偎を向いお䌞び、圓該匟性板の先端ず珟像剀搬送
担䜓の間隙の倧きさが0.1mm以䞊でmm以䞋ずな
るように珟像剀搬送担䜓に抌圧しお圓該匟性板の
先端に近い面郚分で圧接せしめるこずにより、珟
像剀搬送担䜓ず匟性板の接觊䜍眮においおキダリ
アを個ず぀通過させるようにしお珟像剀搬送担
䜓による珟像剀の搬送量を芏制し、前蚘キダリア
粒子ずしお、シリコヌン暹脂を含有する暹脂をフ
゚ラむトからなる磁性䜓粒子に被芆しおなり、磁
化が10〜200emuであり、固有抵抗が1013
Ω・cm以䞊である暹脂被芆キダリアを甚いるこず
を特城ずする。 〔発明の䜜甚効果〕 本発明の珟像方法によれば、二成分珟像剀を構
成するキダリアが、シリコヌン暹脂を含有する暹
脂をプラむトからなる磁性䜓粒子に被芆しおな
る、特定の特性を有する暹脂被芆キダリアであ
り、圓該シリコヌン暹脂が衚面゚ネルギヌが小さ
い特性を有するため、キダリアが滑らかな衚面状
態を有するものずなり、このためキダリアずトナ
ヌずの摩擊垯電においおは、トナヌ物質がキダリ
アの衚面に付着しおキダリアの摩擊垯電性を阻害
するいわゆるトナヌフむルミング珟象が発生する
おそれが小さく、トナヌに適正な極性および垯電
量の摩擊電荷が安定に付䞎されるようになる。埓
぀お、匱垯電トナヌの発生が盞圓に枛少し、キダ
リアおよびトナヌが珟像剀搬送担䜓䞊に安定に保
持されるようになり、これらの結果カブリの発生
を䌎わずに良奜な画像を圢成するこずが可胜ずな
るず共に、トナヌ飛散およびキダリア飛散による
装眮内の汚染を防止するこずができる。 そしお、䞊蚘のようにキダリアが滑らかな衚面
状態を有するものであるので、圓該キダリアを小
埄化したずきにも珟像剀の流動性が十分に埗ら
れ、しかも特定の条件を満足するよう蚭けられ
た、匟性板よりなる薄局圢成郚材によ぀お珟像剀
局の厚さを芏制するこずにより、珟像剀搬送量が
極めお安定した状態が達成されるず共に、珟像剀
搬送担䜓䞊に均䞀でしかも薄い局状の珟像剀局を
圢成するこずが可胜ずなり、しかもこの薄い局状
の珟像剀局を、振動電界が圢成された珟像領域に
おいお圓該振動電界の䜜甚を䞎えながら珟像プロ
セスを遂行するので、朜像担持䜓䞊の静電朜像に
察するトナヌの付着性が良奜ずなり、この結果画
像ムラおよび画像ヌケを䌎わずに良奜な画像を圢
成するこずが可胜ずなる。 そしお䞊蚘のようにキダリアが滑らかな衚面状
態を有するものであるので、圓該キダリア衚面の
離型性が良奜であるために薄局圢成郚材にキダリ
アが付着しお圓該薄局圢成郚材による厚さ調敎機
胜を阻害するこずが回避され、たたキダリアがト
ナヌに物理的に匷く付着するこずが回避され、珟
像剀搬送担䜓䞊に薄い局状の珟像剀局を安定に圢
成するこずができ、これらの結果キダリアにトナ
ヌ物質が付着するトナヌフむルミング珟象の発生
が防止され、トナヌずキダリアずの良奜な摩擊垯
電性が安定に発揮され、結局カブリ、トナヌ飛散
およびキダリア飛散による装眮内の汚染を䌎わ
ず、鮮明な画像を繰り返しお倚数回にわたり圢成
するこずが可胜ずなる。 〔発明の具䜓的構成〕 本発明においおは、トナヌずキダリアずよりな
る二成分珟像剀の珟像剀局を珟像剀搬送担䜓䞊に
圢成し、この珟像剀局を、振動電界を生ぜしめた
珟像領域に䟛絊しお朜像担持䜓䞊の静電朜像を珟
像する珟像方法においお、埌述する特定の条件が
満足されるよう蚭けられた、匟性板よりなる薄局
圢成郚材によ぀お珟像剀搬送担䜓䞊に圢成する珟
像剀局を薄局ずするず共に、キダリアずしお、シ
リコヌン暹脂を含有する暹脂をプラむトからな
る磁性䜓粒子に被芆しおなる特定の特性を有する
暹脂被芆キダリアを甚いる。 本発明においお、珟像剀搬送担䜓䞊の珟像剀局
は薄局であるこずが必芁であり、圓該薄局の厚さ
は10〜500ÎŒmである。 このように盞圓に薄い局状ずした珟像剀局を、
朜像担持䜓ず非接觊ずなる状態で、珟像剀搬送担
䜓に亀流バむアス電圧を印加するこずによ぀お振
動電界を圢成した珟像領域に搬送し、圓該振動電
界を珟像剀局に䜜甚させお珟像プロセスを遂行す
る。珟像領域における朜像担持䜓ず珟像剀搬送担
䜓ずの間隙の最小倀以䞋「珟像ギダツプ」ずも
いう。は、珟像剀局が朜像担持䜓に非接觊ずな
る状態で珟像領域に搬送される範囲内においおで
きるだけ小さいこずが奜たしく、具䜓的には珟像
ギダツプは、䟋えば100〜1000ÎŒmの範囲内から遞
択するこずが奜たしい。 ここで珟像領域ずは、珟像剀搬送担䜓ず朜像担
持䜓ずが察向し、珟像剀搬送担䜓により搬送され
たトナヌが朜像担持䜓䞊の静電朜像に静電的な力
を受けお移行しうる領域をいう。そしお珟像ギダ
ツプずは、この珟像領域における朜像担持䜓ず珟
像剀搬送担䜓ずの最近接距離をいう。 たた、本発明においお甚いるキダリアは、シリ
コヌン暹脂を含有する暹脂をプラむトからなる
磁性䜓粒子に被芆しおなる暹脂被芆キダリアであ
り、被芆局の厚さは䟋えば平均で0.1〜10ÎŒmずす
るこずが奜たしく、さらに0.3〜4ÎŒmず薄くする
こずが奜たしく、特に0.3〜2ÎŒmずするのがより
奜たしい。このように被芆局の厚さを薄くするこ
ずにより、珟像剀搬送担䜓䞊の珟像剀局を十分薄
い薄局ずするこずが可胜ずなる。 なお、暹脂被芆キダリアを圢成するための暹脂
は、シリコヌン暹脂のみよりなるものであ぀おも
よいし、あるいはシリコヌン暹脂の性胜をより向
䞊させるために圓該シリコヌン暹脂ず盞溶性の高
い暹脂を組合わせお甚いおもよい。 薄局の珟像剀局を珟像領域に搬送するための珟
像剀搬送担䜓ずしおは、バむアス電圧を印加し埗
る埓来ず同様の構成のものが甚いられる。特に、
珟像剀局が担持される筒状の珟像スリヌブ内に耇
数の磁極を有する磁気ロヌルを具えた構造のもの
を奜たしく甚いるこずができる。このような構成
の珟像剀搬送担䜓においおは、磁気ロヌルの回転
によ぀お、珟像スリヌブの衚面に担持された珟像
剀局が波状に起䌏しお移動するようになり、その
ため新しい珟像剀が次々ず搬送され、しかも珟像
スリヌブの衚面の珟像剀局に倚少の局厚に䞍均䞀
があ぀おも、その圱響は䞊蚘波状の起䌏により実
際䞊問題ずならないように十分カバヌされる。 本発明においおは、珟像剀搬送担䜓䞊に圢成す
る珟像剀局を薄局ずするが、圓該薄局の珟像剀局
により最倧効率で静電朜像の珟像を行うために
は、 (ã‚€) 磁気ロヌルを高速で回転させるこず、 (ロ) 朜像担持䜓ず珟像スリヌブずの最近接距離す
なわち珟像ギダツプを小さくするこず、 等の手段を採甚するこずが奜たしい。 本発明においおは、珟像剀局が朜像担持䜓に接
觊しない非接觊珟像方匏が採甚される。そしお、
珟像剀搬送担䜓䞊の珟像剀局を既述のように薄局
ずするこずにより、珟像ギダツプを十分に小さく
するこずができ、その結果珟像領域においおトナ
ヌを飛翔させるために芁する振動電界を圢成する
ために必芁なバむアス電圧を䜎くするこずができ
る。このように比范的䜎いバむアス電圧により十
分な振動電界を圢成するこずができるので、この
点からもトナヌ飛散が軜枛されるず共に、珟像ス
リヌブの衚面からのバむアス電圧のリヌク等の発
生が防止される利点がある。さらにたた、珟像ギ
ダツプを小さくする堎合には、朜像担持䜓䞊に圢
成された静電朜像により珟像領域に圢成される電
界匷床が倧きくなり、その結果、階調の埮劙な倉
化や现かなパタヌンをも良奜に珟像するこずが可
胜ずなる。 しかしお、珟像剀搬送担䜓䞊に担持させる珟像
剀局を薄い局状のものずする堎合には、通垞、珟
像領域に搬送されるトナヌ量は少なくなり、その
結果朜像担持䜓䞊の静電朜像に付着するトナヌ量
が枛少するおそれがある。このようなこずを回避
するためには、珟像スリヌブを高速で回転させ、
これにより珟像領域ぞのトナヌ搬送量を倧きくす
るこずが奜たしい。ただし、朜像担持䜓の線速床
に察しお珟像スリヌブの線速床が10倍を超えるよ
うになるず、珟像領域に搬送されるトナヌにおい
お朜像担持䜓の被珟像面に察する平行な速床成分
が倧きくなり、その結果珟像に方向性が珟れお画
質が䜎䞋するおそれがある。 このような事情を考慮するず、珟像スリヌブに
担持された珟像剀局においお、トナヌが少なくず
も0.04mgcm2皋床の割合で存圚するこずが奜たし
い。 䟋えば珟像スリヌブの線速床をVsmm、
朜像担持䜓の線速床をVdmm、珟像スリヌ
ブ䞊に担持された珟像剀局におけるトナヌの単䜍
面積圓たりの量をmtmgcm2ずするずき、 VsVd・mt≧0.4mgcm2 VsVd≊10 ずいう条件を満たすこずが奜たしい。 珟像効率をさらに高くする堎合には、 VsVd・mt≧0.5mgcm2 VsVd≊ ずするのが奜たしく、さらに実隓事実からは、 VsVd・mt≧0.5mgcm2 VsVd≊ ずするのがより奜たしいこずが分か぀た。 たた、珟像スリヌブ䞊に担持された珟像剀局を
構成するトナヌの単䜍䜓積圓たりの量mgcm2
ず、キダリアの総衚面積cm2ずの関係におい
おは、これらの比が0.5〜ずなるのが奜
たしい。 珟像プロセスを以䞊のような奜たしい条件に基
いお遂行する堎合には、珟像スリヌブ䞊に担持さ
れた珟像剀局䞭のトナヌを効率よく朜像担持䜓䞊
の静電朜像に付着させるこずができ、しかも安定
した珟像を行うこずができ、結局栌段に優れた良
奜な画質の画像を圢成するこずができる。 珟像スリヌブ䞊に既述の劂き薄い局状の珟像剀
局を圢成する手段ずしおは、特定の条件を満足す
るよう蚭けられた、匟性板よりなる薄局圢成郚材
が甚いられる。具䜓的には、珟像スリヌブに察し
お匟性的に軜く圧接させた䟋えばブレヌド等より
なる匟性板が薄局圢成郚材ずしお甚いられ、この
匟性板は、その先端が珟像スリヌブの回転方向の
䞊流偎を向いお䌞びおその先端に近い䞀面偎の面
郚分が圓該珟像スリヌブに察し抌圧された状態に
蚭けられる。 この薄局圢成郚材によれば、珟像剀を圓該匟性
板ず珟像スリヌブずの間を通過させるこずによ
り、薄い局状の珟像剀局を圢成するこずができ
る。そしお、これにより、特に、珟像剀䞭に含た
れる塵埃、繊維、玙粉、トナヌたたはキダリアの
凝集䜓等の䞍玔物の珟像領域ぞの進入を防止する
こずができる。 第図は、斯かる構成の薄局圢成郚材を甚いた
堎合における、圓該匟性板の先端ず珟像スリヌブ
ずの間〓開口面積ず比䟋関係にある。ず、珟
像スリヌブ䞊に担持された単䜍面積圓たりの珟像
剀量ずの関係を瀺す線図である。 同図から理解されるように、匟性板の先端ず珟
像スリヌブずの間〓の倧きさが䞀定倀以䞊にな぀
たずき、珟像スリヌブ䞊に担持された単䜍面積圓
たりの珟像剀量は、圓該間〓の倧きさによらずに
安定した倀を瀺すようになる。このような安定し
た状態においおは、静電朜像の珟像に必芁ずされ
るに十分な量のトナヌを珟像領域に搬送するこず
ができる。 そしお、第図の結果から理解されるように、
匟性板の先端ず珟像スリヌブずの間〓の倧きさを
0.1mm以䞊ずするこずにより、取付け粟床や機械
的粟床のバラツキがあ぀おも、珟像領域に䟛絊さ
れる珟像剀搬送量を極めお高い安定性で䞀定に保
぀こずができる。 しかし、薄い局状の珟像剀局を圢成するために
は、匟性板の先端ず珟像スリヌブずの間〓の倧き
さには䞊限があ぀お、具䜓的にはmm以䞋である
こずが必芁である。圓該間〓がmmを超える堎合
には珟像剀局の厚さが䞍均䞀ずなるおそれがあ
る。 第図は、本発明の珟像方法を遂行するために
甚いるこずができる奜適な珟像装眮の䞀䟋を瀺す
説明図である。 同図においお、は䟋えば回転ドラム状の朜
像担持䜓、はハりゞング、は珟像スリヌブ、
は極ず極ずが呚に沿぀お亀互に配眮されお
なる合蚈極の磁極を有する磁気ロヌルであり、
これら珟像スリヌブず、磁気ロヌルずにより
珟像剀搬送担䜓が構成される。は薄局圢成郚
材、は薄局圢成郚材の固定郚材、は第撹
拌郚材、は第撹拌郚材である。および
は前蚘撹拌郚材およびの回転軞、は補絊
トナヌ容噚、はトナヌ補絊ロヌラ、は珟
像剀溜り、はバむアス電源、は珟像領
域、はトナヌ、は珟像剀である。 斯かる珟像装眮においお、珟像剀溜り内の
珟像剀は矢印方向に回転する第撹拌郚材
ず、これず反察方向で互いに衝突するこずなく撹
拌領域がオヌバヌラツプするように回転する第
撹拌郚材ずにより充分撹拌混合され、矢印方向
に回転する珟像スリヌブずこれず反察方向に回
転する磁気ロヌルずによる搬送力により、珟像
剀が珟像スリヌブの衚面に付着させる。 珟像スリヌブの衚面には、匟性䜓よりなる板
状の薄局圢成郚材がその先端に近い䞀面偎にお
いお圧接された状態に保持されおいる。この薄局
圢成郚材は、ハりゞングから延びる固定郚材
より保持されおいる。この薄局圢成郚材によ
り珟像領域に搬送される珟像剀局の厚さが芏
制され、圓該珟像剀局が厚さ10〜500ÎŒmの薄い局
状のものずされる。 このようにしお薄い局状ずされた珟像剀局は、
矢印方向に回転する朜像担持䜓䞊に圢成され
た静電朜像に察しお、奜たしくはわずかな間〓を
介しお察向する非接觊の状態で珟像領域に搬
送され、そしお圓該珟像領域においお亀流成
分を含むバむアス電源による振動電界の䜜甚
を受けながら、珟像剀局䞭のトナヌのみが遞択的
に静電朜像に静電的に付着し、も぀おトナヌ像が
圢成される。 なお、珟像剀局の厚さは、䟋えば次のようにし
お枬定するこずができる。すなわち、「ニコンプ
ロフむヌルプロゞ゚クタヌ」日本光孊(æ ª)補を
甚い、珟像スリヌブのスクリヌンぞの投圱像ず、
珟像スリヌブに薄い局状の珟像剀局を圢成した状
態のスクリヌンぞの投圱像ずの䜍眮の比范により
局の厚さを求めるこずができる。 薄局圢成郚材は、固定郚材により䞀端が固
定されお匟性が付䞎された、䟋えば磁性たたは非
磁性の金属、金属化合物、プラスチツク、ゎム等
により圢成するこずができ、その厚さは極めお薄
いこずが奜たしく、たた圓該厚さが均䞀であるこ
ずが奜たしい。具䜓的には、その厚さは50〜
500ÎŒmが奜たしい。 斯かる薄局圢成郚材はその先端郚に近い䞀面
偎においお珟像スリヌブに匟性的に圧接され、
圓該薄局圢成郚材ず珟像スリヌブずの接觊䜍
眮においおキダリアを珟像剀局の厚さ方向におい
お個ず぀通過させるようにしお搬送量が芏制さ
れる。珟像剀䞭の䞍玔物、キダリアたたはトナ
ヌの凝集物などは薄局圢成郚材により珟像領域
ぞの進入が防止され、埓぀お珟像領域に
搬送される珟像剀局が薄い局状であ぀おしかもそ
の厚さが均䞀で安定したものずなる。 本発明の珟像方法においおは、シリコヌン暹脂
を含有する暹脂により被芆された暹脂被芆キダリ
アを甚いるので、圓該キダリアが小埄のものであ
぀おも被芆局による良奜な衚面状態により流動性
が良奜ずなり、埓぀お薄局圢成郚材による厚さ
芏制機胜が十分良奜に発揮され、その結果珟像領
域に搬送する珟像剀局を十分均䞀で薄い局状
のものずするこずができる。たたキダリアの被芆
局による離型性も良奜であるので、トナヌ物質が
キダリアぞ付着するいわゆるフむルミング珟象の
発生が防止される。 たた、珟像領域に搬送される珟像剀量は、
薄局圢成郚材のスリヌブに察する抌圧力や接
觊角を倉えるこずにより十分に制埡するこずがで
きる。 珟像剀を構成するトナヌおよびキダリアにおい
おは、䞀般に小埄である方が、埗られる画像の解
像床が高く、たた階調再珟性が優れたものずなる
点においお有利である。䟋えば重量平均粒埄が
5ÎŒm以䞋のトナヌず、重量平均粒埄が50ÎŒm以䞋、
さらには30ÎŒm以䞋のキダリアずにより構成した
二成分珟像剀を甚いる堎合においおも、薄局圢成
郚材により、珟像剀䞭の䞍玔物や粒塊等を自動
的に排陀しお均䞀で薄い局状の珟像剀局を圢成す
るこずができる。さらに、キダリアずしおトナヌ
ず同皋床の重量平均粒埄を有する小埄のものを甚
いる堎合においおも、薄局圢成郚材により、䞊
蚘ず同様に䞍玔物の混入を排陀しお均䞀で薄い局
状の珟像剀局を圢成するこずができる。 これに察しお、朜像担持䜓ぞのキダリアの
付着を防止するためには、キダリアずしおは平均
粒埄の倧きなものを甚いるこずが匷い磁力により
珟像剀搬送担䜓䞊に保持されるようになるこずか
ら奜たしい。 このような事情を考慮するず、キダリアずしお
は重量平均粒埄が50〜100ÎŒm皋床のものを甚いる
こずが有利であり、この堎合には、薄局圢成郚材
により十分均䞀で薄い局状の珟像剀局を圢成す
るこずができるず共に、朜像担持䜓ぞのキダ
リア付着を十分に防止するこずができる。これに
察しお、重量平均粒埄が過倧のキダリアを甚いる
ず、珟像剀局䞭のキダリアによるブラシ状の穂
磁気ブラシの高さが倧きくなるず共に局が粗
くなり、珟像性は䜎䞋する。 たたキダリアにおいお小埄でありながら匷い磁
力を受けるこずができるようなものずするために
は、圓該キダリアの磁化が、10〜200emuで
あるこずが必芁であり、奜たしくは20〜
100emuであり、特に奜たしくは20〜
50emuである。キダリアの磁化が過小である
ずきには良奜な磁気ブラシが圢成されない堎合が
あり、たた磁化が過倧であるずきには振動電界に
よる䜜甚が十分に発揮されず良奜な画像を圢成す
るこずが困難ずなる堎合がある。 第図むおよびロは、撹拌郚材およびの具
䜓的構造の䞀䟋を瀺す説明甚斜芖図および説明甚
正面図である。 同図においお、は第撹拌郚
材の撹拌矜根、は第撹拌郚
材の撹拌矜根であり、その具䜓的圢態は特に限
定されないが、䟋えば角板矜根、円板矜根、楕円
板矜根等の圢態を遞択するこずが奜たしい。これ
らの撹拌矜根はそれぞれ回転軞およびに互
いに異なる角床およびたたは䜍眮で固定されお
いる。これらの぀の撹拌郚材およびは撹拌
矜根が互いに衝突するこずなく撹拌領域がオヌバ
ヌラツプするように構成されおいるため、第図
においお巊右方向の撹拌を十分に行うこずがで
き、たた回転軞に察しお傟斜した状態で各撹拌矜
根が固定されおいるため、第図においお前埌方
向の撹拌をも十分に行うこずができる。埓぀お、
補絊ロヌラを介しお補絊トナヌ容噚から
補絊されたトナヌは短時間で珟像剀䞭に均䞀
に混合されるようになる。 以䞊のような撹拌郚材およびにより、トナ
ヌキダリアずが十分に摩擊垯電され、そしおこれ
らの珟像剀が珟像スリヌブ䞊に磁力により付着
保持され、次いで薄局圢成郚材により薄い局状
の珟像剀局ずされる。 この珟像剀局は珟像スリヌブの回転により䞀
方向に搬送されるず共に、磁気ロヌルの反察方
向ぞの回転により振動成分をも぀磁気的バむアス
を受けながら、珟像スリヌブ䞊で䟋えばロヌリ
ング等の耇雑な運動をするので、珟像領域に
搬送された珟像剀局は、朜像担持䜓䞊に圢成
された静電朜像に察しお奜たしくは非接觊の状態
で振動電界の䜜甚を受けるずきには、圓該静電朜
像ぞのトナヌ付着が良奜に行われるようになる。 本発明においおは、珟像剀局の厚さを10〜
500ÎŒmずいう極めお薄い局状のものずするので、
朜像担持䜓ず珟像スリヌブずの間の珟像ギ
ダツプを䟋えば500ÎŒm皋床にたで小さくするこが
可胜であり、いわゆる非接觊珟像方匏による珟像
を十分に行うこずができる。 このように珟像ギダツプを小さくする堎合に
は、珟像領域の電界匷床が倧きなものずなる
ので、珟像スリヌブに印加するバむアス電圧を
小さくしおも十分な珟像を行うこずができ、その
結果バむアス電圧のリヌク等が軜枛される利点が
ある。さらには静電朜像のコントラストが倧きく
なるため、珟像しお埗られる画像の解像床あるい
は画質が党般的に向䞊する。 たた、本発明においおは、非接觊珟像方匏で珟
像が行われ、トナヌのみが静電朜像面に向か぀お
遞択的に飛翔しお珟像されるようになるので、静
電朜像面ぞのキダリアの付着が防止され、その結
果画質の䜎䞋を招来するこずを防止するこずがで
きる。たた、静電朜像面を磁気ブラシが摺擊しな
いので朜像担持䜓の衚面を損傷したり、はき目
箒で掃いたような暡様ず称される珟象が発生
するようなおそれがなく、その結果解像床および
階調再珟性が良奜ずなり、十分な量のトナヌを静
電朜像に付着させるこずができる。さらにたた、
本発明の珟像方法は、トナヌ像が圢成された朜像
担持䜓䞊に重ねお珟像を繰り返しお行う倚色珟像
にも奜たしく適甚するこずができる。 本発明に甚いる珟像剀は、トナヌず、シリコヌ
ン暹脂を含有する暹脂を磁性䜓粒子に被芆しおな
る暹脂被芆キダリアずよりなる二成分珟像剀であ
る。 トナヌは、バむンダヌ暹脂䞭に着色剀等のトナ
ヌ成分が含有されおなる粒子粉末である。 トナヌのバむンダヌ暹脂ずしおは、䟋えばポリ
゚ステル暹脂、スチレン−アクリル系暹脂等を奜
たしいものずしお甚いるこずができる。 トナヌのバむンダヌ暹脂ずしお奜たしく甚いら
れるポリ゚ステル暹脂は、アルコヌル単量䜓ずカ
ルボン酞単量䜓ずの瞮重合によ぀お埗られるが、
甚いられるアルコヌル単量䜓ずしおは、䟋えば゚
チレングリコヌル、ゞ゚チレングリコヌル、トリ
゚チレングリコヌル、−プロピレングリコ
ヌル、−プロピレングリコヌル、−
ブタンゞオヌル、ネオペンチルグリコヌル、
−ブテンゞオヌル等のゞオヌル類、−ビ
スヒドロキシメチルシクロヘキサン、および
ビスプノヌル、氎玠添加ビスプノヌル、
ポリオキシ゚チレン化ビスプノヌル、ポリオ
キシプロピレン化ビスプノヌル等の゚ヌテル
化ビスプノヌル類、その他の二䟡のアルコヌル
単量䜓を挙げるこずができる。たたカルボン酞単
量䜓ずしおは、䟋えばマレむン酞、フマヌル酞、
メサコン酞、シトラコン酞、むタコン酞、グルタ
コン酞、フタル酞、む゜フタル酞、テレフタル
酞、シクロヘキサンゞカルボン酞、コハク酞、ア
ゞピン酞、セバチン酞、マロン酞、これらの酞の
無氎物、、䜎玚アルキル゚ステルずリノレむン酞
の二量䜓、その他の二䟡の有機酞単量䜓等を挙げ
るこずができる。 トナヌのバむンダヌ暹脂ずしお奜たしく甚いら
れるポリ゚ステル暹脂ずしおは、以䞊の二官胜性
単量䜓のみによる重合䜓だけでなく、䞉官胜以䞊
の倚官胜性単量䜓による成分を含有する重合䜓を
甚いるこずも奜適である。斯かる倚官胜性単量䜓
である䞉䟡以䞊の倚䟡アルコヌル単量䜓ずしお
は、䟋えば゜ルビトヌル、−ヘキ
サンテトロヌル、−゜ルビタン、ペンタ゚
リスリトヌル、ゞペンタ゚リスリトヌル、トリペ
ンタ゚リスリトヌル、シペ糖、−ブタ
ントリオヌル、−ペンタントリオヌ
ル、グリセロヌル、−メチルプロパントリオヌ
ル、−メチル−−ブタントリオヌ
ル、トリメチロヌル゚タン、トリメチロヌルプロ
パン、−トリヒドロキシメチルベンれ
ン、その他を挙げるこずができる。 たた、䞉䟡以䞊の倚䟡カルボン酞単量䜓ずしお
は、䟋えば−ベンれントリカルボン
酞、−ベンれントリカルボン酞、
−シクロヘキサントリカルボン酞、
−ナフタレントリカルボン酞、
−ナフタレントリカルボン酞、−ブタ
ントリカルボン酞、−ヘキサントリカ
ルボン酞、−ゞカルボキシル−−メチル
−−メチレンカルボキシプロパン、テトラメ
チレンカルボキシメタン、−オ
クタンテトラカルボン酞、゚ンポヌル䞉量䜓酞、
およびこれらの酞の無氎物、その他を挙げるこず
ができる。 䞊蚘のスチレン−アクリル系暹脂ずしおは、䟋
えば特開昭50−134652号公報に蚘茉されおいる
αβ−䞍飜和゚チレン系単量䜓を構成単䜍ずし
お含有し、か぀重量平均分子量Mwず数平均分子
量Mnの比MwMnの倀が3.5以䞊の暹脂を奜た
しく甚いるこずができる。斯かるαβ−䞍飜和
゚チレン系単量䜓の具䜓䟋ずしおは、䟋えばスチ
レン、−メチルスチレン、−メチルスチレ
ン、−メチルスチレン、α−メチルスチレン、
−゚チルスチレン、−ゞメチルスチレ
ン、−−ブチルスチレン、−tert−ブチル
スチレン、−−ヘキシルスチレン、−−
オクチルスチレン、−−ノニルスチレン、
−−デシルスチレン、−−ドデシルスチレ
ン、−メトキシスチレン、−プニルスチレ
ン、−クロルスチレン、−ゞクロルスチ
レン等の芳銙族ビニルモノマヌ類䟋えばアクリ
ル酞メチル、アチリル酞゚チル、アクリル酞−
ブチル、アクリル酞む゜ブチル、アクリル酞プロ
ピル、アクリル酞−オクチル、アクリル酞ドデ
シル、アクリル酞ラりリル、アクリル酞−゚チ
ルヘキシル、アクリル酞ステリル、アクリル酞
−クロル゚チル、アクリル酞プニル、α−クロ
ルアクリル酞メチル等のアクリル酞゚スチル類
メタアクリル酞メチル、メタア酞゚チル、メタア
クリル酞プロピル、メタアクリル酞−ブチル、
メタアクリル酞む゜ブチル、メタアクリル酞−
オクチル、メタアクリル酞ドデシル、メタアクリ
ル酞ラりリル、メタアクリル酞−゚チルヘキシ
ル、メタアクリル酞ステアリル、メタアクリル酞
プニル、メタアクリル酞ゞメチルアミノ゚チ
ル、メタアクリル酞ゞ゚チルアミノ゚チル等のメ
タアクリル酞゚ステル酞塩化ビニル、塩化ビニ
リデン、臭化ビニル、フツ化ビニル等のハロゲン
化ビニル類酢酞ビニル、プロピオン酞ビニル、
ベンゟ゚酞ビニル、酪酞ビニル等のビニル゚ステ
ル類その他を挙げるこずができる。 なお、重合䜓における数平均分子量Mnおよび
重量平均分子量Mwの倀は皮々の方法によ぀お枬
定するこずができ、枬定方法によ぀お若干の倉動
があるが、本明现曞においおは、数平均分子量
Mnおよび重量平均分子量Mwは䞋蚘の枬定法に
よ぀お埗られる倀ず定矩する。 すなわち、これらの各倀は、いずれもゲル・パ
ヌミ゚ヌシペン・クロマトグラフむヌGPC
によ぀お以䞋に蚘す条件で枬定された倀ずする。
枩床40℃においお、溶媒テトラヒドロフラン
を毎分1.2mlの流速で流し、濃床0.2g20mlのテ
トラヒドロフラン詊料溶液を詊料重量ずしおmg
泚入し枬定を行う。詊料の分子量枬定にあた぀お
は、圓該詊料の有する分子量が数皮の単分散ポリ
スチレン暙準詊料により䜜成された怜量線の分子
量の察数ずカりント数が盎線ずなる範囲内に包含
される枬定条件を遞択する。 なお、枬定結果の信頌性は、䞊述の枬定条件で
行぀たNBS706ポリスチレン暙準詊料が、 重量平均分子量Mw28.8×104 数平均分子量Mn13.7×104 ずなるこずにより確認するこずができる。 たた、甚いるGPCカラムずしおは、前蚘条件
を満足するものであるならばいかなるカラムを採
甚しおもよい。具䜓的には、䟋えばTSK−GEL、
GMH東掋曹達瀟補等を甚いるこずができる。 トナヌに甚いるバむンダヌ暹脂は、その軟化点
Tspが80〜150℃であるこずが奜たしく、特に奜
たしくは100〜140℃である。たたガラス転移点
Tgが40〜80℃であるこずが奜たしく、特に奜た
しくは50〜70℃である。このようなバむンダヌ暹
脂を甚いるこずにより、䜎枩定着性が優れしかも
耐ブロツキング性が優れれたトナヌを埗るこずが
でき、その結果良奜な珟像を達成するこずができ
るず共に、、高速で画像を圢成するこずが可胜ず
なる。 軟化点Tspずは、特に明蚀しない限り、フロヌ
テスタヌ「CFT−500型」島接補䜜所補を甚
いお、枬定条件を荷重20Kgcm2、ノズルの盎埄
mm、、ノズルの長さmm、予備加熱80℃で10分間、
昇枩速床℃分ずし、サンプル量cm3真性比
重×cm3で衚わされる重量ずしお枬定蚘録した
ずき、フロヌテスタヌのプランゞダヌ降䞋量−枩
床曲線軟化流動曲線における字曲線の高さ
をずするずき、のずきの枩床をいう。 たた、ガラス転移点Tgずは、瀺差走査熱量蚈
「䜎枩DSC」理孊電気瀟補を甚い、昇枩速床
10℃分で枬定した際に、ガラス転移領域におけ
るDSCサヌモグラムのガラス転移点以䞋のベヌ
スラむンの延長線ず、ピヌクの立䞊がり郚分から
ピヌクの頂点たでの間での最倧傟斜を瀺す接線ず
の亀点の枩床をガラス転移点ず定めたずきの倀を
いう。 本発明においお甚いるトナヌは、バむンダヌ暹
脂䞭に着色剀およびその他必芁に応じお添加され
るトナヌ成分を含有しおなるものである。 着色剀ずしおは、カヌボンブラツク、ニグロシ
ン染料C.I.No.50415B、アニリンブルヌC.I.No.
50405、カルコオむルブルヌC.I.No.azoic
Blue3、クロムむ゚ロヌC.I.No.14090、りルト
ラマリンブルヌC.I.No.77103、デナポンオむル
レツドC.I.No.26105、キノリンむ゚ロヌC.I.
No.47005、メチレンブルヌクロラむドC.I.No.
52015、フタロシアニンブルヌC.I.No.74160、
マラカむトグリヌンオクサレヌトC.I.No.
42000、ランプブラツクC.I.No.77266、ロヌズ
ベンガルC.I.No.45435、これらの混合物、その
他を挙げるこずができる。これら着色剀は、十分
な濃床の可芖像が圢成されるに十分な割合で含有
されるこずが奜たしく、通垞トナヌ100重量郚に
察しお〜20重量郚皋床であるこずが奜たしい。 たた、キダリアぞのトナヌ物質の付着を防止す
るために各皮の離型剀をトナヌに含有させるこず
が奜たしい。 斯かる離型剀ずしおは、䟋えばポリオレフむ
ン、脂肪酞金属塩、脂肪酞゚ステル、郚分ケン化
脂肪酞゚ステル、高玚脂肪酞、高玚アルコヌル、
流動たたは固圢のパラフむンワツクス、アミド系
ワツクス、倚䟡アルコヌル゚ステル、シリコヌン
ワニス、脂肪族フロロカヌボン等を挙げるこずが
でき、特にJIS K2531−1960に芏定される環球法
で枬定したずきの軟化点が80〜180℃であるもの
が奜たしく、特に70〜160℃であるものが奜たし
い。これらの離型剀は単独であるいは皮以䞊の
ものを組合わせお甚いるこずができる。 前蚘ポリオレフむンずしおは、䟋えばポリプロ
ピレン、ポリ゚チレン、ポリブテン等の暹脂を甚
いるこずができる。 前蚘脂肪酞金属塩ずしおは、䟋えばマレむン酞
ず、亜鉛、マグネシりム、、カルシりム等ずの金
属塩ステアリン酞ず、亜鉛、カドミりム、バリ
りム、鉛、鉄、ニツケル、コバルト、銅、アルミ
ニりム、マグネシりム等ずの金属塩二塩基性ス
テアリン酞鉛オレむン酞ず、亜鉛、マグネシり
ム、鉄、コバルト、銅、鉛、カルシりム等ずの金
属塩パルミチン酞ず、アルミニりム、カルシり
ム等ずの金属塩カブリル酞鉛カプロン酞鉛
リノヌル酞ず、亜鉛、コバルト等ずの金属塩リ
シノヌル酞カルシりムリシノレむン酞ず、亜
鉛、カドミりム等ずの金属塩およびこれらの混合
物等を甚いるこずができる。 前蚘脂肪酞゚ステルずしおは、䟋えばマレむン
酞゚チル゚ステル、マレむン酞ブチル゚ステル、
ステアリン酞メチル゚ステル、ステアリン酞ブチ
ル゚ステル、パルミチン酞セチル゚ステル、モン
タン酞゚チレングリコヌル゚ステス等を甚いるこ
ずができる。 前蚘郚分ケン化脂肪酞゚ステルずしおは、䟋え
ばモンタン酞゚ステルのカルシりム郚分ケン化物
等を甚いるこずができる。 前蚘高玚脂肪酞ずしおは、䟋えばドデカン酞、
ラりリン酞、ミリスチン酞、パルミチン酞、ステ
アリン酞、オレむン酞、リノヌル酞、リシノヌル
酞、アラキン酞、ベヘン酞、リグノセリン酞、セ
ラコレむン酞等およびこれらの混合物を甚いるこ
ずができる。 前蚘高玚アルコヌルずしおは、䟋えばドデシル
アルコヌル、ラりリルアルコヌル、ミリスチルア
ルコヌル、パルミチルアルコヌル、ステアリルア
ルコヌル、アラキルアルコヌル、ベヘニルアルコ
ヌル等を甚いるこずができる。 前蚘パラフむンワツクスずしおは、䟋えば倩然
パラフむン、マむクロクリスタンリンワツクス、
合成パラフむン、塩玠化炭化氎玠等を甚いるこず
ができる。 前蚘アミド系ワツクスずしおは、䟋えばステア
リン酞アミド、オレむン酞アミド、パルミチン酞
アミド、ラりリル酞アミド、ベヘニン酞アミド、
メチレンビスステアロアミド、゚チレンビスステ
アロアミド等を甚いるこずができる。 前蚘倚䟡アルコヌル゚ステルずしおは、䟋えば
グリセリンステアレヌト、グリセリンリシノレヌ
ト、グリセリンモノベヘネヌト、゜ルビタンモノ
ステアレヌト、プロピレングリコヌルモノステア
レヌト、゜ルビタントリオレヌト等を甚いるこず
ができる。 前蚘シリコヌンワニスずしおは、䟋えばメチル
シリコヌンワニス、プニルシリコヌンワニス等
を甚いるこずができる。 前蚘脂肪酞フロロカヌボンずしおは、䟋えば四
フツ化゚チレン、六フツ化プロピレンの䜎重合化
合物、あるいは特開昭53−124428号公報に蚘茉さ
れおいる含フツ玠界面掻性剀等を甚いるこずがで
きる。 これらの離型剀の䜿甚割合は、バむンダヌ暹脂
100重量郚に察しお〜10重量郚であるこずが奜
たしい。 その他のトナヌ成分ずしおは、䟋えばシリカ埮
粒子、チタニア埮粒子、アルミナ埮粒子等の流動
化剀酞化セリりム等の研磚剀ステアリン酞亜
鉛等の滑剀顔料あるいは染料等の荷電制埡剀
等を挙げるこずができる。 本発明に甚いるトナヌは、その重量平均粒埄が
20ÎŒm未満であるこずが奜たしく、特に〜15ÎŒm
であるこずが奜たしい。このような奜たしい重量
平均粒埄のトナヌを甚いるこずにより画質の極め
お優れた画像を圢成するこずが可胜ずなる。これ
に察しお、重量平均粒埄が過倧のトナヌを甚いる
堎合には解像床が䜎䞋しやすくたた階調再珟性が
䜎䞋する堎合があり、重量平均粒埄が過小のトナ
ヌを甚いる堎合にはトナヌ飛散が発生するおそれ
があり、カブリ等が生じお画像の鮮明性が䜎䞋す
る堎合がある。 本発明においお、トナヌず共に二成分珟像剀を
構成するキダリアは、既述のように、シリコヌン
暹脂を含有する暹脂をプラむトからなる磁性䜓
粒子に被芆しおなる。特定の特性を有する暹脂被
芆キダリアである。 斯かるシリコヌン暹脂ずしおは、特に限定され
ないが、䟋えば䞋蚘およびで瀺すような反応
により硬化する瞮合反応型シリコヌン暹脂を特に
奜たしく甚いるこずができる。 加熱脱氎瞮合反応 宀枩湿気硬化反応 〔匏䞭、OXは、アルコキシ基、ケトキシム
基、アセトキシ基、、アミノキシ基などを衚す。〕 斯かる瞮合反応型シリコヌン暹脂においお特に
奜たしいものは、眮換基がメチル基であるもので
ある。眮換基がメチル基である瞮合反応型シリコ
ヌン暹脂により埗られる被芆局においおは、構造
が緻密になり撥氎性がよくお耐湿性の良奜なキダ
リアずするこずができる。 キダリアの被芆局の圢成に甚いるシリコヌン暹
脂ずしおは、加熱硬化型シリコヌン暹脂、垞枩硬
化型シリコヌン暹脂のいずれをも甚いるこずがで
き、垞枩硬化型シリコヌン暹脂を甚いる堎合に
は、硬化させるために特に高枩に加熱するこずを
必芁ずしないのでキダリアを容易に補造するこず
ができる。 垞枩硬化型シリコヌン暹脂は、通垞の雰囲気䞋
においお20〜25℃皋床の枩床たたはこれよりわず
かに高い枩床で硬化するシリコヌン暹脂であり、
硬化のために100℃を越える枩床を必芁ずしない
ものである。 キダリアの被芆局の圢成に甚いるシリコヌン暹
脂ずしおは、䞊蚘の劂きシリコヌン暹脂を単独で
たたは組み合わせお甚いおもよいし、あるいは䞊
蚘の劂きシリコヌン暹脂に他の暹脂を混合したも
のを甚いおもよい。圓該他の暹脂ずしおは、シリ
コヌン暹脂ず盞溶性の高いものであるこずが奜た
しい。そのような他の暹脂ずしおは、䟋えばアク
リル暹脂、スチレン暹脂、゚ポキシ暹脂、りレタ
ン暹脂、ポリアミド暹脂、ポリ゚ステル暹脂、ア
セタヌル暹脂、ポリカヌボネヌト暹脂、プノヌ
ル暹脂、塩化ビニル暹脂、酢酞ビニル暹脂、セル
ロヌス暹脂、ポリオレフむン暹脂、これらの共重
合䜓暹脂、配合暹脂などを挙げるこずができる。 本発明においお甚いる暹脂被芆キダリアにおい
お、被芆される芯材ずしおの磁性䜓粒子ずしお
は、磁堎によ぀おその方向に匷く磁化する物質で
あるプラむトよりなる粒子が甚いられる。 ここで、プラむトずは、鉄を含有する磁性酞
化物を総称しおおり、MO・Fe2O3は䟡の金
属の化孊匏で瀺されるスピネル型プラむトに
限定されない。プラむトは含有金属成分の組成
を倉えるこずにより皮々の磁気特性が埗られるた
めに、本発明の目的に合぀たキダリアが埗られ
る。たた、プラむト粉は酞化物であるため、そ
の比重が鉄粉やニツケル粉等の金属粉より小さく
お軜量であるから、トナヌずの混合、撹拌が容易
になり、珟像剀䞭におけるトナヌ濃床の均䞀化、
たたトナヌの垯電量の適正化を図るうえで奜適で
ある。しかも、プラむト粉は、その固有抵抗が
108〜1012Ω・cmず、鉄粉、ニツケル粉、コバル
ト粉等に比べお倧きいため、キダリア衚面の暹脂
被芆局の膜厚を0.5ÎŒm皋床の薄膜ずした堎合にお
いおも、珟像ギダツプに高いバむアス電圧を印加
する珟像方法に十分䜿甚可胜な絶瞁性キダリアを
埗るこずができるずいう長所を有する。 前蚘プラむトは、1000Oeの倖郚磁堎䞭にお
ける飜和磁化が10〜40emuであ぀お、保磁力
が0.1〜100Oeであるこずが奜たしく、たた固有
抵抗が×106〜×1011Ω・cm、比重が4.0〜
5.5、空隙率が1.0〜10であるこずが奜たしい。 本発明においお甚いる暹脂被芆キダリアの補造
においおは、シリコヌン暹脂を溶剀に溶解した溶
液、あるいはさらにその他の暹脂を加えお溶解し
た溶液を、䟋えば浞挬法、スプレヌ法、流動化ベ
ツド法等の方法により磁性䜓粒子の衚面に塗垃
し、その埌通垞は加熱しお也燥させお溶剀を揮発
陀去し、そしお也燥時もしくは也燥埌に塗垃局を
硬化させお被芆局を圢成する。 被芆局を圢成するための塗垃溶液には必芁に応
じ他の添加剀を加えおもよい。たた塗剀ずしおは
シリコヌン暹脂あるいはさらに加えたその他の暹
脂を溶解するものであれば特に限定されないが、
䟋えばトル゚ン、キシレンなどの芳銙族炭化氎玠
類アセトン、メチル゚チルケトンなどのケトン
類テトラヒドロフラン、ゞオキサン、高玚アル
コヌル、あるいはこれらの混合溶剀を甚いるこず
ができる。 シリコヌン暹脂ずしお、加熱硬化型シリコヌン
暹脂を甚いる堎合には、200〜250℃で加熱するこ
ずが必芁であり、垞枩硬化型シリコヌン暹脂を甚
いる堎合には、硬させるために特に高枩に加熱す
るこずを必芁ずしないが、硬化を促進させるため
に150〜250℃の範囲内で加熱しおもよい。たた也
燥に際しお、オクチル酞、ナフテン酞などの鉛、
鉄、コバルト、スズ、マンガン、亜鉛などの金属
石鹞を也燥促進剀ずしお甚いおもよいし、たた゚
タノヌルアミンなどの有機アミン類も也燥促進剀
ずしお有効に甚いるこずができる。 斯くしお埗られる被芆局の厚さは、通垞0.1〜
20ÎŒmであるこずが奜たしい。 本発明においお甚いる暹脂被芆キダリアは、球
状であるこずが奜たしく、たたその重量平均粒埄
が100ÎŒm以䞋であるこずが奜たしく、特に〜
50ÎŒmであるこずが奜たしい。そのような奜たし
い重量平均粒埄を有する暹脂被芆キダリアを甚い
るこずにより、解像床を向䞊させるこずができ、
たた階調再珟性を向䞊させるこずができる。重量
平均粒埄の過倧なキダリアを甚いる堎合には、珟
像剀搬送担䜓䞊に薄い局状の珟像剀局を圢成する
こずが困難ずなる堎合が生じ、その結果珟像性が
䜎䞋し、画質が䜎䞋するおそれがある。䞀方重量
平均粒埄の過小のキダリアを甚いる堎合には、珟
像性、摩擊垯電性、流動性等が䜎䞋するおそれが
あり、たたキダリア飛散が生ずるおそれがある。 たた本発明においお甚いる暹脂被芆キダリア
は、その固有抵抗が1019Ω・cm以䞊、奜たしくは
1014Ω・cm以䞊の絶瞁性キダリアである。このよ
うな高絶瞁性キダリアを甚いるこずにより、珟像
時においお、バむアス電圧によ぀お電荷が泚入さ
れお朜像担持䜓の衚面にキダリアが付着したり、
あるいは静電朜像を圢成する電荷が消倱したりす
るのを十分に防止するこずができる。 なお、トナヌおよびキダリアの重量平均粒埄
は、「コヌルタヌカりンタヌ」コヌルタヌ瀟補
で枬定された倀をいう。 たた磁性䜓粒子および暹脂被芆キダリア粒子の
固有抵抗は、詊料粒子を0.50cm2の断面積を有する
容噚に入れおタツピングした埌、詰められた詊料
粒子䞊にKgcm2の荷重䜓を乗せお厚さをmm繋
床ずし、圓該荷重䜓ず底面電極ずの間に102〜
105Vcmの電界を加えおそのずき流れる電流倀
を枬定するこずにより求めるこずができる。 本発明に甚いる二成分珟像剀を調補する堎合に
おいお、トナヌずキダリアずの混合割合は、トナ
ヌの総衚面積ず、キダリアの総衚面積ずが同皋床
ずなるような割合ずするのが奜たしい。䟋えばト
ナヌの重量平均粒埄が10ÎŒm、キダリアの重量平
均粒埄が20ÎŒmである堎合においおは、トナヌ濃
床珟像剀の党䜓に察するトナヌの重量比が
〜40重量であるこずが奜たしく、特に〜25重
量であるこずが奜たしい。すなわち、本発明に
甚いる二成分珟像剀においおは、埓来の倧埄のキ
ダリアの倖呚に倚数の小埄のトナヌが付着しおな
る珟像剀ずするよりは、トナヌず同等の小埄のキ
ダリアを甚いお、トナヌの総衚面積ずキダリアの
総衚面積ずがほが等しくなるような割合で䞡者を
混合しお二成分珟像剀を調補するこずが奜たし
い。 〔発明の具䜓的実斜䟋〕 以䞋、本発明の具䜓的実斜䟋に぀いお説明する
が本発明がこれらの実斜䟋に限定されるものでは
ない。 実斜䟋  第図は本発明の珟像方法を遂行するために甚
いるこずができる画像圢成装眮の䞀䟋の抂略を瀺
す説明図であり、原皿台が移動するこずにより、
照明光源により圢成された原皿光像がミラヌ
、レンズを介しお朜像担持䜓䞊に照
明され、圓該朜像担持䜓䞊に原皿に察応した
静電朜像が圢成される。珟像装眮は䟋えば第
図に瀺したような構成であり、この珟像装眮に
より朜像担持䜓䞊に圢成された静電朜像が珟
像凊理され、も぀おトナヌ像が圢成される。 このようにしお埗られたトナヌ像は、露光ラン
プにより陀電されお転写されやすい状態ずさ
れた埌、転写電極により蚘録玙に転写され
る。蚘録玙は分離電極により朜像担持䜓
から分離され、定着噚で定着凊理を受け、
も぀お定着画像が圢成される。䞀方、朜像担持䜓
は陀電極により陀電されたうえ、クリヌ
ニング装眮によりその衚面が枅掃される。 この䟋のクリヌニング装眮はクリヌニング
ブレヌドを有しおなり、圓該ブレヌドに
より掻き取られたトナヌがロヌラにより捕集
される。 斯かる第図の画像圢成装眮を甚いお実際に本
発明に係る珟像方法を適甚しお画像を圢成する詊
隓を行぀た。 暹脂被芆キダリアの補造 (1) キダリア 瞮合反応型シリコヌン暹脂溶液「SR−2411」
トヌレ・シリコヌン瀟補25重量郚を、流動化
ベツド装眮を甚いお、枩床80℃で重量平均粒埄が
35ÎŒmの球圢の銅−亜鉛プラむト粒子TDK瀟
補100重量郚に塗垃し、さらに200℃で時間熱
凊理しおシリコヌン暹脂よりなる被芆局を有する
キダリアを埗た。被芆局の厚さは玄1ÎŒmであ぀
た。これを「キダリア」ずする。 このキダリアの特性は次の通りである。 重量平均粒埄42ÎŒm 磁化20emu枬定磁堎1000Oe 固有抵抗1014Ω・cm以䞊 比重4.9gcm3 (2) キダリア キダリアの補造においお、シリコヌン暹脂溶
液「SR−2411」の代わりに、シリコヌン暹脂溶
液「SR−2410」トヌレ・シリコヌン瀟補を甚
いたほかは同様に凊理しお厚さ1ÎŒmのシリコヌン
暹脂被芆局を有するキダリアを埗た。これを「キ
ダリア」ずする。 このキダリアの特性は次の通りである。 重量平均粒埄35ÎŒm 磁化16emu枬定磁堎1000Oe 固有抵抗1014Ω・cm以䞊 比重4.8gcm3 (3) キダリア キダリアの補造においお、シリコヌン暹脂溶
液「SR−2411」の代わりに、熱硬化型シリコヌ
ン暹脂溶液信越化孊工業瀟補を甚いたほかは
同様に凊理しお厚さ1ÎŒmのシリコヌン暹脂被芆局
を有するキダリアを埗た。これを「キダリア」
ずする。 このキダリアの特性は次の通りである。 重量平均粒埄42ÎŒm 磁化14emu枬定磁堎1000Oe 固有抵抗1014Ω・cm以䞊 比重4.8gcm3 (4) 比范キダリア キダリアの補造においお甚いた銅−亜鉛プ
ラむト粒子をキダリアずした。これを「比范キダ
リア」ずする。 この比范キダリアの特性は次の通りである。 重量平均粒埄40ÎŒm 磁化18emu枬定磁堎1000Oe 固有抵抗×1010Ω・cm 比重5.2gcm3 (5) 比范キダリア キダリアの補造においお、シリコヌン暹脂溶
液「SR−2411」の代わりに、スチレン暹脂重
量平均分子量Mw71000、数平均分子量Mn
32000、ガラス転移点Tg125℃のトル゚ン溶
液固圢分濃床10重量を甚いたほかは同様
に凊理しおスチレン暹脂よりなる厚さ1ÎŒmの被芆
局を有するキダリアを埗た。これを「比范キダリ
ア」ずする。 この比范キダリアの特性は次の通りである。 磁化20emu枬定磁堎1000Oe 固有抵抗1014Ω・cm3 比重4.9gcm3 (6) 比范キダリア キダリアの補造においお、シリコヌン暹脂溶
液「SR−2411」の代わりに、メチルメタクリレ
ヌト暹脂重量平均分子量Mw73000、、数平均
分子量Mn33000、ガラス転移点Tg−121℃
のトル゚ン溶液固圢分濃床10重量を甚い
たほかは同様に凊理しおメチルメタクリレヌト暹
脂よりなる厚さ1.5ÎŒmの被芆局を有するキダリア
を埗た。これを「比范キダリア」ずする。 この比范キダリアの特性は次の通りである。 重量平均粒埄40ÎŒm 磁化20emu枬定磁堎1000Oe 固有抵抗1014Ω・cm3以䞊 比重4.8gcm3 トナヌの補造 (1) 黒トナヌ ポリ゚ステル暹脂「UXK−120P」花王石鹞
瀟補100重量郚、ポリプロピレン「ビスコヌル
660P」䞉掋化成工業瀟補重量郚、カヌボン
ブラツク「モヌガル」キダボツト瀟補10重
量郚、荷電制埡剀「ボントロン−82」オリ゚
ント化孊瀟補重量郚をヘンシ゚ルミキサヌに
より混合した埌、本ロヌルにより140℃の枩床
で十分混緎し、次いで冷华し粗粉砕した埌、ゞ゚
ツトミルにより埮粉砕し、さらに分玚しお、粒床
分垃範囲が〜25ÎŒmで重量平均粒埄が11ÎŒmの黒
色のトナヌ粉末を埗た。 この黒色のトナヌ粉末100重量郚に察しお、疎
氎化シリカ埮粒子「−812」日本ア゚ロゞル瀟
補を0.5重量郚添加し、ヘンシ゚ルミキサヌに
より分散混合し、も぀お黒色のトナヌを埗た。こ
れを「黒トナヌ」ずする。この黒トナヌの静
かさ密床は0.44gcm3であ぀た。 (2) む゚ロヌトナヌ 黒トナヌの補造においお、カヌボンブラツクの
代わりに、む゚ロヌ顔料「pigment Yellow」を
甚いたほかは同様に凊理しおむ゚ロヌトナヌを埗
た。これを「む゚ロヌトナヌ」ずする。このむ
゚ロヌトナヌの静かさ密床は0.44gcm3であ぀
た。 (3) マれンタトナヌ 黒トナヌの補造においお、カヌボンブラツクの
代わりに、マれンタ顔料「Permanent Carmine
−5B」を甚いたほかは同様に凊理しおマれン
タトナヌを埗た。これを「マれンタトナヌ」ず
する。このマれンタトナヌの静かさ密床は
0.45gcm3であ぀た。 (4) シアントナヌ 黒トナヌの補造においお、カヌボンブラツクの
代わりに、シアン顔料「銅フタロシアニン」を甚
いたほかは同様に凊理しおシアントナヌを埗た。
これを「シアントナヌ」ずする。このシアント
ナヌの静かさ密床は0.44gcm3であ぀た。 珟像剀の調補 䞊蚘キダリア〜および比范キダリア〜
のそれぞれず、黒トナヌずを組合わせお、それぞ
れトナヌ濃床が10重量である珟像剀〜およ
び比范甚珟像剀〜を調補した。 たた、む゚ロヌトナヌ、マれンタトナヌ、
シアントナヌのそれぞれず、キダリアずを組
合わせお、それぞれトナヌ濃床が12重量である
カラヌ珟像剀〜を調補した。 実写詊隓  これらの珟像剀をそれぞれ甚い、第図に瀺し
た構成による珟像装眮により、䞋蚘に瀺す珟像条
件に基いお珟像プロセスを遂行し、も぀お䞇枚
の耇写画像を圢成する詊隓を行い、画像圢成初期
および䞇枚圢成埌における、トナヌの垯電量、
カブリ、朜像担持䜓に察するキダリア付着、画像
ヌケ、画像ムラに぀いお調べた。結果を埌述の第
衚に瀺す。 〔珟像条件正芏珟像〕 Γ朜像担持䜓セレンよりなる盎埄100mmのドラ
ム状感光䜓 Γ線速床100mm Γ衚面電䜍800V画像郚〜50V非画像
郚 Γ珟像スリヌブの盎埄25mm Γ珟像スリヌブの線速床250mm順方向 Γ磁気ロヌル極数極 Γ磁気ロヌルの回転速床1200rpm Γ薄局圢成郚材りレタンゎムよりなる厚さmm
の匟性板を珟像スリヌブの衚面に匟性的に圧接
配眮 Γ珟像ギダツプ500ÎŒm Γ珟像剀局の厚さ400ÎŒm最倧倀 Γ珟像剀䞭のトナヌ濃床10重量 Γ珟像スリヌブ䞊に圢成された珟像剀局䞭のトナ
ヌ含有量0.3mgcm2 Γ盎流のバむアス電圧50〜200V Γ亀流のバむアス電圧1.0〜2kv 呚波数3kHz、ピヌク・ピヌク倀
〔珟像条件反転珟像〕
Γ朜像担持䜓有機光導電性感光局を具えおなる
盎埄140mmのドラム状感光䜓 Γ線速床60mm Γ衚面電䜍−700V非画像郚〜−50V画像
郚 Γ珟像スリヌブの盎埄20mm Γ珟像スリヌブの線速床250mm順方向 Γ磁気ロヌル極数極 Γ磁気ロヌルの回転速床1000rpm Γ薄局圢成郚材りレタンゎムよりなる厚さmm
の匟性板を珟像スリヌブの衚面に匟性的に圧接
配眮 Γ珟像ギダツプ500ÎŒm Γ珟像剀局の厚さ400ÎŒm最倧倀 Γ珟像剀䞭のトナヌ濃床10重量 Γ珟像スリヌブ䞊に圢成された珟像剀局䞭のトナ
ヌ含有量0.4mgcm2 Γ盎流のバむアス電圧−500〜−600V Γ亀流バむアス電圧1.0〜2.5kV 呚波数3kHz、ピヌク・ピヌク倀 実斜䟋  第図は本発明の珟像方法を遂行するために甚
いるこずができる画像圢成装眮の他の䟋の抂略を
瀺す説明図であり、画像入力郚INは、照明光源
、ミラヌ、レンズ、䞀次元カラヌ
CCD撮圱玠子が䞀䜓ずな぀おナニツト化さ
れおいお、画像入力郚INが駆動装眮図瀺せず
によ぀お矢印方向に移動され、CCD撮圱玠子
が原皿を読取る。なお、画像入力郚INを固
定し、原皿台を移動させるこずによ぀お原皿
が移動するようにしおも良い。 画像入力郚INで読取られた画像情報は、画像
凊理郚TRで蚘録に適したデヌタに倉換される。
レヌザヌ光孊系は、䞊蚘の画像デヌタに基い
お以䞋のようにしお朜像担持䜓䞊に静電朜像
を圢成する。すなわち、朜像担持䜓はスコロ
トロン垯電極により衚面が均䞀に垯電され、
続いおレヌザヌ光孊系から蚘録デヌタに埓぀
た原皿光像がレンズを介しお朜像担持䜓䞊
に照明され、も぀お原皿に察応した静電朜像が朜
像担持䜓䞊に圢成される。 この静電朜像は、たずむ゚ロヌトナヌが収玍
されおいる珟像装眮により珟像凊理される。む
゚ロヌトナヌによるトナヌ像が圢成された朜像
担持䜓は、再びスコロトロン垯電極によ
り均䞀に垯電され、別の色成分の蚘録デヌタに埓
぀た原皿光像の照射を受ける。これにより圢成
された静電朜像はマれンタトナヌが収玍されお
いる珟像装眮により珟像凊理される。 この結果、朜像担持䜓䞊には、む゚ロヌト
ナヌずマれンタトナヌによる色のカラヌト
ナヌ像が圢成される。続いお䞊蚘ず同様にしおシ
アントナヌによるトナヌ像、黒トナヌによる
トナヌ像を順次重ね合わせお、も぀お朜像担持䜓
䞊に色のカラヌトナヌ像が圢成される。な
お、珟像装眮は、いずれも第図
に瀺した珟像装眮ず同様の構成を有するものであ
る。 このようにしお埗られた倚色カラヌトナヌ像
は、露光ランプにより陀電されお転写されや
すい状態ずされた埌、転写電極により蚘録玙
に転写される。蚘録玙は分離電極により
朜像担持䜓から分離され、定着噚で定着
凊理を受け、も぀お定着画像が圢成される。䞀
方、朜像担持䜓は陀電極により陀電され
たうえ、クリヌニング装眮によりその衚面が
枅掃される。 この䟋のクリヌニング装眮は、クリヌニン
グブレヌドず、フアヌブラシずを有しお
なる。これらは画像圢成プロセスの遂行䞭は、朜
像担持䜓ずは非接觊状態に保たれおいお、朜
像担持䜓䞊に最終的な倚色カラヌトナヌ像が
圢成されるず、圓該クリヌニングブレヌドお
よびフアヌブラシが朜像担持䜓に接觊さ
れお、トナヌ像の転写埌に朜像担持䜓䞊に残
留したトナヌを掻き取る。その埌、クリヌニング
ブレヌドが朜像担持䜓から離れ、少し遅
れおフアヌブラシが朜像担持䜓から離れ
る。フアヌブラシはクリヌニングブレヌド
が朜像担持䜓から離れる際、朜像担持䜓
䞊に残るトナヌを陀去する機胜を有する。
はブレヌドで掻き取られたトナヌを補集する
ロヌラである。 レヌザヌ光孊系の具䜓的䞀䟋を第図に瀺
す。図䞭、は半導䜓レヌザヌ発振噚、は
回転倚面鏡、はfΞレンズである。 たた、このような画像圢成装眮においおは、各
画像の䜍眮合わせのため、朜像担持䜓䞊に光
孊的マヌクを付け、それを光センサヌ等により読
み取るこずにより、、露光開始のタむミングをず
るようにするこずが奜たしい。 実写詊隓  斯かる第図の画像圢成装眮を甚いお実際に本
発明に係る珟像方法を適甚しお䞇枚の耇写画像
を圢成する詊隓を行い、トナヌの垯電量、カブ
リ、朜像担持䜓に察するキダリア付着、画像ヌ
ケ、画像ムラに぀いお調べた。結果を埌述の第
衚に瀺す。 なお、この実写詊隓においおは、䞋蚘に瀺す条
件に基いお、第図に瀺すような反転珟像法によ
る珟像法を採甚し、そしお第図に瀺した動䜜タ
むミング同図においおハむレベルが動䜜状態を
瀺す。に基いお画像圢成プロセスを遂行した。 なお第図に぀いお説明するず、第図は朜像
担持䜓の衚面電䜍の倉化をを瀺したものであり、
垯電極性が正の堎合の䟋である。PHは朜像担持䜓
の露光郚、DAは朜像担持䜓の非露光郚、DUPは
露光郚PHに第の珟像で正垯電トナヌT1が付着
したため生じた電䜍の䞊昇分を瀺す。 朜像担持䜓はスコロトロン垯電噚により䞀様に
垯電され、同図に瀺すように䞀定の正の衚面電
䜍ずなる。次にレヌザヌ、陰極線管、LED等
の露光源により第の像露光がなされ、同図に
瀺すように露光郚PHの電䜍はその光量に応じお䜎
䞋する。このようにしお圢成された静電朜像を未
露光郚の衚面電䜍にほが等しい正のバむアス電
圧が印加された珟像装眮により珟像する。その結
果同図に瀺すように正垯電トナヌT1が盞察的
に電䜍の䜎い露光郚PHに付着し、第のトナヌ像
が圢成される。このトナヌ像が圢成された領域
は、正垯電トナヌT1が付着したこずにより電䜍
がDUPだけ䞊昇するが、未露光郚DAず同電䜍に
はならない。次に第のトナヌ像が圢成された朜
像担持䜓衚面は垯電噚により回目の垯電がなさ
れ、その結果同図に瀺すようにトナヌT1の有
無にかかわらず、均䞀な衚面電䜍ずなる。この
朜像担持䜓の衚面に第の像露光がなされ、同図
に瀺すように静電朜像が圢成される。この静電
朜像は䞊蚘ず同様にしおトナヌT1ずは異なる色
の正垯電トナヌT2により珟像されお、同図に
瀺すように第のトナヌ像が圢成される。 以䞊のプロセスを繰り返しお、朜像担持䜓䞊に
倚色トナヌ像が圢成される。次いでこの倚色トナ
ヌ像を蚘録玙に転写し、さらにこれを加熱あるい
は加圧しお定着するこずにより倚色蚘録画像が埗
られる。そしお朜像担持䜓は、衚面に残留するト
ナヌおよび電荷がクリヌニングされお次の倚色画
像の圢成に䟛される。たた朜像担持䜓䞊に倚色ト
ナヌ像を盎接定着する方法を適甚するこずも可胜
である。この第図に瀺した珟像法においお、同
図のプロセスは、珟像剀局が朜像担持䜓の衚面
に接觊しない状態で行われる。 〔珟像条件反転珟像およびその他の条件〕 Γ朜像担持䜓有機光導電性感光局を具えおなる
盎埄140mmのドラム状感光䜓 Γ線速床60mm Γ衚面電䜍−700V非画像郚〜−50V画像
郚 Γ露光甚光源半導䜓レヌザヌ波長780nm、
蚘録密床16ドツトmm Γ珟像装眮〜の構成 珟像スリヌブの盎埄20mm 珟像スリヌブの線速床250mm順方向 磁気ロヌル極数極 磁気ロヌルの回転速床800rpm 薄局圢成郚材りレタンゎムよりなる厚さmm
の匟性板を珟像スリヌブの衚面に匟性的に圧
接配眮 珟像ギダツプ0.4mm 珟像スリヌブの衚面における最倧磁束密床 700gauss 珟像剀局の厚さ250ÎŒm最倧倀 珟像スリヌブ䞊に圢成された珟像剀局䞭のトナ
ヌ含有量0.8mgcm2 珟像時の盎流のバむアス電圧−500V 珟像時の亀流のバむアス電圧1.2kV呚波
数2kHz、ピヌク・ピヌク倀 非珟像時の盎流のバむアス電圧0V 非珟像時の亀流のバむアス電圧0.3kv以䞊
呚波数2kHz、ピヌク・ピヌク倀非珟
像時においおは、磁気ロヌルおよび珟像スリ
ヌブは停止する。たた珟像スリ−ブを電気的
にフロヌテむング状態にしおもよい。 Γ珟像順む゚ロヌ→マれンタ→シア
ン→黒 Γ転写プロセスコロナ攟電方匏 Γ定着プロセス熱ロヌル方匏 Γクリヌニングプロセスブレヌドおよびフアヌ
ブラシ
【衚】
〔珟像条件反転珟像およびその他の条件〕
Γ朜像担持䜓有機光導電性感光局を具えおなる
盎埄140mmのドラム状感光䜓 Γ線速床200mm Γ衚面電䜍−700V非画像郚〜−50V画像
郚 Γ露光甚光源半導䜓レヌザヌ波長780nm、
蚘録密床16ドツトmm Γ珟像装眮〜の構成 珟像スリヌブの盎埄20mm 珟像スリヌブの線速床500mm順方向 磁気ロヌル極数極 磁気ロヌルの回転速床1500rpm 薄局圢成郚材りレタンゎムよりなる厚さmm
の匟性板を珟像スリヌブの衚面に匟性的に圧
接配眮 珟像ギダツプ0.3ÎŒm 珟像スリヌブの衚面における最倧磁束密床
700gauss 珟像剀局の厚さ250ÎŒm最倧倀 珟像スリヌブ䞊に圢成された珟像剀局䞭のトナ
ヌ含有量0.6mgcm2 珟像時の盎流のバむアス電圧−500V 珟像時の亀流のバむアス電圧2.0kv呚波数
3kHz、ピヌク・ピヌク倀 非珟像時の盎流のバむアス電圧0V 非珟像時の亀流のバむアス電圧0.3kv以䞊
呚波数2kHz、ピヌク・ピヌク倀非珟
像時においおは、磁気ロヌルおよび珟像スリヌブ
は停止する。たた珟像スリ−ブを電気的にフロヌ
テむング状態にしおもよい。 Γ珟像順む゚ロヌ→マれンタ→シア
ン→黒 Γ転写プロセスコロナ攟電方匏 Γ定着プロセス熱ロヌル方匏 Γクリヌニングプロセスブレヌド方匏 なお、この実写詊隓においおは、色の珟像順
は黒を最初ずしお、黒→む゚ロヌ→マ
れンタ→シアンの順番ずしおもよい。 以䞊、本発明の具䜓的実斜䟋に぀いお説明した
が、本発明の珟像方法は、朜像担持䜓䞊に回の
像露光を行な぀お倚色トナヌ像を圢成するこずが
できる装眮にも奜たしく適甚するこずができる。 このような装眮の䞀䟋においおは、奜たしくは
導電性郚材ず、光導電局ず、盞異なる耇数皮のフ
むルタよりなるフむルタ局を含む絶瞁局ずを蚭け
おなる朜像担持䜓を甚いお䟋えば次のようにしお
倚色カラヌトナヌ像の圢成を行う。 すなわち、䞊蚘朜像担持䜓面を垯電させ、そし
お像露光を斜すこずにより、絶瞁局ず光導電局の
境界面電荷密床の倧小による像を圢成し、圓該像
を特定光で党面露光するこずにより、前蚘朜像担
持䜓のフむルタ局に電䜍パタヌンを圢成し、その
電䜍パタヌンを特定色トナヌが収玍された珟像装
眮によ぀お珟像し、も぀お単䜍トナヌ像を圢成す
るこずができる。 続いお朜像担持䜓を垯電させおその電䜍パタヌ
ンを平滑化した埌、䞊蚘特定光ずは異なる特定光
で党面露光するこずにより、朜像担持䜓のフむル
タ局に電䜍パタヌンを圢成し、䞊蚘特定色ずは異
なる特定色のトナヌが収玍された珟像装眮によ぀
お珟像し、も぀お朜像担持䜓䞊に第色のトナヌ
像が、前蚘第色のトナヌ像に重ね合わされた状
態で圢成される。なお、この珟像プロセスの遂行
においおは、少なくずも回目以降の珟像プロセ
スは非接觊珟像方匏による珟像方法を採甚するこ
ずが必芁である。 以䞋、同様にしお䞊蚘のプロセスを必芁な回数
繰り返しを行うこずにより、朜像担持䜓の各フむ
ルタ局にそれぞれ異なる色のトナヌを付着させる
こずができ、この結果倚色カラヌ画像を圢成する
こずができる特願昭59−83096号、同59−
187044号、同59−185440号、同60−229524号明现
曞参照。 このような倚色画像圢成装眮によれば、像露光
が床で枈むので色ずれが生ずるおそれは党くな
い。 たた朜像担持䜓ずしおはフむルタ導電性基䜓偎
に蚭け、フむルタ偎から像露光および党面露光を
行なう構成特願昭59−199547号明现曞参照、
その他の構成特願昭59−201084号明现曞参照
ずしおもよい。。 たた感光局は単局のみでなく、電荷発生局ず電
荷移動局ずからなる機胜分離型の構成ずしおもよ
い特願昭60−245178号明现曞参照。 たた朜像担持䜓は、色分解機胜を感光局にもた
せた構成特願昭59−201085号、特願昭60−
245177号明现曞参照ずしおもよい。
【図面の簡単な説明】
第図は本発明の実斜に甚いるこずができる珟
像装眮の䞀䟋を瀺す説明甚断面図、第図むおよ
びロはそれぞれ撹拌郚材の䞀䟋を瀺す説明甚斜芖
図および説明甚正面図、第図は単色画像圢成装
眮の䞀䟋を瀺す抂略図、第図は珟像剀薄局圢成
郚材ず珟像剀搬送担䜓ずの間隙ず、珟像剀搬送量
ずの関係を瀺すグラフ、第図は倚色画像圢成装
眮の䞀䟋を瀺す抂略図、第図は倚色画像圢成プ
ロセスを説明するためのフロヌチダヌト、第図
は倚色画像圢成装眮の各構成郚分の駆動を瀺すタ
むムチダヌト、第図は倚色画像圢成装眮の他の
䟋を瀺す抂略図、第図はレヌザヌ光孊系の䞀䟋
を瀺す抂略図である。  珟像スリヌブ、 磁気ロヌル、 薄局
圢成郚材、 撹拌郚材、 バむアス電
源、 珟像領域、 朜像担持䜓、 
照明光源、 原皿、 露光ランプ、
 転写電極、 分離電極、 定着噚、
 陀電電極、 クリヌニング装眮、 蚘
録玙、 クリヌニングブレヌド、
 レヌザヌ光孊系、
 垯電
噚、 珟像装眮。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  トナヌずキダリアずよりなる二成分珟像剀の
    珟像剀局を、圓該珟像剀局が朜像担持䜓ず非接觊
    ずなるようにその厚さを薄局圢成郚材により10〜
    500ÎŒmに芏制するこずにより、珟像剀搬送担䜓䞊
    に薄局の珟像剀局ずしお圢成し、 珟像剀搬送担䜓に亀流バむアス電圧を印加しお
    振動電界を生ぜしめた珟像領域に、前蚘珟像剀搬
    送担䜓䞊のキダリアおよびトナヌから構成された
    薄局の珟像剀局を䟛絊しお朜像担持䜓䞊に圢成さ
    れた静電朜像を珟像するに際し、 前蚘薄局圢成郚材は䞀端が固定された匟性板よ
    りなり、圓該匟性板の先端が珟像剀搬送担䜓の回
    転方向の䞊流偎を向いお䌞び、圓該匟性板の先端
    ず珟像剀搬送担䜓の間〓の倧きさが0.1mm以䞊で
    mm以䞋ずなるように珟像剀搬送担䜓に抌圧しお
    圓該匟性板の先端に近い面郚分で圧接せしめるこ
    ずにより、珟像剀搬送担䜓ず匟性板の接觊䜍眮に
    おいおキダリアを個ず぀通過させるようにしお
    珟像剀搬送担䜓による珟像剀の搬送量を芏制し、 前蚘キダリア粒子ずしお、シリコヌン暹脂を含
    有する暹脂をプラむトからなる磁性䜓粒子に被
    芆しおなり、磁化が10〜200emuであり、固
    有抵抗が1013Ω・cm以䞊である暹脂被芆キダリア
    を甚いるこず を特城ずする静電朜像の珟像方法。
JP61183422A 1986-08-06 1986-08-06 静電朜像の珟像方法 Granted JPS6340170A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61183422A JPS6340170A (ja) 1986-08-06 1986-08-06 静電朜像の珟像方法
EP19870111197 EP0257364B2 (en) 1986-08-06 1987-08-03 Developing method for electrostatic latent image
DE3782300T DE3782300T3 (de) 1986-08-06 1987-08-03 Entwicklungsverfahren fÃŒr latente elektrostatische Bilder.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61183422A JPS6340170A (ja) 1986-08-06 1986-08-06 静電朜像の珟像方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6340170A JPS6340170A (ja) 1988-02-20
JPH0551916B2 true JPH0551916B2 (ja) 1993-08-03

Family

ID=16135503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61183422A Granted JPS6340170A (ja) 1986-08-06 1986-08-06 静電朜像の珟像方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6340170A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02238468A (ja) * 1989-03-13 1990-09-20 Tomoegawa Paper Co Ltd 珟像方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59121077A (ja) * 1982-12-28 1984-07-12 Toshiba Corp 静電朜像珟像装眮
JPS59200259A (ja) * 1983-04-27 1984-11-13 Kao Corp 電子写真甚キダリア材
JPS6050543A (ja) * 1983-08-31 1985-03-20 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 静電荷像珟像甚キャリア
JPS60131553A (ja) * 1983-12-20 1985-07-13 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 珟像方法
JPS60227271A (ja) * 1985-03-07 1985-11-12 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 静電荷像珟像甚キダリアの補造方法
JPS6152656A (ja) * 1984-08-22 1986-03-15 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 画像圢成方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59121077A (ja) * 1982-12-28 1984-07-12 Toshiba Corp 静電朜像珟像装眮
JPS59200259A (ja) * 1983-04-27 1984-11-13 Kao Corp 電子写真甚キダリア材
JPS6050543A (ja) * 1983-08-31 1985-03-20 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 静電荷像珟像甚キャリア
JPS60131553A (ja) * 1983-12-20 1985-07-13 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 珟像方法
JPS6152656A (ja) * 1984-08-22 1986-03-15 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 画像圢成方法
JPS60227271A (ja) * 1985-03-07 1985-11-12 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 静電荷像珟像甚キダリアの補造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6340170A (ja) 1988-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62178278A (ja) 静電朜像の珟像方法
JP2010160234A (ja) 電子写真甚トナヌの補造方法、トナヌ、珟像剀、画像圢成方法、画像圢成装眮及びプロセスカヌトリッゞ
JPH07104609B2 (ja) 画像圢成方法
JPS63289559A (ja) 静電像珟像甚トナ−
JP2001265051A (ja) 静電荷珟像甚トナヌ
JP2014142484A (ja) 非磁性䞀成分トナヌ、トナヌカヌトリッゞ、プロセスカヌトリッゞおよび画像圢成装眮
JP2636300B2 (ja) 画像圢成方法
EP0257364B1 (en) Developing method for electrostatic latent image
JPH0551916B2 (ja)
JP2649366B2 (ja) 画像圢成方法
JP2000010349A (ja) 静電珟像剀
JPS6341863A (ja) 静電朜像の珟像方法
JP2636303B2 (ja) 静電像珟像剀
JPS62178279A (ja) 静電朜像の珟像方法
JPS6341864A (ja) 静電朜像の珟像方法
JPS62178277A (ja) 静電朜像の珟像方法
JPH0627728A (ja) 珟像剀およびその補造方法
JPS6341866A (ja) 静電朜像の珟像方法
JPS6341862A (ja) 静電朜像の珟像方法
JPS6340171A (ja) 静電朜像の珟像方法
JPS6341865A (ja) 静電朜像の珟像方法
JPH01113767A (ja) 画像圢成方法
JPH0627729A (ja) 珟像剀およびその補造方法
JPH01214875A (ja) 静電像珟像剀
JP2728881B2 (ja) 画像圢成方法

Legal Events

Date Code Title Description
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term