JPH0547839A - 半導体集積回路素子実装方法 - Google Patents
半導体集積回路素子実装方法Info
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- JPH0547839A JPH0547839A JP3200724A JP20072491A JPH0547839A JP H0547839 A JPH0547839 A JP H0547839A JP 3200724 A JP3200724 A JP 3200724A JP 20072491 A JP20072491 A JP 20072491A JP H0547839 A JPH0547839 A JP H0547839A
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Abstract
(57)【要約】
【目的】回路基板の電極ピッチの細密化に対応できる半
導体集積回路素子の接続技術を提供する。 【構成】表面の特定部分が着磁されて、複数の微小領域
の着磁部と非着磁部を持つ磁気ユニットを用い、樹脂の
表面を磁性材及び導電材にて被覆した導電粒子を、その
磁気ユニットの着磁部に吸着させる。次に表面を接着剤
にて被覆された半導体集積回路素子に対して、磁気ユニ
ットを押しつけ、導電粒子を接着層に埋め込ませかつ半
導体集積回路素子の電極に接触させることにより半導体
集積回路素子の電極部のみに導電粒子を配置固定する。
次にこの半導体集積回路素子電極上の導電粒子を回路基
板の電極に重ね合わせ、それらの間隙に別の接着剤を充
填し、その接着剤を硬化させることにより、導電粒子を
介して半導体集積回路素子の電極と、回路基板の電極と
を導通接続させる。
導体集積回路素子の接続技術を提供する。 【構成】表面の特定部分が着磁されて、複数の微小領域
の着磁部と非着磁部を持つ磁気ユニットを用い、樹脂の
表面を磁性材及び導電材にて被覆した導電粒子を、その
磁気ユニットの着磁部に吸着させる。次に表面を接着剤
にて被覆された半導体集積回路素子に対して、磁気ユニ
ットを押しつけ、導電粒子を接着層に埋め込ませかつ半
導体集積回路素子の電極に接触させることにより半導体
集積回路素子の電極部のみに導電粒子を配置固定する。
次にこの半導体集積回路素子電極上の導電粒子を回路基
板の電極に重ね合わせ、それらの間隙に別の接着剤を充
填し、その接着剤を硬化させることにより、導電粒子を
介して半導体集積回路素子の電極と、回路基板の電極と
を導通接続させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶パネル駆動用等の半
導体集積回路素子の回路基板への実装方法に関する。
導体集積回路素子の回路基板への実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路素子実装方法は、
液晶パネルの場合、図２に示すように、半導体集積回路
素子（以下ＩＣと呼ぶ）１をフレキシブルテープ１７の
インナーリード１６に接合し、次にこのフレキシブルテ
ープ１７のアウターリード１５を、異方性導電膜１４を
介して液晶パネル１０の額縁部ガラス１１上のパネル電
極１２に接合するという方法のテープキャリアパッケー
ジのアウターリードボンディング方式が主流であった。
ここで１３はＩＣ１へのモールドである。
液晶パネルの場合、図２に示すように、半導体集積回路
素子（以下ＩＣと呼ぶ）１をフレキシブルテープ１７の
インナーリード１６に接合し、次にこのフレキシブルテ
ープ１７のアウターリード１５を、異方性導電膜１４を
介して液晶パネル１０の額縁部ガラス１１上のパネル電
極１２に接合するという方法のテープキャリアパッケー
ジのアウターリードボンディング方式が主流であった。
ここで１３はＩＣ１へのモールドである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、液晶パネルの画素が高精細化し、その引き出し
電極ピッチが１００μｍ以下まで小さくなった場合に
は、テープキャリアパッケージのアウターリード部の累
積ピッチ精度の限界から、パネル電極とアウターリード
との位置ずれが無視できないレベルまで大きくなってし
まい、パネル電極とアウターリードとの重なり部がほと
んど無くなってしまい初期あるいは信頼性試験において
接続オープンに至るという問題を有している。
術では、液晶パネルの画素が高精細化し、その引き出し
電極ピッチが１００μｍ以下まで小さくなった場合に
は、テープキャリアパッケージのアウターリード部の累
積ピッチ精度の限界から、パネル電極とアウターリード
との位置ずれが無視できないレベルまで大きくなってし
まい、パネル電極とアウターリードとの重なり部がほと
んど無くなってしまい初期あるいは信頼性試験において
接続オープンに至るという問題を有している。
【０００４】そこで、本発明はこのような問題点を解決
するものであり、その目的とするところは電極ピッチが
１００μｍ以下の高精細のパネルに対しても対応可能で
十分な信頼性を有するＩＣ実装方法を提供するところに
ある。
するものであり、その目的とするところは電極ピッチが
１００μｍ以下の高精細のパネルに対しても対応可能で
十分な信頼性を有するＩＣ実装方法を提供するところに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
素子実装方法は、半導体集積回路素子を回路基板へ接続
する場合において、以下の工程により半導体集積回路素
子の電極と回路基板の電極とを導通接続させることを特
徴とする。
素子実装方法は、半導体集積回路素子を回路基板へ接続
する場合において、以下の工程により半導体集積回路素
子の電極と回路基板の電極とを導通接続させることを特
徴とする。
【０００６】ａ） 表面の特定部分が着磁されて複数の
微小着磁領域を有する磁気ユニットの着磁部に、樹脂表
面を磁性材及び導電材にて被覆した導電粒子を磁力によ
り吸着させ、表面を第１の接着剤にて被覆した半導体集
積回路素子に対して、その磁気ユニットを押しつけて、
吸着された導電粒子を前記接着層へ埋め込ませて転写
し、かつ半導体集積回路素子の電極に接触させることに
より、導電粒子を半導体集積回路素子の電極部のみに配
置固定する工程。
微小着磁領域を有する磁気ユニットの着磁部に、樹脂表
面を磁性材及び導電材にて被覆した導電粒子を磁力によ
り吸着させ、表面を第１の接着剤にて被覆した半導体集
積回路素子に対して、その磁気ユニットを押しつけて、
吸着された導電粒子を前記接着層へ埋め込ませて転写
し、かつ半導体集積回路素子の電極に接触させることに
より、導電粒子を半導体集積回路素子の電極部のみに配
置固定する工程。
【０００７】ｂ） 前記半導体集積回路素子の電極部導
電粒子を、回路基板の電極に重ね合わせ、それらの間隙
を第２の接着剤により充填し、その接着剤を硬化させる
ことにより、半導体集積回路素子を回路基板へ導通接続
固定する工程。
電粒子を、回路基板の電極に重ね合わせ、それらの間隙
を第２の接着剤により充填し、その接着剤を硬化させる
ことにより、半導体集積回路素子を回路基板へ導通接続
固定する工程。
【０００８】また、回路基板が液晶パネル額縁部のガラ
ス基板であり、半導体集積回路素子が液晶ドライバーで
あり、導電粒子が樹脂にニッケルメッキを施し、さらに
その上へ金メッキを施した構成とすることができる。
ス基板であり、半導体集積回路素子が液晶ドライバーで
あり、導電粒子が樹脂にニッケルメッキを施し、さらに
その上へ金メッキを施した構成とすることができる。
【０００９】
【作用】本発明の前記の工程によれば、精度の悪いフレ
キシブル基板を介さずに、剛体で電極位置精度の優れた
ＩＣチップを直接回路基板へ搭載できるため、接続ピッ
チが非常に細密になった場合でも、回路基板の電極と十
分な重なり面積にて、ＩＣチップの電極を位置合わせす
ることが可能となる。
キシブル基板を介さずに、剛体で電極位置精度の優れた
ＩＣチップを直接回路基板へ搭載できるため、接続ピッ
チが非常に細密になった場合でも、回路基板の電極と十
分な重なり面積にて、ＩＣチップの電極を位置合わせす
ることが可能となる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の実施例における工程図であ
り、まず図１（ａ）に示すように、磁気ユニット６の先
端表面に、コバルトニッケル等の磁性材料を約５μｍの
厚さにメッキしておき、その磁性膜表面を書き込み用磁
気ヘッドにてスキャンして着磁させることにより、着磁
部７と非着磁部８を形成する。ここで着磁部７は複数個
あり、後述のＩＣ１のアルミパッド２に対応した位置に
なるように設定しておく。この着磁部７は外形□４０μ
ｍ，ピッチで８０μｍ程度で使用するが、ピッチ３０μ
ｍ程度まで小さくすることもできる。そして次に樹脂の
表面を磁性材料及び導電材料にて被覆した導電粒子５
を、磁気ユニット６の着磁部７に吸着させる。この導電
粒子５は、一例としてはジビニルベンゼンを主成分とす
る架橋重合物からなるφ７．５μｍの樹脂粒子表面に、
密着力確保用のニッケルメッキ０．１μｍ，その上に磁
性材料のコバルトニッケルメッキを２μｍ，さらにその
上に表面保護用の金メッキを０．１μｍ施した構造とな
っている。または一層目に磁性のある種類のニッケルを
使用することにより、二層目のコバルトニッケルメッキ
を省略することもできる。
り、まず図１（ａ）に示すように、磁気ユニット６の先
端表面に、コバルトニッケル等の磁性材料を約５μｍの
厚さにメッキしておき、その磁性膜表面を書き込み用磁
気ヘッドにてスキャンして着磁させることにより、着磁
部７と非着磁部８を形成する。ここで着磁部７は複数個
あり、後述のＩＣ１のアルミパッド２に対応した位置に
なるように設定しておく。この着磁部７は外形□４０μ
ｍ，ピッチで８０μｍ程度で使用するが、ピッチ３０μ
ｍ程度まで小さくすることもできる。そして次に樹脂の
表面を磁性材料及び導電材料にて被覆した導電粒子５
を、磁気ユニット６の着磁部７に吸着させる。この導電
粒子５は、一例としてはジビニルベンゼンを主成分とす
る架橋重合物からなるφ７．５μｍの樹脂粒子表面に、
密着力確保用のニッケルメッキ０．１μｍ，その上に磁
性材料のコバルトニッケルメッキを２μｍ，さらにその
上に表面保護用の金メッキを０．１μｍ施した構造とな
っている。または一層目に磁性のある種類のニッケルを
使用することにより、二層目のコバルトニッケルメッキ
を省略することもできる。
【００１１】また図１（ｂ）に示すように、平行して、
ウェーハー状あるいはチップ状のＩＣ１の能動面全面
に、接着剤４を塗布しておき、粘着力のある状態にして
おく。ここで３はパシベーション膜である。
ウェーハー状あるいはチップ状のＩＣ１の能動面全面
に、接着剤４を塗布しておき、粘着力のある状態にして
おく。ここで３はパシベーション膜である。
【００１２】次に図１（ｃ）に示すように、導電粒子５
を吸着した磁石ユニット６を、ＩＣ１の接着剤４の面へ
押しあて、接着剤４の粘着力により、導電粒子５をＩＣ
１の表面へ転写しアルミパッドに接触させる。これによ
り、ＩＣ１のアルミパッド２の部分のみに導電粒子を配
置する。
を吸着した磁石ユニット６を、ＩＣ１の接着剤４の面へ
押しあて、接着剤４の粘着力により、導電粒子５をＩＣ
１の表面へ転写しアルミパッドに接触させる。これによ
り、ＩＣ１のアルミパッド２の部分のみに導電粒子を配
置する。
【００１３】ここで、ＩＣ１がウェーハー状の場合に
は、次にダイシング工程を入れてチップ状態にしてお
く。
は、次にダイシング工程を入れてチップ状態にしてお
く。
【００１４】次に図１（ｄ）に示すように、この導電粒
子付きＩＣ１を、液晶パネル１０の額縁部ガラス１１上
のパネル電極１２に位置合わせをし搭載する。この際
に、ＩＣ１と液晶パネルの額縁部ガラス１１の間には接
続用接着剤９を供給しておく。この接続用接着剤９の供
給方法としては、ＩＣ１の導電粒子面を下にして、接着
剤槽へ浸漬することによりＩＣ側へ供給する方法か、あ
るいはパネル電極側へディスペンサーにより接着剤を供
給する方法で行う。次にＩＣ１の裏面に圧力とともに熱
を加えることにより、この間隙の接続用接着剤９を仮硬
化させ、ＩＣ１と額縁部ガラス１１とを仮固定し、そし
て液晶パネル１０ごと恒温槽に入れて本硬化させる。こ
こで仮硬化時の条件は、圧力３ｋｇ／ｃｍ2，温度１８
０℃，時間１０秒程度であり、本硬化時の条件は、８０
℃で１時間程度である。以上の工程により接続は完了
し、導電粒子５を介してＩＣ１のアルミパッド２と液晶
パネル１０のパネル電極１２とが接触導通した状態にて
固定される。
子付きＩＣ１を、液晶パネル１０の額縁部ガラス１１上
のパネル電極１２に位置合わせをし搭載する。この際
に、ＩＣ１と液晶パネルの額縁部ガラス１１の間には接
続用接着剤９を供給しておく。この接続用接着剤９の供
給方法としては、ＩＣ１の導電粒子面を下にして、接着
剤槽へ浸漬することによりＩＣ側へ供給する方法か、あ
るいはパネル電極側へディスペンサーにより接着剤を供
給する方法で行う。次にＩＣ１の裏面に圧力とともに熱
を加えることにより、この間隙の接続用接着剤９を仮硬
化させ、ＩＣ１と額縁部ガラス１１とを仮固定し、そし
て液晶パネル１０ごと恒温槽に入れて本硬化させる。こ
こで仮硬化時の条件は、圧力３ｋｇ／ｃｍ2，温度１８
０℃，時間１０秒程度であり、本硬化時の条件は、８０
℃で１時間程度である。以上の工程により接続は完了
し、導電粒子５を介してＩＣ１のアルミパッド２と液晶
パネル１０のパネル電極１２とが接触導通した状態にて
固定される。
【００１５】また、さらに必要に応じて耐湿性向上のた
めに、ＩＣ１を含むパネル額縁部に液状のシリコンコー
ティング剤を塗布して硬化させる。
めに、ＩＣ１を含むパネル額縁部に液状のシリコンコー
ティング剤を塗布して硬化させる。
【００１６】また、通常ＩＣは複数個搭載されるため、
不良ＩＣを交換修正することが必要となる。本方式の場
合、仮硬化時に電気特性検査を行い不良と判断されたＩ
Ｃは、本硬化の前であれば、ＩＣ１裏面へ接合時よりも
高い、温度をかけつつ、ＩＣ１側面へせん断力を加える
ことにより、ＩＣ１を容易に剥離することができる。そ
して残留した接着剤も機械的にかきとりそして溶剤にて
拭き取ることにより完全に除去可能である。そして再び
新しいＩＣを同様の方法にて接合することにより交換修
正が達成できる。
不良ＩＣを交換修正することが必要となる。本方式の場
合、仮硬化時に電気特性検査を行い不良と判断されたＩ
Ｃは、本硬化の前であれば、ＩＣ１裏面へ接合時よりも
高い、温度をかけつつ、ＩＣ１側面へせん断力を加える
ことにより、ＩＣ１を容易に剥離することができる。そ
して残留した接着剤も機械的にかきとりそして溶剤にて
拭き取ることにより完全に除去可能である。そして再び
新しいＩＣを同様の方法にて接合することにより交換修
正が達成できる。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、磁性
体と導電体を被覆した樹脂粒子を、複数の着磁領域を有
する磁力ユニットに吸着させ、それを、表面を接着剤に
て被覆したＩＣのアルミパッド部のみに加圧転写し、そ
してこの導電粒子付きＩＣを、液晶パネルの額縁部パネ
ル電極に整合の上搭載し、ＩＣとパネルガラスとの間隙
を別の接着剤により接着固定して導通接続させたことに
より、ピッチ１００μｍ以下の微細ピッチ電極を持つ高
精細ドットの液晶パネルへのＩＣ接続が可能となり、ま
た高価なポリイミド基板やＩＣの金バンプが不要なこと
から低コストにて実装可能であることなど優れた効果を
有する。
体と導電体を被覆した樹脂粒子を、複数の着磁領域を有
する磁力ユニットに吸着させ、それを、表面を接着剤に
て被覆したＩＣのアルミパッド部のみに加圧転写し、そ
してこの導電粒子付きＩＣを、液晶パネルの額縁部パネ
ル電極に整合の上搭載し、ＩＣとパネルガラスとの間隙
を別の接着剤により接着固定して導通接続させたことに
より、ピッチ１００μｍ以下の微細ピッチ電極を持つ高
精細ドットの液晶パネルへのＩＣ接続が可能となり、ま
た高価なポリイミド基板やＩＣの金バンプが不要なこと
から低コストにて実装可能であることなど優れた効果を
有する。
【図１】本発明の（ａ）〜（ｄ）半導体集積回路素子実
装方法の一実施例を示す主要工程図。
装方法の一実施例を示す主要工程図。
【図２】従来の半導体集積回路素子実装方法を示す断面
図。
図。
１ 半導体集積回路素子 ２ アルミパッド ３ パシベーション膜 ４ 接着剤 ５ 導電粒子 ６ 磁気ユニット ７ 着磁部 ８ 非着磁部 ９ 接続用接着剤 １０ 液晶パネル １１ 額縁部ガラス １２ パネル電極 １３ モールド １４ 異方性導電膜 １５ アウターリード １６ インナーリード １７ フレキシブルテープ
Claims (2)
- 【請求項１】半導体集積回路素子を回路基板へ接続する
場合において、以下の工程により半導体集積回路素子の
電極と回路基板の電極とを導通させることを特徴とする
半導体集積回路素子実装方法。 ａ） 表面の特定部分が着磁されて複数の微小着磁領域
を有する磁気ユニットの着磁部に、樹脂表面を磁性材及
び導電材にて被覆した導電粒子を磁力により吸着させ、
表面を第１の接着剤にて被覆した半導体集積回路素子に
対して、その磁気ユニットを押しつけて、吸着された導
電粒子を前記接着層へ埋め込ませて転写し、かつ半導体
集積回路素子の電極に接触させることにより導電粒子を
半導体集積回路素子の電極部のみに配置固定する工程。 ｂ） 前記半導体集積回路素子の電極部導電粒子を、回
路基板の電極に重ね合わせ、それらの間隙を第２の接着
剤により充填し、その接着剤を硬化させることにより、
半導体集積回路素子を回路基板へ導通接続固定する工
程。 - 【請求項２】回路基板が液晶パネルの額縁部のガラス基
板であり、半導体集積回路素子が液晶ドライバーであ
り、導電粒子が樹脂にニッケルメッキを施し、さらにそ
の上へ金メッキを施した構成であることを特徴とする請
求項１記載の半導体集積回路素子実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200724A JPH0547839A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体集積回路素子実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200724A JPH0547839A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体集積回路素子実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547839A true JPH0547839A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16429143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3200724A Pending JPH0547839A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体集積回路素子実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547839A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5783867A (en) * | 1995-11-06 | 1998-07-21 | Ford Motor Company | Repairable flip-chip undercoating assembly and method and material for same |
| WO2002067317A1 (en) * | 2001-02-19 | 2002-08-29 | Sony Chemicals Corp. | Bumpless semiconductor device |
| WO2005097390A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for transferring conductive pieces during semiconductor device fabrication |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3200724A patent/JPH0547839A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5783867A (en) * | 1995-11-06 | 1998-07-21 | Ford Motor Company | Repairable flip-chip undercoating assembly and method and material for same |
| WO2002067317A1 (en) * | 2001-02-19 | 2002-08-29 | Sony Chemicals Corp. | Bumpless semiconductor device |
| US7109058B2 (en) | 2001-02-19 | 2006-09-19 | Sony Chemicals Corp. | Bumpless semiconductor device |
| CN100342513C (zh) * | 2001-02-19 | 2007-10-10 | 索尼化学&信息部件株式会社 | 无凸点半导体器件 |
| US7638876B2 (en) | 2001-02-19 | 2009-12-29 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Bumpless semiconductor device |
| KR100973364B1 (ko) * | 2001-02-19 | 2010-07-30 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 범프레스 반도체 장치 |
| WO2005097390A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for transferring conductive pieces during semiconductor device fabrication |
| US7407081B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-08-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for transferring conductive pieces during semiconductor device fabrication |
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