JPH0544665B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0544665B2 JPH0544665B2 JP57179326A JP17932682A JPH0544665B2 JP H0544665 B2 JPH0544665 B2 JP H0544665B2 JP 57179326 A JP57179326 A JP 57179326A JP 17932682 A JP17932682 A JP 17932682A JP H0544665 B2 JPH0544665 B2 JP H0544665B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- photoresist
- photosensitive composition
- polymer
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- -1 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
本発明は感光性組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体基板上に微細パターンを形成するに際
し、コンタクト露光方式においても、マスクに損
傷を与えることがなく、かつステイツキング現象
を起さない歩留りの良好な感光性組成物に関する
ものである。 近年、電子工業の発展に伴ない半導体素子であ
るICやLSIなどがはなばなしく脚光をあびてい
る。このICやLSIは現在ホトリソグラフイーによ
つて製造されている。該ホトリソグラフイーにお
いては、ホトレジストの露光方式として、例えば
マスクと、ホトレジストを塗布したウエハーを密
着して露光するコンタクト露光方式、マスクとウ
エハーを密着せず離して露光するプロジエクシヨ
ン方式、縮少投影方式、プロキシミテイ方式など
が採用されている。これらの方式の中でコンタク
ト露光方式は、マスクとウエハーが直接に接触す
るため、マスクに損傷を与えたり、あるいはマス
クとウエハー上のレジストがコンタクト後、離れ
なくなつてしまう現象、いわゆるステイツキング
現象を起して歩留りを低下させるなどの欠点を有
しているにもかかわらず、解像力が比較的良いこ
とや、コンタクト方式のマスクアライナーが他の
方式のマスクアライナーよりも早く開発され、か
つ経済性に優れていることなどから、現在の製造
ラインの大半に用いられている。したがつてこの
コンタクト露光方式において、前記の欠点を軽減
又は除去できればそのメリツトは極めて大きなも
のとなる。 本発明者らは、このような事情に鑑み、ホトリ
ソグラフイーにおいて、コンタクト露光方式を用
いても、マスクに損傷を与えることがなく、かつ
ステイツキング現象を起さずに歩留りが良好であ
るホトレジスト材料を提供すべく鋭意研究を重ね
た結果、有機高分系ホトレジストにオルガノシロ
キサンポリマーを組合わせた感光性組成物がその
目的を達成しうることを見出し、この知見に基づ
いて本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明は、有機高分子系ホトレジス
トにその固形分に基づき10ppm〜５重量％の割合
でオルガノシロキサンポリマーを含有させたこと
を特徴とする感光性組成物を提供するものであ
る。 本発明の組成物に用いる有機高分子系ホトレジ
ストとしては、紫外線又は遠紫外線ホトリソグラ
フイーにより微細パターンの形成が可能な従来か
ら公知のすべてのホトレジストを挙げることがで
きるが、特に環化ゴム−ビスアジド系レジスト、
ポリ（メチルレタクリレート）、ポリ（メチルイ
ソプロペニルケトン）、メチルメタクリレートと
グリシジルメタクリレートとの共重合体が有効で
ある。 一方、本発明の組成物に用いるオルガノシロキ
サンポリマーとして、例えばジメチルシロキサン
ポリマー、ジメチルシロキサンポリマーのメチル
基の一部又は全部をフエニル基に置換したもの、
ジメチルシロキサンポリマーのメチル基の一部を
他のアルキル基、水酸基又は水素原子などで置換
したものなど、市販されている各種のシリコーン
化合物を利用しうるが、本発明においては特にジ
メチルシロキサンポリマーが最適である。このジ
メチルシロキサンポリマーは、微細パターンを形
成するホトリソグラフイーにおいて、ホトレジス
トが保有しなければならない解像力、感度、耐熱
性、基板との密着性、耐エツチング性、剥離性な
どの諸特性に悪影響を及ぼすことはない。 本発明の組成物におけるオルガノシロキサンポ
リマーの有機高分子系ホトレジストに対する使用
割合は、該有機高分子系ホトレジストの固形分に
対して10ppm〜５重量％、好ましくは500ppm〜
１重量％の範囲である。この使用割合が10ppm未
満では本発明の効果が少なく、また５重量％を越
えると密着性や解像度が落ちるなどの悪影響を及
ぼす。 本発明の感光性組成物を用いると、ホトリソグ
ラフイーにおけるコンタクト露光方式において
も、マスクにキズが付くことがなく、かつステイ
ツキング現象も起らず、経済性の良い微細加工が
可能であり、その上本発明の組成物は解像力、感
度、耐熱性、基板との密着性、耐エツチング性、
剥離性などの諸特性に関して従来のホトレジスト
材料と変らない性能を有している。 次に実施例によつて本発明をさらに詳細に説明
する。 実施例 １ 環化ゴム−ビスアジド系レジスト溶液に、その
固形分重量に対して、第１表に示されている５種
類のオルガノシロキサンポリマー（いずれも信越
シリコーン(株)製）をそれぞれ1000ppm添加して溶
解した。 これらの溶液をそれぞれスピンナーを用いてシ
リコンウエハー各100枚に塗布したのち、プレベ
イクして溶剤を除去し、膜厚1μｍのレジスト層
を形成した。次にコンタクト方式マスクアライナ
ーPLA−500F（キヤノン(株)製）を使用して、これ
らのウエハーとマスクをそれぞれ30秒間密着させ
たのち、密着を解除し、マスクと離れなかつた、
すなわちステイツキングしたウエハーの枚数を測
定した。その結果を第１表に示す。
は、半導体基板上に微細パターンを形成するに際
し、コンタクト露光方式においても、マスクに損
傷を与えることがなく、かつステイツキング現象
を起さない歩留りの良好な感光性組成物に関する
ものである。 近年、電子工業の発展に伴ない半導体素子であ
るICやLSIなどがはなばなしく脚光をあびてい
る。このICやLSIは現在ホトリソグラフイーによ
つて製造されている。該ホトリソグラフイーにお
いては、ホトレジストの露光方式として、例えば
マスクと、ホトレジストを塗布したウエハーを密
着して露光するコンタクト露光方式、マスクとウ
エハーを密着せず離して露光するプロジエクシヨ
ン方式、縮少投影方式、プロキシミテイ方式など
が採用されている。これらの方式の中でコンタク
ト露光方式は、マスクとウエハーが直接に接触す
るため、マスクに損傷を与えたり、あるいはマス
クとウエハー上のレジストがコンタクト後、離れ
なくなつてしまう現象、いわゆるステイツキング
現象を起して歩留りを低下させるなどの欠点を有
しているにもかかわらず、解像力が比較的良いこ
とや、コンタクト方式のマスクアライナーが他の
方式のマスクアライナーよりも早く開発され、か
つ経済性に優れていることなどから、現在の製造
ラインの大半に用いられている。したがつてこの
コンタクト露光方式において、前記の欠点を軽減
又は除去できればそのメリツトは極めて大きなも
のとなる。 本発明者らは、このような事情に鑑み、ホトリ
ソグラフイーにおいて、コンタクト露光方式を用
いても、マスクに損傷を与えることがなく、かつ
ステイツキング現象を起さずに歩留りが良好であ
るホトレジスト材料を提供すべく鋭意研究を重ね
た結果、有機高分系ホトレジストにオルガノシロ
キサンポリマーを組合わせた感光性組成物がその
目的を達成しうることを見出し、この知見に基づ
いて本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明は、有機高分子系ホトレジス
トにその固形分に基づき10ppm〜５重量％の割合
でオルガノシロキサンポリマーを含有させたこと
を特徴とする感光性組成物を提供するものであ
る。 本発明の組成物に用いる有機高分子系ホトレジ
ストとしては、紫外線又は遠紫外線ホトリソグラ
フイーにより微細パターンの形成が可能な従来か
ら公知のすべてのホトレジストを挙げることがで
きるが、特に環化ゴム−ビスアジド系レジスト、
ポリ（メチルレタクリレート）、ポリ（メチルイ
ソプロペニルケトン）、メチルメタクリレートと
グリシジルメタクリレートとの共重合体が有効で
ある。 一方、本発明の組成物に用いるオルガノシロキ
サンポリマーとして、例えばジメチルシロキサン
ポリマー、ジメチルシロキサンポリマーのメチル
基の一部又は全部をフエニル基に置換したもの、
ジメチルシロキサンポリマーのメチル基の一部を
他のアルキル基、水酸基又は水素原子などで置換
したものなど、市販されている各種のシリコーン
化合物を利用しうるが、本発明においては特にジ
メチルシロキサンポリマーが最適である。このジ
メチルシロキサンポリマーは、微細パターンを形
成するホトリソグラフイーにおいて、ホトレジス
トが保有しなければならない解像力、感度、耐熱
性、基板との密着性、耐エツチング性、剥離性な
どの諸特性に悪影響を及ぼすことはない。 本発明の組成物におけるオルガノシロキサンポ
リマーの有機高分子系ホトレジストに対する使用
割合は、該有機高分子系ホトレジストの固形分に
対して10ppm〜５重量％、好ましくは500ppm〜
１重量％の範囲である。この使用割合が10ppm未
満では本発明の効果が少なく、また５重量％を越
えると密着性や解像度が落ちるなどの悪影響を及
ぼす。 本発明の感光性組成物を用いると、ホトリソグ
ラフイーにおけるコンタクト露光方式において
も、マスクにキズが付くことがなく、かつステイ
ツキング現象も起らず、経済性の良い微細加工が
可能であり、その上本発明の組成物は解像力、感
度、耐熱性、基板との密着性、耐エツチング性、
剥離性などの諸特性に関して従来のホトレジスト
材料と変らない性能を有している。 次に実施例によつて本発明をさらに詳細に説明
する。 実施例 １ 環化ゴム−ビスアジド系レジスト溶液に、その
固形分重量に対して、第１表に示されている５種
類のオルガノシロキサンポリマー（いずれも信越
シリコーン(株)製）をそれぞれ1000ppm添加して溶
解した。 これらの溶液をそれぞれスピンナーを用いてシ
リコンウエハー各100枚に塗布したのち、プレベ
イクして溶剤を除去し、膜厚1μｍのレジスト層
を形成した。次にコンタクト方式マスクアライナ
ーPLA−500F（キヤノン(株)製）を使用して、これ
らのウエハーとマスクをそれぞれ30秒間密着させ
たのち、密着を解除し、マスクと離れなかつた、
すなわちステイツキングしたウエハーの枚数を測
定した。その結果を第１表に示す。
【表】
実施例 ２
オルガノシロキサンポリマーとしてKF96（商品
名、信越シリコーン(株)製）を使用し、その添加量
を50ppmから５重量％まで段階的に変化させた以
外は、実施例１と同様の方法でステイツキング性
を検討した。その結果を第２表に示す。
名、信越シリコーン(株)製）を使用し、その添加量
を50ppmから５重量％まで段階的に変化させた以
外は、実施例１と同様の方法でステイツキング性
を検討した。その結果を第２表に示す。
【表】
実施例 ３
環化ゴム−ビスアジド系ホトレジストOMR83
及びOMR85（いずれも商品名、東京応化工業(株)
製）に、その固形分に対し、オルガノシロキサン
ポリマーとしてKF96（商品名、信越シリコーン(株)
製）を0.8重量％添加し、スピンナーでウエハー
上に塗布したのち、プレベイクして膜厚1μｍの
レジスト層を形成した。このウエハーに露光機
PLA−500F（キヤノン(株)製）を用いてテストパタ
ーンを焼付け、OMR用現像液及びOMR用リン
ス液（いずれも東京応化工業(株)製）で現像及びリ
ンス処理したところ、感度、解像力及び残膜率と
もに、KF96を添加したものと無添加のものとの
間に有意差は認められなかつた。 次いで、このウエハーを150℃で20分間ポスト
ベークしたのち、HF：NH4F＝１：６のエツチ
ング液でSiO2を６分間エツチングした結果、耐
エツチング性及び密着性ともにKF96の添加有無
による有意差は認められなかつた。 さらに、それらのレジストを剥離液502（商品
名、東京応化工業(株)製）を用いて110℃で10分間
レジストを剥離したが、両者とも完全に剥離して
おり、有意差は認められなかつた。 実施例 ４ ポリ（メチルイソプロペニルケトン）に増感剤
を含有させた遠紫外線レジストODUR−1013（商
品名、東京応化工業(株)製）、ポリ（メチルメタク
リレート）（PMMA）及びメチルメタクリレート
とグリシジルメタクリレートとの共重合体
（MMA＋GMA）に、その固形分に対し、それぞ
れKF96（商品名、信越シリコーン(株)製）を0.5重
量％添加して溶解した。これをスピンナーを用い
てシリコンウエハーに塗布したのち、プレベイク
して膜厚1μｍのレジスト層を形成した。このウ
エハーを10枚づつ用意し、コンタクト方式のマス
クアライナーRLA−500F（キヤノン(株)製）を使用
して、これらのウエハーとマスクを30秒間密着さ
せたのち、コンタクトを解除して、ウエハーがマ
スクから離れなかつた枚数を測定した。その結果
を第３表に示す。 また、比較のため、KF96無添加の場合につい
ても、その結果を第３表に示す。
及びOMR85（いずれも商品名、東京応化工業(株)
製）に、その固形分に対し、オルガノシロキサン
ポリマーとしてKF96（商品名、信越シリコーン(株)
製）を0.8重量％添加し、スピンナーでウエハー
上に塗布したのち、プレベイクして膜厚1μｍの
レジスト層を形成した。このウエハーに露光機
PLA−500F（キヤノン(株)製）を用いてテストパタ
ーンを焼付け、OMR用現像液及びOMR用リン
ス液（いずれも東京応化工業(株)製）で現像及びリ
ンス処理したところ、感度、解像力及び残膜率と
もに、KF96を添加したものと無添加のものとの
間に有意差は認められなかつた。 次いで、このウエハーを150℃で20分間ポスト
ベークしたのち、HF：NH4F＝１：６のエツチ
ング液でSiO2を６分間エツチングした結果、耐
エツチング性及び密着性ともにKF96の添加有無
による有意差は認められなかつた。 さらに、それらのレジストを剥離液502（商品
名、東京応化工業(株)製）を用いて110℃で10分間
レジストを剥離したが、両者とも完全に剥離して
おり、有意差は認められなかつた。 実施例 ４ ポリ（メチルイソプロペニルケトン）に増感剤
を含有させた遠紫外線レジストODUR−1013（商
品名、東京応化工業(株)製）、ポリ（メチルメタク
リレート）（PMMA）及びメチルメタクリレート
とグリシジルメタクリレートとの共重合体
（MMA＋GMA）に、その固形分に対し、それぞ
れKF96（商品名、信越シリコーン(株)製）を0.5重
量％添加して溶解した。これをスピンナーを用い
てシリコンウエハーに塗布したのち、プレベイク
して膜厚1μｍのレジスト層を形成した。このウ
エハーを10枚づつ用意し、コンタクト方式のマス
クアライナーRLA−500F（キヤノン(株)製）を使用
して、これらのウエハーとマスクを30秒間密着さ
せたのち、コンタクトを解除して、ウエハーがマ
スクから離れなかつた枚数を測定した。その結果
を第３表に示す。 また、比較のため、KF96無添加の場合につい
ても、その結果を第３表に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機高分子系ホトレジストに、その固形分に
基づき10ppm〜５重量％の割合でオルガノシロキ
サンポリマーを含有させたことを特徴とする感光
性組成物。 ２ 有機高分子系ホトレジストが環化ゴム−ビス
アジド系レジスト、ポリ（メチルメタクリレー
ト）、ポリ（メチルイソプロペニルケトン）又は
メチルメタクリレートとグリシジルメタクリレー
トとの共重量体である特許請求の範囲第１項記載
の感光性組成物。 ３ オルガノシロキサンポリマーがジメチルシロ
キサンポリマーである特許請求の範囲第１項記載
の感光性組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17932682A JPS5968735A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 感光性組成物 |
| DE19833337303 DE3337303C2 (de) | 1982-10-13 | 1983-10-13 | Verfahren zur photolithographischen Erzeugung von feinen Resistmustern und hierfür verwendbare lichtempfindliche Gemische |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17932682A JPS5968735A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 感光性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968735A JPS5968735A (ja) | 1984-04-18 |
| JPH0544665B2 true JPH0544665B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=16063877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17932682A Granted JPS5968735A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 感光性組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5968735A (ja) |
| DE (1) | DE3337303C2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3669211D1 (de) * | 1985-05-31 | 1990-04-05 | Ibm | Schutzlack fuer lithographie und anwendungsverfahren. |
| JPS61289345A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-19 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | リソグラフイ用レジスト |
| JPH0772799B2 (ja) * | 1986-08-13 | 1995-08-02 | ソニー株式会社 | レジスト材料 |
| JPS63291053A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| EP0464614B1 (en) * | 1990-06-25 | 1999-09-29 | Matsushita Electronics Corporation | A composition having sensitivity to light or radiation |
| US5268256A (en) * | 1990-08-02 | 1993-12-07 | Ppg Industries, Inc. | Photoimageable electrodepositable photoresist composition for producing non-tacky films |
| DE4228790C1 (de) | 1992-08-29 | 1993-11-25 | Du Pont Deutschland | Tonbares strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Mehrfarbenbildern mittels solch eines Gemischs |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50137202A (ja) * | 1974-04-22 | 1975-10-31 | ||
| JPS516561A (ja) * | 1974-07-04 | 1976-01-20 | Yamamoto Kagaku Gosei Kk |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5525418B2 (ja) * | 1972-12-20 | 1980-07-05 | ||
| US4200463A (en) * | 1975-12-19 | 1980-04-29 | Motorola, Inc. | Semiconductor device manufacture using photoresist protective coating |
| DE3022473A1 (de) * | 1980-06-14 | 1981-12-24 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zu seiner herstellung |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP17932682A patent/JPS5968735A/ja active Granted
-
1983
- 1983-10-13 DE DE19833337303 patent/DE3337303C2/de not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50137202A (ja) * | 1974-04-22 | 1975-10-31 | ||
| JPS516561A (ja) * | 1974-07-04 | 1976-01-20 | Yamamoto Kagaku Gosei Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5968735A (ja) | 1984-04-18 |
| DE3337303A1 (de) | 1984-04-19 |
| DE3337303C2 (de) | 1987-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5185235A (en) | Remover solution for photoresist | |
| EP0005775B1 (en) | Article comprising a substrate and an overlying processing layer of actinic radiation-sensitive material and process for fabrication of the article | |
| KR900005850B1 (ko) | 포지티브형(型) 포토레지스트 조성물용(用) 현상액 | |
| JPS61144639A (ja) | 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法 | |
| JPS617837A (ja) | ポジ型の感放射被覆液 | |
| JPS62136638A (ja) | フオトレジスト組成物 | |
| JPH0544665B2 (ja) | ||
| EP0394353A1 (en) | Aqueous developing solution and its use in developing positive-working photoresist composition | |
| JPH0148526B2 (ja) | ||
| JPS59155836A (ja) | 感光性組成物 | |
| US4287289A (en) | Photoresist cyclized rubber and bisazide compositions containing a monoazo photoextinction agent | |
| JPH02248952A (ja) | 感光性組成物 | |
| JP2663815B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS62105145A (ja) | 基板から硬化および未硬化のフォトレジスト層を剥離する方法 | |
| JPH0339964A (ja) | 半導体装置の製造方法及びそれに用いるパターン形成用塗布溶液 | |
| JPS60107644A (ja) | 現像しうる水性ネガレジスト組成物 | |
| JPH0261640A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPH01154047A (ja) | 感光性組成物 | |
| EP0199940B1 (en) | Photolithographic process, and organosilicone polymer composition for use therein | |
| JPS59121042A (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
| JPH06222573A (ja) | ポジ型レジスト用剥離液 | |
| JPH1124285A (ja) | レジスト用現像液 | |
| JPH0259752A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPS5849942A (ja) | 遠紫外線露光用レジスト材料 | |
| JPH0381143B2 (ja) |