JPH0544037A - 気相成長装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
気相成長装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH0544037A JPH0544037A JP19794091A JP19794091A JPH0544037A JP H0544037 A JPH0544037 A JP H0544037A JP 19794091 A JP19794091 A JP 19794091A JP 19794091 A JP19794091 A JP 19794091A JP H0544037 A JPH0544037 A JP H0544037A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】気相成長時の反応を促進し、低温での気相成長
が可能な気相成長装置を提供すると共に、平坦化が向上
した半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】気相成長装置１０に超音波を印加する装置１を
備えた。また、気相成長装置１０Ａは、反応ガスに超音
波を印加する装置１Ａを備え、気相成長装置１０Ｂは、
支持具２に超音波を印加する装置１Ｂを備えた。さら
に、支持具２に超音波を印加すると共に、前記反応ガス
に超音波を印加しながら基板３上に膜を形成する。
が可能な気相成長装置を提供すると共に、平坦化が向上
した半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】気相成長装置１０に超音波を印加する装置１を
備えた。また、気相成長装置１０Ａは、反応ガスに超音
波を印加する装置１Ａを備え、気相成長装置１０Ｂは、
支持具２に超音波を印加する装置１Ｂを備えた。さら
に、支持具２に超音波を印加すると共に、前記反応ガス
に超音波を印加しながら基板３上に膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気相成長装置及びそれ
を用いた半導体装置の製造方法に係り、特に、気相成長
時の反応を促進し、低温での気相成長が可能な気相成長
装置及び、平坦化が向上した半導体装置の製造方法に関
する。
を用いた半導体装置の製造方法に係り、特に、気相成長
時の反応を促進し、低温での気相成長が可能な気相成長
装置及び、平坦化が向上した半導体装置の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、気相成長装置として、例えば、常
圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）装置、減圧ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装
置等、各種装置が知られている。前記装置は、気相から
反応ガスを供給し、化学反応によって基板上に膜を形成
する機能を有している。この装置を使用して基板上に膜
を形成する場合、熱合成に比べ低温で膜を形成すること
ができる。また、当該膜組成の制御、高純度化等が容易
で、しかも一般的に成膜速度が大きいので、酸化シリコ
ン膜、リンやホウ素等の不純物をドープした酸化シリコ
ン膜、多結晶シリコン膜、テトラエトキシシラン（Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5）4 ；以下、ＴＥＯＳという）膜等、種々
の薄膜形成に用いられている。
圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）装置、減圧ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装
置等、各種装置が知られている。前記装置は、気相から
反応ガスを供給し、化学反応によって基板上に膜を形成
する機能を有している。この装置を使用して基板上に膜
を形成する場合、熱合成に比べ低温で膜を形成すること
ができる。また、当該膜組成の制御、高純度化等が容易
で、しかも一般的に成膜速度が大きいので、酸化シリコ
ン膜、リンやホウ素等の不純物をドープした酸化シリコ
ン膜、多結晶シリコン膜、テトラエトキシシラン（Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5）4 ；以下、ＴＥＯＳという）膜等、種々
の薄膜形成に用いられている。
【０００３】そして、前記気相成長装置、例えば、常圧
ＣＶＤ装置によりＴＥＯＳ膜を基板上に形成する（常圧
ＴＥＯＳオゾンＣＶＤ技術）ことで半導体装置の平坦化
を図る従来例が知られている。
ＣＶＤ装置によりＴＥＯＳ膜を基板上に形成する（常圧
ＴＥＯＳオゾンＣＶＤ技術）ことで半導体装置の平坦化
を図る従来例が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記常
圧ＣＶＤ装置によりＴＥＯＳ膜を形成する従来例は、あ
る程度のレベルで半導体装置の平坦化が達成されている
が完全ではなく、さらなる平坦化が要求されているとい
う問題があった。また、前記気相成長装置は、熱合成に
比べ低温で膜を形成することができ、一般的に成膜速度
も大きいが、さらに効率化の向上が要求され、また、よ
り低温での処理が望まれている。
圧ＣＶＤ装置によりＴＥＯＳ膜を形成する従来例は、あ
る程度のレベルで半導体装置の平坦化が達成されている
が完全ではなく、さらなる平坦化が要求されているとい
う問題があった。また、前記気相成長装置は、熱合成に
比べ低温で膜を形成することができ、一般的に成膜速度
も大きいが、さらに効率化の向上が要求され、また、よ
り低温での処理が望まれている。
【０００５】本発明は、このような問題を解決すること
を課題とするものであり、気相成長時の反応を促進し、
低温での気相成長が可能な気相成長装置を提供すると共
に、平坦化が向上した半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
を課題とするものであり、気相成長時の反応を促進し、
低温での気相成長が可能な気相成長装置を提供すると共
に、平坦化が向上した半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、気相から反応ガスを供給し、化学反応によ
って基板上に膜を形成する気相成長装置において、前記
気相成長装置は、超音波を印加する装置を備えてなるこ
とを特徴とする気相成長装置を提供するものである。
に本発明は、気相から反応ガスを供給し、化学反応によ
って基板上に膜を形成する気相成長装置において、前記
気相成長装置は、超音波を印加する装置を備えてなるこ
とを特徴とする気相成長装置を提供するものである。
【０００７】そして、前記気相成長装置は、前記反応ガ
スに超音波を印加する装置を備えてなることを特徴とす
る気相成長装置を提供するものである。また、前記気相
成長装置は、基板を支持する支持具に超音波を印加する
装置を備えてなることを特徴とする気相成長装置を提供
するものである。そしてまた、気相成長により基板上に
膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記基板
を支持する支持具に超音波を印加すると共に、前記反応
ガスに超音波を印加しながら当該基板上に膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
スに超音波を印加する装置を備えてなることを特徴とす
る気相成長装置を提供するものである。また、前記気相
成長装置は、基板を支持する支持具に超音波を印加する
装置を備えてなることを特徴とする気相成長装置を提供
するものである。そしてまた、気相成長により基板上に
膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記基板
を支持する支持具に超音波を印加すると共に、前記反応
ガスに超音波を印加しながら当該基板上に膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
【０００８】
【作用】請求項１記載の発明によれば、超音波を印加す
る装置を備えたことで、この超音波の印加により、成膜
中にエネルギーを付与することができる。従って、従来
より効率良く、しかも低温で、良好な膜を形成すること
ができる。そして、請求項２記載の発明によれば、成膜
中に、当該反応ガスに超音波を印加することができるた
め、該反応ガスにエネルギーを与えることができる。従
って、従来より低温で膜を形成することができ、且つ、
成膜速度も向上することができる。
る装置を備えたことで、この超音波の印加により、成膜
中にエネルギーを付与することができる。従って、従来
より効率良く、しかも低温で、良好な膜を形成すること
ができる。そして、請求項２記載の発明によれば、成膜
中に、当該反応ガスに超音波を印加することができるた
め、該反応ガスにエネルギーを与えることができる。従
って、従来より低温で膜を形成することができ、且つ、
成膜速度も向上することができる。
【０００９】また、請求項３記載の発明によれば、基板
を支持する支持具に超音波を印加する装置を備えたこと
で、前記利点に加え、当該基板を振動させながら該基板
上に前記膜を気相成長することができる。また、請求項
４記載の発明によれば、基板を支持する支持具に超音波
を印加すると共に、前記反応ガスに超音波を印加しなが
ら当該基板上に膜を形成することで、反応ガスにエネル
ギーを与えると共に、前記基板を振動させながら当該基
板上に前記膜を気相成長することができる。このため、
従来より低温で前記基板上に膜を形成することができ、
成膜速度も向上する。さらに、前記膜は、表面拡散が起
き易くなる結果、基板上に存在する断差、溝、孔等に埋
め込まれ（流れ込み）ながら成長していく。従って、十
分な平坦化が達成できる。
を支持する支持具に超音波を印加する装置を備えたこと
で、前記利点に加え、当該基板を振動させながら該基板
上に前記膜を気相成長することができる。また、請求項
４記載の発明によれば、基板を支持する支持具に超音波
を印加すると共に、前記反応ガスに超音波を印加しなが
ら当該基板上に膜を形成することで、反応ガスにエネル
ギーを与えると共に、前記基板を振動させながら当該基
板上に前記膜を気相成長することができる。このため、
従来より低温で前記基板上に膜を形成することができ、
成膜速度も向上する。さらに、前記膜は、表面拡散が起
き易くなる結果、基板上に存在する断差、溝、孔等に埋
め込まれ（流れ込み）ながら成長していく。従って、十
分な平坦化が達成できる。
【００１０】
（実施例１）次に、本発明に係る実施例について図面を
参照して説明する。図１ないし図３は、本発明の実施例
に係る気相成長装置（ＣＶＤ装置）の構成を示す模式図
である。
参照して説明する。図１ないし図３は、本発明の実施例
に係る気相成長装置（ＣＶＤ装置）の構成を示す模式図
である。
【００１１】図１に示す気相成長装置１０Ａにおいて、
２で示される支持具は、その上部に基板３が載置できる
ように設計されており、また、その中央下部には、ヒー
タ４が備えられており、前記基板３を所定温度に加熱す
る。そして、前記支持具２の上方には、ガス吹き出し部
７が支持具２に対向して設置されている。このガス吹き
出し部７は、ガス入口５に連通されており、ガス吹き出
し部７から供給されたガスは、前記基板３上に吹き付け
られ、基板３上に任意の膜が堆積される。そして、不必
要なガス等は、排気口６から排気される。さらに、この
気相成長装置１０Ａの内側側壁のガス吹き出し部７と支
持具２との間に相当する位置に、超音波を印加する装置
１Ａ及び振動板１５が設置され、この超音波を印加する
装置１Ａの振動により、振動板１５が振動するように設
計されている。そして、この超音波を印加する装置１Ａ
を振動することにより、ガス吹き出し部７から供給され
た反応ガスに超音波を印加することができる。
２で示される支持具は、その上部に基板３が載置できる
ように設計されており、また、その中央下部には、ヒー
タ４が備えられており、前記基板３を所定温度に加熱す
る。そして、前記支持具２の上方には、ガス吹き出し部
７が支持具２に対向して設置されている。このガス吹き
出し部７は、ガス入口５に連通されており、ガス吹き出
し部７から供給されたガスは、前記基板３上に吹き付け
られ、基板３上に任意の膜が堆積される。そして、不必
要なガス等は、排気口６から排気される。さらに、この
気相成長装置１０Ａの内側側壁のガス吹き出し部７と支
持具２との間に相当する位置に、超音波を印加する装置
１Ａ及び振動板１５が設置され、この超音波を印加する
装置１Ａの振動により、振動板１５が振動するように設
計されている。そして、この超音波を印加する装置１Ａ
を振動することにより、ガス吹き出し部７から供給され
た反応ガスに超音波を印加することができる。
【００１２】また、図２に示す気相成長装置１０Ｂにお
いて、２で示される支持具は、その両端下部に超音波を
印加する装置１Ｂとして振動子を備えている。そして、
この超音波を印加する装置１Ｂの振動は、支持具２に直
接伝えられるように設計されている。さらに、支持具２
の上部は、基板３を載置できるように設計されており、
また、支持具２の中央下部には、ヒータ４が備えられ、
当該基板３を所定温度に加熱する。そして、前記支持具
２の上方には、ガス吹き出し部７が支持具２に対向して
設置されており、ガス吹き出し部７から供給されたガス
は、前記基板３上に吹き付けられ、基板３上に任意の膜
が堆積される。そして、不必要なガス等は、排気口６か
ら排気される。
いて、２で示される支持具は、その両端下部に超音波を
印加する装置１Ｂとして振動子を備えている。そして、
この超音波を印加する装置１Ｂの振動は、支持具２に直
接伝えられるように設計されている。さらに、支持具２
の上部は、基板３を載置できるように設計されており、
また、支持具２の中央下部には、ヒータ４が備えられ、
当該基板３を所定温度に加熱する。そして、前記支持具
２の上方には、ガス吹き出し部７が支持具２に対向して
設置されており、ガス吹き出し部７から供給されたガス
は、前記基板３上に吹き付けられ、基板３上に任意の膜
が堆積される。そして、不必要なガス等は、排気口６か
ら排気される。
【００１３】そしてまた、図３に示す気相成長装置１０
Ｃにおいて、２で示される支持具は、その両端下部に超
音波を印加する装置１Ｂとして振動子を備えており、こ
の超音波を印加する装置１Ｂの振動は、支持具２に直接
伝えられるように設計されている。また、この支持具２
の中央下部には、ヒータ４が備えられ、当該基板３を所
定温度に加熱する。さらに、支持具２の上部は、基板３
が載置できるように設計されている。そして、前記支持
具２の上方には、ガス吹き出し部７が支持具２に対向し
て設置されている。このガス吹き出し部７は、ガス入口
５に連通されており、ガス吹き出し部７から供給された
ガスは、前記基板３上に吹き付けられ、基板３上に任意
の膜が堆積される。そして、不必要なガス等は、排気口
６から排気される。さらに、この気相成長装置１０Ｃの
内側側壁のガス吹き出し部７と支持具２との間に相当す
る位置に、超音波を印加する装置１Ａ及び振動板１５が
設置され、この超音波を印加する装置１Ａの振動によ
り、振動板１５が振動するように設計されている。そし
て、この超音波を印加する装置１Ａ及び１Ｂを振動する
ことにより、ガス吹き出し部７から供給された反応ガス
に超音波を印加すると同時に、支持具２を振動すること
ができる。
Ｃにおいて、２で示される支持具は、その両端下部に超
音波を印加する装置１Ｂとして振動子を備えており、こ
の超音波を印加する装置１Ｂの振動は、支持具２に直接
伝えられるように設計されている。また、この支持具２
の中央下部には、ヒータ４が備えられ、当該基板３を所
定温度に加熱する。さらに、支持具２の上部は、基板３
が載置できるように設計されている。そして、前記支持
具２の上方には、ガス吹き出し部７が支持具２に対向し
て設置されている。このガス吹き出し部７は、ガス入口
５に連通されており、ガス吹き出し部７から供給された
ガスは、前記基板３上に吹き付けられ、基板３上に任意
の膜が堆積される。そして、不必要なガス等は、排気口
６から排気される。さらに、この気相成長装置１０Ｃの
内側側壁のガス吹き出し部７と支持具２との間に相当す
る位置に、超音波を印加する装置１Ａ及び振動板１５が
設置され、この超音波を印加する装置１Ａの振動によ
り、振動板１５が振動するように設計されている。そし
て、この超音波を印加する装置１Ａ及び１Ｂを振動する
ことにより、ガス吹き出し部７から供給された反応ガス
に超音波を印加すると同時に、支持具２を振動すること
ができる。
【００１４】前記超音波を印加する装置１Ａ，１Ｂとし
て用いている素材としては、例えば、耐食性に優れ、高
温での使用が可能な、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｏ系フェライト
や、マグネタイト系フェライト等、フェライト系磁歪振
動子が好ましい。尚、超音波を印加する装置１Ａの設置
位置は、前記に説明した位置に限らず、反応ガスに超音
波を印加可能な位置であれば任意の位置に設置してよ
く、また、設置個数も任意に決定してよい。
て用いている素材としては、例えば、耐食性に優れ、高
温での使用が可能な、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｏ系フェライト
や、マグネタイト系フェライト等、フェライト系磁歪振
動子が好ましい。尚、超音波を印加する装置１Ａの設置
位置は、前記に説明した位置に限らず、反応ガスに超音
波を印加可能な位置であれば任意の位置に設置してよ
く、また、設置個数も任意に決定してよい。
【００１５】また、超音波を印加する装置１Ｂの設置位
置も、前記に説明した位置に限らず、支持具２を振動可
能な位置であれば任意の位置に設置してよく、また、設
置個数も任意に決定してよい。そして、本実施例１で
は、常圧ＣＶＤ装置に超音波を印加する装置１を備えた
が、これに限らず、減圧ＣＶＤ装置等、他の気相成長装
置に超音波を印加する装置１を備えてもよい。 （実施例２）次に、前記実施例１で説明した、図３に示
す気相成長装置１０Ｃを使用して、常圧ＣＶＤ法によ
り、半導体基板３上に酸化膜（ＳｉＯ2 膜）を形成する
具体的方法について、説明する。
置も、前記に説明した位置に限らず、支持具２を振動可
能な位置であれば任意の位置に設置してよく、また、設
置個数も任意に決定してよい。そして、本実施例１で
は、常圧ＣＶＤ装置に超音波を印加する装置１を備えた
が、これに限らず、減圧ＣＶＤ装置等、他の気相成長装
置に超音波を印加する装置１を備えてもよい。 （実施例２）次に、前記実施例１で説明した、図３に示
す気相成長装置１０Ｃを使用して、常圧ＣＶＤ法によ
り、半導体基板３上に酸化膜（ＳｉＯ2 膜）を形成する
具体的方法について、説明する。
【００１６】図４は、半導体基板３上に酸化膜（ＳｉＯ
2 膜）を形成する工程を示す一部断面図である。図４
（１）に示す工程では、通常の工程により、半導体基板
３Ａ上にＳｉＯ2 膜１１を形成した後、所望のアルミ配
線１２を形成する。その後、この状態の半導体基板３Ａ
を図３に示す気相成長装置１０Ｃの支持具２の上部所定
位置に載置する。
2 膜）を形成する工程を示す一部断面図である。図４
（１）に示す工程では、通常の工程により、半導体基板
３Ａ上にＳｉＯ2 膜１１を形成した後、所望のアルミ配
線１２を形成する。その後、この状態の半導体基板３Ａ
を図３に示す気相成長装置１０Ｃの支持具２の上部所定
位置に載置する。
【００１７】次いで、図４（２）に示す工程では、気相
成長装置１０Ｃのガス入口５から反応ガスとして、Ｏ3
及びＴＥＯＳを供給する。尚、Ｏ3 は、公知のオゾナイ
ザーを使用してＯ2 中に発生させた。また、Ｏ3 は、Ｏ
2 流量７．５ＳＬＭ程度流してＯ3 濃度を４．６６％程
度にして反応室に導入し、ＴＥＯＳは、バブラー温度６
５℃，パイプ温度８０℃の状態で、Ｎ2 流量１．４ＳＬ
Ｍ程度流して反応室に導入し、ＴＥＯＳとＯ3 とを反応
させる。これと並行して、超音波を印加する装置１Ｂを
１〜５０ｋＨｚ程度の周波数で振動させて支持具２に超
音波を印加すると共に、超音波を印加する装置１Ａも１
〜５０ｋＨｚ程度の周波数で振動させ、前記反応ガス
に、１〜５０ｋＨｚ程度の超音波を印加し、３００〜４
００℃程度の温度で半導体基板３Ａ上にＴＥＯＳ＋Ｏ3
によるＳｉＯ2 膜１３を堆積する。前記反応ガスに超音
波を印加することで、当該反応ガスにエネルギーを付与
することができるため、通常より低温（通常では、３７
５〜４２５℃程度の温度が必要）で、ＴＥＯＳ＋Ｏ3 に
よるＳｉＯ2 膜１３を堆積することができ、しかも成膜
速度も向上する。
成長装置１０Ｃのガス入口５から反応ガスとして、Ｏ3
及びＴＥＯＳを供給する。尚、Ｏ3 は、公知のオゾナイ
ザーを使用してＯ2 中に発生させた。また、Ｏ3 は、Ｏ
2 流量７．５ＳＬＭ程度流してＯ3 濃度を４．６６％程
度にして反応室に導入し、ＴＥＯＳは、バブラー温度６
５℃，パイプ温度８０℃の状態で、Ｎ2 流量１．４ＳＬ
Ｍ程度流して反応室に導入し、ＴＥＯＳとＯ3 とを反応
させる。これと並行して、超音波を印加する装置１Ｂを
１〜５０ｋＨｚ程度の周波数で振動させて支持具２に超
音波を印加すると共に、超音波を印加する装置１Ａも１
〜５０ｋＨｚ程度の周波数で振動させ、前記反応ガス
に、１〜５０ｋＨｚ程度の超音波を印加し、３００〜４
００℃程度の温度で半導体基板３Ａ上にＴＥＯＳ＋Ｏ3
によるＳｉＯ2 膜１３を堆積する。前記反応ガスに超音
波を印加することで、当該反応ガスにエネルギーを付与
することができるため、通常より低温（通常では、３７
５〜４２５℃程度の温度が必要）で、ＴＥＯＳ＋Ｏ3 に
よるＳｉＯ2 膜１３を堆積することができ、しかも成膜
速度も向上する。
【００１８】さらに、成膜中に、前記支持具２も振動し
ているため、ＴＥＯＳ＋Ｏ3 によるＳｉＯ2 膜１３は、
堆積中に表面拡散が起き易くなり、半導体基板３Ａ上に
存在する素子による断差，溝，孔等に流れ込み、埋め込
まれ、平坦化されながら、ＴＥＯＳ＋Ｏ3 によるＳｉＯ
2 膜１３が形成されていく。以上の工程により、図４
（３）に示すように、平坦化が向上したＳｉＯ2 膜１３
を得た。
ているため、ＴＥＯＳ＋Ｏ3 によるＳｉＯ2 膜１３は、
堆積中に表面拡散が起き易くなり、半導体基板３Ａ上に
存在する素子による断差，溝，孔等に流れ込み、埋め込
まれ、平坦化されながら、ＴＥＯＳ＋Ｏ3 によるＳｉＯ
2 膜１３が形成されていく。以上の工程により、図４
（３）に示すように、平坦化が向上したＳｉＯ2 膜１３
を得た。
【００１９】その後、所望により、さらに素子を形成し
て半導体装置を完成する。尚、本実施例では、反応ガス
に超音波を印加する装置１Ａ及び、支持具２に超音波を
印加する装置１Ｂを備えた気相成長装置１０Ｃを使用し
て気相成長を行ったが、これに限らず、図１及び図２に
示す気相成長装置１０Ａ及び１０Ｂを使用して気相成長
を行ってもよい。
て半導体装置を完成する。尚、本実施例では、反応ガス
に超音波を印加する装置１Ａ及び、支持具２に超音波を
印加する装置１Ｂを備えた気相成長装置１０Ｃを使用し
て気相成長を行ったが、これに限らず、図１及び図２に
示す気相成長装置１０Ａ及び１０Ｂを使用して気相成長
を行ってもよい。
【００２０】そして、本実施例では、ＳｉＯ2 膜の形成
について説明したが、これに限らず、反応ガスに超音波
を印加することで、他の膜を形成する際にも、通常より
低温で成膜することができ、また、成膜速度を向上する
こともできる。また、本実施例では、常圧ＣＶＤ装置に
超音波を印加する装置１Ａ及び１Ｂを備えたが、これに
限らず、減圧ＣＶＤ装置等、他の気相成長装置に超音波
を印加する装置１Ａ及び／又は１Ｂを備えても同様の効
果を得ることができる。
について説明したが、これに限らず、反応ガスに超音波
を印加することで、他の膜を形成する際にも、通常より
低温で成膜することができ、また、成膜速度を向上する
こともできる。また、本実施例では、常圧ＣＶＤ装置に
超音波を印加する装置１Ａ及び１Ｂを備えたが、これに
限らず、減圧ＣＶＤ装置等、他の気相成長装置に超音波
を印加する装置１Ａ及び／又は１Ｂを備えても同様の効
果を得ることができる。
【００２１】そして、本実施例では、１〜５０ｋＨｚ程
度の超音波を印加したが、これに限らず、２０ＭＨｚ程
度までの超音波を印加することが好ましい。
度の超音波を印加したが、これに限らず、２０ＭＨｚ程
度までの超音波を印加することが好ましい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、反応ガスに超音波を印加する装置を備えた
ことで、成膜中にエネルギーを与えることができる。従
って、従来より効率良く、しかも低温で、良好な膜を形
成することができる。また、請求項２記載の発明によれ
ば、成膜中に、当該反応ガスに超音波を印加することが
できるため、該反応ガスにエネルギーを与えることがで
きる。従って、従来より低温で膜を形成することができ
るため、他の素子に熱による悪影響を及ぼすことがな
い。さらに、成膜速度も向上することができるため、生
産性が向上する。
明によれば、反応ガスに超音波を印加する装置を備えた
ことで、成膜中にエネルギーを与えることができる。従
って、従来より効率良く、しかも低温で、良好な膜を形
成することができる。また、請求項２記載の発明によれ
ば、成膜中に、当該反応ガスに超音波を印加することが
できるため、該反応ガスにエネルギーを与えることがで
きる。従って、従来より低温で膜を形成することができ
るため、他の素子に熱による悪影響を及ぼすことがな
い。さらに、成膜速度も向上することができるため、生
産性が向上する。
【００２３】そして、請求項３記載の発明によれば、基
板を支持する支持具に超音波を印加する装置を備えたこ
とで、当該基板を振動させながら該基板上に前記膜を気
相成長させることができる。このため、当該膜は、表面
拡散が起き易くなり、平坦化されながら成膜する。この
結果、半導体装置の平坦化が向上する。また、請求項４
記載の発明によれば、基板を支持する支持具に超音波を
印加すると共に、反応ガスに超音波を印加しながら当該
基板上に膜を形成することで、反応ガスにエネルギーを
与えると同時に、前記基板を振動させながら当該基板上
に前記膜を気相成長することができる。この結果、従来
より低温で前記基板上に膜を形成することができ、成膜
速度も向上する。さらに、前記膜は、表面拡散が起き易
くなる結果、基板上に存在する断差、溝、孔等に埋め込
まれ（流れ込み）ながら成長していく。従って、他の素
子に熱による悪影響を及ぼすことなく、平坦化が達成さ
れた半導体装置を効率良く製造することができる。
板を支持する支持具に超音波を印加する装置を備えたこ
とで、当該基板を振動させながら該基板上に前記膜を気
相成長させることができる。このため、当該膜は、表面
拡散が起き易くなり、平坦化されながら成膜する。この
結果、半導体装置の平坦化が向上する。また、請求項４
記載の発明によれば、基板を支持する支持具に超音波を
印加すると共に、反応ガスに超音波を印加しながら当該
基板上に膜を形成することで、反応ガスにエネルギーを
与えると同時に、前記基板を振動させながら当該基板上
に前記膜を気相成長することができる。この結果、従来
より低温で前記基板上に膜を形成することができ、成膜
速度も向上する。さらに、前記膜は、表面拡散が起き易
くなる結果、基板上に存在する断差、溝、孔等に埋め込
まれ（流れ込み）ながら成長していく。従って、他の素
子に熱による悪影響を及ぼすことなく、平坦化が達成さ
れた半導体装置を効率良く製造することができる。
【図１】本発明の実施例に係る気相成長装置の構成を示
す模式図である。
す模式図である。
【図２】本発明の実施例に係る気相成長装置の構成を示
す模式図である。
す模式図である。
【図３】本発明の実施例に係る気相成長装置の構成を示
す模式図である。
す模式図である。
【図４】図３に示す気相成長装置を使用して半導体基板
上に酸化膜を形成する工程を示す一部断面図である。
上に酸化膜を形成する工程を示す一部断面図である。
１Ａ 超音波を印加する装置 １Ｂ 超音波を印加する装置 ２ 支持具 ３ 基板 ４ ヒータ ５ ガス入口 ６ 排気口 ７ ガス吹き出し部 １０Ａ 気相成長装置 １０Ｂ 気相成長装置 １０Ｃ 気相成長装置 １１ ＳｉＯ2 膜 １２ アルミ配線 １３ ＴＥＯＳ＋Ｏ3 によるＳｉＯ2 膜 １５ 振動板
Claims (4)
- 【請求項１】 気相から反応ガスを供給し、化学反応に
よって基板上に膜を形成する気相成長装置において、 前記気相成長装置は、超音波を印加する装置を備えてな
ることを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 前記気相成長装置は、前記反応ガスに超
音波を印加する装置を備えてなることを特徴とする請求
項１記載の気相成長装置。 - 【請求項３】 前記気相成長装置は、基板を支持する支
持具に超音波を印加する装置を備えてなることを特徴と
する請求項１または請求項２記載の気相成長装置。 - 【請求項４】 気相成長により基板上に膜を形成する半
導体装置の製造方法において、 前記基板を支持する支持具に超音波を印加すると共に、
前記反応ガスに超音波を印加しながら当該基板上に膜を
形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19794091A JPH0544037A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 気相成長装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19794091A JPH0544037A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 気相成長装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0544037A true JPH0544037A (ja) | 1993-02-23 |
Family
ID=16382828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19794091A Pending JPH0544037A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 気相成長装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0544037A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0869972A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Sony Corp | 誘電体薄膜の成膜方法 |
| US6104901A (en) * | 1998-09-30 | 2000-08-15 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus with a squeeze roller for controlling a liquid developer quantity |
| CN103510064A (zh) * | 2012-06-15 | 2014-01-15 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 真空处理装置及控制制程颗粒沉积路径的方法 |
-
1991
- 1991-08-07 JP JP19794091A patent/JPH0544037A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0869972A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Sony Corp | 誘電体薄膜の成膜方法 |
| US6104901A (en) * | 1998-09-30 | 2000-08-15 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus with a squeeze roller for controlling a liquid developer quantity |
| CN103510064A (zh) * | 2012-06-15 | 2014-01-15 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 真空处理装置及控制制程颗粒沉积路径的方法 |
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