JP2002093807A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶構造が良好な窒化珪素膜を形成する。
【解決手段】 ウェハ移載装置によりシリコンウェハを
予め加熱されたセラミックヒータ５上に載置し、シリコ
ンウェハを３５０〜５００℃に加熱するとともに、反応
容器１内の圧力を２０Ｐａ以下とし、ＳｉＨ４ガスとＮ
Ｈ３ガスとの混合ガスである原料ガスをシリコン原料割
合を１／５〜１／２として供給管４を介してシャワーヘ
ッド３に供給し、高周波電源７により放電用電極６に高
周波電力を印加して、反応容器１内にプラズマを発生さ
せることにより、シリコンウェハ上に窒化珪素膜を形成
する。
予め加熱されたセラミックヒータ５上に載置し、シリコ
ンウェハを３５０〜５００℃に加熱するとともに、反応
容器１内の圧力を２０Ｐａ以下とし、ＳｉＨ４ガスとＮ
Ｈ３ガスとの混合ガスである原料ガスをシリコン原料割
合を１／５〜１／２として供給管４を介してシャワーヘ
ッド３に供給し、高周波電源７により放電用電極６に高
周波電力を印加して、反応容器１内にプラズマを発生さ
せることにより、シリコンウェハ上に窒化珪素膜を形成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板の表面に窒化珪
素膜を形成する半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
素膜を形成する半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】窒化珪素膜は半導体装置の製造工程にお
いて酸化膜のエッチングストッパ膜として適用されてい
るが、従来シリコンウェハの表面に窒化珪素膜を形成す
るには、熱ＣＶＤ法を用いている。
いて酸化膜のエッチングストッパ膜として適用されてい
るが、従来シリコンウェハの表面に窒化珪素膜を形成す
るには、熱ＣＶＤ法を用いている。
【０００３】しかし、熱ＣＶＤ法によりシリコンウェハ
の表面に窒化珪素膜を形成したときには、シリコンウェ
ハが６００℃以上の高温下に３０分以上さらされるか
ら、シリコンウェハの表面近くに形成された不純物拡散
層の不純物の濃度勾配が変化し、シリコンウェハに形成
された半導体装置の特性劣化を引き起こす。
の表面に窒化珪素膜を形成したときには、シリコンウェ
ハが６００℃以上の高温下に３０分以上さらされるか
ら、シリコンウェハの表面近くに形成された不純物拡散
層の不純物の濃度勾配が変化し、シリコンウェハに形成
された半導体装置の特性劣化を引き起こす。
【０００４】このため、４００℃程度の低温で成膜が可
能なプラズマＣＶＤ法によりシリコンウェハの表面に窒
化珪素膜を形成することが考えられている。
能なプラズマＣＶＤ法によりシリコンウェハの表面に窒
化珪素膜を形成することが考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、プラズマＣＶ
Ｄ法によりシリコンウェハの表面に窒化珪素膜を形成す
る場合、結晶構造が良好な窒化珪素膜を形成することが
難しい。したがって、特性の良好な半導体装置を製造す
ることが困難である。
Ｄ法によりシリコンウェハの表面に窒化珪素膜を形成す
る場合、結晶構造が良好な窒化珪素膜を形成することが
難しい。したがって、特性の良好な半導体装置を製造す
ることが困難である。
【０００６】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、結晶構造が良好な窒化珪素膜を形成するこ
とができ半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
れたもので、結晶構造が良好な窒化珪素膜を形成するこ
とができ半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、内部にプラズマを生成して基板
を処理する反応容器内にＳｉＨ４とＮＨ３とを供給し、
プラズマＣＶＤ法により上記基板の表面に窒化珪素膜を
形成する半導体装置の製造方法において、シリコン原料
割合を１／５〜１／２にする。
め、本発明においては、内部にプラズマを生成して基板
を処理する反応容器内にＳｉＨ４とＮＨ３とを供給し、
プラズマＣＶＤ法により上記基板の表面に窒化珪素膜を
形成する半導体装置の製造方法において、シリコン原料
割合を１／５〜１／２にする。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る半導体装置の
製造方法を実施するため半導体装置の製造装置すなわち
プラズマＣＶＤ装置を示す概略断面図である。図に示す
ように、内部にプラズマ生成領域が設定されかつ上部に
酸化アルミニウムからなるドーム１ａを有する反応容器
１の下部に排気口２が設けられ、排気口２に排気用真空
ポンプ（図示せず）が接続され、排気口２、排気用真空
ポンプにより反応容器１内の雰囲気を排気する排気手段
が構成されている。また、反応容器１の上部にシャワー
ヘッド３が設けられ、シャワーヘッド３に原料ガスを供
給する供給管４が設けられ、シャワーヘッド３、供給管
４によりプラズマ生成領域に原料ガス等の処理用ガスを
導入する処理用ガス導入手段が構成されている。また、
反応容器１内にセラミックヒータ５が設けられ、セラミ
ックヒータ５は窒化アルミニウムからなり、セラミック
ヒータ５は内部に６００℃以上に加熱可能な抵抗加熱ヒ
ータを有している。そして、ドーム１ａはセラミックヒ
ータ５の上面すなわち基板の設置面より上側に位置して
いる。また、ドーム１ａの側部外方にすなわちプラズマ
生成領域を囲むように円筒状の放電用電極６が設けら
れ、放電用電極６に高周波電源７が接続され、放電用電
極６と高周波電源７との間にマッチングボックス８が接
続され、ドーム１ａの側部外方にリング状のマグネット
９が設けられ、マグネット９はプラズマ生成領域に放電
用電極６の中心軸方向にほぼ平行な磁界を有するような
磁力線を形成する磁力線形成手段を構成している。ま
た、反応容器１の外側にカバー１０が設けられている。
また、シリコンウェハを反応容器１内に導入するための
ウェハ移載装置（図示せず）が設けられており、ウェハ
移載装置は外部ロボットと協動して動作する。
製造方法を実施するため半導体装置の製造装置すなわち
プラズマＣＶＤ装置を示す概略断面図である。図に示す
ように、内部にプラズマ生成領域が設定されかつ上部に
酸化アルミニウムからなるドーム１ａを有する反応容器
１の下部に排気口２が設けられ、排気口２に排気用真空
ポンプ（図示せず）が接続され、排気口２、排気用真空
ポンプにより反応容器１内の雰囲気を排気する排気手段
が構成されている。また、反応容器１の上部にシャワー
ヘッド３が設けられ、シャワーヘッド３に原料ガスを供
給する供給管４が設けられ、シャワーヘッド３、供給管
４によりプラズマ生成領域に原料ガス等の処理用ガスを
導入する処理用ガス導入手段が構成されている。また、
反応容器１内にセラミックヒータ５が設けられ、セラミ
ックヒータ５は窒化アルミニウムからなり、セラミック
ヒータ５は内部に６００℃以上に加熱可能な抵抗加熱ヒ
ータを有している。そして、ドーム１ａはセラミックヒ
ータ５の上面すなわち基板の設置面より上側に位置して
いる。また、ドーム１ａの側部外方にすなわちプラズマ
生成領域を囲むように円筒状の放電用電極６が設けら
れ、放電用電極６に高周波電源７が接続され、放電用電
極６と高周波電源７との間にマッチングボックス８が接
続され、ドーム１ａの側部外方にリング状のマグネット
９が設けられ、マグネット９はプラズマ生成領域に放電
用電極６の中心軸方向にほぼ平行な磁界を有するような
磁力線を形成する磁力線形成手段を構成している。ま
た、反応容器１の外側にカバー１０が設けられている。
また、シリコンウェハを反応容器１内に導入するための
ウェハ移載装置（図示せず）が設けられており、ウェハ
移載装置は外部ロボットと協動して動作する。
【０００９】つぎに、本発明に係る半導体装置の製造方
法を説明する。まず、ウェハ移載装置によりシリコンウ
ェハを予め加熱されたセラミックヒータ５上に載置す
る。つぎに、シリコンウェハを３５０〜５００℃に加熱
するとともに、反応容器１内の圧力を２０Ｐａ以下とす
る。つぎに、ＳｉＨ４ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスで
ある原料ガスを供給管４を介してシャワーヘッド３に供
給する。この場合、原料ガスのＳｉＨ４ガスの供給量と
ＮＨ３ガスの供給量との和に対するＳｉＨ４ガスの供給
量の割合すなわちシリコン原料割合を１／５〜１／２に
する。つぎに、高周波電源７により放電用電極６に高周
波電力を印加して、反応容器１内にプラズマを発生させ
る。この場合、高周波電源７により投入する高周波電力
値を１０００Ｗ以下とする。すると、原料ガスがシャワ
ーヘッド３を介してシリコンウェハに対してシャワー状
に供給され、供給された原料ガスはプラズマにより分解
され、分解された原料ガス中のシリコン原子と窒素原子
とが結合して窒化珪素となり、窒化珪素がシリコンウェ
ハ上に付着するから、シリコンウェハ上に窒化珪素膜が
形成される。そして、シリコンウェハ上に窒化珪素膜が
形成されたのち、高周波電力の印加を停止するととも
に、原料ガスの供給を停止し、ウェハ移載装置により窒
化珪素膜が形成されたシリコンウェハを反応容器１外に
搬出し、窒化珪素膜を形成すべき新たなシリコンウェハ
をセラミックヒータ５上に載置する。以下同様にしてシ
リコンウェハ上に窒化珪素膜を形成する。
法を説明する。まず、ウェハ移載装置によりシリコンウ
ェハを予め加熱されたセラミックヒータ５上に載置す
る。つぎに、シリコンウェハを３５０〜５００℃に加熱
するとともに、反応容器１内の圧力を２０Ｐａ以下とす
る。つぎに、ＳｉＨ４ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスで
ある原料ガスを供給管４を介してシャワーヘッド３に供
給する。この場合、原料ガスのＳｉＨ４ガスの供給量と
ＮＨ３ガスの供給量との和に対するＳｉＨ４ガスの供給
量の割合すなわちシリコン原料割合を１／５〜１／２に
する。つぎに、高周波電源７により放電用電極６に高周
波電力を印加して、反応容器１内にプラズマを発生させ
る。この場合、高周波電源７により投入する高周波電力
値を１０００Ｗ以下とする。すると、原料ガスがシャワ
ーヘッド３を介してシリコンウェハに対してシャワー状
に供給され、供給された原料ガスはプラズマにより分解
され、分解された原料ガス中のシリコン原子と窒素原子
とが結合して窒化珪素となり、窒化珪素がシリコンウェ
ハ上に付着するから、シリコンウェハ上に窒化珪素膜が
形成される。そして、シリコンウェハ上に窒化珪素膜が
形成されたのち、高周波電力の印加を停止するととも
に、原料ガスの供給を停止し、ウェハ移載装置により窒
化珪素膜が形成されたシリコンウェハを反応容器１外に
搬出し、窒化珪素膜を形成すべき新たなシリコンウェハ
をセラミックヒータ５上に載置する。以下同様にしてシ
リコンウェハ上に窒化珪素膜を形成する。
【００１０】図１に示した半導体装置の製造装置におい
ては、上部に酸化アルミニウムからなるドーム１ａを有
する反応容器１、窒化アルミニウムからなるセラミック
ヒータ５を有するから、プラズマＣＶＤ装置の金属汚染
レベルが低いので、窒化珪素膜中の金属濃度が低くな
り、良好な窒化珪素膜を形成することができる。
ては、上部に酸化アルミニウムからなるドーム１ａを有
する反応容器１、窒化アルミニウムからなるセラミック
ヒータ５を有するから、プラズマＣＶＤ装置の金属汚染
レベルが低いので、窒化珪素膜中の金属濃度が低くな
り、良好な窒化珪素膜を形成することができる。
【００１１】また、上記の半導体装置の製造方法におい
ては、シリコンウェハを３５０〜５００℃に加熱すると
ともに、反応容器１内の圧力を２０Ｐａ以下としている
から、窒化珪素膜中の水素濃度を確実に低くすることが
できるので、シリコンウェハに形成された不純物拡散層
の不純物であるボロン等の拡散が誘発されることが極め
て少なくなり、シリコンウェハに形成された素子の特性
劣化を引き起こすことが極めて少なくなる。また、上部
に酸化アルミニウムからなるドーム１ａを有する反応容
器１、窒化アルミニウムからなるセラミックヒータ５を
用いているから、プラズマＣＶＤ装置の金属汚染レベル
が低いので、窒化珪素膜中の金属濃度が低くなり、良好
な窒化珪素膜を形成することができる。また、原料ガス
のシリコン原料割合を１／５〜１／２にしているから、
結晶構造が良好な窒化珪素膜を形成することができる。
また、高周波電源７により投入する高周波電力値を１０
００Ｗ以下としているから、窒化珪素膜のステップカバ
レジが良好であり、オーバハングが発生することがな
い。したがって、特性の良好な半導体装置を製造するこ
とができる。
ては、シリコンウェハを３５０〜５００℃に加熱すると
ともに、反応容器１内の圧力を２０Ｐａ以下としている
から、窒化珪素膜中の水素濃度を確実に低くすることが
できるので、シリコンウェハに形成された不純物拡散層
の不純物であるボロン等の拡散が誘発されることが極め
て少なくなり、シリコンウェハに形成された素子の特性
劣化を引き起こすことが極めて少なくなる。また、上部
に酸化アルミニウムからなるドーム１ａを有する反応容
器１、窒化アルミニウムからなるセラミックヒータ５を
用いているから、プラズマＣＶＤ装置の金属汚染レベル
が低いので、窒化珪素膜中の金属濃度が低くなり、良好
な窒化珪素膜を形成することができる。また、原料ガス
のシリコン原料割合を１／５〜１／２にしているから、
結晶構造が良好な窒化珪素膜を形成することができる。
また、高周波電源７により投入する高周波電力値を１０
００Ｗ以下としているから、窒化珪素膜のステップカバ
レジが良好であり、オーバハングが発生することがな
い。したがって、特性の良好な半導体装置を製造するこ
とができる。
【００１２】図２は反応容器１内の圧力を１０Ｐａと
し、ＳｉＨ４ガスの供給量を１００ｃｃ／min、ＮＨ３
ガスの供給量２００ｃｃ／minとし、高周波電力値を４
３０Ｗとした窒化珪素膜の成膜時のシリコンウェハの温
度と窒化珪素膜中の水素濃度との関係を示すグラフであ
る。このグラフから明らかなように、成膜時のシリコン
ウェハの温度が３５０℃以上のときには窒化珪素膜中の
水素濃度が１０％以下となり、窒化珪素膜中の水素濃度
が１０％以下となると、シリコンウェハに形成された不
純物拡散層の不純物であるボロン等の拡散が誘発される
ことが極めて少なくなり、シリコンウェハに形成された
素子の特性劣化を引き起こすことが極めて少なくなる。
また、成膜時のシリコンウェハの温度が高いほど窒化珪
素膜中の水素濃度が低くなるが、成膜時のシリコンウェ
ハの温度が５００℃を越えると、シリコンウェハの表面
近くに形成された不純物拡散層の不純物の濃度勾配が変
化し、シリコンウェハに形成された素子の特性劣化を引
き起こす。したがって、成膜時のシリコンウェハの温度
を３５０〜５００℃とするのが適当である。
し、ＳｉＨ４ガスの供給量を１００ｃｃ／min、ＮＨ３
ガスの供給量２００ｃｃ／minとし、高周波電力値を４
３０Ｗとした窒化珪素膜の成膜時のシリコンウェハの温
度と窒化珪素膜中の水素濃度との関係を示すグラフであ
る。このグラフから明らかなように、成膜時のシリコン
ウェハの温度が３５０℃以上のときには窒化珪素膜中の
水素濃度が１０％以下となり、窒化珪素膜中の水素濃度
が１０％以下となると、シリコンウェハに形成された不
純物拡散層の不純物であるボロン等の拡散が誘発される
ことが極めて少なくなり、シリコンウェハに形成された
素子の特性劣化を引き起こすことが極めて少なくなる。
また、成膜時のシリコンウェハの温度が高いほど窒化珪
素膜中の水素濃度が低くなるが、成膜時のシリコンウェ
ハの温度が５００℃を越えると、シリコンウェハの表面
近くに形成された不純物拡散層の不純物の濃度勾配が変
化し、シリコンウェハに形成された素子の特性劣化を引
き起こす。したがって、成膜時のシリコンウェハの温度
を３５０〜５００℃とするのが適当である。
【００１３】図３は成膜時のシリコンウェハの温度を５
００℃とし、ＳｉＨ４ガスの供給量を１００ｃｃ／mi
n、ＮＨ３ガスの供給量２００ｃｃ／minとし、高周波電
力値を４３０Ｗとした窒化珪素膜の成膜時の反応容器１
内の圧力と窒化珪素膜中の水素濃度との関係を示すグラ
フである。このグラフから明らかなように、成膜時の反
応容器１内の圧力が２０Ｐａ以下のときには窒化珪素膜
中の水素濃度が１０％以下となり、窒化珪素膜中の水素
濃度が１０％以下となると、シリコンウェハに形成され
た不純物拡散層の不純物であるボロン等の拡散が誘発さ
れることが極めて少なくなり、シリコンウェハに形成さ
れた素子の特性劣化を引き起こすことが極めて少なくな
る。したがって、成膜時の反応容器１内の圧力を２０Ｐ
ａ以下とするのが適当である。
００℃とし、ＳｉＨ４ガスの供給量を１００ｃｃ／mi
n、ＮＨ３ガスの供給量２００ｃｃ／minとし、高周波電
力値を４３０Ｗとした窒化珪素膜の成膜時の反応容器１
内の圧力と窒化珪素膜中の水素濃度との関係を示すグラ
フである。このグラフから明らかなように、成膜時の反
応容器１内の圧力が２０Ｐａ以下のときには窒化珪素膜
中の水素濃度が１０％以下となり、窒化珪素膜中の水素
濃度が１０％以下となると、シリコンウェハに形成され
た不純物拡散層の不純物であるボロン等の拡散が誘発さ
れることが極めて少なくなり、シリコンウェハに形成さ
れた素子の特性劣化を引き起こすことが極めて少なくな
る。したがって、成膜時の反応容器１内の圧力を２０Ｐ
ａ以下とするのが適当である。
【００１４】図４は原料ガスのシリコン原料割合と形成
された窒化珪素膜の屈折率との関係を示すグラフであ
る。このグラフから明らかなように、シリコン原料割合
が１／５〜１／２のときには窒化珪素膜の屈折率は１．
９０〜２．１０であり、窒化珪素膜の屈折率が１．９０
〜２．１０のときには窒化珪素膜の結晶構造が良好であ
る。したがって、シリコン原料割合を１／５〜１／２に
するのが適当である。また、シリコン原料割合を１／５
〜１／２の間で変化させることにより、窒化珪素膜の屈
折率を１．９０〜２．１０の間で変化させることがで
き、屈折率を所望の値にすることができる。
された窒化珪素膜の屈折率との関係を示すグラフであ
る。このグラフから明らかなように、シリコン原料割合
が１／５〜１／２のときには窒化珪素膜の屈折率は１．
９０〜２．１０であり、窒化珪素膜の屈折率が１．９０
〜２．１０のときには窒化珪素膜の結晶構造が良好であ
る。したがって、シリコン原料割合を１／５〜１／２に
するのが適当である。また、シリコン原料割合を１／５
〜１／２の間で変化させることにより、窒化珪素膜の屈
折率を１．９０〜２．１０の間で変化させることがで
き、屈折率を所望の値にすることができる。
【００１５】図５は高周波電源７により投入する高周波
電力値とステップカバレッジとの関係を示すグラフであ
る。ここで、ステップカバレッジは図６に示す窒化珪素
膜の膜厚ｂ（孔の径０．６μｍと同じ深さ０．６μｍに
おける膜厚）と膜厚ａ（表面における膜厚）との比（ｂ
／ａ）である。このグラフから明らかなように、高周波
電力値を１０００Ｗ以下にしたときにはステップカバレ
ッジが３５％以上であり、ステップカバレッジが３５％
以上のときにはオーバハングが発生するのを防止するこ
とができ、また次工程の成膜でボイド（void）の発生を
抑えることができる。したがって、高周波電力値を１０
００Ｗ以下にするのが適当である。
電力値とステップカバレッジとの関係を示すグラフであ
る。ここで、ステップカバレッジは図６に示す窒化珪素
膜の膜厚ｂ（孔の径０．６μｍと同じ深さ０．６μｍに
おける膜厚）と膜厚ａ（表面における膜厚）との比（ｂ
／ａ）である。このグラフから明らかなように、高周波
電力値を１０００Ｗ以下にしたときにはステップカバレ
ッジが３５％以上であり、ステップカバレッジが３５％
以上のときにはオーバハングが発生するのを防止するこ
とができ、また次工程の成膜でボイド（void）の発生を
抑えることができる。したがって、高周波電力値を１０
００Ｗ以下にするのが適当である。
【００１６】なお、上述実施の形態においては、基板が
シリコンウェハの場合について説明したが、他の基板の
場合にも本発明を適用することができる。
シリコンウェハの場合について説明したが、他の基板の
場合にも本発明を適用することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置の製造方法にお
いては、結晶構造が良好な窒化珪素膜を形成することが
できるから、特性の良好な半導体装置を製造することが
できる。
いては、結晶構造が良好な窒化珪素膜を形成することが
できるから、特性の良好な半導体装置を製造することが
できる。
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法を実施する
ため半導体装置の製造装置を示す概略断面図である。
ため半導体装置の製造装置を示す概略断面図である。
【図２】成膜時のシリコンウェハの温度と窒化珪素膜中
の水素濃度との関係を示すグラフである。
の水素濃度との関係を示すグラフである。
【図３】成膜時の反応容器内の圧力と窒化珪素膜中の水
素濃度との関係を示すグラフである。
素濃度との関係を示すグラフである。
【図４】原料ガスのシリコン原料割合と形成された窒化
珪素膜の屈折率との関係を示すグラフである。
珪素膜の屈折率との関係を示すグラフである。
【図５】高周波電源により投入する高周波電力値とステ
ップカバレッジとの関係を示すグラフである。
ップカバレッジとの関係を示すグラフである。
【図６】図５におけるステップカバレッジの説明図であ
る。
る。
１…反応容器 ３…シャワーヘッド ５…セラミックヒータ ６…放電用電極 ７…高周波電源 ９…マグネット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA13 BA40 CA04 FA01 FA04 JA06 LA15 5F045 AA08 AB33 AC01 AC12 AD07 AD08 AD09 AE17 AF03 BB14 BB19 DP03 EB03 EH14 EH16 EK09 5F058 BA09 BC08 BF07 BF23 BF30 BF37 BF39 BG01 BJ01
Claims (1)
- 【請求項１】内部にプラズマを生成して基板を処理する
反応容器内にＳｉＨ４とＮＨ３とを供給し、プラズマＣ
ＶＤ法により上記基板の表面に窒化珪素膜を形成する半
導体装置の製造方法において、シリコン原料割合を１／
５〜１／２にすることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000276030A JP2002093807A (ja) | 2000-09-12 | 2000-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000276030A JP2002093807A (ja) | 2000-09-12 | 2000-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002093807A true JP2002093807A (ja) | 2002-03-29 |
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ID=18761565
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000276030A Pending JP2002093807A (ja) | 2000-09-12 | 2000-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2002093807A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009235504A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Fujifilm Corp | 窒化珪素膜の成膜方法、ガスバリアフィルムの製造方法、および、ガスバリアフィルム |
| JP2009235510A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Fujifilm Corp | 窒化珪素膜の成膜方法、ガスバリアフィルムの製造方法、および、ガスバリアフィルム |
| JP2010001535A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Fujifilm Corp | ガスバリア膜の形成方法およびガスバリア膜 |
-
2000
- 2000-09-12 JP JP2000276030A patent/JP2002093807A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009235504A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Fujifilm Corp | 窒化珪素膜の成膜方法、ガスバリアフィルムの製造方法、および、ガスバリアフィルム |
| JP2009235510A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Fujifilm Corp | 窒化珪素膜の成膜方法、ガスバリアフィルムの製造方法、および、ガスバリアフィルム |
| JP2010001535A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Fujifilm Corp | ガスバリア膜の形成方法およびガスバリア膜 |
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