JPH0543545U - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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Publication number
JPH0543545U
JPH0543545U JP9346891U JP9346891U JPH0543545U JP H0543545 U JPH0543545 U JP H0543545U JP 9346891 U JP9346891 U JP 9346891U JP 9346891 U JP9346891 U JP 9346891U JP H0543545 U JPH0543545 U JP H0543545U
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JP
Japan
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chamber
cart
heating
substrate
substrate processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP9346891U
Other languages
English (en)
Inventor
靖喜 右近
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
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Publication of JPH0543545U publication Critical patent/JPH0543545U/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 加熱の効率を向上させて真空排気に要する時
間を短縮し、かつクリーニングを容易にする。 【構成】 この基板処理装置は、複数の処理室3,4間
で移動可能なカート12と、カート12に載置された赤
外線ランプヒータ20と、カート12を各処理室間で搬
送するための搬送装置15,30,31,32とを備え
ている。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、基板処理装置、特に複数の基板処理室を有する基板処理装置に関す る。
【0002】
【従来の技術】
スパッタリングやプラズマCVD等の成膜装置において、処理能力を高めるた めに多室型のインライン方式やロードロック方式が採用されている。このような 成膜装置では、入口準備室,成膜室,出口冷却室等の基板処理室が連続して設け られている。そして、基板を搬送用のカートに装着し、これを搬送機構で前記各 処理室を搬送することにより、能率良く、連続的に成膜が行える。
【0003】 前記成膜室等の基板処理室では、所定時間稼動後に室内の汚染物質を除去する ために、室内を大気に開放している。そして、クリーニングの後に、再度、稼動 状態に移行するため高真空状態に戻される。 このとき、室内に水蒸気等のダストが残留していると、高真空状態に復帰する までの排気時間が長くなり処理能力が低下する。
【0004】 そこで、特に室内の水蒸気の除去を容易にするために、室内を加熱することが 広く行われている
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
前記室内の加熱方法としては、各処理室の外部に加熱手段を配置し、各壁面を 介して基板処理室内を加熱する方法と、室内にシーズヒータを固定設置して加熱 する方法とがある。しかし、外部から加熱する方法では効率が悪いため、後者の 加熱法が一般的に行われている。
【0006】 ところが、室内に加熱手段を固定配置すると、加熱手段の露出面に汚染物質が 付着して新たな汚染源になるとともに、周囲の残留汚染物質の排出が困難になる 。このため、基板処理室内に汚染物質が残留し易くなり、生産の歩留りが低下す る。 本考案の目的は、クリーニング後の基板処理室内の残留汚染物質を少なくする ことにより、稼動状態への復帰準備時間を短縮できるとともに、生産の歩留りを 上げ生産効率を高めることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本考案に係る基板処理装置は、複数の基板処理室を有する基板処理装置であっ て、複数の処理室間で移動可能なカートと、カートに載置され処理室内を加熱す るための加熱手段と、カートを複数の各処理室間で搬送するための搬送装置とを 備えている。
【0008】
【作用】
本考案に係る基板処理装置では、処理室内部をクリーニングした後、各処理室 を真空排気を行うと同時に搬送装置によって処理室にカートが搬入される。この カートにはランプヒータ等の加熱手段が搭載されており、必要に応じて処理室を 加熱する。これにより、処理室内の水蒸気が除去される。加熱が終了すると、加 熱手段の搭載されたカートは再び搬送装置によって別の処理位置へと搬送される 。この後、処理室は所定の真空圧まで排気され、稼動状態に入る。
【0009】 このように各処理室間を移動するカートに加熱手段を搭載し、必要に応じて各 処理室内を加熱するので、各処理室に排気用のヒータが不要となる。このため、 各処理室内部のクリーニングが容易になる。また、加熱手段によって処理室内部 から加熱するので、効率もよい。
【0010】
【実施例】
本考案の一実施例が適用されるロードロック方式スパッタリング装置の概略構 成を図1に示す。 図において、サイド・スパッタ型の本スパッタリング装置は、基板の搬入・搬 出が行われるロード室1と、基板を加熱するための加熱室2と、基板のクリーニ ングを行うためのクリーニング室(逆スパッタ室)3と、基板上に成膜処理を行 うための成膜室(スパッタ室)4とから構成されている。各室の隔壁には、ゲー ト弁5a,5b,5cが設けられている。また、ロード室1の大気側の隔壁には 、出入口弁6が設けられている。加熱室2内には、ヒータ等を有する加熱機構部 7が設けられている。逆スパッタ室3内は、基板成膜面をエッチングするための エッチング機構部8が設けられている。スパッタ室4内には、ターゲットを有す るスパッタリング機構部9が設けられている。
【0011】 また、各室には、カート12を搬送するためのレール14がそれぞれ配設され ている。 次にカート12及び搬送装置の詳細を図2及び図3に示す。図2及び図3は、 ヒータが載置されたカート12がスパッタ室4内に搬送された状態を示す。 まず、カート12について説明する(図3参照)。カート12には平板上のベ ース13が設けられている。このベース13の下面には、回転自在なローラ10 が設けられている。このローラ10によりカート12は成膜室3の底壁に配設さ れたレール14上を移動自在となっている。また、ベース13の一端には、紙面 垂直方向に延びるラック15が固定されている。このラック15は、ピニオン3 0と噛み合っており、このピニオン30は歯車列31を介しては駆動用モータ3 2に連結されている。ベース13の上部にはヒータベース16が載置されている 。
【0012】 ヒータベース16上面には、垂直方向にホルダ18が固定されている。ホルダ 18の両面には、複数の保持部材19が上下方向に併設されており、この各保持 部材19が赤外線ランプヒータ20を保持している。各赤外線ランプヒータ20 は、カート12の搬送方向に沿って配置され、スパッタ室4の側壁と対向してい る。
【0013】 また、ヒータベース16の側面において、搬送方向両端には、1対の電極17 a,17bが設けられている。一方、スパッタ室4内部には、1対の電気接点2 1が設けられており、カート12がスパッタ室4内のほぼ中央位置で停止したと き、電気接点21と電極17a,17bとが接触するようになっている。また、 電極17a,17bは各赤外線ランプヒータ20に電気的に接続されている。
【0014】 次に、動作について説明する。 この処理装置では、処理すべき基板を載置したカートは、ロード室1に搬入さ れた後に、加熱室2内で所定の温度まで加熱される。この後、逆スパッタ室3及 びスパッタ室4内でそれぞれ処理され、ロード室1を介して外部に搬出される。 所定時間の成膜を行った後は、各処理室を大気に開放してクリーニングを行う 。クリーニングを行った後は、カート12をスパッタ室4内に搬入する。そして 、カート12の電極17a,17bがスパッタ室4内の電極21に接触する位置 で停止させる。この状態で外部から電力を投入し、赤外線ランプヒータ20をO Nすると、その輻射熱によって壁面等に付着した水蒸気が蒸発する。このとき、 ゲート弁5a,5cを閉じて、スパッタ室4内の排気を同時に行う。所定時間加 熱しながら真空排気した後、カート12を逆スパッタ室3に移動させ、同種の処 理を行う。逆スパッタ室3内の加熱が終了すると、ロード室1を介してカート1 2を外部に排出する。
【0015】 次に基板25を載置したカート12をスパッタ室4に搬入し、ゲート弁5a〜 5cを閉じる。所定の高真空状態になるまでスパッタ室内を真空排気し、再度、 稼動状態に移る。 なお、加熱室2は、その加熱機構部7を用いて加熱を行う。 このような本実施例では、各処理室3,4を内部から効率よく加熱できる。ま た、各処理室内にクリーニング用のヒータを設ける必要はないので内部の構造物 が少なくなり、処理室内部のダスト発生が抑えられる。 〔他の実施例〕 (a)前記実施例では、本考案をサイド・スパッタ型に適用したものを示したが 、基板を横姿勢に保持して成膜を行うデポアップ型(基板を上方に位置)やデポ ダウン型(基板を下方に配置)にも同様に適用することができる。 (b)本考案の適用は、スパッタリング装置に限定されず、プラズマCVD装置 等にも同様に適用することができる。 (c)前記実施例では、各処理室でカート12を停止させ、加熱を行っていたが 、カート12を移動させながら加熱を行うようにしてもよい。この場合は、各処 理室及びカートの電極が移動中にも接触可能なように、たとえば摺動ブラシを使 用する。 (d)前記実施例では、加熱手段として赤外線ランプヒータを用いたが、シーズ ヒータ等の他のヒータを用いてもよい。 (e)前記実施例のカート12は、基板搬送用のカートを利用してもよい。
【0016】
【考案の効果】
本考案に係る基板処理装置では、移動する加熱手段によって処理室内を加熱し 、排気する。したがって、効率よく加熱でき、短時間で真空排気を行うことがで きる。 また、各処理室内に排気用の加熱手段を設けることが不要となり、各処理室内 の構造物が少なくなる。このため、クリーニングが容易になり、ダストの発生も 少ない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例による基板処理装置の概略構
成図。
【図2】ヒータを載置したカートの正面図。
【図3】その側面図。
【符号の説明】
1 基板処理装置 3 逆スパッタ室 4 スパッタ室 12 カート 20 赤外線ランプヒータ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の基板処理室を有する基板処理装置で
    あって、 前記複数の処理室間で移動可能なカートと、 前記カートに載置され、処理室内を加熱するための加熱
    手段と、 前記カートを前記複数の各処理室間で搬送するための搬
    送装置と、 を備えた基板処理装置。
JP9346891U 1991-11-14 1991-11-14 基板処理装置 Pending JPH0543545U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9346891U JPH0543545U (ja) 1991-11-14 1991-11-14 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9346891U JPH0543545U (ja) 1991-11-14 1991-11-14 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0543545U true JPH0543545U (ja) 1993-06-11

Family

ID=14083173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9346891U Pending JPH0543545U (ja) 1991-11-14 1991-11-14 基板処理装置

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JP (1) JPH0543545U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018098237A (ja) * 2016-12-08 2018-06-21 凸版印刷株式会社 ベーク装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2018098237A (ja) * 2016-12-08 2018-06-21 凸版印刷株式会社 ベーク装置

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