JPH0540846B2 - - Google Patents
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- JPH0540846B2 JPH0540846B2 JP3290085A JP3290085A JPH0540846B2 JP H0540846 B2 JPH0540846 B2 JP H0540846B2 JP 3290085 A JP3290085 A JP 3290085A JP 3290085 A JP3290085 A JP 3290085A JP H0540846 B2 JPH0540846 B2 JP H0540846B2
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- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 16
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/90—Investigating the presence of flaws or contamination in a container or its contents
- G01N21/9054—Inspection of sealing surface and container finish
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、びん等の容器の開口天面の欠陥の有
無を検査する容器の開口天面欠陥検査方法に関す
る。
無を検査する容器の開口天面欠陥検査方法に関す
る。
「従来の技術」
この様な検査を行う検査装置として、本出願人
は、特開昭59−65243号公報に開示されているも
のを既に提案している。この装置は、びんの開口
天面に向けて投光する投光器と、上記開口天面か
らの反射光を受け、その受光量に応じたレベルの
電気信号を出力する１個の光電変換素子と、びん
の開口天面の全周にわたつて投光されるようにび
んを回転させるびん回転手段と、上記光電変換素
子の出力信号を増幅する増幅度調整可能な増幅器
と、この増幅器の出力信号を各びんごとに記憶す
るメモリと、このメモリに記憶されたデータのう
ち、最新の所定数のびんについてのデータの平均
値を求め、その値が予め定められた所定値となる
ように上記増幅器の増幅度を調整する演算制御手
段と、検査中のびんについてその開口天面全周に
わたり上記増幅器の出力信号を比較演算し、その
異常成分が所定値を超えたとき欠陥信号を出力す
る比較演算手段とからなつている。
は、特開昭59−65243号公報に開示されているも
のを既に提案している。この装置は、びんの開口
天面に向けて投光する投光器と、上記開口天面か
らの反射光を受け、その受光量に応じたレベルの
電気信号を出力する１個の光電変換素子と、びん
の開口天面の全周にわたつて投光されるようにび
んを回転させるびん回転手段と、上記光電変換素
子の出力信号を増幅する増幅度調整可能な増幅器
と、この増幅器の出力信号を各びんごとに記憶す
るメモリと、このメモリに記憶されたデータのう
ち、最新の所定数のびんについてのデータの平均
値を求め、その値が予め定められた所定値となる
ように上記増幅器の増幅度を調整する演算制御手
段と、検査中のびんについてその開口天面全周に
わたり上記増幅器の出力信号を比較演算し、その
異常成分が所定値を超えたとき欠陥信号を出力す
る比較演算手段とからなつている。
「発明が解決しようとする問題点」
しかし、これによると、びんの開口天面に形成
された欠陥が、その円周の一部において凹んだい
わゆる天波、天流れ、天すじ、口焼きびり等の密
封性を損なう凹みである場合には検出できるが、
第２，３図に示すようにびん１の開口天面２の内
周縁に沿つて環状に突出形成されたいわゆる天咬
出し３である場合には検出することができない。
された欠陥が、その円周の一部において凹んだい
わゆる天波、天流れ、天すじ、口焼きびり等の密
封性を損なう凹みである場合には検出できるが、
第２，３図に示すようにびん１の開口天面２の内
周縁に沿つて環状に突出形成されたいわゆる天咬
出し３である場合には検出することができない。
この天咬出し３は、びんの開口を王冠やねじ蓋
等で密閉する際に欠けてびん内に落ち込み、内容
物に混入することから、とりわけ重大な欠陥であ
る。
等で密閉する際に欠けてびん内に落ち込み、内容
物に混入することから、とりわけ重大な欠陥であ
る。
本発明の目的は、このような天咬出しの有無を
的確に検出できる容器の開口天面欠陥検査方法を
提供することにある。
的確に検出できる容器の開口天面欠陥検査方法を
提供することにある。
「問題点を解決するための手段」
本発明による開口天面欠陥検査方法は、第１図
に示すような概要の装置によつて行われるもの
で、その手順を第３図を参照して説明すると次の
とおりである。
に示すような概要の装置によつて行われるもの
で、その手順を第３図を参照して説明すると次の
とおりである。
検査位置の容器の開口天面に投光する。
その全幅員からの反射光をイメージセンサで
受光する。
受光する。
このイメージセンサの各素子からの出力をデ
ジタル量としてメモリの対応するアドレスに記
憶する。
ジタル量としてメモリの対応するアドレスに記
憶する。
そのデジタル量をアドレス順に読み出して第
１の閾値SH1と比較し、これを超えている第１
のアドレスA1から第２のアドレスA2までの上
記素子の個数をもつて開口天面の幅員W1とす
る。
１の閾値SH1と比較し、これを超えている第１
のアドレスA1から第２のアドレスA2までの上
記素子の個数をもつて開口天面の幅員W1とす
る。
この幅員W1を規定値と比較する。
その比較の結果、規定値以上であつたとき、
上記第２のアドレスA2以降のアドレスのデジ
タル量を、上記第１の閾値SH1より低い第２の
閾値SH2と比較し、これを超えている第３のア
ドレスA3から第４のアドレスA4、さらに第５
のアドレスA5までの上記素子の個数をもつて
仮想天咬出しの底辺W1とする。
上記第２のアドレスA2以降のアドレスのデジ
タル量を、上記第１の閾値SH1より低い第２の
閾値SH2と比較し、これを超えている第３のア
ドレスA3から第４のアドレスA4、さらに第５
のアドレスA5までの上記素子の個数をもつて
仮想天咬出しの底辺W1とする。
上記第３のアドレスA3から第５のアドレス
A5までの範囲内のアドレスのうちデジタル量
が最高の第４のアドレスA4を検出する。
A5までの範囲内のアドレスのうちデジタル量
が最高の第４のアドレスA4を検出する。
その最高値Ｐを取り出す。
この最高値Ｐと上記底辺W2との比から仮想
天咬出しの頂角を求める。
天咬出しの頂角を求める。
その頂角を規定値と比較する。
その比較の結果、頂角が規定値以下のとき、
上記第２のアドレスA2より上記第４のアドレ
スA4までの間の上記素子の個数からデイツプ
幅Ｄを求める。
上記第２のアドレスA2より上記第４のアドレ
スA4までの間の上記素子の個数からデイツプ
幅Ｄを求める。
このデイツプ幅Ｄを規定値と比較する。
その比較の結果、規定値以上のとき当該容器
を不良とする信号を出力する。
を不良とする信号を出力する。
「作用」
従つて、びん等の容器の開口天面が検出された
後、その周縁に天咬出しが有るか否かが判定され
る。
後、その周縁に天咬出しが有るか否かが判定され
る。
「実施例」
以下に本発明の一実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
本実施例においては、第２図に示すように、投
光器４のランプ１１からの光をレンズ１２で集光
した後、びん１の開口天面２に対してその上方か
らしかもびん１の開口１３の内側から外側へ向か
つて斜めに投光し、この開口天面２からの反射光
を、びん１の開口領域の外側でしかも投光器４と
は対称位置においてはレンズ１４を透して公知の
リニアイメージセンサ５にて受光する。開口天面
２に対する投光軸の角度（入射角）〓1及び受光
軸の角度（反射角）〓2は60〜80度が好ましい。
光器４のランプ１１からの光をレンズ１２で集光
した後、びん１の開口天面２に対してその上方か
らしかもびん１の開口１３の内側から外側へ向か
つて斜めに投光し、この開口天面２からの反射光
を、びん１の開口領域の外側でしかも投光器４と
は対称位置においてはレンズ１４を透して公知の
リニアイメージセンサ５にて受光する。開口天面
２に対する投光軸の角度（入射角）〓1及び受光
軸の角度（反射角）〓2は60〜80度が好ましい。
リニアイメージセンサ５は、第５図に示すよう
に例えば2048個（2048画素）のCCD型または
MOS型の素子１０を開口天面２の幅員方向に一
列に配列しており、びん１からの反射光を、その
開口天面２の幅員を含む所要範囲にわたつて受光
できる位置に配置されている。
に例えば2048個（2048画素）のCCD型または
MOS型の素子１０を開口天面２の幅員方向に一
列に配列しており、びん１からの反射光を、その
開口天面２の幅員を含む所要範囲にわたつて受光
できる位置に配置されている。
従つて、びん１の開口天面２よりの反射光は凸
部では明るく、凹部では暗くなるため、リニアイ
メージセンサ５の素子１０の出力電圧は凹凸の度
合に応じた値になるもので、これを一連のアナロ
グ量にして表すと第３図のようになる。
部では明るく、凹部では暗くなるため、リニアイ
メージセンサ５の素子１０の出力電圧は凹凸の度
合に応じた値になるもので、これを一連のアナロ
グ量にして表すと第３図のようになる。
リニアイメージセンサ５の素子１０は順次走査
され、各素子１０ごとにその出力電圧が第４図に
おいてアナログ・デジタルコンバータ１５によつ
てデジタル量（以下データと記す）に変換され
る。
され、各素子１０ごとにその出力電圧が第４図に
おいてアナログ・デジタルコンバータ１５によつ
てデジタル量（以下データと記す）に変換され
る。
びん１は、コンベア等によつて第２図に示す検
査位置へ送り込まれ、ここで公知のびん回転手段
（図示せず）によつて少なくとも１回転されて本
検査装置の検査を受け、その結果、良品とされた
場合にはコンベア等によつて他所へ搬送され、不
良品とされた場合には排除されるもので、上記デ
ータの取り込み（デジタル量への変換）や処理、
そのタイミング等は全てマイクロコンピユータに
よつて制御される。なお、びん１は、回転させな
いで定位置に一時的に停止させたままあるいは移
動させながら検査してもよい。
査位置へ送り込まれ、ここで公知のびん回転手段
（図示せず）によつて少なくとも１回転されて本
検査装置の検査を受け、その結果、良品とされた
場合にはコンベア等によつて他所へ搬送され、不
良品とされた場合には排除されるもので、上記デ
ータの取り込み（デジタル量への変換）や処理、
そのタイミング等は全てマイクロコンピユータに
よつて制御される。なお、びん１は、回転させな
いで定位置に一時的に停止させたままあるいは移
動させながら検査してもよい。
マイクロコンピユータは中央処理装置（CPU）
１６、第１及び第２の１対のメモリ６ａ，６ｂ，
メモリセレクタ１７、タイミングコントローラ１
８及びアドレス設定器１９等で構成される。
１６、第１及び第２の１対のメモリ６ａ，６ｂ，
メモリセレクタ１７、タイミングコントローラ１
８及びアドレス設定器１９等で構成される。
第１及び第２の両メモリ６ａ，６ｂは、メモリ
セレクタ１７によつて互いに書き込み動作と読み
出し動作とが交互に反転するように制御され、ア
ナログ・デジタルコンバータ１５にて取り込まれ
たデータが一方のメモリに記憶されているとき、
他方のメモリに記憶のデータは読み出されて
CPU１６によつて処理される。アナログ・デジ
タルコンバータ１５からのデータは、メモリ６ａ
あるいは６ｂに対し、リニアイメージセンサ５の
各素子１０ごとに分けてしかもアドレス設定器１
９によつて設定されるアドレスに記憶される。
セレクタ１７によつて互いに書き込み動作と読み
出し動作とが交互に反転するように制御され、ア
ナログ・デジタルコンバータ１５にて取り込まれ
たデータが一方のメモリに記憶されているとき、
他方のメモリに記憶のデータは読み出されて
CPU１６によつて処理される。アナログ・デジ
タルコンバータ１５からのデータは、メモリ６ａ
あるいは６ｂに対し、リニアイメージセンサ５の
各素子１０ごとに分けてしかもアドレス設定器１
９によつて設定されるアドレスに記憶される。
タイミングコントローラ１８は、外部よりの２
種の信号、つまり上記検査位置にびん１が有るか
否かを検知するびん検知器（図示せず）からのび
ん有り信号（第６図）と、検査タイミング信号発
生器（図示せず）からの検査タイミング信号（同
図）とを入力し、これら両信号に基づいて各種の
タイミング信号を第５図のフローチヤートに示す
順序で第６図のタイムチヤートに示すように出力
する。
種の信号、つまり上記検査位置にびん１が有るか
否かを検知するびん検知器（図示せず）からのび
ん有り信号（第６図）と、検査タイミング信号発
生器（図示せず）からの検査タイミング信号（同
図）とを入力し、これら両信号に基づいて各種の
タイミング信号を第５図のフローチヤートに示す
順序で第６図のタイムチヤートに示すように出力
する。
すなわち、検査タイミング信号が入力される
と、第５図において、 ステツプ100……検査タイミング信号ONか？ という判定を行い、YESであると、 ステツプ101……びん有りか？ へ進む。このステツプ101においてYESである
と、 ステツプ102……データ取り込み開始信号をを
出力する へ行く。このデータ取り込み開始信号はアナロ
グ・デジタルコンバータ１５及びアドレス設定器
１９に入力され、上記のようにデータの取り込み
が行われる。この後、 ステツプ103……びん有りフラグをセツトして
シフトする へ進む。ステツプ101においてNOのときは、 ステツプ104……びん有りフラグをリセツトし
てシフトする へ進む。ステツプ103及び104の次に、 ステツプ105……検査タイミング信号OFFか？ へ行き、YESであると、 ステツプ106……びん有りか？ へ進み、ここでYESであると、 スツプ107……データ取り込み終了信号をを出
力する へ行く。これによつてデータの取り込みが終了す
る。次に、 ステツプ108……メモリセレクト信号を出力す
る へ進む。このメモリセレクト信号はメモリセレク
タ１７に入力され、第１及び第２のメモリ６ａ，
６ｂが上記のように書込み、読み出し動作を制御
される。この後、 ステツプ109……データ処理開始信号を出力す
る へ進む。このデータ処理開始信号はCPU１６に
入力される。次いで、 ステツプ110……前回のびん有りか？ へ進む。ステツプ106においてNOのときはステ
ツプ107，108，109を経ずにステツプ110へ行く。
と、第５図において、 ステツプ100……検査タイミング信号ONか？ という判定を行い、YESであると、 ステツプ101……びん有りか？ へ進む。このステツプ101においてYESである
と、 ステツプ102……データ取り込み開始信号をを
出力する へ行く。このデータ取り込み開始信号はアナロ
グ・デジタルコンバータ１５及びアドレス設定器
１９に入力され、上記のようにデータの取り込み
が行われる。この後、 ステツプ103……びん有りフラグをセツトして
シフトする へ進む。ステツプ101においてNOのときは、 ステツプ104……びん有りフラグをリセツトし
てシフトする へ進む。ステツプ103及び104の次に、 ステツプ105……検査タイミング信号OFFか？ へ行き、YESであると、 ステツプ106……びん有りか？ へ進み、ここでYESであると、 スツプ107……データ取り込み終了信号をを出
力する へ行く。これによつてデータの取り込みが終了す
る。次に、 ステツプ108……メモリセレクト信号を出力す
る へ進む。このメモリセレクト信号はメモリセレク
タ１７に入力され、第１及び第２のメモリ６ａ，
６ｂが上記のように書込み、読み出し動作を制御
される。この後、 ステツプ109……データ処理開始信号を出力す
る へ進む。このデータ処理開始信号はCPU１６に
入力される。次いで、 ステツプ110……前回のびん有りか？ へ進む。ステツプ106においてNOのときはステ
ツプ107，108，109を経ずにステツプ110へ行く。
このステツプ110において、YESのときは、
ステツプ111……排除タイミング信号を出力す
る へ行く。この排除タイミング信号は第４図の排除
ドライバ２０に入力される。この後、ステツプ
100に戻り、上記のような作用が繰り返される。
る へ行く。この排除タイミング信号は第４図の排除
ドライバ２０に入力される。この後、ステツプ
100に戻り、上記のような作用が繰り返される。
タイミングコントローラ１８よりCPU１６に
上記のようにデータ処理開始信号が入力される
と、第１あるいは第２のメモリ６ａ，６ｂから読
み出されたデータがCPU１６によつて処理され
るもので、先ずその概要を第７図のフローチヤー
トによつて説明する。同図において、 ステツプ112……データ処理指令ONか？ という判定が先ず行われ、YESであると、 ステツプ113……データ処理（不良を検出）す
る へ進み、びん１の開口天面２における天咬出し３
の有無が後述するように検出される。この後、 ステツプ114……不良か？ という判定が行われ、YESであると、 ステツプ115……不良を記憶する を経て、 ステツプ116……次のデータ処理指令ONか？ へ進む。このステツプ116においてYESであると
ステツプ112に戻り、NOであると、 ステツプ117……データ処理（ランプの明るさ
を計算）する へ進み、投光器４からの光の明度が計算される。
上記のようにデータ処理開始信号が入力される
と、第１あるいは第２のメモリ６ａ，６ｂから読
み出されたデータがCPU１６によつて処理され
るもので、先ずその概要を第７図のフローチヤー
トによつて説明する。同図において、 ステツプ112……データ処理指令ONか？ という判定が先ず行われ、YESであると、 ステツプ113……データ処理（不良を検出）す
る へ進み、びん１の開口天面２における天咬出し３
の有無が後述するように検出される。この後、 ステツプ114……不良か？ という判定が行われ、YESであると、 ステツプ115……不良を記憶する を経て、 ステツプ116……次のデータ処理指令ONか？ へ進む。このステツプ116においてYESであると
ステツプ112に戻り、NOであると、 ステツプ117……データ処理（ランプの明るさ
を計算）する へ進み、投光器４からの光の明度が計算される。
この後、
ステツプ118……ランプ電圧の修正必要か？
という判定が行われ、YESであると、
ステツプ119……ランプ電圧を修正する
へ進み、CPU１６よりランプ電圧コントローラ
２１へ修正量に応じた信号が入力され、ランプ電
源２２が制御されて投光器４のランプ１１の明る
さが調整される。
２１へ修正量に応じた信号が入力され、ランプ電
源２２が制御されて投光器４のランプ１１の明る
さが調整される。
上記ステツプ113における不良の検出は、具体
的には第８，９，１０図のフローチヤートに示す
ように行われるものであるが、これらのフローチ
ヤートを説明するに先立ち、その検出の判定基準
について説明しておく。
的には第８，９，１０図のフローチヤートに示す
ように行われるものであるが、これらのフローチ
ヤートを説明するに先立ち、その検出の判定基準
について説明しておく。
リニアイメージセンサ５から取り込まれるデー
タをアナログ量にして表すと第３図に示すように
なること前述の通りである。本実施例では、先ず
開口天面２自体の検出を行うために、素子１０の
出力電圧に対し閾値SH1を設定して開口天面２の
外側より内側へ向かう素子順序で順次比較し、こ
れを超えている素子１０の個数（アドレスA1か
らA2までの素子数）をもつて開口天面２の幅員
W1とし、この幅員W1が所定値（検出基準値）以
上であつたときに限り次工程の天咬出し検出へ移
行する。
タをアナログ量にして表すと第３図に示すように
なること前述の通りである。本実施例では、先ず
開口天面２自体の検出を行うために、素子１０の
出力電圧に対し閾値SH1を設定して開口天面２の
外側より内側へ向かう素子順序で順次比較し、こ
れを超えている素子１０の個数（アドレスA1か
らA2までの素子数）をもつて開口天面２の幅員
W1とし、この幅員W1が所定値（検出基準値）以
上であつたときに限り次工程の天咬出し検出へ移
行する。
従つて、正常なびん１の場合のリニアイメージ
センサ５の出力を第１１図(I)において実線波形で
表すと、例えば開口天面２の外周縁に天咬出しが
ある場合には、それに対応して同(I)において鎖線
で示す波形が表れることになるが、これは本実施
例では無視される。
センサ５の出力を第１１図(I)において実線波形で
表すと、例えば開口天面２の外周縁に天咬出しが
ある場合には、それに対応して同(I)において鎖線
で示す波形が表れることになるが、これは本実施
例では無視される。
天咬出し３の検出はアドレスA2以降の素子１
０によつて行うもので、閾値SH2を設定し、これ
を超えている素子１０の個数（アドレスA3から
A5までの素子数））をもつて天咬出し３の底辺の
長さW2とし、この長さW2と天咬出し３のピーク
の高さＰとの商Ｐ／W2を求めてこれを天咬出し
３の頂角とし、それが所定値以下であつたとき天
咬出し有りと判定する。
０によつて行うもので、閾値SH2を設定し、これ
を超えている素子１０の個数（アドレスA3から
A5までの素子数））をもつて天咬出し３の底辺の
長さW2とし、この長さW2と天咬出し３のピーク
の高さＰとの商Ｐ／W2を求めてこれを天咬出し
３の頂角とし、それが所定値以下であつたとき天
咬出し有りと判定する。
従つて、開口天面２の内周縁に緩やかな凸部が
形成されていた場合には、リニアイメージセンサ
５の出力は第１１図（）に示すようになり、頂
角が大きいため天咬出しなし（良品）と判定され
る。
形成されていた場合には、リニアイメージセンサ
５の出力は第１１図（）に示すようになり、頂
角が大きいため天咬出しなし（良品）と判定され
る。
天咬出し有りの場合には、そのピークと開口天
面２のエツジとの間のデイツプ幅Ｄ（アドレスA2
からA4までの素子数）を求め、このデイツプ幅
Ｄが所定値以上であつたとき当該びん１は最終的
に不良と判定する。この場合のリニアイメージセ
ンサ５の出力を第１１図（）に示す。
面２のエツジとの間のデイツプ幅Ｄ（アドレスA2
からA4までの素子数）を求め、このデイツプ幅
Ｄが所定値以上であつたとき当該びん１は最終的
に不良と判定する。この場合のリニアイメージセ
ンサ５の出力を第１１図（）に示す。
従つて、同（）において鎖線で表すようにデ
イツプ幅Ｄが所定値以下の天咬出しは無視され
る。
イツプ幅Ｄが所定値以下の天咬出しは無視され
る。
このようにデイツプ幅Ｄの大小をもつて最終的
に良否の判定をする理由は、開口天面２の内周縁
に形成される天咬出し３については、実際上、デ
イツプ幅Ｄの大小が製品の不良度に比例している
からである。
に良否の判定をする理由は、開口天面２の内周縁
に形成される天咬出し３については、実際上、デ
イツプ幅Ｄの大小が製品の不良度に比例している
からである。
第８図は開口天面２を検出するフローチヤート
を示し、先ず初期設定、つまり、 ステツプ120……開口天面、天咬出し検出の閾
値SH1、SH2を設定する ステツプ121……開口天面幅の検出規定値を設
定する ステツプ122……天咬出しの頂角、デイツプ幅
Ｄの検出規定値を設定する ステツプ123……データのアドレスを設定する ステツプ124……メモリのアドレスセーブエリ
アをクリアする というオペレーシヨンが行われる。この後、メモ
リ６ａあるいは６ｂより読み出される各アドレス
のデータについて、 ステツプ125……データが閾値SH1を超えた
か？ という判定が行われ、NOであると、 ステツプ126……メモリの読み出しアドレスを
１アドレス進める というオペレーシヨンの後に、 ステツプ127……規定アドレスに達したか？ という判定が行われ、NOであるとステツプ125
へ戻り、次のアドレスについて同様の作用が行わ
れる。閾値SH1を超えると、つまりステツプ125
においてYESになると、 ステツプ128……データが閾値SH1以下になつ
たか？ へ進み、このステツプ128においてNOであると、 ステツプ129……メモリの読み出しアドレスを
１アドレス進める というオペレーシヨンの後に、 ステツプ130……規定アドレスに達したか？ という判定が行われ、NOであるとステツプ128
へ戻り、次のアドレスについて同様の作用が行わ
れる。
を示し、先ず初期設定、つまり、 ステツプ120……開口天面、天咬出し検出の閾
値SH1、SH2を設定する ステツプ121……開口天面幅の検出規定値を設
定する ステツプ122……天咬出しの頂角、デイツプ幅
Ｄの検出規定値を設定する ステツプ123……データのアドレスを設定する ステツプ124……メモリのアドレスセーブエリ
アをクリアする というオペレーシヨンが行われる。この後、メモ
リ６ａあるいは６ｂより読み出される各アドレス
のデータについて、 ステツプ125……データが閾値SH1を超えた
か？ という判定が行われ、NOであると、 ステツプ126……メモリの読み出しアドレスを
１アドレス進める というオペレーシヨンの後に、 ステツプ127……規定アドレスに達したか？ という判定が行われ、NOであるとステツプ125
へ戻り、次のアドレスについて同様の作用が行わ
れる。閾値SH1を超えると、つまりステツプ125
においてYESになると、 ステツプ128……データが閾値SH1以下になつ
たか？ へ進み、このステツプ128においてNOであると、 ステツプ129……メモリの読み出しアドレスを
１アドレス進める というオペレーシヨンの後に、 ステツプ130……規定アドレスに達したか？ という判定が行われ、NOであるとステツプ128
へ戻り、次のアドレスについて同様の作用が行わ
れる。
閾値SH1以下になると、つまりステツプ128に
おいてYESになると、 ステツプ131……開口天面の幅員W1を算出する へ進み、ステツプ125において閾値SH1を超えた
アドレスA1とステツプ128において閾値SH1以下
になつたアドレスA2との差から幅員W1が求めら
れた後、 テツプ132……開口天面の幅員W1が検出規定値
より大きいか？ という判定が行われる。このステツプ132におい
てNOの場合には直ちにステツプ125へ戻り、
YESの場合には、 ステツプ133……アドレスA2をセーブする を経てステツプ125へ戻る。
おいてYESになると、 ステツプ131……開口天面の幅員W1を算出する へ進み、ステツプ125において閾値SH1を超えた
アドレスA1とステツプ128において閾値SH1以下
になつたアドレスA2との差から幅員W1が求めら
れた後、 テツプ132……開口天面の幅員W1が検出規定値
より大きいか？ という判定が行われる。このステツプ132におい
てNOの場合には直ちにステツプ125へ戻り、
YESの場合には、 ステツプ133……アドレスA2をセーブする を経てステツプ125へ戻る。
ステツプ127及びステツプ130においてYESに
なると（開口天面の上記のような検出は規定のア
ドレスまで行われる）、 ステツプ134……セーブされたアドレスA2のう
ち最後のものだけを残す を経て第９図に示す天咬出し検出ルーチンへ移行
する。
なると（開口天面の上記のような検出は規定のア
ドレスまで行われる）、 ステツプ134……セーブされたアドレスA2のう
ち最後のものだけを残す を経て第９図に示す天咬出し検出ルーチンへ移行
する。
同図において、
ステツプ135……最後のアドレスA2をロードす
る というオペレーシヨンが行われた後、このアドレ
ス以降のアドレスのデータについて、先ず、 ステツプ136……データが大きくなりつつある
か？ という判定が行われる。YESであると、次いで、 ステツプ137……データが閾値SH2を超えた
か？ という判定が行われ、NOであると、 ステツプ138……メモリの読み出しアドレスを
１アドレス進める というオペレーシヨンの後に、 ステツプ139……規定アドレスに達したか？ という判定が行われ、NOであるとステツプ136
へ戻り、次のアドレスについて同様の作用が行わ
れる。ステツプ136においてNOのときはステツ
プ137を介することなくステツプ138へ行く。
る というオペレーシヨンが行われた後、このアドレ
ス以降のアドレスのデータについて、先ず、 ステツプ136……データが大きくなりつつある
か？ という判定が行われる。YESであると、次いで、 ステツプ137……データが閾値SH2を超えた
か？ という判定が行われ、NOであると、 ステツプ138……メモリの読み出しアドレスを
１アドレス進める というオペレーシヨンの後に、 ステツプ139……規定アドレスに達したか？ という判定が行われ、NOであるとステツプ136
へ戻り、次のアドレスについて同様の作用が行わ
れる。ステツプ136においてNOのときはステツ
プ137を介することなくステツプ138へ行く。
閾値SH2を超えると、つまりステツプ137にお
いてYESになると、 ステツプ140……データが小さくなりつつある
か？ という判定が行われ、YESであると、 ステツプ141……データが閾値SH2以下になつ
たか？ へ進み、このステツプ141においてNOであると、 ステツプ142……メモリの読み出しアドレスを
１アドレス進める というオペレーシヨンの後に、 ステツプ143……規定アドレスに達したか？ という判定が行われ、NOであるとステツプ140
へ戻り、次のアドレスについて同様の作用が行わ
れる。ステツプ140においてNOのときはステツ
プ141を介することなくステツプ142へ行く。
いてYESになると、 ステツプ140……データが小さくなりつつある
か？ という判定が行われ、YESであると、 ステツプ141……データが閾値SH2以下になつ
たか？ へ進み、このステツプ141においてNOであると、 ステツプ142……メモリの読み出しアドレスを
１アドレス進める というオペレーシヨンの後に、 ステツプ143……規定アドレスに達したか？ という判定が行われ、NOであるとステツプ140
へ戻り、次のアドレスについて同様の作用が行わ
れる。ステツプ140においてNOのときはステツ
プ141を介することなくステツプ142へ行く。
なお、ステツプ136、137、140、141及び第８図
のステツプ125、128においては、所定複数のアド
レスについての平均値が求められ、その平均値に
よつて比較が行われる。
のステツプ125、128においては、所定複数のアド
レスについての平均値が求められ、その平均値に
よつて比較が行われる。
ステツプ141においてYESになると、
ステツプ144……天咬出しの頂角Ｐ／W2を算出
する へ進み、ステツプ137において閾値SH2を超えた
アドレスA3とステツプ141において閾値SH2以下
になつたアドレスA5とから天咬出しの底辺の長
さW2が、またこれらの間のピークの高さＰがそ
れぞれ求められた後、その商Ｐ／W2が算出され
る。この後、 ステツプ145……頂角Ｐ／W2が検出規定値より
小さいか？ という判定が行われ、NOの場合には直ちにステ
ツプ136へ戻り、YESの場合には、 ステツプ146……ピークのアドレスA4をセーブ
する を経てステツプ136へ戻る。
する へ進み、ステツプ137において閾値SH2を超えた
アドレスA3とステツプ141において閾値SH2以下
になつたアドレスA5とから天咬出しの底辺の長
さW2が、またこれらの間のピークの高さＰがそ
れぞれ求められた後、その商Ｐ／W2が算出され
る。この後、 ステツプ145……頂角Ｐ／W2が検出規定値より
小さいか？ という判定が行われ、NOの場合には直ちにステ
ツプ136へ戻り、YESの場合には、 ステツプ146……ピークのアドレスA4をセーブ
する を経てステツプ136へ戻る。
ステツプ139及び143においてYESになると、
ステツプ147……セーブされたアドレスA4のう
ち最後のものだけを残す を経て、 ステツプ148……デイツプ幅Ｄを算出する へ進み、上記のように残されたアドレスA2とA4
との差からデイツプ幅Ｄが求められた後、 ステツプ149……デイツプ幅Ｄをセーブする を経て第１０図の良否判定ルーチンへ移行する。
ち最後のものだけを残す を経て、 ステツプ148……デイツプ幅Ｄを算出する へ進み、上記のように残されたアドレスA2とA4
との差からデイツプ幅Ｄが求められた後、 ステツプ149……デイツプ幅Ｄをセーブする を経て第１０図の良否判定ルーチンへ移行する。
同図において、
ステツプ150……デイツプ幅Ｄが検出規定値よ
り大きいか？ という判定が行われ、YESの場合には、 ステツプ151……不良フラグをセツトするを介
し、NOの場合には、 ステツプ152……不良フラグをリセツトするを
介し、 ステツプ153……次のデータ処理指令ONか？ へ進む。このステツプ153においてYESである
と、 ステツプ154……不良フラグセツトか？ へ進み、YESであると、 ステツプ155……不良信号を出力する というオペレーシヨンが行われる。
り大きいか？ という判定が行われ、YESの場合には、 ステツプ151……不良フラグをセツトするを介
し、NOの場合には、 ステツプ152……不良フラグをリセツトするを
介し、 ステツプ153……次のデータ処理指令ONか？ へ進む。このステツプ153においてYESである
と、 ステツプ154……不良フラグセツトか？ へ進み、YESであると、 ステツプ155……不良信号を出力する というオペレーシヨンが行われる。
この不良信号は第４図において排除ドライバ２
０に入力される。これが入力されると、排除ドイ
バ２０より第６図に示すように排除出力が得ら
れ、不良びんが従来公知のごとく排除される。
０に入力される。これが入力されると、排除ドイ
バ２０より第６図に示すように排除出力が得ら
れ、不良びんが従来公知のごとく排除される。
本実施例では、第２図に示したように、投光器
４からの光を、びん１の開口天面２に対してその
開口の内側から外側へ向かつて斜めに投光し、こ
の開口天面２からの反射光を、びん１の開口領域
の外側においてリニアイメージセンサ５にて受光
するようにしている。その理由は、投光と受光を
このような関係にすると、良品と不良品とを比較
してそれらのデイツプ幅Ｄの差が大きく表れるか
らである。第１２図はその実測データを示すグラ
フで、〇が良品、×が不良品である。このグラフ
は、横軸がデイツプ幅Ｄ（数字はリニアイメージ
センサの素子数）、縦軸が天咬出しのピークの高
さＰ（数字は電圧10Vを256等分したもの）をそれ
ぞれ表す。
４からの光を、びん１の開口天面２に対してその
開口の内側から外側へ向かつて斜めに投光し、こ
の開口天面２からの反射光を、びん１の開口領域
の外側においてリニアイメージセンサ５にて受光
するようにしている。その理由は、投光と受光を
このような関係にすると、良品と不良品とを比較
してそれらのデイツプ幅Ｄの差が大きく表れるか
らである。第１２図はその実測データを示すグラ
フで、〇が良品、×が不良品である。このグラフ
は、横軸がデイツプ幅Ｄ（数字はリニアイメージ
センサの素子数）、縦軸が天咬出しのピークの高
さＰ（数字は電圧10Vを256等分したもの）をそれ
ぞれ表す。
これに対し、第１３図は投光と受光の関係を本
実施例とは逆の関係、つまりびん１の開口天面２
の開口領域の外側から内側へ向かつて斜めに投光
し、内側において受光した場合の実測データ、ま
た第１４図は投光と受光を開口天面２の円周の接
線に沿つて行つた場合の実測データである。な
お、開口天面２に対する入射角θ1及び反射角〓2
は第１２，１３，１４図いずれも約75度である。
実施例とは逆の関係、つまりびん１の開口天面２
の開口領域の外側から内側へ向かつて斜めに投光
し、内側において受光した場合の実測データ、ま
た第１４図は投光と受光を開口天面２の円周の接
線に沿つて行つた場合の実測データである。な
お、開口天面２に対する入射角θ1及び反射角〓2
は第１２，１３，１４図いずれも約75度である。
これら３図を比較すれば判るように、第１２図
は第１３図及び第１４図に比べて良品と不良品と
の差が大きくなつている。しかし、これは、本発
明が投光と受光の関係を第１２図のようにするこ
とに限定されるということではなく、本発明は、
第１３図や第１４図のようにすることもその技術
範囲に含むものである。
は第１３図及び第１４図に比べて良品と不良品と
の差が大きくなつている。しかし、これは、本発
明が投光と受光の関係を第１２図のようにするこ
とに限定されるということではなく、本発明は、
第１３図や第１４図のようにすることもその技術
範囲に含むものである。
なお、上記実施例では、メモリ６ａ，６ｂのデ
ジタル量を、開口天面２の外側から内側へ向かう
アドレス順序で判定したが、これとは逆の順序で
判定してもよい。また、天咬出し３の有無をその
頂角Ｐ／W2によつて判定した後、デイツプ幅Ｄ
の大小をもつて製品の良否を判定したが、天咬出
し３のピークの高さＰの大小のみによつて良否の
判定をしてもよい。また、開口天面２をその幅員
の大小によつて検出したが、その高さの大小によ
つて検出することもできること第１２，１３，１
４図より明らかであある。さらに、リニア型のイ
メージセンサを用いたがマトリツクス型のイメー
ジセンサを用いてもよい。また、本発明はびん以
外の他の容器にも適用できる。
ジタル量を、開口天面２の外側から内側へ向かう
アドレス順序で判定したが、これとは逆の順序で
判定してもよい。また、天咬出し３の有無をその
頂角Ｐ／W2によつて判定した後、デイツプ幅Ｄ
の大小をもつて製品の良否を判定したが、天咬出
し３のピークの高さＰの大小のみによつて良否の
判定をしてもよい。また、開口天面２をその幅員
の大小によつて検出したが、その高さの大小によ
つて検出することもできること第１２，１３，１
４図より明らかであある。さらに、リニア型のイ
メージセンサを用いたがマトリツクス型のイメー
ジセンサを用いてもよい。また、本発明はびん以
外の他の容器にも適用できる。
「発明の効果」
以上述べた通り本発明の容器の開口天面欠陥検
査方法は、開口天面からの反射光をイメージセン
サで受光し、このイメージセンサの素子の出力を
各素子ごとにデジタル量としてメモリの対応する
アドレスに記憶した後、このデジタル量を順次判
定することによつて開口天面を検出し、次いでそ
の検出以降のアドレスについてデジタル量を順次
判定し、その大きさによつて天咬出しの有無を検
出するもので、その有無を的確に検出することが
できる。
査方法は、開口天面からの反射光をイメージセン
サで受光し、このイメージセンサの素子の出力を
各素子ごとにデジタル量としてメモリの対応する
アドレスに記憶した後、このデジタル量を順次判
定することによつて開口天面を検出し、次いでそ
の検出以降のアドレスについてデジタル量を順次
判定し、その大きさによつて天咬出しの有無を検
出するもので、その有無を的確に検出することが
できる。
第１図は本発明の概要を示すブロツク図、第２
〜１１図はその一実施例を示し、第２図は投光器
とびんとリニアイメージセンサとの位置関係を示
す説明図、第３図はびんの開口天面の形状とリニ
アイメージセンサの素子配列とその出力の関係を
示す説明図、第４図は全体の構成を示すブロツク
図、第５図はタイミングコントローラの動作を示
すフローチヤート、第６図はそのタイムチヤー
ト、第７図はデータ処理の概要を示すフローチヤ
ート、第８，９，１０図はそれぞれ開口天面検
出、天咬出し検出、良否判定の作用を示すフロー
チヤート、第１１図はリニアイメージセンサの出
力波形図、第１２，１３，１４図は開口天面のエ
ツジと天咬出しとの間のデイツプ幅が良品と不良
品とで異なることを示すグラフで、第１２図は上
記実施例の場合、第１３，１４図はそれぞれ他の
実施例の場合を示す。 １……びん、２……開口天面、３……天咬出
し、４……投光器、５……リニアイメージセン
サ、６……メモリ、６ａ，６ｂ……第１及び第２
のメモリ、７……天面検出手段、９ａ……天面幅
員検出手段、９ｂ……幅員判定手段、９……天咬
出し検出手段、１０……リニアイメージセンサの
素子、１１……ランプ、１２……レンズ、１３…
…びんの開口、１４……レンズ、１５……アナロ
グ・デジタルコンバータ、１６……CPU、１７
……メモリセレクタ、１８…タイミングコントロ
ーラ、１９……アドレス設定器、２０……排除ド
ライバ、２１……ランプ電圧コントローラ、２２
……ランプ電源。
〜１１図はその一実施例を示し、第２図は投光器
とびんとリニアイメージセンサとの位置関係を示
す説明図、第３図はびんの開口天面の形状とリニ
アイメージセンサの素子配列とその出力の関係を
示す説明図、第４図は全体の構成を示すブロツク
図、第５図はタイミングコントローラの動作を示
すフローチヤート、第６図はそのタイムチヤー
ト、第７図はデータ処理の概要を示すフローチヤ
ート、第８，９，１０図はそれぞれ開口天面検
出、天咬出し検出、良否判定の作用を示すフロー
チヤート、第１１図はリニアイメージセンサの出
力波形図、第１２，１３，１４図は開口天面のエ
ツジと天咬出しとの間のデイツプ幅が良品と不良
品とで異なることを示すグラフで、第１２図は上
記実施例の場合、第１３，１４図はそれぞれ他の
実施例の場合を示す。 １……びん、２……開口天面、３……天咬出
し、４……投光器、５……リニアイメージセン
サ、６……メモリ、６ａ，６ｂ……第１及び第２
のメモリ、７……天面検出手段、９ａ……天面幅
員検出手段、９ｂ……幅員判定手段、９……天咬
出し検出手段、１０……リニアイメージセンサの
素子、１１……ランプ、１２……レンズ、１３…
…びんの開口、１４……レンズ、１５……アナロ
グ・デジタルコンバータ、１６……CPU、１７
……メモリセレクタ、１８…タイミングコントロ
ーラ、１９……アドレス設定器、２０……排除ド
ライバ、２１……ランプ電圧コントローラ、２２
……ランプ電源。
Claims (1)
- １ 検査位置の容器の開口天面に投光すること
と、その全幅員からの反射光をイメージセンサで
受光することと、このイメージセンサの各素子か
らの出力をデジタル量としてメモリの対応するア
ドレスに記憶することと、そのデジタル量をアド
レス順に読み出して第１の閾値SH1と比較し、こ
れを超えている第１のアドレスA1から第２のア
ドレスA2までの上記素子の個数をもつて開口天
面の幅員W1とすることと、この幅員W1を規定値
と比較することと、その比較の結果、規定値以上
であつたとき、上記第２のアドレスA2以降のア
ドレスのデジタル量を、上記第１の閾値SH1より
低い第２の閾値SH2と比較し、これを超えている
第３のアドレスA3から第４のアドレスA4、さら
に第５のアドレスA5までの上記素子の個数をも
つて仮想天咬出しの底辺W1とすることと、上記
第３のアドレスA3から第５のアドレスA5までの
範囲内のアドレスのうちデジタル量が最高の第４
のアドレスA4を検出することと、その最高値Ｐ
を取り出すことと、この最高値Ｐと上記底辺W2
との比から仮想天咬出しの頂角を求めることと、
その頂角を規定値と比較することと、その比較の
結果、頂角が規定値以下のとき、上記第２のアド
レスA2より上記第４のアドレスA4までの間の上
記素子の個数からデイツプ幅Ｄを求めることと、
このデイツプ幅Ｄを規定値と比較することと、そ
の比較の結果、規定値以上のとき当該容器を不良
とする信号を出力することと、からなる容器の開
口天面欠陥検査方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032900A JPS61193009A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 容器の開口天面欠陥検査方法 |
| CA000502186A CA1261937A (en) | 1985-02-22 | 1986-02-19 | Vessel opening top inspection method |
| DE8686301226T DE3684934D1 (de) | 1985-02-22 | 1986-02-20 | Vorrichtung zur untersuchung der obersten oeffnung eines gefaesses. |
| EP86301226A EP0192487B1 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-20 | Vessel opening top inspection apparatus |
| AU53815/86A AU584983B2 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-20 | A method of inspecting a lip of a vessel |
| US06/831,692 US4811251A (en) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Vessel opening top inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032900A JPS61193009A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 容器の開口天面欠陥検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193009A JPS61193009A (ja) | 1986-08-27 |
| JPH0540846B2 true JPH0540846B2 (ja) | 1993-06-21 |
Family
ID=12371769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60032900A Granted JPS61193009A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 容器の開口天面欠陥検査方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4811251A (ja) |
| EP (1) | EP0192487B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61193009A (ja) |
| AU (1) | AU584983B2 (ja) |
| CA (1) | CA1261937A (ja) |
| DE (1) | DE3684934D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008129650A1 (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Toyo Glass Co., Ltd. | 容器口部欠陥検査方法及び装置 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2175396B (en) * | 1985-05-22 | 1989-06-28 | Filler Protection Developments | Apparatus for examining objects |
| JPS6396095A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | 株式会社キリンテクノシステム | 壜のねじ口部検査装置 |
| US5072127A (en) * | 1987-10-09 | 1991-12-10 | Pressco, Inc. | Engineered video inspecting lighting array |
| US4972093A (en) * | 1987-10-09 | 1990-11-20 | Pressco Inc. | Inspection lighting system |
| US5051825A (en) * | 1989-04-07 | 1991-09-24 | Pressco, Inc. | Dual image video inspection apparatus |
| US4924107A (en) * | 1988-10-07 | 1990-05-08 | Ball Corporation | System for inspecting the inside surfaces of a container for defects and method therefor |
| US4945228A (en) * | 1989-03-23 | 1990-07-31 | Owens-Illinois Glass Container Inc. | Inspection of container finish |
| US4943734A (en) * | 1989-06-30 | 1990-07-24 | Qc Optics, Inc. | Inspection apparatus and method for detecting flaws on a diffractive surface |
| EP0456910A1 (en) * | 1990-05-14 | 1991-11-21 | Owens-Brockway Glass Container Inc. | Inspection of container finish |
| JPH0743326B2 (ja) * | 1991-01-29 | 1995-05-15 | 東洋ガラス株式会社 | 物体端部の欠陥検査方法及びその装置 |
| US5172005A (en) * | 1991-02-20 | 1992-12-15 | Pressco Technology, Inc. | Engineered lighting system for tdi inspection comprising means for controlling lighting elements in accordance with specimen displacement |
| US5489987A (en) * | 1994-04-07 | 1996-02-06 | Owens-Brockway Glass Container Inc. | Container sealing surface inspection |
| JPH07286970A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-10-31 | Kunio Hiuga | 瓶口の開口天面欠陥検査方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61193009A (ja) | 1986-08-27 |
| DE3684934D1 (de) | 1992-05-27 |
| US4811251A (en) | 1989-03-07 |
| EP0192487A3 (en) | 1989-01-18 |
| AU5381586A (en) | 1986-08-28 |
| EP0192487A2 (en) | 1986-08-27 |
| CA1261937A (en) | 1989-09-26 |
| AU584983B2 (en) | 1989-06-08 |
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