JPH0538307Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は気相成長方法に用いる多重弁に関す
る。

〔従来の技術〕

近時、有機金属気相成長方法等により基板上に
多重薄膜を形成することが行なわれている。この
場合、急峻な界面を有する多重薄膜を形成するに
は、複数の気相成長ガスを混合させずに順次反応
管に供給すると共に、凝縮若しくは吸着により流
路内面に付着した気相成長ガスが、次の別異の気
相成長ガスに同伴してガス混合を生ずることのな
いようにする必要がある。

そこで一般には、例えば第２図に示す如く、四
角柱体の内部に中心軸に沿つてキヤリアガス流路
１を形成した弁箱２に、その外面からガス流路１
に交叉する方向に、前記キヤリアガス流路１に連
通する複数の気相成長ガス流路（図示せず）を形
成し、該気相成長ガス流路に気相成長ガス導入弁
３１，３２，４１，４２を夫々設けた多重弁５を
用いると共に、この多重弁５及び該多重弁５と反
応管（図示せず）とを連結する管６にヒータ７を
巻き付けている。尚、図中３１ａ，３２ａ，４１
ａ，４２ａは、夫々気相成長ガス導入弁３１，３
２，４１，４２のガス導入管、３１ｂ，３２ｂ，
４１ｂ，４２ｂは、夫々気相成長ガス導入弁３
１，３２，４１，４２のガス排出管である。ま
た、気相成長ガス導入弁３１，３２同士及び気相
成長ガス導入弁４１，４２同士の吐出部は、夫々
キヤリアガス流路１の同一円周上に連通してい
る。

このような構成の多重弁５によれば、例えば、
Ａガス、Ｂガスの２種類の気相成長ガスを、気相
成長ガス導入弁３１，３２から夫々導入すると、
両ガスは同一円周位置でキヤリアガス流路１に導
入されるので、交互に混合することがなく、ま
た、キヤリアガス流路１内面及び管６内面は、ヒ
ータ７により所定の温度に保持されているので、
前記凝縮若しくは吸着によるガス混合も生ぜず、
急峻な界面を有する多重薄膜を形成することがで
きる。

〔考案が解決しようとする課題〕

ところが、前述の従来の多重弁５では、その外
面にヒータ７を巻き付けているので、外面が高温
となり、これに伴つて大気中への熱放散も増大
し、所定の温度を維持するには、加熱コストが上
昇して経済的でなかつた。また、多重弁５の外面
には、複数の気相成長ガス導入弁及びこれに付設
するガス導入管、ガス排出管等が密集しているの
で、ヒータ７を巻き付ける作業が繁雑になるばか
りでなく、ヒータを均一に巻くことができないた
め、キヤリアガス流路１の内面は均一に加熱され
ず、加熱不足の部分で気相成長ガスが一部付着す
る虞があつた。

そこで、加熱量が最少になる部分でも所定の温
度が得られるよう加熱量を増加することもできる
が、ヒータ７は１本の線なので、全体として加熱
量が増加して多重弁自体が高温になり別の新たな
不都合を生じてしまう。即ち、多重弁が高温にな
ると熱伝導により気相成長ガス導入弁の駆動部、
例えば、ソレノイド、弁棒等が作動不良を起こす
危険があり、また弁棒先端の弁体が熱変形し、気
相成長ガス導入弁の吐出部でリークを生じて、ガ
ス混合を惹起し、多重薄膜の急峻性を阻害する不
都合があつた。

本考案の目的は、前記不都合を解決したもの
で、キヤリアガス流路の内面を均一に加熱できる
と共に、気相成長ガス導入弁に熱影響を極力与え
ない多重弁を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本考案は、多角柱体
の内部に中心軸に沿つてキヤリアガス流路を形成
してなる弁箱に、その外面から前記キヤリアガス
流路と交叉する方向に、該キヤリアガス流路に連
通する複数の気相成長ガス流路を形成し、該気相
成長ガス流路に気相成長ガス導入弁を夫々設けた
多重弁において、前記弁箱内に、前記キヤリアガ
ス流路と平行に加熱棒を近接配置したことを特徴
としている。

〔作用〕

したがつて、キヤリアガス流路は、これに近接
配置された加熱棒により、その内面を均一に加熱
されて、気相成長ガスの付着が防止されると共
に、加熱棒は気相成長ガス導入弁に対して交叉し
ているため、気相成長ガス導入弁の加熱は極力抑
えられ、熱伝導による気相成長ガス導入弁の作動
不良が生ぜず、急峻な界面を有する多重薄膜を形
成することができる。

〔実施例〕 以下、第１図に本考案に係る多重弁の断面図を
例示して実施例を説明するが、図中前記第２図と
同一構成部分には同一記号を付してある。

キヤリアガス流路１を形成した弁箱２に、その
外面からキヤリアガス流路１と交叉する方向に、
キヤリアガス流路１に連通する複数の気相成長ガ
ス流路３１ｃ，３２ｃを形成し、気相成長ガス流
路３１ｃ，３２ｃに、気相成長ガス導入弁３１，
３２を夫々設けている。該気相成長ガス導入弁３
１，３２の吐出部３１ｄ，３２ｄは、夫々キヤリ
アガス流路１の同一円周上に連通している。

前記弁箱２内には、前記キヤリアガス流路１と
平行にシーズヒータ１０の如き加熱棒を近接配置
している。このシーズヒータ１０は、図では１本
としたが２本以上としても良い。

１１はキヤリアガス流路１に近接配置して該流
路１内面を測温する熱電対で、必要に応じて設け
る。

尚、本実施例では、弁箱２を四角柱体としたが
任意の多角柱体でも同様に実施できる。また、気
相成長ガス導入弁をキヤリアガス流路の軸方向に
沿つて２段以上に配置した場合でも実施できる。

以上の如く構成した多重弁は、多重薄膜形成時
にシーズヒータ１０を発熱させてキヤリアガス流
路１を所定温度に保持して使用できるので、キヤ
リアガス流路１の内面は均一に加熱されて、気相
成長ガスの付着が防止されると共に、シーズヒー
タ１０は各気相成長ガス導入弁３１，３２に対し
て１点で交叉しているため、気相成長ガス導入弁
３１，３２の加熱は極力抑えられ、熱伝導による
気相成長ガス導入弁３１，３２の作動不良が生ぜ
ず、急峻な界面を有する多重薄膜を形成すること
ができる。

〔考案の効果〕

以上の如く、本考案の多重弁は、キヤリアガス
流路を形成してなる弁箱に、その外面から前記キ
ヤリアガス流路と交叉する方向に、該キヤリアガ
ス流路に連通する複数の気相成長ガス流路を形成
し、該気相成長ガス流路に気相成長ガス導入弁を
夫々設けると共に、前記弁箱内に、前記キヤリア
ガス流路と平行に加熱棒を近接配置したので、キ
ヤリアガス流路を均一に加熱でき、これにより従
来より遥かに少ない加熱量でキヤリアガス流路内
面への気相成長ガスの付着が防止できる。

また、加熱棒は各気相成長ガス導入弁に対して
１点で交叉しているため、気相成長ガス導入弁の
加熱は極力抑えられ、熱伝導による気相成長ガス
導入弁の作動不良が生ぜず、急峻な界面を有する
多重薄膜を形成することができ実用性が高い。

このように本考案の多重弁は、キヤリアガス流
路を均一に加熱できること及び気相成長ガス導入
弁の加熱が極力抑えられることに最大の特徴があ
るが、この他にも加熱コストが低減でき経済的で
あること、多重弁自体が高温にならず取扱いが容
易なこと、加熱棒の着脱が容易で従来のヒータ巻
き付けに比べ遥かに作業性が良い等、種々の長所
を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の多重弁の一実施例を示す断面
図、第２図は従来の多重弁の一例を示す斜視図で
ある。 １……キヤリアガス流路、２……弁箱、３１，
３２……気相成長ガス導入弁、１０……シーズヒ
ータ、３１ｃ，３２ｃ……気相成長ガス流路、３
１ｄ，３２ｄ……吐出部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 多角柱体の内部に中心軸に沿つてキヤリアガス
   流路を形成してなる弁箱に、その外面から前記キ
   ヤリアガス流路と交叉する方向に、該キヤリアガ
   ス流路に連通する複数の気相成長ガス流路を形成
   し、該気相成長ガス流路に気相成長ガス導入弁を
   夫々設けた多重弁において、前記弁箱内に、前記
   キヤリアガス流路と平行に加熱棒を近接配置した
   ことを特徴とする多重弁。