TW202012048A - 用於多重前驅物的均勻遞送的分段式噴淋頭 - Google Patents

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Abstract

本案描述了用於向反應室供應蒸發反應物的設備的實施方案。在一些實施例中，用於在基板上沉積多種材料的噴淋頭組件包括複數個氣體輸送部，每個氣體輸送部具有入口，界定氣室的楔形主體以及設置在氣體輸送部底表面上的複數個開口，其中每個氣室彼此流體地隔離。

Description

用於多重前驅物的均勻遞送的分段式噴淋頭
本案的實施例一般關於基板處理裝置與技術，更具體地，關於用於將氣體供應到反應腔室的裝置。
在構建諸如互補金屬氧化物半導體（CMOS）圖像感應器（CIS）及其他光學元件的半導體元件中，有機氣相沉積已變得越來越重要。然而，發明人已觀察到，因純度及/或污染的考量，在沉積製程中在工件上沉積有機材料是有問題的，其妨礙使用載運氣體，等等。
通常，需要一次沉積一種以上材料。然而，在一些應用中，發明人已經觀察到將較冷的材料與較熱的材料共沉積會導致較冷的材料解離並導致較熱的材料冷凝。
因此，發明人提供了一種用於將多種材料沉積到基板上的改良裝置。
本案說明了用於將多種處理氣體（例如蒸發的反應物）供應到反應腔室的裝置的實施例。在一些實施例中，用於在基板上沉積多種材料的噴淋頭組件包括複數個氣體輸送部，每個氣體輸送部具有入口，界定氣室的楔形主體以及設置在氣體輸送部底表面上的複數個開口，其中每個氣室彼此流體地隔離。
在一些實施例中，噴淋頭組件包括界定第一氣室的一第一氣體輸送部，界定第二氣室的一第二氣體輸送部，界定第三氣室的ㄧ第三氣體輸送部，及界定第四氣室的一第四氣體輸送部，其中第一、第二、第三、及第四氣體輸送部中的每一者均包括一入口及複數個開口，並且其中第一、第二、第三、及第四氣室中的每一者係彼此流體地隔離。
在一些實施例中，一種藉由具有複數個被流體地隔離的氣體輸送部的分段式噴淋頭引入前驅物的方法，包括步驟：將第一氣體輸送部加熱到第一溫度；以及，將第二氣體輸送部加熱到不同於第一溫度的第二溫度，其中第一和第二氣體輸送部中的每一者係（i）具有界定氣室的一楔形主體，（ii）共面的，並且（iii）一起形成具有圓形形狀的噴淋頭。
以下說明本案的其他及進一步的實施例。
本案提供了用於處理基板及/或向沉積腔室提供多種製程材料的裝置的實施例。本案的裝置包括噴淋頭及/或輸送系統，其配置以在離開輸送系統之前，有利地防止兩個或更多個相鄰製程材料之間的熱串擾。例如，在離開噴淋頭組件並沉積在基板上之前，可以在相同或不同溫度下以熱隔離或相對熱隔離的方式，透過裝置分別處理兩種或更多種製程材料的物種或樣品。本案的裝置有利地減小了整個噴淋頭組件的壓降。儘管可以根據在基板或工件上沉積、生長、或凝結的有機薄膜來描述該製程，但是本案的製程可以應用於需要輸送多種製程材料的任何基板製程，且尤其根據本案於此所提供的這種方法的教示，多種製程材料彼此可有利地隔離。
圖1圖示出根據本案的一些實施例的沉積系統100的示意性側視圖。沉積系統100包括一沉積腔室110，沉積腔室110至少部分地由一或多個側面111、底板128、及蓋130所界定。沉積系統100經配置以處理沉積腔室110中的基板，例如基板116。該基板由設置在沉積腔室110中的基板支撐件114所支撐。在一些實施例中，沉積腔室110可為一CVD腔室，其配置以執行根據本案的製程材料沉積，例如有機前驅物的沉積。適用或適於使用的根據本發明的一種非限制性系統，係可從美商應用材料公司獲得的ENDURA®系列的處理系統。其他處理系統，包括可從其他製造商獲得的處理系統，也可根據本案提供的教示來進行修改。在一些實施例中，根據本案的裝置可用在配置以執行原子層沉積（ALD）的腔室中。
在一些實施例中，可透過沉積製程在基板116上形成、凝結、或沉積出有機層（未示出）或其衍生物。在一些實施例中，該層可由多種製程材料形成，但這些製程材料在傳統的噴淋頭內會不利地彼此反應。在一些實施例中，該層可由具有不同製程要求(例如流速、溫度等)的多種製程材料形成。在一些實施例中，用於本發明的裝置中使用的合適的製程材料包括適合於昇華並凝結在基板上的任何材料，例如三-（8-羥基喹啉）鋁（Alq3）碳60（C60 ）。其他製程氣體也適合於使用，尤其是但不限於需要不同流速、不同溫度、或不同氣體分配系統中一或多種的製程氣體，以防止氣體分配系統內各製程氣體之間的反應。
沉積系統100包括沉積腔室110及前驅物輸送系統120。在一些實施例中，前驅物輸送系統120可包括一或複數個加熱系統142（圖1中顯示出兩個）。在一些實施例中，前驅物輸送系統120可包括一或複數個氣體輸送系統150（圖1中顯示出兩個）。在一些實施例中，沉積系統100的部件連接並且連通，使得一或複數個加熱系統142中的製程材料可昇華並且隨後通過氣體輸送系統150進入沉積腔室110。在一些實施例中，加熱系統142、氣體輸送系統150、及沉積腔室110中的一或多者可流體連通。
前驅物輸送系統120經配置以將多種製程材料輸送到與噴淋頭組件112流體連通的噴淋頭組件112與基板116。噴淋頭組件112包括複數個氣體輸送部。在一些實施例中，複數個氣體輸送部是共面的，並且一起形成具有一圓形形狀的噴淋頭組件112。複數個氣體輸送部彼此流體地隔離（例如，每個氣體輸送部中的材料不能與噴淋頭組件112內的其他氣體輸送部中的材料混合或接觸）。前驅物輸送系統120能夠在第一溫度下將第一製程材料輸送到一或多個氣體輸送部。在一些實施例中，第一溫度為約攝氏200度至約攝氏350度。前驅物輸送系統120能夠在不同於第一溫度的第二溫度下將第二製程材料輸送到一或多個氣體輸送部。在一些實施例中，第二溫度為約攝氏450度至約攝氏600度。在一些實施例中，前驅物輸送系統120能夠在該第一溫度、該第二溫度、或不同於該第一溫度與該第二溫度的一第三溫度下，將一第三製程材料輸送到一或多個氣體輸送部。在一些實施例中，前驅物輸送系統120能夠在該第一溫度、該第二溫度、該第三溫度、或不同於該第一溫度、該第二溫度、及該第三溫度的一第四溫度下將一第四製程材料輸送到一或多個氣體輸送部。在使用中，基板支撐件114能夠旋轉基板116，使得來自複數個氣體輸送部的製程材料均勻地沉積在基板116上。
除了在複數個氣體輸送部之間所提供的流體地隔離之外，在一些實施例中，複數個氣體輸送部還經配置以在退出沉積腔室110之前減小或防止每個氣體輸送部之間的熱串擾，如以下將進一步詳細描述。例如，第一製程材料的溫度將不會影響噴淋頭組件112內的第二製程材料的溫度，或者對該溫度的影響減小。在一些實施例中，第一製程材料與第二製程材料之間的溫度差在約攝氏200至約400度之間。在一些實施例中，噴淋頭組件112經配置以將製程材料輸送到沉積腔室110，而不會將一或多種製程材料凝結在其中。
在一些實施例中，沉積系統100可包括用於執行並監控在沉積系統100中的一預定製程（例如，進行沉積膜的步驟）的部件。這些部件通常包括沉積系統100的各種子系統（例如，抽真空及排氣子系統等）與裝置（例如，電源、製程控制儀器等）。在一些實施例中，沉積系統100包括第一泵180、第二泵181、節流閥184、及壓力閥183，以控制系統的壓力，並使沉積系統100處於或保持在真空條件下。亦可包括移除真空條件的壓力閥183。
圖2圖示出根據本案的一些實施例的噴淋頭與蓋組件的等距俯視圖。如圖所示，噴淋頭與蓋組件200包括複數個氣體輸送部，包括一第一氣體輸送部220、一第二氣體輸送部230、一第三氣體輸送部240及一第四氣體輸送部250。複數個氣體輸送部220、230、240、250係共面的，並且一起形成具有一圓形形狀的噴淋頭組件112。在一些實施例中，噴淋頭直徑為約300mm至約500mm。在一些實施例中，噴淋頭直徑對應於基板116的直徑。在一些實施例中，複數個氣體輸送部可包括三個氣體輸送部。在一些實施例中，複數個氣體輸送部可以包括六個氣體輸送部。複數個氣體輸送部220、230、240、250經配置以使得在每個氣體輸送部之間存在間隙246。氣體輸送部220、230、240、250之間的間隔關係，有利地減少或防止了每個氣體輸送部在離開沉積腔室110之前的熱串擾。
參照回圖1，第一加熱組件125係配置以向第一氣體輸送部220施加熱量。第一加熱組件125可包括一或多個加熱元件，其配置以將第一氣體輸送部118保持在大致均勻的溫度。在一些實施例中，第一加熱組件125包括在第一氣體輸送部220的頂壁與底壁的至少一者中的加熱元件，例如一電阻加熱器（如以下說明）。第一加熱組件125係配置以在當第一製程材料移動到沉積腔室110中時，在一預定溫度（例如第一溫度）下，對穿過第一氣體輸送部220的第一製程材料施加熱量。
在一些實施例中，一或多個第一溫度感應器141和第一溫度控制器124係耦接到第一氣體輸送部220。該一或多個第一溫度感應器141係配置以獲得來自第一氣體輸送部220的熱資訊。第一溫度控制器124係配置以接收來自從第一溫度感應器141的輸入，以控制、調節、或設定第一加熱組件125的溫度。該第一溫度感應器141可為一熱電偶、一高溫計，或類似者。
第二加熱組件127係配置以將熱量施加到第二氣體輸送部230。第二加熱組件127可包括一或多個加熱元件，其配置成將第二氣體輸送部230保持在大致均勻的溫度。在一些實施例中，第一加熱組件125在第二氣體輸送部230的頂壁與底壁的至少一者中包括一加熱元件，例如一電阻加熱器。第二加熱組件127經配置以在第二製程材料移動到沉積腔室110中時，在一預定溫度（例如第二溫度）下，對穿過第二氣體輸送部230的第二製程材料施加熱量。
在一些實施例中，一或多個第二溫度感應器143與第二溫度控制器126係耦接至第二氣體輸送部230。該一或多個第二溫度感應器143經配置以獲得來自第二氣體輸送部230的熱資訊。第二溫度控制器126經配置以接收來自第二溫度感應器143的輸入，以控制、調節、或設定第二加熱組件127的溫度。該一或多個第二溫度感應器143可為一熱電偶、一高溫計，或類似者。
第三加熱組件155經配置以向第三氣體輸送部240施加熱量。第三加熱組件155可包括一或多個加熱元件，其經配置以將第三氣體輸送部240維持在大致上均勻的溫度。在一些實施例中，第三加熱組件155在第三氣體輸送部240的頂壁與底壁的至少一者中包括一加熱元件，例如一電阻加熱器。第三加熱組件155經配置以在當製程材料移動到沉積腔室110中時，在一預定溫度下（例如第一溫度、第二溫度、或第三溫度），對穿過第三氣體輸送部240的製程材料施加熱量。該製程材料可為第一製程材料、第二製程材料、或第三製程材料。在一些實施例中，第一溫度與第二溫度之間的溫差在約攝氏200至約400度之間。
在一些實施例中，一或多個第三溫度感應器與第三溫度控制器163係耦接到第三氣體輸送部240。一或多個第三溫度感應器145經配置以獲得來自第三氣體輸送部240的熱資訊。第三溫度控制器163經配置以接收來自該一或多個第三溫度感應器145的輸入，以控制、調整、或設定該第三加熱組件155的溫度。該一或多個第三溫度感應器145可為一熱電偶、一高溫計，或類似者。
第四加熱組件159經配置以向第四氣體輸送部250施加熱量。第四加熱組件159可包括一或多個加熱元件，其經配置將第四氣體輸送部250維持在大致上均勻的溫度。在一些實施例中，第四加熱組件159在第四氣體輸送部250的頂壁與底壁的至少一者中包括一加熱元件，例如一電阻加熱器。第四加熱組件159經配置以在當製程材料移動到沉積腔室110中時，在一預定溫度下（例如第一溫度、第二溫度、第三溫度、或第四溫度），對穿過第四氣體輸送部250的製程材料施加熱量。該製程材料可為第一製程材料、第二製程材料、第三製程材料、或第四製程材料。
在一些實施例中，一或多個第四溫度感應器147與第四溫度控制器165係耦接到第四氣體輸送部250。一或多個第四溫度感應器147經配置以獲得來自第四氣體輸送部250的熱資訊。第四溫度控制器165經配置以接收來自該一或多個第四溫度感應器147的輸入，以控制、調整、或設定第四加熱組件159的溫度。該一或多個第四溫度感應器147可為一熱電偶、一高溫計，或類似者。
參照回圖2，噴淋頭與蓋組件200包括安裝到蓋板210的一噴淋頭組件112。蓋板210具有從蓋板210的底表面202延伸的複數個安裝座204。噴淋頭組件112的每個氣體輸送部220、230、240、250包括一或多個安裝座216，其能夠與蓋板210的相應安裝座204配合，以將噴淋頭組件201耦接到蓋板210。在一些實施例中，一或多個安裝座216從噴淋頭組件112的徑向外表面延伸。在一些實施例中，安裝座204、216係由絕緣材料製成。
在一些實施例中，如圖2所示，複數個氣體輸送部220、230、240、250的尺寸相似。在一些實施例中，複數個氣體輸送部可為不同的尺寸。在一些實施例中，噴淋頭組件112能夠使兩種處理氣體流動。例如，第一氣體輸送部220與第三氣體輸送部240係耦接至一第一氣體源，且第二氣體輸送部230與第四氣體輸送部250係耦接至一第二氣體源。在一些實施例中，噴淋頭組件112能夠流動三種處理氣體。例如，第一與第三氣體輸送部220、240係耦接至一第一氣體源，第二氣體輸送部230係耦接至一第二氣體源，以及第四氣體輸送部250係耦接至一第三氣體源。在一些實施例中，噴淋頭組件112能夠流動四種處理氣體。
第一氣體輸送部220包括界定第一氣室318的一楔形主體。第一氣體輸送部220包括第一入口208，第一入口208從楔形主體延伸並穿過蓋板210中的開口。類似地，第二氣體輸送部230、第三氣體輸送部240、及第四氣體輸送部250包括第二入口212、第三入口214、及第四入口224，其從它們各自的楔形體延伸穿過蓋板210中的開口。在一些實施例中，每個入口208、212、214、224係設置在鄰近於每個氣體輸送部220、230、240、250的一相應的外部。
第一氣體輸送部220包括複數個開口226，複數個開口226從楔形主體的底表面236延伸到第一氣室318。複數個開口226經配置以將處理氣體輸送到沉積腔室110中。氣體輸送部230、240、250分別包括從其各自的底表面238、242、244延伸的複數個開口228、232、234。複數個開口228、232、234經配置以將處理氣體從氣體輸送部230、240、250中的每一者輸送到沉積腔室110中。複數個開口226、228、232、243可以以適合於將製程材料均勻地沉積到基板116上的任何圖案配置。在一些實施例中，複數個開口226、228、232、243具有約0.1mm至約3mm的直徑。
噴淋頭與蓋組件200包括複數個饋通板218。複數個饋通板218經配置以允許導線從噴淋頭組件112穿過蓋板210。導線可為加熱器導線、感應器導線、或類似者。在一些實施例中，複數個饋通板218中的每個均包括複數個開口222。在一些實施例中，饋通板218係設置在複數個氣體輸送部220、230、240、250中的每一者的近旁。在一些實施例中，一或多個加熱導線206（圖示出一條）係配置以穿過饋通板218之一並且進入第一氣體輸送部220。
圖3圖示出根據本案的一些實施例的噴淋頭與蓋組件的頂部等距截面圖。蓋板210具有與底表面202相對的頂表面302。在一些實施例中，蓋板210包括從頂表面302朝向底表面202延伸的通道310。通道310經配置以使流體流動以冷卻蓋板210。在一些實施例中，通道310可以部分地填充有塞子308以密封通道310。在一些實施例中，頂表面302包括第一埠304及第二埠306。第一埠304與第二埠306經配置以使流體流入及流出通道310。流體可為冷卻劑、水、或類似者。
第一氣體輸送部220包括頂壁332、底壁334、及側壁336，以界定第一氣室318。類似地，第二、第三、第四氣體輸送部230、240、250的頂壁、底壁、側壁分別界定出第二氣室（內部容積為230）、第三氣室320、及第四氣室（內部容積為250）。如上所述，噴淋頭組件112可透過一或多個安裝座216連接到蓋板，安裝座216從噴淋頭組件112的徑向外表面延伸。噴淋頭組件112的氣體輸送部220、230、240、250可在噴淋頭組件112的中心部分以塞子324而彼此聯接，同時可保持在其之間的間隙246。塞子324可以具有中央開口326，其能夠容納緊固件的一凸形部分。
在一些實施例中，散熱器330係設置在相鄰氣體輸送部之間的間隙246中。在一些實施例中，散熱器330具有約150W/m-K或更大的熱導率。散熱器330經配置以減少或防止來自氣體輸送部220、230、240、250的熱量散發到較冷的氣體輸送部220、230、240、250（即，熱串擾）。在一些實施例中，散熱器330包括熱異向性材料。熱異向性材料是具有一平面內導熱率（基面中的導電率）的材料，其遠大於材料的橫向導熱率，因此能允許在平面方向上提高溫度均勻性。熱解熱石墨（Thermal Pyrolytic Graphite®，TPG）是熱異向性材料的一個實例，其具有約1,500W/mK的平面內導熱率及約10W/mK的橫向導熱率。合適的異向性材料的其他實例包括熱分解的硼氮化物、合成金剛石、或類似者。
如圖2與圖3所示，複數個氣體輸送部220、230、240、250是相似的（即相同的）。以下面的說明將是相對於該第一氣體輸送部220。但是，同樣的說明適用於第二、第三、及第四氣體輸送部230、240、250。在一些實施例中，第一氣體輸送部220的頂壁332包括能夠承載電阻加熱器的通道312的通道。在一些實施例中，第一氣體輸送部220的底壁334包括能夠承載電阻加熱器的導線的通道314。在一些實施例中，第一氣體輸送部220包括在頂壁332中的導線312及設置在底壁334中的通道314中的導線（例如，導線506），以有利地均勻地加熱第一氣體輸送部220。在一些實施例中，第一入口208能夠被第一加熱組件125加熱。在一些實施例中，柱322設置成穿過頂壁332並且至少部分地穿過底壁334。柱322經配置以有助於測量設置在底壁334中的柱322的底端的溫度，以提供底壁334的溫度測量。在一些實施例中，柱328設置成至少部分地穿過頂壁332。柱328經配置以有助於測量設置在頂壁332中的柱328的底端的溫度，以提供頂壁322的溫度測量。例如，在一些實施例中，柱322與柱328是具有上部的管，該上部具有中央開口，而底部為實心。柱322與柱328的中央開口經配置以容納各自的熱電偶。在一些實施例中，柱322與柱328中的至少一者係耦接至一或多個第一溫度感應器141。
圖4圖示出根據本案的一些實施例的氣體輸送部的俯視圖。在一些實施例中，第一氣體輸送部220包括楔形主體408及彎曲部分410，彎曲部分410從楔形主體408的外表面412徑向向外彎曲。第一入口208可設置於鄰近彎曲部分410。
在一些實施例中，第一氣體輸送部220包括大致上覆蓋（即，包封）楔形主體408的熱屏蔽402。熱屏蔽402包括與第一氣體輸送部220的複數個開口226相對應的複數個開口。在一些實施例中，熱屏蔽402包括供柱328的開口406。在一些實施例中，熱屏蔽402包括用於柱322的開口414。在一些實施例中，熱屏蔽402包括用於一或多個安裝座216的一或多個開口404。熱屏蔽402係配置以減少或防止熱量從第一氣體輸送部220輻射到相鄰的氣體輸送部（即，熱串擾）。熱屏蔽402係由不銹鋼、鋁、或類似者形成。楔形主體408由諸如不銹鋼、鈦、或類似者的高純度與高耐熱性材料所形成。
圖5圖示出根據本案的一些實施例的氣體輸送部的局部截面圖。如圖5所示，噴嘴316可以放置在該複數個開口226的每個孔中。在一些實施例中，噴嘴316可具有約0.1mm至約3mm的內徑。在一些實施例中，噴嘴404包括鈦、鈦合金、或氮化鈦塗層鋼。噴嘴404可配置以控制製程材料的速度、方向、及流動。噴嘴316經配置以將從第一氣室318通過的製程材料噴射到沉積腔室110中。製程材料的噴塗可有利地增加製程材料沉積到基板116上的均勻性。製程材料的噴塗還有利地增加了多種製程材料混合到基板116上的均勻性。在一些實施例中，導線506（僅圖示出一條）設置在底壁334中的通道314中，以加熱第一氣體輸送部220。
儘管前述內容係針對本案的實施例，但是可在不脫離本案的基本範圍的情況下設計本案的其他及進一步的實施例。
100:沉積系統 110:沉積腔室 111:側面 112:噴淋頭組件 114:基板支撐件 116:基板 120:前驅物輸送系統 124:第一溫度控制器 125:第一加熱組件 126:第二溫度控制器 127:第二加熱組件 128:底板 130:蓋 141:第一溫度感應器 142:加熱系統 143:第二溫度感應器 145:第三溫度感應器 147:第四溫度感應器 150:氣體輸送系統 155:第三加熱組件 159:第四加熱組件 163:第三溫度控制器 165:第四溫度控制器 180:第一泵 181:第二泵 183:壓力閥 184:節流閥 200:噴淋頭與蓋組件 201:噴淋頭組件 202:底表面 204:安裝座 206:加熱導線 208:第一入口 210:蓋板 212:第二入口 214:第三入口 216:安裝座 218:饋通板 220:氣體輸送部 222:開口 224:第四入口 226:開口 228:開口 230:氣體輸送部 232:開口 234:開口 236:底表面 238:底表面 240:氣體輸送部 242:底表面 244:底表面 246:間隙 250:氣體輸送部 302:頂表面 304:第一埠 306:第二埠 308:塞子 310:通道 312:通道 314:通道 316:噴嘴 318:第一氣室 320:第三氣室 322:柱 324:塞子 326:中央開口 328:柱 330:散熱器 332:頂壁 334:底壁 336:側壁 402:熱屏蔽 404:開口 406:開口 408:楔形主體 410:彎曲部分 412:外表面 414:開口 506:導線埠埠
藉由參考附圖中記載的本案的說明性實施例，可理解以上簡要說明並在以下更詳細描述本案的實施例。所附圖式圖示了本案的一些實施例，因此不應被視為對範圍的限制，因為本案可允許其他均等有效的實施例。
圖1圖示出根據本案的一些實施例的具有噴淋頭組件的沉積系統的示意性側視圖。
圖2圖示出根據本案的一些實施例的噴淋頭與蓋組件的俯視立體圖。
圖3圖示出根據本案的一些實施例的噴淋頭與蓋組件的頂部等距截面圖。
圖4圖示出根據本案的一些實施例的噴淋頭的氣體輸送部的等距俯視圖。
圖5圖示出根據本案的一些實施例的噴淋頭的氣體輸送部的局部截面圖。
為便於理解，在可能的情況下，使用相同的元件符號來表示附圖中共有的相同元件。附圖未按比例繪製，並且為了清楚起見而可簡化。一個實施例的元件及特徵，可有利地併入其他實施例中，而無需進一步說明。
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200:噴淋頭與蓋組件
201:噴淋頭組件
202:底表面
204:安裝座
206:加熱導線
208:第一入口
210:蓋板
212:第二入口
214:第三入口
216:安裝座
218:饋通板
220:氣體輸送部
222:開口
224:第四入口
226:開口
228:開口
230:氣體輸送部
232:開口
234:開口
236:底表面
238:底表面
240:氣體輸送部
242:底表面
244:底表面
246:間隙
250:氣體輸送部

Claims (20)

  1. 一種用於在一基板上沉積多種材料的噴淋頭組件，包括： 複數個氣體輸送部，每個該氣體輸送部具有一入口，界定一氣室的一楔形體，以及設置在該氣體輸送部的一底表面上的複數個開口，其中該些氣室中每一者係彼此流體地隔離。
  2. 如請求項1所述的噴淋頭組件，其中該複數個氣體輸送部包括一第一氣體輸送部、一第二氣體輸送部、一第三氣體輸送部、及一第四氣體輸送部。
  3. 如請求項2所述的噴淋頭組件，其中該第一氣體輸送部與該第三氣體輸送部係耦接至一第一氣體源，且該第二氣體輸送部與該第四氣體輸送部係耦接至一第二氣體源。
  4. 如請求項2所述的噴淋頭組件，還包括：一第一加熱組件，配置以向該第一氣體輸送部提供熱量；一第二加熱組件，配置以向該第二氣體輸送部提供熱量；一第三加熱組件，配置以向該第三氣體輸送部提供熱量；以及一第四加熱組件，配置以向該第四氣體輸送部提供熱量。
  5. 如請求項4所述的噴淋頭組件，其中該第一加熱組件包括一電阻加熱器，該電阻加熱器在該氣體輸送部的一頂壁與一底壁的至少一者中。
  6. 如請求項1至5中任一項所述的噴淋頭組件，其中該複數個氣體輸送部是共面的，並且一起形成具有一圓形形狀的一噴淋頭。
  7. 如請求項1至5中任一項所述的噴淋頭組件，還包括一散熱器，該散熱器設置在該複數個氣體輸送部之間。
  8. 如請求項1至5中任一項所述的噴淋頭組件，還包括一噴嘴，該噴嘴設置在該複數個開口中。
  9. 如請求項1至5中任一項所述的噴淋頭組件，其中該複數個氣體輸送部中的每個該氣體輸送部的尺寸相似。
  10. 如請求項1至5中任一項所述的噴淋頭組件，其中每個該入口被佈置成與每個該氣體輸送部的一外部相鄰。
  11. 一種噴淋頭組件，包括： 一第一氣體輸送部，界定一第一氣室； 一第二氣體輸送部，界定一第二氣室； 一第三氣體輸送部，界定一第三氣室；及 一第四氣體輸送部，界定一第四氣室，其中該第一、第二、第三、及第四氣體輸送部中的每一者包括一入口及複數個開口，並且其中該第一、第二、第三、及第四氣室中的每一者係彼此流體地隔離。
  12. 如請求項11所述的噴淋頭組件，還包括一屏蔽，該屏蔽包圍每個氣體輸送部。
  13. 如請求項11所述的噴淋頭組件，其中該第一氣體輸送部、該第二氣體輸送部、該第三氣體輸送部、及該第四氣體輸送部係共面的，並且一起形成具有一圓形形狀的一噴淋頭。
  14. 如請求項11至13中任一項所述的噴淋頭組件，其中用於安裝至一蓋板的一或多個安裝座從該第一氣體輸送部、該第二氣體輸送部、該第三氣體輸送部、及該第四氣體輸送部中的每一者的一外表面徑向向外延伸。
  15. 如請求項11至13中任一項所述的噴淋頭組件，其中一散熱器係設置在相鄰的氣體輸送部之間的一間隙中。
  16. 一種藉由一分段式噴淋頭引入前驅物的方法，該分段式噴淋頭具有複數個流體地隔離的氣體輸送部，包括以下步驟： 將一第一氣體輸送部加熱到一第一溫度；及 同時將一第二氣體輸送部加熱到不同於該第一溫度的一第二溫度，其中該第一與該第二氣體輸送部中的每一者係（i）具有界定一氣室的一楔形體，（ii）共面的，並且（iii）一起形成具有一圓形形狀的一噴淋頭。
  17. 如請求項16所述的方法，其中該第一溫度為約攝氏200度至約攝氏350度，並且該第二溫度為約攝氏450度至約攝氏600度。
  18. 如請求項16所述的方法，還包括步驟：將一第一製程材料輸送到該第一氣體輸送部；以及將與該第一製程材料不同的一第二製程材料輸送到該第二氣體輸送部。
  19. 如請求項16所述的方法，進一步包括步驟：將一第三氣體輸送部加熱到該第一溫度、該第二溫度、或不同於該第一溫度與該第二溫度的一第三溫度中的至少一者。
  20. 如請求項19所述的方法，還包括步驟：將一第四氣體輸送部加熱到該第一溫度、該第二溫度、該第三溫度、或該第四溫度中的至少一者。
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