JP5478723B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
成膜装置110は、真空槽112と、基板140を保持する基板保持台141と、第一、第二の原料ガスが通る第一、第二の配管132a、132bとを有している。
真空槽112には真空排気装置113が接続され、真空槽112内は真空排気可能に構成されている。
真空槽112内を真空排気し、以後真空排気を継続する。基板保持台141に基板140を載置し、基板140を基板140の表面と平行に回転させておく。
基板140を加熱しながら、基板140の表面に向けて第一、第二の放出孔122a、122bから第一の原料ガスであるアンモニア(NH3)と、第二の原料ガスであるトリメチルガリウム(TMGa、(CH3)3Ga)とをそれぞれ放出し、混合させると、
(CH3)3Ga+NH3→GaN+3CH4
の化学反応により基板140の表面にGaNが成膜される。GaNと一緒に生成されたCH4は真空排気装置113によって真空槽112の外側に真空排気される。
本発明は成膜装置であって、各前記導入部は、前記放出容器の前記中空の部分に面する前記壁面に、互いに平行に向けられて等間隔に配置された成膜装置である。
本発明は成膜装置であって、前記放出容器の容器壁には導入口と排出口とが設けられ、前記導入口から前記放出容器の前記中空の部分に温度管理された冷媒が導入され、前記排出口から前記冷媒が排出されるように構成された成膜装置である。
本発明は成膜装置であって、前記副配管と前記導入部とは、前記冷媒中に浸されるように構成された成膜装置である。
本発明は成膜装置であって、前記基板保持部に保持された前記基板からは、前記導入部よりも前記副配管の方が離れて位置された成膜装置である。
本発明は成膜装置であって、前記副配管の方が、前記導入部よりも前記冷媒との接触面積が大きくされた成膜装置である。
本発明は成膜装置であって、前記第二の原料ガスは、前記第一の原料ガスよりも熱で分解しやすいガスである成膜装置である。
原料ガスを放出する数万本の細管をろう付加工するという従来の製作方法に比べて、簡便な方法で原料ガス放出部を製作できる。
成膜装置10は、真空槽12と、基板40を保持する基板保持台(基板保持部)41と、放出口22から原料ガスを放出する原料ガス放出部20とを有している。
真空槽12の槽壁には排気口12aが設けられ、排気口12aには真空排気装置13が接続されている。真空排気装置13は真空槽12内を真空排気できるように構成されている。
基板保持台41には電熱器42が取り付けられ、電熱器42には電源装置44が電気的に接続されている。電源装置44から電熱器42に直流電圧を印加すると、電熱器42は発熱して、基板保持台41に保持された基板40を加熱するようになっている。
原料ガス放出部20の第一例の構造を説明する。
原料ガス放出部20は、複数の放出孔22が設けられた中空の放出容器21と、放出容器21の中空の部分25に配置された管状の複数の導入部31a1〜31a3、31b1〜31b3とを有している。
原料ガス放出部20の各導入部31a1〜31a3、31b1〜31b3は、外周側面に貫通孔32a1〜32a3、32b1〜32b3が設けられた配管である。
図3(a)〜(d)は原料ガス放出部20の作製方法を説明するための模式図である。各配管(導入部)31a1〜31a3、31b1〜31b3の構造は同じであり、符号31a1の配管(導入部)で代表して説明する。
放出容器21は平板形状の底板21aを有している。
形成した孔のうち底板21aに形成された部分が放出孔22であり、配管31a1に形成された部分が貫通孔32a1である。ろう29の部分も配管31a1の一部とみなすと、配管31a1の外周側面のうち貫通孔32a1の外周(周囲)部分は、底板21aの表面に密着している。
底板21aと蓋部21bとで中空の放出容器21が構成される。
図5は原料ガス放出部20の第二例の内部構成図、図6は同B−B線切断断面図を示している。原料ガス放出部20の第二例の構造のうち第一例の構造と同じ部分には同じ符号を付して説明を省略する。原料ガス放出部20の第二例は、符号31a1〜31a3、31b1〜31b3の導入部の代わりに、符号33a1〜33a3、33b1〜33b3の導入部を有している。
各導入部33a1〜33a3、33b1〜33b3の外周側面は放出容器21の中空の部分25に面する壁面に密着され、各導入部33a1〜33a3、33b1〜33b3の前記壁面に密着する部分には導入部33a1〜33a3、33b1〜33b3の内部空間と放出孔22とを連通させる貫通孔39a1〜39a3、39b1〜39b3が設けられている。
原料ガス放出部20の各導入部33a1〜33a3、33b1〜33b3は、溝であり、溝の開口が貫通孔39a1〜39a3、39b1〜39b3を成している。
ここでは第一のガス供給部35aに接続された導入部(符号31a1〜31a3の配管又は符号33a1〜33a3の溝)と、第二のガス供給部35bに接続された導入部(符号31b1〜31b3の配管又は符号33b1〜33b3の溝)とは、放出容器21の中空の部分25に面する壁面に、交互に並んで配置され、互いに異なる放出口22から放出された第一、第二の原料ガスは均一な割合で混合するようになっている。
ここでは原料ガス放出部20には配管31a1〜31a3、31b1〜31b3を有する第一例の構造のものを使用するが、溝33a1〜33a3、33b1〜33b3を有する第二例の構造の原料ガス放出部20や、副配管36b1〜36b3を有する構造の原料ガス放出部20を使用する場合も使用方法は同じである。
不図示の搬送ロボットにより、真空槽12内に基板40を搬入し、基板40を基板保持台41上に載置する。
電熱器42を発熱させて、基板40を加熱する。
薄膜を成膜した後、回転装置47による基板40の回転を停止し、電熱器42による基板40の加熱を停止して、不図示の搬送ロボットにより基板40を真空槽12の外側に搬出し、次工程に渡す。
次いで成膜装置10の真空槽12内に別の基板40を不図示の搬送ロボットにより搬入して上記方法で成膜を繰り返す。
12……真空槽
21……放出容器
22……放出孔
25……中空の部分
23a……導入口
23b……排出口
31a1〜31a3、31b1〜31b3……導入部(配管)
32a1〜32a3、32b1〜32b3……貫通孔
33a1〜33a3、33b1〜33b3……導入部(溝)
35a……第一のガス供給部
35b……第二のガス供給部
36b1〜36b3……副配管
37b1〜37b3……副貫通孔
39a1〜39a3、39b1〜39b3……貫通孔(開口)
41……基板保持部(基板保持台)
Claims (7)
- 真空槽と、
前記真空槽内に配置され、複数の放出孔が設けられた中空の放出容器と、
前記放出容器の中空の部分に配置された複数の管状の導入部と、
各前記導入部に原料ガスを供給するガス供給部と、
前記放出容器の前記放出孔と対面する位置に基板を保持する基板保持部と、
前記放出容器の前記中空の部分に配置され、外周側面に複数の副貫通孔が設けられた複数の副配管と、
一端が前記副貫通孔に接続され、他端が前記放出孔に接続され、前記副貫通孔と前記放出孔とを連通させる複数の接続管と、
を有し、
各前記導入部の外周側面は前記放出容器の前記中空の部分に面する壁面に密着され、
各前記導入部の前記密着する部分には前記導入部の内部空間と前記放出孔とを連通させる貫通孔が設けられ、
前記副貫通孔の外周部分は前記放出容器の前記中空の部分に面する前記壁面と離間され、
前記ガス供給部は、第一、第二の原料ガスを放出する第一、第二のガス供給部を有し、
前記導入部は前記第一のガス供給部に接続され、前記副配管は前記第二のガス供給部に接続された成膜装置。 - 各前記導入部は、前記放出容器の前記中空の部分に面する前記壁面に、互いに平行に向けられて等間隔に配置された請求項1記載の成膜装置。
- 前記放出容器の容器壁には導入口と排出口とが設けられ、前記導入口から前記放出容器の前記中空の部分に温度管理された冷媒が導入され、前記排出口から前記冷媒が排出されるように構成された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の成膜装置。
- 前記副配管と前記導入部とは、前記冷媒中に浸されるように構成された請求項3記載の成膜装置。
- 前記基板保持部に保持された前記基板からは、前記導入部よりも前記副配管の方が離れて位置された請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の成膜装置。
- 前記副配管の方が、前記導入部よりも前記冷媒との接触面積が大きくされた請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の成膜装置。
- 前記第二の原料ガスは、前記第一の原料ガスよりも熱で分解しやすいガスである請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の成膜装置。
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