TWI496941B - 成膜裝置 - Google Patents

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TWI496941B
TWI496941B TW100120709A TW100120709A TWI496941B TW I496941 B TWI496941 B TW I496941B TW 100120709 A TW100120709 A TW 100120709A TW 100120709 A TW100120709 A TW 100120709A TW I496941 B TWI496941 B TW I496941B
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Yasumasa Suzuki
Kenji Kimura
Kazuya Tsukagoshi
Nobuaki Ikenaga
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Ulvac Inc
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Description

成膜裝置
本發明是有關成膜裝置，特別是關於CVD技術的領域。
目前，氮化鎵(GaN)是被使用在發光二極體等的電子元件的材料。為了製作氮化鎵的結晶，而使用有機金屬氣相成長(MOCVD)法的成膜裝置。
圖8是表示使用於MOCVD法的以往成膜裝置110的內部構成圖。
成膜裝置110是具有真空槽112、保持基板140的基板保持台141、及第一、第二原料氣體通過的第一、第二配管132a、132b。
在真空槽112連接真空排氣裝置113，真空槽112內是構成可真空排氣。
第一、第二配管132a、132b是被配置於真空槽112內，設於一端的第一、第二放出孔122a、122b是分別朝向基板保持台141上的基板140。第一、第二配管132a、132b的另一端是分別氣密地貫通真空槽112的壁面而延伸至真空槽112的外側，連接至放出第一、第二原料氣體的第一、第二氣體供給部135a、135b。
在基板保持台141安裝有電熱器142，在電熱器142電性連接電源裝置144。一旦從電源裝置144施加直流電壓至 電熱器142，則電熱器142會發熱，而可加熱被保持於基板保持台141的表面的基板140。
在基板保持台141的背面安裝有旋轉軸146，其係與背面成直角，在旋轉軸146連接旋轉裝置147，使旋轉軸146以旋轉軸146的中心軸線為中心旋轉。一旦藉由旋轉裝置147來使旋轉軸146旋轉，則基板保持台141與基板140會一起旋轉成與基板140的表面平行。
說明使用成膜裝置110在基板140的表面形成GaN的薄膜之方法。
將真空槽112內予以真空排氣，之後繼續真空排氣。在基板保持台141載置基板140，使基板140與基板140的表面平行地旋轉。
一邊加熱基板140，一邊朝基板140的表面，從第一、第二放出孔122a、122b分別放出第一原料氣體的氨(NH3 )、及第二原料氣體的三甲基鎵(TMGa、(CH3 )3 Ga)，一旦使混合，則藉由(CH3 )3 Ga+NH3 →GaN+3CH4 的化學反應，在基板140的表面形成GaN膜。與GaN一起生成的CH4 是藉由真空排氣裝置113來真空排氣至真空槽112的外側。
由於第一、第二原料氣體是一旦混雜則反應，因此為了使第一、第二原料氣體到達基板140為止不反應，而需要使第一、第二配管132a、132b的第一、第二放出孔122a、122b接近離基板140的表面10~40mm的距離，使第一、第二原料氣體在即將接近基板140的表面之前混合。而且，為了在基板140的表面均質地成膜，而需要在與基板140 相對的平面上行列狀地交替配置第一、第二放出孔122a、122b，以均一的比例來放出第一、第二原料氣體至基板140的表面。
並且，成膜中是將基板140加熱至1100℃的高溫，但若使第一、第二配管132a、132b接近基板140，則第一、第二配管132a、132b會被加熱，在第一、第二配管132a、132b的內部，原料氣體恐有分解之虞。因此，需要冷卻第一、第二配管132a、132b的冷卻手段。
為了符合以上的要件，成膜裝置的原料氣體放出部的構造是例如具有層狀構造，需要取以細管來形成數萬個放出孔等複雜的構造，而有製作困難的課題。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]特開平8-91989號公報
本發明為了解決上述以往技術的不妥而創作者，其目的是在於提供一種具有可藉由比以往製作容易的構造來一邊冷卻複數的原料氣體一邊使不混合地放出至基板上的原料氣體放出部之成膜裝置。
為了解決上述課題，本發明的成膜裝置，係具有： 真空槽；中空的放出容器，其係配置於上述真空槽內，設有複數的放出孔；複數的管狀的導入部，其係配置於上述放出容器的中空部分；氣體供給部，其係供給原料氣體至各上述導入部；及基板保持部，其係於與上述放出容器的上述放出孔相對的位置保持基板，各上述導入部的外周側面係密接於上述放出容器之面向上述中空部分的壁面，在各上述導入部的上述密接的部分設有使上述導入部的內部空間與上述放出孔連通的貫通孔。
本發明為成膜裝置，其中，各上述導入部係彼此平行朝向上述放出容器的上述壁面而等間隔配置。
本發明為成膜裝置，其中，上述氣體供給部係具有放出第一、第二原料氣體的第一、第二氣體供給部，上述導入部的其中至少一個的上述導入部係被連接至上述第一氣體供給部，其他的上述導入部係被連接至上述第二氣體供給部。
本發明為成膜裝置，其中，被連接至上述第一氣體供給部的上述導入部及被連接至上述第二氣體供給部的上述導入部係於上述放出容器的上述壁面交替排列配置。
本發明為成膜裝置，其中，具有：複數的副配管，其係配置於上述放出容器的上述中空 的部分，在外周側面設有複數的副貫通孔，上述外周側面的上述副貫通孔的外周部分係與上述放出容器的上述壁面間隔開；及複數的連接管，其係一端被連接至上述副貫通孔，另一端被連接至上述放出孔，使上述副貫通孔與上述放出孔連通，上述氣體供給部係具有放出第一、第二原料氣體的第一、第二氣體供給部，上述配管係被連接至上述第一氣體供給部，上述副配管係被連接至上述第二氣體供給部。
本發明為成膜裝置，其中，在上述放出容器的容器壁設有導入口及排出口，構成從上述導入口導入被溫度管理的冷媒至上述放出容器的上述中空的部分，從上述排出口排出上述冷媒。
一旦在放出容器的中空部分放入冷媒而使導入部浸泡於冷媒中，則可提高流動於導入部的內側的原料氣體的冷卻效果來防止熱分解。
相較於硬焊加工(brazing)放出原料氣體的數萬根細管之以往的製作方法，可以簡便的方法來製作原料氣體放出部。
說明本發明的成膜裝置的構造。圖1是表示成膜裝置10的內部構成圖，圖2是表示同A-A線切斷剖面圖。
成膜裝置10是具有：真空槽12、及保持基板40的基板保持台(基板保持部)41、及從放出口22放出原料氣體的原料氣體放出部20。
在真空槽12的槽壁設有排氣口12a，在排氣口12a連接真空排氣裝置13。真空排氣裝置13是構成可將真空槽12內真空排氣。
基板保持台41是被配置於真空槽12內，構成可在與放出口22相對的表面上保持基板40。
在基板保持台41安裝有電熱器42，在電熱器42電性連接電源裝置44。一旦從電源裝置44施加直流電壓至電熱器42，則電熱器42會發熱，而可加熱被保持於基板保持台41的基板40。
在基板保持台41的背面，對背面成直角地安裝旋轉軸46的一端。旋轉軸46的另一端是氣密地貫通真空槽12的槽壁而延伸至真空槽12的外側，連接至旋轉裝置47。旋轉裝置47在此是具有馬達，構成可以旋轉軸46的中心軸線為中心來使旋轉軸46旋轉。
一旦藉由旋轉裝置47來使旋轉軸46旋轉，則基板保持台41及被保持於基板保持台41的基板40是一起旋轉成與基板保持台41的背面亦即基板40的表面平行，換言之，以對基板40的表面成直角的旋轉軸線為中心旋轉。
說明原料氣體放出部20的第一例的構造。
原料氣體放出部20是具有：設有複數的放出孔22之中空的放出容器21、及配置於放出容器21的中空部分25之管狀的複數個導入部31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 。
各導入部31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 的外周側面是密接於放出容器21之面向中空部分25的壁面，在各導入部31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 之密接於上述壁面的部分是設有使導入部31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 的內部空間與放出孔22連通的貫通孔32a1 ~32a3 、32b1 ~32b3 。
原料氣體放出部20的各導入部31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 是在外周側面設有貫通孔32a1 ~32a3 、32b1 ~32b3 的配管。
圖3(a)~(d)是用以說明原料氣體放出部20的製作方法的模式圖。各配管(導入部)31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 的構造是相同，以符號31a1 的配管(導入部)為代表來進行說明。
放出容器21是具有平板形狀的底板21a。
參照圖3(a)，在底板21a的表面，互相平行地等間隔配置一端被閉口的配管31a1。在此，是在底板21a的表面事先等間隔地形成互相平行的複數個凹陷，沿著各凹陷來分別配置配管31a1 ，但本發明並非限於此，亦可不在平面狀的底板21a的表面形成凹陷來配置配管31a1 。
參照圖3(b)，在底板21a的表面與配管31a1 的外周側面之間流入熔化的焊料29之後，使焊料29冷卻凝固，藉由所謂的硬焊加工來固定底板21a的表面與配管31a1 的外周側面。
參照圖3(c)，從底板21a的表面之中與配管31a1 的外周側面以硬焊加工密接的部分的背面側，與底板21a的背面成直角地，藉由雷射加工或機械加工來形成連續貫通底板21a及配管31a1 的壁面之孔。
形成的孔之中，形成於底板21a的部分為放出孔22，形成於配管31a1 的部分為貫通孔32a1 。若焊料29的部分也視為配管31a1 的一部分，則配管31a1 的外周側面之中，貫通孔32a1 的外周(周圍)部分是密接於底板21a的表面。
參照圖2，說明各配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 的孔的位置關係，亦即以複數的放出孔22能夠在放出容器21的一壁面上彼此等間隔地分開而配列成行列狀的方式，沿著各配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 來等間隔地形成連續貫通放出容器21的壁面及配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 的側壁之孔。在此所謂「配列成行列狀」是意指配置於彼此平行等間隔的第一直線L1 ~L4 與彼此平行等間隔且與第一直線L1 ~L4 交叉的第二直線M1 ~M5 的各交點。
配管31a1 與底板21a的固定方法並非限於上述方法(第一方法)，亦可如圖4(a)所示，在配管31a1 的外周側面事先以等間隔形成貫通孔32a1 ，在底板21a事先以和貫通孔32a1 的中心間隔同間隔來形成放出孔22，以各貫通孔32a1 與各不同的放出孔22能夠相對(連通)的方式，將配管31a1 與底板21a對位之後，如圖4(b)所示，將配管31a1 的外周側面與底板21a的表面予以硬焊加工而固定(第二方法)。
然而，第二方法是一旦放出孔22的數量增大，則對位變得困難，且在硬焊加工時熔化的焊料29恐有在放出孔22的內側露出而阻塞放出孔22之虞，因此第一方法較簡便理想。
第二方法的情況，如圖4(c)所示，亦可在配管31a1 的外周側面先將貫通孔32a1 形成一個貫通孔32a1 的外周可包圍複數個放出孔22的外側之大小，以複數個放出孔22位於一個貫通孔32a1 的內側(一個貫通孔32a1 與複數個放出孔22連通)之方式對位後，如圖4(d)所示，將配管31a1 的外周側面與底板21a的表面予以硬焊加工，而使一個貫通孔32a1 分別與複數個放出孔22連通。
此情況，即使放出孔22的數量增大，照樣對位容易，且在離開放出孔22的外周的位置，將配管31a1 的外周側面與底板21a的表面予以硬焊加工，因此焊料29在放出孔22的內側露出的可能性降低。
又，第二方法的情況，如圖4(e)所示，亦可將一個放出孔22的外周形成包圍複數個貫通孔32a1 的外側之大小，以複數個貫通孔32a1 位於一個放出孔22的內側(一個放出孔22與複數個貫通孔32a1 連通)之方式對位後，如圖4(f)所示，將配管31a1 的外周側面與底板21a的表面予以硬焊加工，而使一個放出孔22與複數個貫通孔32a1 連通。
其次，參照圖3(d)，在底板21a的表面上，將突出成凸狀的形狀(一端被蓋的筒形狀)的蓋部21b配置成覆蓋配管31a1 ，將蓋部21b的緣部密接於底板21a的外周而固 定，使配管31a1 的開口端之一端氣密地貫通蓋部21b的壁面而使露出至蓋部21b的外側。
以底板21a及蓋部21b來構成中空的放出容器21。
說明原料氣體放出部20的第二例的構造。
圖5是表示原料氣體放出部20的第二例的內部構成圖，圖6是表示同B-B線切斷剖面圖。在原料氣體放出部20的第二例的構造之中與第一例的構造相同的部分附上同樣的符號，而省略說明。原料氣體放出部20的第二例是取代符號31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 的導入部，而具有符號33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 的導入部。
各導入部33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 的外周側面是密接於放出容器21之面向中空部分25的壁面，在各導入部33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 之密接於上述壁面的部分設有使導入部33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 的內部空間與放出孔22連通的貫通孔39a1 ~39a3 、39b1 ~39b3 。
原料氣體放出部20的各導入部33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 是溝，溝的開口成為貫通孔39a1 ~39a3 、39b1 ~39b3 。
說明原料氣體放出部20的製作方法，在此是以一端被閉合的溝(導入部)33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 的開口(貫通孔)39a1 ~39a3 、39b1 ~39b3 與底板21a的表面相對的方向，使溝33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 的緣部密接於底板21a的表面，而藉由硬焊加工來固定。其次，從底板21a的背面，藉由雷射加工或機械加工來形成放出孔22，而使溝33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 的內部空間與放出孔22連通。其次，將蓋部21b 配置成覆蓋溝33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 的側面，且將蓋部21b的緣部密接於底板21a的外周而固定，使溝33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 的開口端氣密地貫通蓋部21b的壁面而使露出至蓋部21b的外側，形成中空的放出容器21。
第一例的構造是若擴大一配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 的半徑，則會與鄰接的其他配管接觸，因此無法將配管的內徑面積擴大成預定值以上。另一方面，第二例的構造是藉由加大溝33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 的深度，可擴大溝的內徑面積，具有可使通過溝的內側之原料氣體的傳導性增加的優點。
參照圖1、圖5，原料氣體放出部20的放出容器21是在真空槽12內，配置於設有放出孔22的壁面可與被保持於基板保持台41的基板40的表面平行相對的位置。
參照圖2、圖6，複數的導入部(配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 或溝33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 )之中，至少在一個的導入部(在此是符號31a1 ~31a3 的配管或符號33a1 ~33a3 的溝)的開口端氣密連接第一外部配管38a1 ~38a3 的一端，在其他的導入部(符號31b1 ~31b3 的配管或符號33b1 ~33b3 的溝)的開口端氣密連接第二外部配管38b1 ~38b3 的一端。
第一、第二外部配管38a1 ~38a3 、38b1 ~38b3 的另一端是分別氣密地貫通真空槽12的壁面而延伸至真空槽12的外側，連接至放出第一、第二原料氣體的第一、第二氣體供給部35a、35b。在此，第二原料氣體是若與第一原料氣體 混雜則反應的氣體。
在此，被連接至第一氣體供給部35a的導入部(符號31a1 ~31a3 的配管或符號33a1 ~33a3 的溝)、及被連接至第二氣體供給部35b的導入部(符號31b1 ~31b3 的配管或符號33b1 ~33b3 的溝)是在放出容器21之面向中空部分25的壁面交替地排列配置，從相異的放出口22放出的第一、第二原料氣體可以均一的比例來混合。
第一例的構造的原料氣體放出部20並非限於一根的配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 與一根的外部配管38a1 ~38a3 、38b1 ~38b3 為可分離時，本發明亦包含一根的配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 與一根的外部配管38a1 ~38a3 、38b1 ~38b3 為以一條連續的管所形成時。
參照圖1、圖5，在放出容器21的壁面設有導入口23a及排出口23b。導入口23a及排出口23b是分別連接第一、第二冷媒管52a、52b，第一、第二冷媒管52a、52b是氣密地貫通真空槽12的壁面，而連接至配置於真空槽12的外側的冷媒循環裝置51。
冷媒循環裝置51是從導入口23a導入被溫度管理的冷媒至放出容器21的中空部分25，使各導入部(配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 或溝33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 )的外周側面與冷媒接觸，將各導入部浸入冷媒中後，從排出口23b排出冷媒，亦即構成使冷媒循環於放出容器21的中空部分25。
本發明的原料氣體放出部20是如圖7(a)、(b)所 示，亦可具有配置於放出容器21的中空部分25的複數個副配管36b1 ~36b3 。在各副配管36b1 ~36b3 的外周側面設有複數的副貫通孔37b1 ~37b3 ，外周側面的副貫通孔37b1 ~37b3 的外周部分是與底板21a的表面間隔開。
原料氣體放出部20的製作方法，是以硬焊加工來垂直地將複數的連接管341 ~343 的一端固定於底板21a的表面，且以硬焊加工來將副配管36b1 ~36b3 的外周側面固定於連接管341 ~343 的另一端，其次從底板21a的背面側，藉由雷射加工或機械加工，形成通過連接管341 ~343 的內側，貫通底板21a及副配管36b1 ~36b3 的壁面之孔(亦即放出孔22及副貫通孔37b1 ~37b3 )。副配管36b1 ~36b3 的外周側面的副貫通孔37b1 ~37b3 的外周部分是離開放出容器21的壁面，副貫通孔37b1 ~37b3 及放出孔22是經由連接管341 ~343 來連通。另外，導入部(配管31a1 ~31a3 或溝33a1 ~33a3 )是以和上述說明同様的方法來加工。
藉由冷媒循環裝置51來使液體的冷媒循環於放出容器21的中空部分25時，是使冷媒的水面高度維持於比副配管36b1 ~36b3 的高度及導入部(配管31a1 ~31a3 或溝33a1 ~33a3 )的高度雙方更高的位置，一邊使副配管36b1 ~36b3 及導入部浸泡於冷媒中，一邊循環。
與冷媒的接觸面積，副配管36b1 ~36b3 是比導入部(配管31a1 ~31a3 或溝33a1 ~33a3 )更大，且離開基板40，所以容易冷卻。因此當第二原料氣體比第一原料氣體更容易以熱所分解時，若將第一原料氣體流至導入部，將第二原 料氣體流至副配管36b1 ~36b3 ，則可防止第二原料氣體的熱分解，所以較理想。例如使用有機金屬氣體及NH3 氣體作為原料氣體時，可將NH3 氣體流至導入部，將有機金屬氣體流至副配管36b1 ~36b3 。
說明本發明的成膜裝置10在基板40的表面形成GaN的薄膜之方法。
在此使用在原料氣體放出部20具有配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 的第一例的構造者，但具有溝33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 的第二例的構造的原料氣體放出部20、或具有副配管36b1 ~36b3 的構造的原料氣體放出部20時也是使用方法相同。
參照圖1、圖2，將真空槽12內真空排氣。之後，繼續真空排氣來維持真空槽12內的真空環境。
藉由未圖示的搬送機器人(Robot)來將基板40搬入至真空槽12內，且將基板40載置於基板保持台41上。
使基板保持台41與基板40一起旋轉成與基板40的表面平行(亦即以對基板40的表面成直角的旋轉軸線為中心)，之後繼續基板40的旋轉。在放出容器21的中空部分25導入被溫度管理的冷媒，使各配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 浸泡於冷媒中，之後使冷媒循環於中空部分25而繼續冷卻。
使電熱器42發熱，加熱基板40。
在第二氣體供給部35b是將液體的TMGa藉由H2 氣體或N2 氣體來起泡，而使第二原料氣體的TMGa氣體放出，從第一氣體供給部35a使第一原料氣體的NH3 氣體放出。第一 原料氣體是通過符號31a1 ~31a3 的配管，第二原料氣體是通過符號31b1 ~31b3 的配管，從放出容器21的各不同的放出孔22來朝基板40的表面放出。
被放出的第一、第二原料氣體是在基板40的表面上混合，在基板表面生成GaN的薄膜。與GaN一起生成的副生成物是從排氣口12a來真空排氣至真空槽12的外側。
複數的放出孔22是在放出容器21的壁面彼此等間隔地分開配列成行列狀，因此從各放出孔22放出的第一、第二原料氣體是在基板40上以均一的比例混合，在基板40的表面形成均質的薄膜。
在放出容器21的中空部分25循環著冷媒，各配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 的外周側面與冷媒接觸而被冷卻。因此，各配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 即使因基板40發熱而被加熱，也不會昇溫，可防止在各配管31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 的內部，第一、第二原料氣體被熱分解。
在基板40的表面形成預定的膜厚的薄膜之後，停止來自第一、第二氣體供給部35a、35b的第一、第二原料氣體的供給，完成GaN的薄膜的形成。
形成薄膜之後，停止利用旋轉裝置47之基板40的旋轉，停止利用電熱器42之基板40的加熱，而藉由未圖示的搬送機器人來將基板40搬出至真空槽12的外側，交接至下個工程。
其次，藉由未圖示的搬送機器人來搬入別的基板40至成膜裝置10的真空槽12內，而以上述方法來重複成膜。
在上述說明中，第二氣體供給部35b是將液體的TMGa以H2 氣體或N2 氣體來起泡，而以TMGa氣體作為第二原料氣體放出，但本發明亦可構成使TMGa、三乙基鎵(TEGa)、三甲基鋁(TMAl)、三甲基銦(TMIn)、矽烷(SiH4 )、及雙(環戊二烯)鎂(CP2 Mg)分別在不同的反應容器內起泡，藉由開閉各反應容器的閥來將一種類的有機金屬氣體或二種類以上的有機金屬氣體的混合氣體作為第二原料氣體放出。
此情況，在真空槽12內搬入藍寶石、SiC、Si或GaN的基板40之後，可在同真空槽12內於基板40上依序層疊LT-GaN層、GaN層、Si摻雜n型GaN層、GaN/InGaN多層膜層、及Mg摻雜p型AlGaN層，亦即可製作發光二極體元件的積層構造。
10．．．成膜裝置
12．．．真空槽
21．．．放出容器
22．．．放出孔
25．．．中空部分
23a．．．導入口
23b．．．排出口
31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 ．．．導入部(配管)
32a1 ~32a3 、32b1 ~32b3 ．．．貫通孔
33a1 ~33a3 、33b1 ~33b3 ．．．導入部(溝)
35a．．．第一氣體供給部
35b．．．第二氣體供給部
36b1 ~36b3 ．．．副配管
37b1 ~37b3 ．．．副貫通孔
39a1 ~39a3 、39b1 ~39b3 ．．．貫通孔(開口)
41．．．基板保持部(基板保持台)
圖1是表示本發明的成膜裝置的內部構成圖。
圖2是本發明的成膜裝置的A-A線切斷剖面圖。
圖3(a)~(d)是用以說明原料氣體放出部的製作方法的模式圖。
圖4(a)~(f)是用以說明配管與底板的固定方法的模式圖。
圖5是原料氣體放出部的第二例的內部構成圖。
圖6是原料氣體放出部的第二例的B-B線切斷剖面圖。
圖7(a)、(b)是用以說明具有副配管的原料氣體放出部的模式圖。
圖8是以往的成膜裝置的內部構成圖。
10．．．成膜裝置
12．．．真空槽
12a．．．排氣口
13．．．真空排氣裝置
20．．．原料氣體放出部
21．．．放出容器
22．．．放出孔
25．．．中空部分
23a．．．導入口
23b．．．排出口
31a1 ~31a3 、31b1 ~31b3 ．．．導入部(配管)
32a1 ~32a3 、32b1 ~32b3 ．．．貫通孔
40．．．基板
41．．．基板保持部(基板保持台)
42．．．電熱器
44．．．電源裝置
46．．．旋轉軸
47．．．旋轉裝置
51．．．冷媒循環裝置
52a、52b．．．第一、第二冷媒管

Claims (4)

  1. 一種成膜裝置，係具有：真空槽；中空的放出容器，其係配置於上述真空槽內，設有複數的放出孔；複數的管狀的導入部，其係配置於上述放出容器的中空部分；氣體供給部，其係供給原料氣體至各上述導入部；及基板保持部，其係於與上述放出容器的上述放出孔相對的位置保持基板，各上述導入部的外周側面係密接於上述放出容器之面向上述中空部分的壁面，上述放出孔係設在與上述基板對面的位置，在各上述導入部的上述密接的部分設有使上述導入部的內部空間與上述放出孔連通的貫通孔，又，具有：複數的副配管，其係配置於上述放出容器的上述中空部分，在外周側面設有複數的副貫通孔，上述外周側面的上述副貫通孔的外周部分係與上述放出容器的上述壁面間隔開；及複數的連接管，其係一端被連接至上述副貫通孔，另一端被連接至與連接上述導入部的上述放出孔不同的別的上述放出孔，上述副貫通孔係連通至與連接上述導入部的上述放出孔不同的別的上述放出孔， 上述氣體供給部係具有放出第一、第二原料氣體的第一、第二氣體供給部，上述導入部係被連接至上述第一氣體供給部，上述副配管係被連接至上述第二氣體供給部。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中，各上述導入部係彼此平行朝向上述放出容器的上述壁面而等間隔配置。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之成膜裝置，其中，被連接至上述第一氣體供給部的上述導入部及被連接至上述第二氣體供給部的上述導入部係於上述放出容器的上述壁面交替排列配置。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之成膜裝置，其中，在上述放出容器的容器壁設有導入口及排出口，構成從上述導入口導入被溫度管理的冷媒至上述放出容器的上述中空部分，從上述排出口排出上述冷媒。
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