JPH0536955A - Ｓｉ単結晶薄膜の厚さを均一化する方法 - Google Patents
Ｓｉ単結晶薄膜の厚さを均一化する方法Info
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- JPH0536955A JPH0536955A JP21590291A JP21590291A JPH0536955A JP H0536955 A JPH0536955 A JP H0536955A JP 21590291 A JP21590291 A JP 21590291A JP 21590291 A JP21590291 A JP 21590291A JP H0536955 A JPH0536955 A JP H0536955A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＳＯＩ工程を有するＳｉ単結晶薄膜の厚さの
バラツキを少なくし、薄膜の厚さを均一化する。 【構成】 薄膜を厚さ毎にいくつかの領域に区分し、膜
厚の厚い領域ほど酸化膜が薄く、膜厚の薄い領域ほど酸
化膜が厚くなるように酸化膜を形成し、この後に酸化処
理を行ない、酸化膜の成長速度の差を利用して薄膜の厚
い領域ほどＳｉ界面が下方に移動するようにする。階段
状になった薄膜表面はその後の研磨処理により平坦化さ
れる。
バラツキを少なくし、薄膜の厚さを均一化する。 【構成】 薄膜を厚さ毎にいくつかの領域に区分し、膜
厚の厚い領域ほど酸化膜が薄く、膜厚の薄い領域ほど酸
化膜が厚くなるように酸化膜を形成し、この後に酸化処
理を行ない、酸化膜の成長速度の差を利用して薄膜の厚
い領域ほどＳｉ界面が下方に移動するようにする。階段
状になった薄膜表面はその後の研磨処理により平坦化さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ単結晶薄膜の厚さ
を均一化する方法に関し、特にＳＯＩ構造を有するＳｉ
単結晶薄膜の厚さを均一化する方法に関する。
を均一化する方法に関し、特にＳＯＩ構造を有するＳｉ
単結晶薄膜の厚さを均一化する方法に関する。
【０００２】
【発明の背景技術】半導体素子を製造する場合、表面に
絶縁層が形成された半導体基板上に半導体層を形成し、
この半導体層上に素子を形成する方法がある。特にＳｉ
単結晶層を絶縁膜上に形成して成るいわゆるＳＯＩ（Ｓ
ｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用い
て半導体素子を製造する方法が注目されている。この場
合、絶縁膜上に形成されるＳｉ単結晶層は数μｍ程度の
厚さの薄膜であり、その厚さ精度は平面研削盤と研磨精
度に依存する。通常は、目標絶対厚さに対して±０．５
μｍ程度である。
絶縁層が形成された半導体基板上に半導体層を形成し、
この半導体層上に素子を形成する方法がある。特にＳｉ
単結晶層を絶縁膜上に形成して成るいわゆるＳＯＩ（Ｓ
ｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用い
て半導体素子を製造する方法が注目されている。この場
合、絶縁膜上に形成されるＳｉ単結晶層は数μｍ程度の
厚さの薄膜であり、その厚さ精度は平面研削盤と研磨精
度に依存する。通常は、目標絶対厚さに対して±０．５
μｍ程度である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体素子の
性能を向上させ、歩留まり良く量産するには、半導体層
の厚さのバラツキが目標絶対厚さに対して±０．１μｍ
以下であるのが望ましく、従来のように±０．５μｍ程
度のバラツキでは半導体素子の性能を十分向上させるこ
とができない。
性能を向上させ、歩留まり良く量産するには、半導体層
の厚さのバラツキが目標絶対厚さに対して±０．１μｍ
以下であるのが望ましく、従来のように±０．５μｍ程
度のバラツキでは半導体素子の性能を十分向上させるこ
とができない。
【０００４】従って本発明は、ＳＯＩ構造を有するＳｉ
単結晶薄膜の厚さのバラツキを少なくし、薄膜の厚さを
均一化する方法を提供することを目的とする。
単結晶薄膜の厚さのバラツキを少なくし、薄膜の厚さを
均一化する方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の方法である、Ｓ
ＯＩ構造を有するＳｉ単結晶薄膜の厚さを均一化する方
法は、次の工程を含む。 （ａ）Ｓｉ単結晶薄膜の表面をその膜厚に対応して区分
し、膜厚が厚い順に第１領域から第ｎ領域までのｎ個
（ｎは２以上の整数）の領域に区分する工程 （ｂ）次にＳｉ単結晶薄膜の全表面に、熱酸化法により
厚さがほぼ均一である１次のＳｉ酸化膜を形成させる工
程 （ｃ）次に（ａ）工程により区分された膜厚の最も厚い
第１領域のみを残し、他の部分をマスキング材でマスク
し、特定の条件により第１領域のＳｉ酸化膜を一定深さ
に達するまでエッチング除去する工程 （ｄ）引き続き第２〜ｎの各厚さ領域について順次
（ｃ）工程と同様の工程を反復し、（ｂ）工程で形成し
た１次のＳｉ酸化膜上にｎ個の段差を設ける工程 （ｅ）前記段差を設けた１次のＳｉ酸化膜を残すＳｉ単
結晶薄膜面に、２次の熱酸化処理を施し、Ｓｉ単結晶薄
膜層内に前記Ｓｉ酸化膜の段差に対応する新たなＳｉ酸
化膜の段差層を形成させる工程 （ｆ）その後１次及び２次の残存するＳｉ酸化膜層をエ
ッチング処理で除去する工程 （ｇ）引き続き、必要に応じて（ａ）〜（ｆ）の工程を
反復する工程 （ｈ）最後にＳｉ単結晶薄膜の薄膜面を鏡面研磨して仕
上げる工程
ＯＩ構造を有するＳｉ単結晶薄膜の厚さを均一化する方
法は、次の工程を含む。 （ａ）Ｓｉ単結晶薄膜の表面をその膜厚に対応して区分
し、膜厚が厚い順に第１領域から第ｎ領域までのｎ個
（ｎは２以上の整数）の領域に区分する工程 （ｂ）次にＳｉ単結晶薄膜の全表面に、熱酸化法により
厚さがほぼ均一である１次のＳｉ酸化膜を形成させる工
程 （ｃ）次に（ａ）工程により区分された膜厚の最も厚い
第１領域のみを残し、他の部分をマスキング材でマスク
し、特定の条件により第１領域のＳｉ酸化膜を一定深さ
に達するまでエッチング除去する工程 （ｄ）引き続き第２〜ｎの各厚さ領域について順次
（ｃ）工程と同様の工程を反復し、（ｂ）工程で形成し
た１次のＳｉ酸化膜上にｎ個の段差を設ける工程 （ｅ）前記段差を設けた１次のＳｉ酸化膜を残すＳｉ単
結晶薄膜面に、２次の熱酸化処理を施し、Ｓｉ単結晶薄
膜層内に前記Ｓｉ酸化膜の段差に対応する新たなＳｉ酸
化膜の段差層を形成させる工程 （ｆ）その後１次及び２次の残存するＳｉ酸化膜層をエ
ッチング処理で除去する工程 （ｇ）引き続き、必要に応じて（ａ）〜（ｆ）の工程を
反復する工程 （ｈ）最後にＳｉ単結晶薄膜の薄膜面を鏡面研磨して仕
上げる工程
【０００６】上記方法において、Ｓｉ単結晶薄膜の表面
をその膜厚に対応して区分する手段は、多重光束干渉法
による２次元及び３次元像を観察する方法が適用でき
る。また、マスキング材は、エッチング液に対し化学的
に安定な、例えば合成樹脂製の片面粘着シート若しくは
塗布後に硬化させた樹脂被膜を使用する。
をその膜厚に対応して区分する手段は、多重光束干渉法
による２次元及び３次元像を観察する方法が適用でき
る。また、マスキング材は、エッチング液に対し化学的
に安定な、例えば合成樹脂製の片面粘着シート若しくは
塗布後に硬化させた樹脂被膜を使用する。
【０００７】
【作用】Ｓｉ熱酸化膜の成長は、酸化膜厚さＴOX［μ
ｍ］と処理時間ｔ［ｍｉｎ］の関係で見ると、低温を除
き、次式の様になる。 ＴOX 2 ＝ ｃ1 ｔ （ｃ1 は定数） （１） ドライ酸化の場合、処理温度Ｔが１１００℃以上では、
次式で計算できる。 ＴOX 2 ＝ ２１．２ｔ・ｅｘｐ（−Ｅa ／ｋＴ） （２） ここでＥa は活性化エネルギーで、この場合は１．３３
ｅｖである。
ｍ］と処理時間ｔ［ｍｉｎ］の関係で見ると、低温を除
き、次式の様になる。 ＴOX 2 ＝ ｃ1 ｔ （ｃ1 は定数） （１） ドライ酸化の場合、処理温度Ｔが１１００℃以上では、
次式で計算できる。 ＴOX 2 ＝ ２１．２ｔ・ｅｘｐ（−Ｅa ／ｋＴ） （２） ここでＥa は活性化エネルギーで、この場合は１．３３
ｅｖである。
【０００８】水蒸気酸化の場合、処理温度Ｔが１１００
℃以上、処理時間ｔ＞５分では、次式で計算できる。 ＴOX 2 ＝ ７．６ｔ・ｅｘｐ（−Ｅa ／ｋＴ） （３） この場合、Ｅa は０．８０ｅＶである。
℃以上、処理時間ｔ＞５分では、次式で計算できる。 ＴOX 2 ＝ ７．６ｔ・ｅｘｐ（−Ｅa ／ｋＴ） （３） この場合、Ｅa は０．８０ｅＶである。
【０００９】従って、ＳＯＩ基板におけるＳｉの単結晶
薄膜の表面上にＳｉ酸化膜厚さの異なる部分を形成し、
この基板を酸化処理してさらに酸化膜を形成した場合、
Ｓｉ酸化膜と薄膜層との界面の深さ方向の位置は、酸化
膜が厚い部分ほど下降の程度が小さい。
薄膜の表面上にＳｉ酸化膜厚さの異なる部分を形成し、
この基板を酸化処理してさらに酸化膜を形成した場合、
Ｓｉ酸化膜と薄膜層との界面の深さ方向の位置は、酸化
膜が厚い部分ほど下降の程度が小さい。
【００１０】すなわち、厚い酸化膜が形成されている領
域と、薄い酸化膜が形成されている領域とでは、酸化膜
の成長速度が異なるので、酸化膜の成長に伴って消費さ
れる単結晶薄膜層の深さが異なる。この結果、酸化膜の
薄い領域のＳｉがより多く消費され、その分だけＳｉの
酸化物と薄膜との界面の高さが下方に位置し、その領域
の薄膜の厚さは薄くなる。従って、薄膜の相対的に厚い
領域には薄い酸化膜を形成する一方、薄膜の相対的に薄
い領域には厚い酸化膜を形成した状態で酸化処理を行な
うと、酸化膜の薄い領域すなわち薄膜の厚い領域のＳｉ
がより多く消費され、薄膜は薄くなる。
域と、薄い酸化膜が形成されている領域とでは、酸化膜
の成長速度が異なるので、酸化膜の成長に伴って消費さ
れる単結晶薄膜層の深さが異なる。この結果、酸化膜の
薄い領域のＳｉがより多く消費され、その分だけＳｉの
酸化物と薄膜との界面の高さが下方に位置し、その領域
の薄膜の厚さは薄くなる。従って、薄膜の相対的に厚い
領域には薄い酸化膜を形成する一方、薄膜の相対的に薄
い領域には厚い酸化膜を形成した状態で酸化処理を行な
うと、酸化膜の薄い領域すなわち薄膜の厚い領域のＳｉ
がより多く消費され、薄膜は薄くなる。
【００１１】従って、薄膜をいくつかの領域に区分し、
膜厚の厚い領域ほど逆に酸化膜の膜厚が薄くなるように
酸化膜を形成し、この状態で酸化処理を行なうことによ
り、薄膜の厚い領域の膜厚を相対的に薄くなり、薄膜全
体の厚さの均一化を図ることができる。
膜厚の厚い領域ほど逆に酸化膜の膜厚が薄くなるように
酸化膜を形成し、この状態で酸化処理を行なうことによ
り、薄膜の厚い領域の膜厚を相対的に薄くなり、薄膜全
体の厚さの均一化を図ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について添付図面を参
照しながら説明する。図１は、本発明の半導体薄膜の膜
厚制御法の一実施例を示す工程図である。図１（ａ）に
おいて、ベース・ウエハ１０の熱酸化によりその両面に
は所定膜厚の酸化膜１１及び１２が形成されている。そ
して、酸化膜１１上にはボンド・ウエハ１３が接着され
ている。このボンド・ウエハ１３の厚さは均一ではな
く、例えば図のように左側が厚く、右側が薄いものとす
る。このような膜厚の不均一は、ウエハを観察した場合
に干渉縞となって現れる。この膜厚のムラをナノスペッ
ク等の膜厚測定器により測定し、ボンド・ウエハ１３の
膜厚の不均一性を例えば０．０６μｍ毎の等高線により
把握する。本実施例では説明を簡略化するために、０．
０６μｍ毎の等高線により厚さ毎に５領域に分類される
ものとする。
照しながら説明する。図１は、本発明の半導体薄膜の膜
厚制御法の一実施例を示す工程図である。図１（ａ）に
おいて、ベース・ウエハ１０の熱酸化によりその両面に
は所定膜厚の酸化膜１１及び１２が形成されている。そ
して、酸化膜１１上にはボンド・ウエハ１３が接着され
ている。このボンド・ウエハ１３の厚さは均一ではな
く、例えば図のように左側が厚く、右側が薄いものとす
る。このような膜厚の不均一は、ウエハを観察した場合
に干渉縞となって現れる。この膜厚のムラをナノスペッ
ク等の膜厚測定器により測定し、ボンド・ウエハ１３の
膜厚の不均一性を例えば０．０６μｍ毎の等高線により
把握する。本実施例では説明を簡略化するために、０．
０６μｍ毎の等高線により厚さ毎に５領域に分類される
ものとする。
【００１３】本実施例の方法では、まず、ボンド・ウエ
ハ１３の上面に厚さ１．０μｍの酸化膜１４を形成する
（図１（ａ））。
ハ１３の上面に厚さ１．０μｍの酸化膜１４を形成する
（図１（ａ））。
【００１４】次に、前述の測定結果に基づいて、ボンド
・ウエハ１３の最も厚い領域Ａを残して他の領域上をマ
スク材１５によりマスキングした後、エッチング液（Ｈ
Ｆ水溶液）によりエッチングし、マスキングしていない
領域Ａの酸化膜を０．１７μｍ厚さだけ除去する（図１
（ｂ））。
・ウエハ１３の最も厚い領域Ａを残して他の領域上をマ
スク材１５によりマスキングした後、エッチング液（Ｈ
Ｆ水溶液）によりエッチングし、マスキングしていない
領域Ａの酸化膜を０．１７μｍ厚さだけ除去する（図１
（ｂ））。
【００１５】次に、領域Ａと、ボンド・ウエハ１３の厚
さが領域Ａの次に厚い領域Ｂの両領域を残し、他の領域
上をマスク材１５によりマスキングし直した後、エッチ
ング液（ＨＦ水溶液）によりエッチングし、マスキング
していない領域Ａ及びＢの酸化膜を０．１８μｍ厚さだ
け除去する（図１（ｃ））。
さが領域Ａの次に厚い領域Ｂの両領域を残し、他の領域
上をマスク材１５によりマスキングし直した後、エッチ
ング液（ＨＦ水溶液）によりエッチングし、マスキング
していない領域Ａ及びＢの酸化膜を０．１８μｍ厚さだ
け除去する（図１（ｃ））。
【００１６】次に、上記と同様に領域Ａ及びＢと、ボン
ド・ウエハ１３の厚さが領域Ｂの次に厚い領域Ｃの各領
域を残し、他の領域上をマスク材１５によりマスキング
し直した後、エッチング液（ＨＦ水溶液）によりエッチ
ングし、マスキングしていない領域Ａ、Ｂ及びＣの酸化
膜を０．２５μｍ厚さだけ除去する（図１（ｄ））。
ド・ウエハ１３の厚さが領域Ｂの次に厚い領域Ｃの各領
域を残し、他の領域上をマスク材１５によりマスキング
し直した後、エッチング液（ＨＦ水溶液）によりエッチ
ングし、マスキングしていない領域Ａ、Ｂ及びＣの酸化
膜を０．２５μｍ厚さだけ除去する（図１（ｄ））。
【００１７】さらに、上記と同様に、領域Ａ、Ｂ及びＣ
と、ボンド・ウエハ１３の厚さが領域Ｃの次に厚い領域
Ｄの各領域を残し、他の領域上をマスク材１５によりマ
スキングし直した後、エッチング液（ＨＦ水溶液）によ
りエッチングし、マスキングしていない領域Ａ、Ｂ、Ｃ
及びＤの酸化膜を０．４０μｍ厚さだけ除去する。そし
て、マスク材を除去する（図１（ｅ））。この状態で
は、領域ＡからＥに行くに従って酸化膜が段階的に厚く
なっており、特に領域Ａには酸化膜がほどんど無い状態
となる。
と、ボンド・ウエハ１３の厚さが領域Ｃの次に厚い領域
Ｄの各領域を残し、他の領域上をマスク材１５によりマ
スキングし直した後、エッチング液（ＨＦ水溶液）によ
りエッチングし、マスキングしていない領域Ａ、Ｂ、Ｃ
及びＤの酸化膜を０．４０μｍ厚さだけ除去する。そし
て、マスク材を除去する（図１（ｅ））。この状態で
は、領域ＡからＥに行くに従って酸化膜が段階的に厚く
なっており、特に領域Ａには酸化膜がほどんど無い状態
となる。
【００１８】上記のウエハを、酸化膜が無い領域Ａに
１．０μｍの厚さの酸化膜が形成される条件で酸化処理
を行なう（図１（ｆ））。
１．０μｍの厚さの酸化膜が形成される条件で酸化処理
を行なう（図１（ｆ））。
【００１９】次に、酸化膜をエッチング液（ＨＦ水溶
液）により全面エッチングする（図１（ｇ））。このと
き、領域Ａには１．０μｍの厚さの酸化膜が形成される
が、他の領域にはそれぞれ所定の厚さの酸化膜が既に形
成されているので、新たに形成される酸化膜の厚さは
１．０μｍより薄くなり、酸化膜の厚い領域すなわちボ
ンド・ウエハ１３の薄い領域ほど酸化膜の成長量は少な
くなる。従って、ボンド・ウエハ１３のもともと厚かっ
た領域ほどＳｉの酸化物と薄膜の界面が下がり、ボンド
・ウエハ１３のウエハ全体の膜厚は階段上ではあるが均
一化される。
液）により全面エッチングする（図１（ｇ））。このと
き、領域Ａには１．０μｍの厚さの酸化膜が形成される
が、他の領域にはそれぞれ所定の厚さの酸化膜が既に形
成されているので、新たに形成される酸化膜の厚さは
１．０μｍより薄くなり、酸化膜の厚い領域すなわちボ
ンド・ウエハ１３の薄い領域ほど酸化膜の成長量は少な
くなる。従って、ボンド・ウエハ１３のもともと厚かっ
た領域ほどＳｉの酸化物と薄膜の界面が下がり、ボンド
・ウエハ１３のウエハ全体の膜厚は階段上ではあるが均
一化される。
【００２０】表面に生じた段差は、その後に鏡面研磨す
ることにより平坦化することができる。通常、１つの段
差の最大値の１０倍程度の厚さを研磨すれば十分であ
り、本実施例では０．６μｍ以上研磨すれば良い。
ることにより平坦化することができる。通常、１つの段
差の最大値の１０倍程度の厚さを研磨すれば十分であ
り、本実施例では０．６μｍ以上研磨すれば良い。
【００２１】図２は、膜厚均一化処理を行なう前のＳＯ
Ｉ基板の表面状態を等高線により示したものであり、
（ａ）は２次元図、（ｂ）は３次元図である。一方図３
は、膜厚均一化処理を行なった後のＳＯＩ基板の表面状
態を等高線により示したものであり、（ａ）は２次元
図、（ｂ）は３次元図である。各図から分かるように、
膜厚均一化処理を行う前のウエハは等高線の間隔が狭
く、膜厚のバラツキが大きいが、膜厚均一化処理を行っ
た後のウエハは等高線の間隔が広くなり、膜厚のバラツ
キが小さくなっている。また、上記方法により、膜厚の
バラツキが０．４５μｍあったウエハを０．２２μｍま
で改善されたことが確認できた。
Ｉ基板の表面状態を等高線により示したものであり、
（ａ）は２次元図、（ｂ）は３次元図である。一方図３
は、膜厚均一化処理を行なった後のＳＯＩ基板の表面状
態を等高線により示したものであり、（ａ）は２次元
図、（ｂ）は３次元図である。各図から分かるように、
膜厚均一化処理を行う前のウエハは等高線の間隔が狭
く、膜厚のバラツキが大きいが、膜厚均一化処理を行っ
た後のウエハは等高線の間隔が広くなり、膜厚のバラツ
キが小さくなっている。また、上記方法により、膜厚の
バラツキが０．４５μｍあったウエハを０．２２μｍま
で改善されたことが確認できた。
【００２２】なお、上記等高線の厚さの間隔は０．０６
μｍに限定する必要はなく、必要な精度に応じて決定さ
れる。すなわち、必要に応じて領域の区分をさらに細分
化し、上記工程を繰り返すことによってボンド・ウエハ
１３の膜厚の均一化の精度を向上することができる。
μｍに限定する必要はなく、必要な精度に応じて決定さ
れる。すなわち、必要に応じて領域の区分をさらに細分
化し、上記工程を繰り返すことによってボンド・ウエハ
１３の膜厚の均一化の精度を向上することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、ＳＯ
Ｉ構造を有するＳｉ単結晶薄膜の厚さのバラツキを少な
くし、薄膜の厚さを均一化することができる。
Ｉ構造を有するＳｉ単結晶薄膜の厚さのバラツキを少な
くし、薄膜の厚さを均一化することができる。
【図１】本発明の方法の一実施例を示す工程図である。
【図２】本発明の方法による膜厚均一化処理を行なう前
のＳＯＩ基板の表面状態を等高線により示したものであ
り、（ａ）は２次元図、（ｂ）は３次元図である。
のＳＯＩ基板の表面状態を等高線により示したものであ
り、（ａ）は２次元図、（ｂ）は３次元図である。
【図３】本発明の方法による膜厚均一化処理を行なった
後のＳＯＩ基板の表面状態を等高線により示したもので
あり、（ａ）は２次元図、（ｂ）は３次元図である。
後のＳＯＩ基板の表面状態を等高線により示したもので
あり、（ａ）は２次元図、（ｂ）は３次元図である。
１０ ベース・ウエハ
１１，１２，１４ 酸化膜
１３ ボンド・ウエハ
１５ マスク材
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 内山 敦雄
長野県更埴市大字屋代1393番地 長野電子
工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ＳＯＩ構造を有するＳｉ単結晶薄膜の厚
さを均一化するための、次の工程を含む方法。 （ａ）Ｓｉ単結晶薄膜の表面をその膜厚に対応して区分
し、膜厚が厚い順に第１領域から第ｎ領域までのｎ個
（ｎは２以上の整数）の領域に区分する工程 （ｂ）次にＳｉ単結晶薄膜の全表面に、熱酸化法により
厚さがほぼ均一である１次のＳｉ酸化膜を形成させる工
程 （ｃ）次に（ａ）工程により区分されたＳｉ単結晶薄膜
の膜厚の最も厚い第１領域のみを残し、他の部分をマス
キング材でマスクし、特定の条件により第１領域のＳｉ
酸化膜を一定深さに達するまでエッチング除去する工程 （ｄ）引き続きＳｉ単結晶薄膜の第２〜ｎの各厚さ領域
について順次（ｃ）工程と同様の工程を反復し、（ｂ）
工程で形成した１次のＳｉ酸化膜上にｎ個の段差を設け
る工程 （ｅ）前記段差を設けた１次のＳｉ酸化膜を残すＳｉ単
結晶薄膜面に、２次の熱酸化処理を施し、Ｓｉ単結晶薄
膜層内に前記Ｓｉ酸化膜の段差に対応する新たなＳｉ酸
化膜の段差層を形成させる工程 （ｆ）その後１次及び２次の残存するＳｉ酸化膜層をエ
ッチング処理で除去する工程 （ｇ）引き続き、必要に応じて（ａ）〜（ｆ）の工程を
反復する工程 （ｈ）最後にＳｉ単結晶薄膜の薄膜面を鏡面研磨して仕
上げる工程 - 【請求項２】 Ｓｉ単結晶薄膜の表面をその膜厚に対応
して区分する手段は、多重光束干渉法による２次元及び
３次元像によるものである請求項１に記載のＳｉ単結晶
薄膜の厚さを均一化する方法。 - 【請求項３】 マスキング材は、エッチング液に対し化
学的に安定な、合成樹脂製の片面粘着シート若しくは塗
布後に硬化させた樹脂被膜を使用する、請求項１又は請
求項２に記載のＳｉ単結晶薄膜の厚さを均一化する方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3215902A JP2519138B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | Ｓｉ単結晶薄膜の厚さを均一化する方法 |
| US07/921,348 US5213657A (en) | 1991-07-31 | 1992-07-29 | Method for making uniform the thickness of a si single crystal thin film |
| DE69227807T DE69227807T2 (de) | 1991-07-31 | 1992-07-30 | Verfahren, um die Dicke eines monokristallinen Si-Dünnfilms gleichförmig zu machen |
| EP92113032A EP0525781B1 (en) | 1991-07-31 | 1992-07-30 | Method for making uniform the thickness of a Si single crystal thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3215902A JP2519138B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | Ｓｉ単結晶薄膜の厚さを均一化する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536955A true JPH0536955A (ja) | 1993-02-12 |
| JP2519138B2 JP2519138B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=16680149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3215902A Expired - Lifetime JP2519138B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | Ｓｉ単結晶薄膜の厚さを均一化する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2519138B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5864753A (en) * | 1995-03-06 | 1999-01-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Radio station tuning system |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP3215902A patent/JP2519138B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5864753A (en) * | 1995-03-06 | 1999-01-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Radio station tuning system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2519138B2 (ja) | 1996-07-31 |
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