JPH053403A - モノリシツクマイクロ波集積回路 - Google Patents
モノリシツクマイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPH053403A JPH053403A JP18016091A JP18016091A JPH053403A JP H053403 A JPH053403 A JP H053403A JP 18016091 A JP18016091 A JP 18016091A JP 18016091 A JP18016091 A JP 18016091A JP H053403 A JPH053403 A JP H053403A
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- Japan
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- integrated circuit
- microwave integrated
- monolithic microwave
- wiring
- mim capacitor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】製造工程を増加させることなく、ＭＩＭキャパ
シタの絶縁不良等を低減させることができるモノリシッ
クマイクロ波集積回路を提供する。 【構成】モノリシックマイクロ波集積回路のＭＩＭキャ
パシタの上地電極とそれに接続される金属パターンとの
接続をエアブリッジ配線を用いて行ない、下地電極と上
地電極の交差部において、上地電極が誘電体薄膜に接し
ない構造とする。これにより、前記交差部における短絡
や絶縁不良を大幅に低減することができる。また、エア
ブリッジ配線は、通常のモノリシックマイクロ波集積回
路の工程で用いられているものであり、製造工程の増加
はない。図において、上地電極13は、下地電極12の端部
20でエアブリッジ配線21を用いて、接続するべきパター
ン15に配線されている。
シタの絶縁不良等を低減させることができるモノリシッ
クマイクロ波集積回路を提供する。 【構成】モノリシックマイクロ波集積回路のＭＩＭキャ
パシタの上地電極とそれに接続される金属パターンとの
接続をエアブリッジ配線を用いて行ない、下地電極と上
地電極の交差部において、上地電極が誘電体薄膜に接し
ない構造とする。これにより、前記交差部における短絡
や絶縁不良を大幅に低減することができる。また、エア
ブリッジ配線は、通常のモノリシックマイクロ波集積回
路の工程で用いられているものであり、製造工程の増加
はない。図において、上地電極13は、下地電極12の端部
20でエアブリッジ配線21を用いて、接続するべきパター
ン15に配線されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モノリシックマイクロ
波集積回路の構成に関するものである。
波集積回路の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１に、従来のモノリシックマイクロ波
集積回路に用いられるパターンの第１の例を示す。
（ａ）は上から見た図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ’断面図である。同図において、10は上層配線、11、
16は上層配線と下層配線を接続するためのコンタクトホ
ール、12は下層配線でありＭＩＭキャパシタの下地電
極、13はＭＩＭキャパシタの上地電極、14は下層配線、
15は上層配線を渦巻き状に巻いて構成されたスパイラル
インダクタ、17はエアブリッジ配線、18はＧａＡｓ基
板、19は誘電体薄膜である。図１に示したように、モノ
リシックマイクロ波集積回路においてキャパシタを構成
する場合には、誘電体薄膜19を金属12及び13で挟み込ん
だＭＩＭキャパシタの構成とする。また、金属同士の配
線が交差する場合には、下側の配線14（下層配線）をも
う一方の配線17がエアブリッジするエアブリッジ配線と
することで、２つの配線14と17が接触するのを防いでい
る。このような構成のモノリシックマイクロ波集積回路
は、通信の分野などで広く用いられている。
集積回路に用いられるパターンの第１の例を示す。
（ａ）は上から見た図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ’断面図である。同図において、10は上層配線、11、
16は上層配線と下層配線を接続するためのコンタクトホ
ール、12は下層配線でありＭＩＭキャパシタの下地電
極、13はＭＩＭキャパシタの上地電極、14は下層配線、
15は上層配線を渦巻き状に巻いて構成されたスパイラル
インダクタ、17はエアブリッジ配線、18はＧａＡｓ基
板、19は誘電体薄膜である。図１に示したように、モノ
リシックマイクロ波集積回路においてキャパシタを構成
する場合には、誘電体薄膜19を金属12及び13で挟み込ん
だＭＩＭキャパシタの構成とする。また、金属同士の配
線が交差する場合には、下側の配線14（下層配線）をも
う一方の配線17がエアブリッジするエアブリッジ配線と
することで、２つの配線14と17が接触するのを防いでい
る。このような構成のモノリシックマイクロ波集積回路
は、通信の分野などで広く用いられている。
【０００３】図２に、従来のモノリシックマイクロ波集
積回路に用いられるパターンの第２の例を示す。（ａ）
は上から見た図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面
図である。図１に示した第１の例との差異は、図２の例
では、ＭＩＭキャパシタにおいて、上地電極13が下地電
極12の端を横切る箇所20に絶縁膜30を積層している点で
ある。
積回路に用いられるパターンの第２の例を示す。（ａ）
は上から見た図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面
図である。図１に示した第１の例との差異は、図２の例
では、ＭＩＭキャパシタにおいて、上地電極13が下地電
極12の端を横切る箇所20に絶縁膜30を積層している点で
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図１に示した構成にお
いては、ＭＩＭキャパシタの下地電極12の端部20は、平
坦ではなくとがった形状になることがある。この場合、
20の部分において、誘電体薄膜19が切れ、上地電極13と
下地電極12が接触、短絡し、不良を起こしていた。ま
た。短絡しない場合でも、上地電極との距離が近いた
め、耐圧が低くなってしまっていた。さらに、プロセス
の改良により端部20を完全に平坦にできたとしても、金
属の端部には電界が集中するため、20の部分で絶縁不良
を起こしやすく、ＭＩＭキャパシタの耐圧を下げてしま
うという問題を生じていた。
いては、ＭＩＭキャパシタの下地電極12の端部20は、平
坦ではなくとがった形状になることがある。この場合、
20の部分において、誘電体薄膜19が切れ、上地電極13と
下地電極12が接触、短絡し、不良を起こしていた。ま
た。短絡しない場合でも、上地電極との距離が近いた
め、耐圧が低くなってしまっていた。さらに、プロセス
の改良により端部20を完全に平坦にできたとしても、金
属の端部には電界が集中するため、20の部分で絶縁不良
を起こしやすく、ＭＩＭキャパシタの耐圧を下げてしま
うという問題を生じていた。
【０００５】一方、図２に示した従来例においては、上
記の問題の解決を図るために、ＭＩＭキャパシタの上地
電極13が下地電極12の端を横切る箇所20に新たに絶縁膜
30を積層している。このため、誘電体薄膜19が切れた場
合でも絶縁膜30があるため、上地電極13と下地電極12の
短絡を防ぐことができる。また、電極間の距離も広がる
ことになるので端部20での電界の集中が緩和され、不良
を起こしにくい。しかしながら、この従来例において
は、上述の第１の従来例（図１）と比較して製造工程が
増加してしまうという問題があった。
記の問題の解決を図るために、ＭＩＭキャパシタの上地
電極13が下地電極12の端を横切る箇所20に新たに絶縁膜
30を積層している。このため、誘電体薄膜19が切れた場
合でも絶縁膜30があるため、上地電極13と下地電極12の
短絡を防ぐことができる。また、電極間の距離も広がる
ことになるので端部20での電界の集中が緩和され、不良
を起こしにくい。しかしながら、この従来例において
は、上述の第１の従来例（図１）と比較して製造工程が
増加してしまうという問題があった。
【０００６】本発明は、このような問題を解決し、ＭＩ
Ｍキャパシタにおける絶縁不良の発生を抑え、かつ、製
造工程が増加しないモノリシックマイクロ波集積回路を
提供することを目的とする。
Ｍキャパシタにおける絶縁不良の発生を抑え、かつ、製
造工程が増加しないモノリシックマイクロ波集積回路を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のモノリシックマイクロ波集積回路は、ＭＩ
Ｍキャパシタと、配線がその直下を気体または真空とす
るエアブリッジ配線を有するモノリシックマイクロ波集
積回路において、ＭＩＭキャパシタの上地電極と、前記
上地電極に接続される金属パターンとの接続にエアブリ
ッジ配線を用いている。
め、本発明のモノリシックマイクロ波集積回路は、ＭＩ
Ｍキャパシタと、配線がその直下を気体または真空とす
るエアブリッジ配線を有するモノリシックマイクロ波集
積回路において、ＭＩＭキャパシタの上地電極と、前記
上地電極に接続される金属パターンとの接続にエアブリ
ッジ配線を用いている。
【０００８】
【作用】このようにすると、エアブリッジ配線を用いる
ことにより、ＭＩＭキャパシタの下地電極の端部で誘電
体薄膜が切断されてしまった場合でも、上地電極と下地
電極の短絡は生じることはなく、また、電極間の距離が
大きくなるので下地電極端部における電界集中が妨げら
れ、絶縁不良等を低減できる。さらに、エアブリッジ配
線は、通常のモノリシックマイクロ波集積回路のプロセ
スで用いられているものであり、これにより、製造工程
が増加するようなことはない。
ことにより、ＭＩＭキャパシタの下地電極の端部で誘電
体薄膜が切断されてしまった場合でも、上地電極と下地
電極の短絡は生じることはなく、また、電極間の距離が
大きくなるので下地電極端部における電界集中が妨げら
れ、絶縁不良等を低減できる。さらに、エアブリッジ配
線は、通常のモノリシックマイクロ波集積回路のプロセ
スで用いられているものであり、これにより、製造工程
が増加するようなことはない。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図３を参照しつつ、
説明する。同図において、図２の従来例の絶縁膜30の代
わりにエアブリッジ配線21を用いている。（ａ）は上か
ら見た図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’断面図であ
る。上地電極13は、下地電極12の端部20でエアブリッジ
配線21を用いてパターン15に接続されている。エアブリ
ッジ配線21以外は、図１と同様である。このようにする
ことにより、誘電体薄膜19が、下地電極12の端部20で切
れた場合でも、上地電極13と下地電極12は短絡しない。
また、エアブリッジ配線21においては、ＭＩＭキャパシ
タの他の部分に比べて下地電極12との距離が離れてお
り、図１のように誘電体薄膜19のみを挟み込んだ場合に
比べて誘電率が低いので、従来の方法と比較して下地電
極12端部における電界集中を防ぐことができ、絶縁不良
を低減することができる。
説明する。同図において、図２の従来例の絶縁膜30の代
わりにエアブリッジ配線21を用いている。（ａ）は上か
ら見た図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’断面図であ
る。上地電極13は、下地電極12の端部20でエアブリッジ
配線21を用いてパターン15に接続されている。エアブリ
ッジ配線21以外は、図１と同様である。このようにする
ことにより、誘電体薄膜19が、下地電極12の端部20で切
れた場合でも、上地電極13と下地電極12は短絡しない。
また、エアブリッジ配線21においては、ＭＩＭキャパシ
タの他の部分に比べて下地電極12との距離が離れてお
り、図１のように誘電体薄膜19のみを挟み込んだ場合に
比べて誘電率が低いので、従来の方法と比較して下地電
極12端部における電界集中を防ぐことができ、絶縁不良
を低減することができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エアブリッジ配線によって、ＭＩＭキャパシタの上地電
極と下地電極間の短絡等の不良を防ぐことができる。さ
らに、通常のモノリシックマイクロ波集積回路で用いら
れているエアブリッジ配線の製造工程を使用しているの
で、特に製造工程を増やすことなく上述の効果が実現で
きるという長所もある。
エアブリッジ配線によって、ＭＩＭキャパシタの上地電
極と下地電極間の短絡等の不良を防ぐことができる。さ
らに、通常のモノリシックマイクロ波集積回路で用いら
れているエアブリッジ配線の製造工程を使用しているの
で、特に製造工程を増やすことなく上述の効果が実現で
きるという長所もある。
【図１】 従来例１、ＭＩＭキャパシタ電極間は誘電体
薄膜のみの図。
薄膜のみの図。
【図２】 従来例２、ＭＩＭキャパシタ電極間に絶縁膜
を形成した図。
を形成した図。
【図３】 本発明を実施した、ＭＩＭキャパシタ下地電
極端部においてエアブリッジ配線を行なった図。
極端部においてエアブリッジ配線を行なった図。
10 上層配線 11 コンタクトホール 12 ＭＩＭキャパシタの下地電極 13 ＭＩＭキャパシタの上地電極 14 下層配線 15 スパイラルインダクタ 16 コンタクトホール 17 エアブリッジ配線 18 ＧａＡｓ基板 19 誘電体薄膜 20 ＭＩＭキャパシタの下地電極端部 21 エアブリッジ配線 30 絶縁膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 金属（Ｍｅｔａｌ）−誘電体薄膜（Ｉｎ
ｓｕｌａｔｏｒ）−金属（Ｍｅｔａｌ）からなるＭＩＭ
キャパシタと、配線がその直下を気体または真空とする
エアブリッジ配線を有するモノリシックマイクロ波集積
回路において、ＭＩＭキャパシタの上地電極と、前記上
地電極に接続される金属パターンとの接続にエアブリッ
ジ配線を用いたことを特徴とするモノリシックマイクロ
波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18016091A JPH053403A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | モノリシツクマイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18016091A JPH053403A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | モノリシツクマイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053403A true JPH053403A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16078451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18016091A Pending JPH053403A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | モノリシツクマイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053403A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008843A1 (de) * | 1994-09-14 | 1996-03-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierte schaltungsstruktur mit einem aktiven mikrowellenbauelement und mindestens einem passiven bauelement |
| JPH09102582A (ja) * | 1995-10-05 | 1997-04-15 | Nec Corp | Ｍｉｍキャパシタとその製造方法 |
| JP2011254059A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP18016091A patent/JPH053403A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008843A1 (de) * | 1994-09-14 | 1996-03-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierte schaltungsstruktur mit einem aktiven mikrowellenbauelement und mindestens einem passiven bauelement |
| US5969405A (en) * | 1994-09-14 | 1999-10-19 | Seimens Aktiengesellschaft | Integrated circuit structure having an active microwave component and at least one passive component |
| JPH09102582A (ja) * | 1995-10-05 | 1997-04-15 | Nec Corp | Ｍｉｍキャパシタとその製造方法 |
| JP2011254059A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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