JPH05339760A - Ｅｃｒプラズマエッチング加工方法 - Google Patents
Ｅｃｒプラズマエッチング加工方法Info
- Publication number
- JPH05339760A JPH05339760A JP15078392A JP15078392A JPH05339760A JP H05339760 A JPH05339760 A JP H05339760A JP 15078392 A JP15078392 A JP 15078392A JP 15078392 A JP15078392 A JP 15078392A JP H05339760 A JPH05339760 A JP H05339760A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma etching
- etching method
- ecr
- ecr plasma
- magnetic field
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 異方性ＥＣＲプラズマエッチング加工を効率
良く行う。 【構成】 ＥＣＲ現象を利用したプラズマエッチング加
工方法において、マイクロ波の進行方向と平行に０．０
８Ｔ以上のパルス磁界を与えて高電離プラズマを生成す
ることを特徴とする。パルス磁界は０．０１〜２００ｍ
ｓの範囲のパルス時間のみソレノイドコイルに電流を流
して発生させる。
良く行う。 【構成】 ＥＣＲ現象を利用したプラズマエッチング加
工方法において、マイクロ波の進行方向と平行に０．０
８Ｔ以上のパルス磁界を与えて高電離プラズマを生成す
ることを特徴とする。パルス磁界は０．０１〜２００ｍ
ｓの範囲のパルス時間のみソレノイドコイルに電流を流
して発生させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、異方性ＥＣＲプラズマ
エッチング加工方法に関する。
エッチング加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＥＣＲプラズマエッチング方法
は、永久磁石を使用して一定磁界０．０８７５Ｔ中で電
子が磁力線の周りで円運動をし、その角振動数ωCとマ
イクロ波の角振動数ωが一致してＥＣＲ現象が生じ、こ
れをエッチング加工に応用している。
は、永久磁石を使用して一定磁界０．０８７５Ｔ中で電
子が磁力線の周りで円運動をし、その角振動数ωCとマ
イクロ波の角振動数ωが一致してＥＣＲ現象が生じ、こ
れをエッチング加工に応用している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＥＣＲプラズマ
エッチング方法では、一定磁界としているためイオン旋
回流が速く、図２に示すようにイオンが散乱して試料の
裏側に回り込み、角θが大きくなって異方性処理が困難
である。
エッチング方法では、一定磁界としているためイオン旋
回流が速く、図２に示すようにイオンが散乱して試料の
裏側に回り込み、角θが大きくなって異方性処理が困難
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はＥＣＲ現象を利
用したＥＣＲプラズマエッチング加工方法においてマイ
クロ波の進行方向と平行に０．０８Ｔ以上のパルス磁界
を与えて、高電離プラズマを生成することを特徴とする
ＥＣＲプラズマエッチング加工方法である。上記パルス
磁界は０．０１〜２００ｍｓの範囲のパルス時間のみソ
レノイドコイルに電流を流して発生させるとよい。この
範囲とすることによりパルスオンタイムの時の瞬時には
平均して従来の一定磁界の０．０８７５Ｔを越える磁界
が生じ、電子、イオンの旋回曲率と速度は小さくなり、
方向が真直となって、異方性処理効果が大となり、試料
の裏面への回り込みがなく、正確な加工ができる。
用したＥＣＲプラズマエッチング加工方法においてマイ
クロ波の進行方向と平行に０．０８Ｔ以上のパルス磁界
を与えて、高電離プラズマを生成することを特徴とする
ＥＣＲプラズマエッチング加工方法である。上記パルス
磁界は０．０１〜２００ｍｓの範囲のパルス時間のみソ
レノイドコイルに電流を流して発生させるとよい。この
範囲とすることによりパルスオンタイムの時の瞬時には
平均して従来の一定磁界の０．０８７５Ｔを越える磁界
が生じ、電子、イオンの旋回曲率と速度は小さくなり、
方向が真直となって、異方性処理効果が大となり、試料
の裏面への回り込みがなく、正確な加工ができる。
【０００５】
【実施例】以下実施例を図面に基づいて説明する。
【０００６】図１において１は加工すべき試料である。
２はイオン源でＥＣＲイオン源である。３はパルス磁界
を発生させるためのソレノイドコイルで、６が２．４５
ＧＨｚのマイクロ波の進行方向を示す。４は冷却水、５
はエッチング用ガス導入口である。
２はイオン源でＥＣＲイオン源である。３はパルス磁界
を発生させるためのソレノイドコイルで、６が２．４５
ＧＨｚのマイクロ波の進行方向を示す。４は冷却水、５
はエッチング用ガス導入口である。
【０００７】試料としてＳｉＯ2を用いた場合、エッチ
ング用ガスとして、ＣＦ4＋２０％Ｈ2を用い、０．０３
Ｔｏｒｒの雰囲気とした。マイクロ波は上記のとおり
２．４５ＧＨｚで３５０Ｗである。イオン源２の中で発
生した電子は２．４５ＧＨｚのマイクロ波６によって極
めて速い（０．４ｎｓｅｃ）スピードで振動し、この時
イオン源２にマイクロ波６の進行方向と平行なパルス磁
界を、ソレノイドコイル３にパルス電流を流すことによ
って発生させ、電子旋回力を与えた。このときのパルス
幅は０．０１〜２００ｍｓの範囲内で変化させて、エッ
チング速度並びに回り込み角（θ）について試験をし
た。又、磁界の電源波形が直流の場合を比較例として挙
げた。結果を表１に示す。
ング用ガスとして、ＣＦ4＋２０％Ｈ2を用い、０．０３
Ｔｏｒｒの雰囲気とした。マイクロ波は上記のとおり
２．４５ＧＨｚで３５０Ｗである。イオン源２の中で発
生した電子は２．４５ＧＨｚのマイクロ波６によって極
めて速い（０．４ｎｓｅｃ）スピードで振動し、この時
イオン源２にマイクロ波６の進行方向と平行なパルス磁
界を、ソレノイドコイル３にパルス電流を流すことによ
って発生させ、電子旋回力を与えた。このときのパルス
幅は０．０１〜２００ｍｓの範囲内で変化させて、エッ
チング速度並びに回り込み角（θ）について試験をし
た。又、磁界の電源波形が直流の場合を比較例として挙
げた。結果を表１に示す。
【０００８】
【表１】
【０００９】上記表１において、例えばパルスτON０．
０１ｍｓ、平均磁束密度０．０８７５Ｔの場合、試料の
ＳｉＯ2エッチング速度は０．１８μ／ｍｉｎと３倍以
上となり、回り込み角θは３．５°で直流電源の場合に
比べて約１／４となり、異方性処理効果が大きいことが
判った。
０１ｍｓ、平均磁束密度０．０８７５Ｔの場合、試料の
ＳｉＯ2エッチング速度は０．１８μ／ｍｉｎと３倍以
上となり、回り込み角θは３．５°で直流電源の場合に
比べて約１／４となり、異方性処理効果が大きいことが
判った。
【００１０】さらに試料としてＳｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3を用
いた場合についても試験した。エッチング用ガス、雰囲
気、マイクロ波出力はＳｉＯ2の場合と同じである。た
だし、ソレノイドコイルに流すパルス電流のパルス幅は
０．０２〜１００ｍｓの範囲内でエッチング速度並びに
回り込み角度（θ）について調べた。結果を表２および
表３に示す。
いた場合についても試験した。エッチング用ガス、雰囲
気、マイクロ波出力はＳｉＯ2の場合と同じである。た
だし、ソレノイドコイルに流すパルス電流のパルス幅は
０．０２〜１００ｍｓの範囲内でエッチング速度並びに
回り込み角度（θ）について調べた。結果を表２および
表３に示す。
【００１１】
【表２】
【００１２】
【表３】
【００１３】
【発明の効果】本発明はＥＣＲプラズマエッチング加工
においてマイクロ波の進行方向と平行にパルス磁界を与
えて、電子に対して衝撃的旋回力を与えることにより、
異方性処理が効率良く行うことができる。
においてマイクロ波の進行方向と平行にパルス磁界を与
えて、電子に対して衝撃的旋回力を与えることにより、
異方性処理が効率良く行うことができる。
【図１】本発明の実施例の説明図である。
【図２】プラズマエッチング加工により回り込み角の説
明図である。
明図である。
フロントページの続き (72)発明者 大場 和夫 埼玉県東村山市松葉町４丁目２番３号 (72)発明者 嶋 好範 神奈川県川崎市麻生区王禅寺768番地15 (72)発明者 大場 章 埼玉県朝霧市浜崎１丁目９番地の３−205
Claims (2)
- 【請求項１】 電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象
を利用したＥＣＲプラズマエッチング加工方法におい
て、マイクロ波の進行方向と平行に０．０８Ｔ以上のパ
ルス磁界を与えて高電離プラズマを生成することを特徴
とするＥＣＲプラズマエッチング加工方法。 - 【請求項２】 パルス磁界は０．０１〜２００ｍｓの範
囲のパルス時間のみソレノイドコイルに電流を流して発
生させるものである請求項１記載のＥＣＲプラズマエッ
チング加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4150783A JP2584389B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Ｅｃｒプラズマエッチング加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4150783A JP2584389B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Ｅｃｒプラズマエッチング加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05339760A true JPH05339760A (ja) | 1993-12-21 |
| JP2584389B2 JP2584389B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=15504341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4150783A Expired - Lifetime JP2584389B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Ｅｃｒプラズマエッチング加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2584389B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2349506A (en) * | 1999-04-23 | 2000-11-01 | Nec Corp | Pulse modulation plasma etching |
| US6566272B2 (en) | 1999-07-23 | 2003-05-20 | Applied Materials Inc. | Method for providing pulsed plasma during a portion of a semiconductor wafer process |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS602388A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 転写型感熱記録装置 |
| JPH0277123A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-03-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
| JPH02312227A (ja) * | 1989-05-29 | 1990-12-27 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JPH0448726A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-18 | Samsung Electron Co Ltd | 変調方式を用いるプラズマ発生装置及び方法 |
-
1992
- 1992-06-10 JP JP4150783A patent/JP2584389B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS602388A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 転写型感熱記録装置 |
| JPH0277123A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-03-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
| JPH02312227A (ja) * | 1989-05-29 | 1990-12-27 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JPH0448726A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-18 | Samsung Electron Co Ltd | 変調方式を用いるプラズマ発生装置及び方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2349506A (en) * | 1999-04-23 | 2000-11-01 | Nec Corp | Pulse modulation plasma etching |
| GB2349506B (en) * | 1999-04-23 | 2002-04-24 | Nec Corp | Plasma processing method for a semiconductor wafer |
| US6566272B2 (en) | 1999-07-23 | 2003-05-20 | Applied Materials Inc. | Method for providing pulsed plasma during a portion of a semiconductor wafer process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2584389B2 (ja) | 1997-02-26 |
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