JPH05335607A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05335607A JPH05335607A JP2417708A JP41770890A JPH05335607A JP H05335607 A JPH05335607 A JP H05335607A JP 2417708 A JP2417708 A JP 2417708A JP 41770890 A JP41770890 A JP 41770890A JP H05335607 A JPH05335607 A JP H05335607A
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- film
- reaction
- oxygen
- semiconductor device
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Abstract
(57)【要約】
【目的】被膜中の酸素濃度の低い半導体被膜を有する半
導体装置を得ることを発明の目的とする。 【構成】本発明は、水素またはハロゲン元素が混入して
いる非単結晶珪素被膜中の酸素濃度が１×１０１９／ｃ
ｃ未満である半導体装置である。また本発明における非
単結晶珪素半導体としては、アモルファスシリコン、セ
ミアモルファスシリコン、または微結晶珪素が用いら
れ、さらに炭化珪素、窒化珪素が添加されうる。本発明
は例えば図１に示す気相化学反応装置によって作製され
る。
導体装置を得ることを発明の目的とする。 【構成】本発明は、水素またはハロゲン元素が混入して
いる非単結晶珪素被膜中の酸素濃度が１×１０１９／ｃ
ｃ未満である半導体装置である。また本発明における非
単結晶珪素半導体としては、アモルファスシリコン、セ
ミアモルファスシリコン、または微結晶珪素が用いら
れ、さらに炭化珪素、窒化珪素が添加されうる。本発明
は例えば図１に示す気相化学反応装置によって作製され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸素含有濃度の低い電
気的特性に優れた半導体装置に関するものである。
気的特性に優れた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、きわめて激しい酸化力を有する
シランは、その酸化力のため、反応生成物中に不純物と
しての低級酸化物（ＳｉＯｘを以下に酸化珪素という）
が混入されやすい。
シランは、その酸化力のため、反応生成物中に不純物と
しての低級酸化物（ＳｉＯｘを以下に酸化珪素という）
が混入されやすい。
【０００３】特にシランにおいては不純物としての水が
残存しているため、電気エネルギのみを反応性気体に加
えるプラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤという）法においては酸
素が反応して酸化珪素となり、そのまま被膜中に混入し
てしまい、被膜内に酸素が１×１０１８ｃｍ−３以上の
濃度（一般には２×１０１９〜３×１０２０ｃｍ−３）
が残存してしまう。
残存しているため、電気エネルギのみを反応性気体に加
えるプラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤという）法においては酸
素が反応して酸化珪素となり、そのまま被膜中に混入し
てしまい、被膜内に酸素が１×１０１８ｃｍ−３以上の
濃度（一般には２×１０１９〜３×１０２０ｃｍ−３）
が残存してしまう。
【０００４】このためこの酸化物に対しては、非活性状
態であり、かつ珪化物に対しては活性状態を作る選択性
を有せしめることがきわめて高品質の珪素を主成分とす
る被膜を作るのに重要なことであった。
態であり、かつ珪化物に対しては活性状態を作る選択性
を有せしめることがきわめて高品質の珪素を主成分とす
る被膜を作るのに重要なことであった。
【０００５】
【発明が解決使用とする課題】従来においては、珪化物
の被膜中に酸素が２×１０１９ｃｍ−３以上含まれてし
まっており、本来半導体であるべき珪素膜中に良質な絶
縁物である酸化珪素が存在するので半導体としての電気
的特性、信頼性に問題があった。
の被膜中に酸素が２×１０１９ｃｍ−３以上含まれてし
まっており、本来半導体であるべき珪素膜中に良質な絶
縁物である酸化珪素が存在するので半導体としての電気
的特性、信頼性に問題があった。
【０００６】本発明は、被膜中の酸素濃度の低い高品質
な半導体被膜を有する半導体装置を得ることを目的とす
る。
な半導体被膜を有する半導体装置を得ることを目的とす
る。
【０００７】
【問題を解決するための手段】この発明は、珪素の水素
化物またはハロゲン化物であって、Ｓｉ―Ｈ，Ｓｉ―
Ｆ，Ｓｉ―Ｃｌ，Ｓｉ―Ｂｒ，Ｓｉ―Ｚの結合を有する
反応性気体を用いたものであって、これらの反応性気体
に１５００〜３００ｃｍ−１の遠赤外（以下ＦＩＲとい
う）の連続光を照射するとともに、電気エネルギを加え
ることにより気相反応を行うことによって得られる酸素
が１×１０１９／ｃｃ未満の量しか混入されていない非
単結晶珪素被膜が基板上に設けられたことを特徴とする
半導体装置である。
化物またはハロゲン化物であって、Ｓｉ―Ｈ，Ｓｉ―
Ｆ，Ｓｉ―Ｃｌ，Ｓｉ―Ｂｒ，Ｓｉ―Ｚの結合を有する
反応性気体を用いたものであって、これらの反応性気体
に１５００〜３００ｃｍ−１の遠赤外（以下ＦＩＲとい
う）の連続光を照射するとともに、電気エネルギを加え
ることにより気相反応を行うことによって得られる酸素
が１×１０１９／ｃｃ未満の量しか混入されていない非
単結晶珪素被膜が基板上に設けられたことを特徴とする
半導体装置である。
【０００８】基板上に設けられる非単結晶珪素として
は、アモルファスシリコン、セミアモルファスシリコ
ン、または微結晶珪素がある。また、非単結晶珪素被膜
にはＳｉｘＣ１−ｘ（０．５＜Ｘ＜１）、Ｓｉ３Ｎ
４−ｘ（２＜Ｘ＜４）が添加されていてもよい。
は、アモルファスシリコン、セミアモルファスシリコ
ン、または微結晶珪素がある。また、非単結晶珪素被膜
にはＳｉｘＣ１−ｘ（０．５＜Ｘ＜１）、Ｓｉ３Ｎ
４−ｘ（２＜Ｘ＜４）が添加されていてもよい。
【０００９】この発明はシラン中に含まれる酸素化物を
除去して精製されたＳｉ―Ｈ結合を有する反応性気体代
表的にはシラン（ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６）を用いて光プ
ラズマ気相法（ＰＰＣＶＤという）により、酸素濃度が
１×１０１８ａｔｏｍ／ｃｃ以下のシリコンを主成分と
する半導体膜を得るものである。
除去して精製されたＳｉ―Ｈ結合を有する反応性気体代
表的にはシラン（ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６）を用いて光プ
ラズマ気相法（ＰＰＣＶＤという）により、酸素濃度が
１×１０１８ａｔｏｍ／ｃｃ以下のシリコンを主成分と
する半導体膜を得るものである。
【００１０】かかる目的のため、Ｓｉ―Ｈ結合が２００
０〜２２００ｃｍ−１（ピーク値２１００ｃｍ−１）お
よび１１００〜８００ｃｍ−１（ピーク値９５０ｃｍ
−１，８３０ｃｍ−１）に共鳴吸収をする波長（遠赤外
光）の光エネルギを選択的に吸収する特性を利用して気
相反応行い非結晶珪素被膜を基板上に設けた。
０〜２２００ｃｍ−１（ピーク値２１００ｃｍ−１）お
よび１１００〜８００ｃｍ−１（ピーク値９５０ｃｍ
−１，８３０ｃｍ−１）に共鳴吸収をする波長（遠赤外
光）の光エネルギを選択的に吸収する特性を利用して気
相反応行い非結晶珪素被膜を基板上に設けた。
【００１１】この遠赤外光の吸収は、酸化物気体である
水のＯＨの吸収ピークが３０００〜３８００ｃｍ−１に
あることを考慮する時、さらにシラン中の不純物として
水が最も多量に存在していることを考慮する時、選択反
応を行わしめるためにきわめて有効なものであった。
水のＯＨの吸収ピークが３０００〜３８００ｃｍ−１に
あることを考慮する時、さらにシラン中の不純物として
水が最も多量に存在していることを考慮する時、選択反
応を行わしめるためにきわめて有効なものであった。
【００１２】かかる目的のため、１５００ｃｍ−１以下
（１５００〜３００ｃｍ−１）の波長の遠赤外光を５ｍ
Ｗ／ｃｍ３以上に強く発光する発光体（セラミック発熱
体）を用いているためにＳｉ―Ｈの１１００〜７００ｃ
ｍ−１の強い吸収ピークの光エネルギを照射する。
（１５００〜３００ｃｍ−１）の波長の遠赤外光を５ｍ
Ｗ／ｃｍ３以上に強く発光する発光体（セラミック発熱
体）を用いているためにＳｉ―Ｈの１１００〜７００ｃ
ｍ−１の強い吸収ピークの光エネルギを照射する。
【００１３】またＳｉ―Ｈ結合は上記のＦＩＲ（遠赤外
光）を加えたのみでは分解させることができないため、
これに加えて電気エネルギを反応性気体に加え、グロー
放電によるプラズマ反応を生ぜしめたものである。さら
にＦＩＲとプラズマ反応とを同時に行わしめることによ
り、従来ＰＣＶＤ法では行い得なかった低い電気エネル
ギでも被膜の形成が可能となり、このため被形成面上へ
のスパッタ（損傷）を軽減せしめることが可能となっ
た。さらに広い圧力範囲でもインピーダンスマッチング
をとることが可能となり、このため従来より高い反応炉
内圧力（１〜１０ｔｏｒｒ）、低い圧力においてプラズ
マが発生する空間での活性スピーシズを多量にすること
ができるという特徴を有している。
光）を加えたのみでは分解させることができないため、
これに加えて電気エネルギを反応性気体に加え、グロー
放電によるプラズマ反応を生ぜしめたものである。さら
にＦＩＲとプラズマ反応とを同時に行わしめることによ
り、従来ＰＣＶＤ法では行い得なかった低い電気エネル
ギでも被膜の形成が可能となり、このため被形成面上へ
のスパッタ（損傷）を軽減せしめることが可能となっ
た。さらに広い圧力範囲でもインピーダンスマッチング
をとることが可能となり、このため従来より高い反応炉
内圧力（１〜１０ｔｏｒｒ）、低い圧力においてプラズ
マが発生する空間での活性スピーシズを多量にすること
ができるという特徴を有している。
【００１４】さらに重要なことは、同じ被膜成長速度を
得んとする時、プラズマエネルギを従来の１／３または
それ以下にできるため、水の分解が起こりにくくなり、
結果としてシリコン膜への酸素混入も従来より１／５以
下にすることが可能となった。
得んとする時、プラズマエネルギを従来の１／３または
それ以下にできるため、水の分解が起こりにくくなり、
結果としてシリコン膜への酸素混入も従来より１／５以
下にすることが可能となった。
【００１５】結果として酸素の混入に起因する光照射に
よるいわゆるステブラロンスキー効果といわれている電
気伝導度の劣化が減少し、高品質の被膜を作ることが可
能となった。
よるいわゆるステブラロンスキー効果といわれている電
気伝導度の劣化が減少し、高品質の被膜を作ることが可
能となった。
【００１６】しかしこの不純物としての酸化珪素の量
を、本発明人はこのシランを用いたＰＰＣＶＤ（〔光プ
ラズマ気相またはＰｈｏｔｏ −Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｉｐｏｓ− ｉｔｉｏｎ〕
法を総称する）により珪素を主成分とする半導体膜を形
成し、その形成された珪素膜をＳＩＭＳ（イオン．マイ
クロ．アナライザー）により検出して同定することによ
り成就することができた。かかる同定を行うと従来より
知られていたＰＣＶＤ法で得られた珪素膜中には酸素が
２×１０１９〜１×１０２１ａｔｏｍ／ｃｃの濃度を含
有していた。即ち、珪素の濃度が２×１０２２ａｔｏｍ
／ｃｃであるため、酸素は０．１〜５％もの多量に含ま
れていることが判明した。
を、本発明人はこのシランを用いたＰＰＣＶＤ（〔光プ
ラズマ気相またはＰｈｏｔｏ −Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｉｐｏｓ− ｉｔｉｏｎ〕
法を総称する）により珪素を主成分とする半導体膜を形
成し、その形成された珪素膜をＳＩＭＳ（イオン．マイ
クロ．アナライザー）により検出して同定することによ
り成就することができた。かかる同定を行うと従来より
知られていたＰＣＶＤ法で得られた珪素膜中には酸素が
２×１０１９〜１×１０２１ａｔｏｍ／ｃｃの濃度を含
有していた。即ち、珪素の濃度が２×１０２２ａｔｏｍ
／ｃｃであるため、酸素は０．１〜５％もの多量に含ま
れていることが判明した。
【００１７】さらに、その代表的な結合であるＳｉ
Ｏ２，ＳｉＯ，ＳｉＯＨに関しては、そのＳＩＭＳのイ
オン強度（ｃｏｕｎｔ／ｓｅｃ）において、例えばＳｉ
Ｏ２ １×１０４、ＳｉＯ ２×１０２、ＳｉＯＨ ３
×１０３と ＳｉＯ２がきわめて多量に含まれていくこ
とが判明した。
Ｏ２，ＳｉＯ，ＳｉＯＨに関しては、そのＳＩＭＳのイ
オン強度（ｃｏｕｎｔ／ｓｅｃ）において、例えばＳｉ
Ｏ２ １×１０４、ＳｉＯ ２×１０２、ＳｉＯＨ ３
×１０３と ＳｉＯ２がきわめて多量に含まれていくこ
とが判明した。
【００１８】本発明は、かかる酸化物を除去するととも
に、形成された半導体中の酸素濃度を非晶質、半非晶質
（セミアモルファス構造を有する半導体）または微結晶
構造を含有する非単結晶珪素にて、１×１０１８ａｔｏ
ｍ／ｃｃ以下好ましくは５×１０１７ａｔｏｍ／ｃｃ以
下の半導体を得ることを目的としている。
に、形成された半導体中の酸素濃度を非晶質、半非晶質
（セミアモルファス構造を有する半導体）または微結晶
構造を含有する非単結晶珪素にて、１×１０１８ａｔｏ
ｍ／ｃｃ以下好ましくは５×１０１７ａｔｏｍ／ｃｃ以
下の半導体を得ることを目的としている。
【００１９】他方、１０．６μｍのＣＯ２レーザのディ
スクリート光のみを用いた光ＣＶＤ法が知られている。
しかし、光のみで活性スピーシズを発生せしめることが
できる一方、その反応空間を１００ｃｍ３以上とするこ
とができず、被形成面も１ｃｍ２以上とすることができ
ない。かかる１０Ｗ／ｃｍ３以上の光エネルギのみを与
えることによって実施する光ＣＶＤ法は実効的に被膜形
成に必要な使用電力比がおおきくなり、省エネルギの面
からも有効でない。さらに上記したごとききわめて小さ
な面積ではなく、本発明は少なくともその１００倍以上
の１００ｃｍ２以上（この実施例にては４２２５ｃｍ２
の面積）であり、空間も１０００ｃｍ２以上（この実施
例では１０５６２５ｃｍ２）と大きく、工業的に量産化
が可能な方法を提案することを特徴としている。
スクリート光のみを用いた光ＣＶＤ法が知られている。
しかし、光のみで活性スピーシズを発生せしめることが
できる一方、その反応空間を１００ｃｍ３以上とするこ
とができず、被形成面も１ｃｍ２以上とすることができ
ない。かかる１０Ｗ／ｃｍ３以上の光エネルギのみを与
えることによって実施する光ＣＶＤ法は実効的に被膜形
成に必要な使用電力比がおおきくなり、省エネルギの面
からも有効でない。さらに上記したごとききわめて小さ
な面積ではなく、本発明は少なくともその１００倍以上
の１００ｃｍ２以上（この実施例にては４２２５ｃｍ２
の面積）であり、空間も１０００ｃｍ２以上（この実施
例では１０５６２５ｃｍ２）と大きく、工業的に量産化
が可能な方法を提案することを特徴としている。
【００２０】
【実施例１】本実施例は、特にモノシラン（ＳｉＨ４）
を用いて本発明の半導体装置を得ているが、ポリシラン
を用いる場合も同様に可能である。
を用いて本発明の半導体装置を得ているが、ポリシラン
を用いる場合も同様に可能である。
【００２１】第１図は反応系がＣＶＤ（本明細書では本
発明である半導体装置を得るための成膜方法であるＰＰ
ＣＶＤまたは従来方法のＰＣＶＤを特に総称してＣＶＤ
という）法であって、本発明方法を実施するための装置
の概要を示す。
発明である半導体装置を得るための成膜方法であるＰＰ
ＣＶＤまたは従来方法のＰＣＶＤを特に総称してＣＶＤ
という）法であって、本発明方法を実施するための装置
の概要を示す。
【００２２】第１図は反応系（１０）ドーピング系（２
０）排気系（３０）を有する。反応系（１０）は、反応
容器（２）内容積（巾９０ｃｍ、高さ６０ｃｍ、奥行き
９０ｃｍ）反応空間（６５ｃｍ×６５ｃｍ×２５ｃｍ，
１０５６２５ｃｍ３）には被形成面を有する基板（１）
が石英ホルダ（３１）に保持されている。このホルダは
６５ｃｍであるが、反応性気体の流れ方向に２０ｃｍを
有し、２０ｃｍ×６０ｃｍの基板を２０枚（被形成面の
総面積２４０００ｃｍ２）同時に挿入させた。
０）排気系（３０）を有する。反応系（１０）は、反応
容器（２）内容積（巾９０ｃｍ、高さ６０ｃｍ、奥行き
９０ｃｍ）反応空間（６５ｃｍ×６５ｃｍ×２５ｃｍ，
１０５６２５ｃｍ３）には被形成面を有する基板（１）
が石英ホルダ（３１）に保持されている。このホルダは
６５ｃｍであるが、反応性気体の流れ方向に２０ｃｍを
有し、２０ｃｍ×６０ｃｍの基板を２０枚（被形成面の
総面積２４０００ｃｍ２）同時に挿入させた。
【００２３】基板はハロゲンの補助ヒータ（７）により
例えば２００〜５００℃に加熱される。加えて、１１０
０ｃｍ−１（９．３μｍ）〜７００ｃｍ−１（１４．３
μｍ）のＦＩＲの波長を発光する光化学反応用のランプ
（９）（最大３ＫＷ）が同時に設けられている。反応性
気体は導入口（１１）よりノズル（３）を経て反応空間
（３２）に至り、排出口（８）を経て（１２）より排気
系（３０）に至る。排気系（３０）は、圧力調整バルブ
（１３），ストップバルブ（１４），メカニカルブース
ターポンプ（１７），ロータリーポンプ（１８）より外
部に不要物を排出する。またストップバルブ（１５）及
びターボ分子ポンプ（１９）により排気する系とを有す
る背圧（バックプレッシー）をターボ分子ポンプを用い
て真空引きをすることにより、高真空にし、残留酸素を
除去して被膜中の酸素の量を１×１０１９／ｃｃ以下に
することは有効であった。成膜中にターボ分子ポンプで
排気してもよい。
例えば２００〜５００℃に加熱される。加えて、１１０
０ｃｍ−１（９．３μｍ）〜７００ｃｍ−１（１４．３
μｍ）のＦＩＲの波長を発光する光化学反応用のランプ
（９）（最大３ＫＷ）が同時に設けられている。反応性
気体は導入口（１１）よりノズル（３）を経て反応空間
（３２）に至り、排出口（８）を経て（１２）より排気
系（３０）に至る。排気系（３０）は、圧力調整バルブ
（１３），ストップバルブ（１４），メカニカルブース
ターポンプ（１７），ロータリーポンプ（１８）より外
部に不要物を排出する。またストップバルブ（１５）及
びターボ分子ポンプ（１９）により排気する系とを有す
る背圧（バックプレッシー）をターボ分子ポンプを用い
て真空引きをすることにより、高真空にし、残留酸素を
除去して被膜中の酸素の量を１×１０１９／ｃｃ以下に
することは有効であった。成膜中にターボ分子ポンプで
排気してもよい。
【００２４】基板はホルダにて最初予備室（１６）に配
設させ、真空引きをバルブ（２２），真空ポンプ（２
３）にて行った後、ゲート（３７）を開け、反応空間
（３２）に移設させた。反応性気体はドーピング系（２
０）にてシランが（２６）より、その他ジボラン（Ｂ２
Ｈ６）等のＰ型用反応性気体、フォスヒン（ＰＨ３）等
のＮ型用気体（２４）、珪素に窒素添加または炭素添加
せしめるためのアンモニアまたはメタン，ＣＦ３，Ｂ
ｒ，ＣＦ３Ｈ等の気体（２５）キャリアガスとしての水
素またはヘリューム（２７）をそれぞれ流量計（２９）
を経てバルブ（２８）により制御して加えられる。
設させ、真空引きをバルブ（２２），真空ポンプ（２
３）にて行った後、ゲート（３７）を開け、反応空間
（３２）に移設させた。反応性気体はドーピング系（２
０）にてシランが（２６）より、その他ジボラン（Ｂ２
Ｈ６）等のＰ型用反応性気体、フォスヒン（ＰＨ３）等
のＮ型用気体（２４）、珪素に窒素添加または炭素添加
せしめるためのアンモニアまたはメタン，ＣＦ３，Ｂ
ｒ，ＣＦ３Ｈ等の気体（２５）キャリアガスとしての水
素またはヘリューム（２７）をそれぞれ流量計（２９）
を経てバルブ（２８）により制御して加えられる。
【００２５】第１図特に珪化物であるシランにおいて
は、圧力調整バルブ（３２）を経てバルブ（３５），
（３６）に至る。
は、圧力調整バルブ（３２）を経てバルブ（３５），
（３６）に至る。
【００２６】シランよりなる半導体用のＳｉ―Ｈ結合を
有する反応性気体は、（２６）を経て流量計（２９）を
経て反応系（１０）に至る。この反応系には１００〜５
００℃好ましくは２００〜３５０℃、代表的には２５０
℃に保持された被形成面が配設してあり、反応圧力を
０．０１〜１０ｔｏｒｒ例えば１ｔｏｒｒとして、シラ
ン流量を１〜２００ｃｃ／分例えば６０ｃｃ／分供給し
た。ＦＩＲ（遠赤外光）の光エネルギをセラミックス発
熱体例えばジルコンセラミック（ＺｒＳｉＯ）により発
光するランプ（長さ６８０ｍｍ，直径１１ｍｍφ最大出
力５００Ｗ）（９）を６本（最大合計３ＫＷ）用いて光
照射を行った。
有する反応性気体は、（２６）を経て流量計（２９）を
経て反応系（１０）に至る。この反応系には１００〜５
００℃好ましくは２００〜３５０℃、代表的には２５０
℃に保持された被形成面が配設してあり、反応圧力を
０．０１〜１０ｔｏｒｒ例えば１ｔｏｒｒとして、シラ
ン流量を１〜２００ｃｃ／分例えば６０ｃｃ／分供給し
た。ＦＩＲ（遠赤外光）の光エネルギをセラミックス発
熱体例えばジルコンセラミック（ＺｒＳｉＯ）により発
光するランプ（長さ６８０ｍｍ，直径１１ｍｍφ最大出
力５００Ｗ）（９）を６本（最大合計３ＫＷ）用いて光
照射を行った。
【００２７】第２図は、このセラミックス発熱体の発光
特性（５０）を示す。このグラフは表面温度が５１０℃
の場合であるが、それ以上の温度とすることによりさら
に１１００〜７００ｃｍ−１の波数の連続光を強く発光
させることができた。この２００〜３５０℃ではピーク
発光は７００ｃｍ−１以下の波数にずれていた。Ｓｉ―
Ｈ結合は、この発光スペクトルの１１００〜７００ｃｍ
−１（５１）の波数を完全に吸収してＦＩＲの赤外励起
をさせることができることがわかった。
特性（５０）を示す。このグラフは表面温度が５１０℃
の場合であるが、それ以上の温度とすることによりさら
に１１００〜７００ｃｍ−１の波数の連続光を強く発光
させることができた。この２００〜３５０℃ではピーク
発光は７００ｃｍ−１以下の波数にずれていた。Ｓｉ―
Ｈ結合は、この発光スペクトルの１１００〜７００ｃｍ
−１（５１）の波数を完全に吸収してＦＩＲの赤外励起
をさせることができることがわかった。
【００２８】次ぎに、電気エネルギを高周波発振器（周
波数１３．５６ＭＨｚ）（４）より一対の電極（５），
（６）に例えば１８０Ｗ出力を加え、プラズマグロー放
電をせしめてＰＰＣＶＤ反応を行った。
波数１３．５６ＭＨｚ）（４）より一対の電極（５），
（６）に例えば１８０Ｗ出力を加え、プラズマグロー放
電をせしめてＰＰＣＶＤ反応を行った。
【００２９】基板位置は照射光に対して平行に配設され
ており、光化学反応は基板表面よりもむしろ飛翔中の反
応性気体に対して行った。かくすることにより多量生産
が可能なＰＰＣＶＤを実施することができた。さらにこ
の装置を用いて単なるＰＣＶＤを比較のために行う場合
はＦＩＲランプによる光エネルギを加えることなしに電
気エネルギのみをいわゆる加熱用の熱エネルギを加え
た。この装置の実施例においては、基板は発生したグロ
ー放電プラズマにおける陽光柱領域に配設されており、
例えばガラス基板上にシリコン膜が反応式ＳｉＨ４ →
Ｓｉ ＋ ２Ｈ２ に基づいて形成させた。
ており、光化学反応は基板表面よりもむしろ飛翔中の反
応性気体に対して行った。かくすることにより多量生産
が可能なＰＰＣＶＤを実施することができた。さらにこ
の装置を用いて単なるＰＣＶＤを比較のために行う場合
はＦＩＲランプによる光エネルギを加えることなしに電
気エネルギのみをいわゆる加熱用の熱エネルギを加え
た。この装置の実施例においては、基板は発生したグロ
ー放電プラズマにおける陽光柱領域に配設されており、
例えばガラス基板上にシリコン膜が反応式ＳｉＨ４ →
Ｓｉ ＋ ２Ｈ２ に基づいて形成させた。
【００３０】この成長速度はＰＣＶＤのみにおいては１
〜３Å／秒例えば１．６Å／秒であった。またＰＰＣＶ
Ｄにおいては、２〜６Å／秒例えば４Å／秒であった。
〜３Å／秒例えば１．６Å／秒であった。またＰＰＣＶ
Ｄにおいては、２〜６Å／秒例えば４Å／秒であった。
【００３１】ＰＰＣＶＤはプラズマによる損傷がＰＣＶ
Ｄよりも弱く、かつ同じ電気エネルギを加える場合に被
膜の成長速度としては６〜１５Å／秒と、ＰＣＶＤ法の
２〜４倍もの高速成長速度を得ることができた。このＰ
ＰＣＶＤ法においては、その工程によって光照射を行
い、その後に電気エネルギーを加えてプラズマを生ぜし
めたことはきわめて重要である。かくすることにより、
放電開始時のプラズマ衝撃波による基板表面の損傷を防
ぐことができ、電気的にはプラズマ損傷を実質的に防ぐ
ことができるという特長を有していた。
Ｄよりも弱く、かつ同じ電気エネルギを加える場合に被
膜の成長速度としては６〜１５Å／秒と、ＰＣＶＤ法の
２〜４倍もの高速成長速度を得ることができた。このＰ
ＰＣＶＤ法においては、その工程によって光照射を行
い、その後に電気エネルギーを加えてプラズマを生ぜし
めたことはきわめて重要である。かくすることにより、
放電開始時のプラズマ衝撃波による基板表面の損傷を防
ぐことができ、電気的にはプラズマ損傷を実質的に防ぐ
ことができるという特長を有していた。
【００３２】以上の如くにて本発明方法の示す珪素を主
成分とする酸素濃度が１×１０１８ ｃｍ−３以下すなわ
ち１×１０１９ｃｍ−３未満、好ましくは５×１０１７
ｃｍ−３以下の非単結晶半導体を被形成面上に形成させ
ることができ、高品質な半導体装置を得ることができ
た。
成分とする酸素濃度が１×１０１８ ｃｍ−３以下すなわ
ち１×１０１９ｃｍ−３未満、好ましくは５×１０１７
ｃｍ−３以下の非単結晶半導体を被形成面上に形成させ
ることができ、高品質な半導体装置を得ることができ
た。
【００３３】この珪素膜の膜質を調べると、ＳＩＭＳの
測定において酸素濃度は１×１０１８ａｔｏｍ／ｃｃ以
下（光出力３．０ｋＷ、放電出力１８０Ｗ）を有せしめ
ることができた。一般にガラス基板上に珪素膜を設けた
場合、珪素膜表面付近は雰囲気中から酸素が混入するた
め、酸素濃度が表面に近い程高く、またガラス基板との
界面付近ではガラス基板に吸着あるいはガラス基板中に
存在する酸素が、珪素膜中に拡散してくるので、結果と
してガラス基板に近い場所程、珪素膜中の酸素濃度が高
くなる。従って珪素膜中の酸素濃度は珪素膜の厚さ方向
の中央で一番低く、両端（珪素膜表面とガラス基板との
界面）に行くほど高くなっていく、いわゆるＵ字型の分
布になる。
測定において酸素濃度は１×１０１８ａｔｏｍ／ｃｃ以
下（光出力３．０ｋＷ、放電出力１８０Ｗ）を有せしめ
ることができた。一般にガラス基板上に珪素膜を設けた
場合、珪素膜表面付近は雰囲気中から酸素が混入するた
め、酸素濃度が表面に近い程高く、またガラス基板との
界面付近ではガラス基板に吸着あるいはガラス基板中に
存在する酸素が、珪素膜中に拡散してくるので、結果と
してガラス基板に近い場所程、珪素膜中の酸素濃度が高
くなる。従って珪素膜中の酸素濃度は珪素膜の厚さ方向
の中央で一番低く、両端（珪素膜表面とガラス基板との
界面）に行くほど高くなっていく、いわゆるＵ字型の分
布になる。
【００３４】放出電力が１８０Ｗでは、酸素濃度は１×
１０１８ａｔｏｍ／ｃｃ以下であったが、さらに放電出
力は３０Ｗとすると、３×１０１７ａｔｏｍ／ｃｃとさ
らにその１／３に減少し、従来から知られたＰＣＶＤ法
では、３×１０１９ａｔｏｍ／ｃｃ以上であり、この値
より１０分の１以下に減少していることが判明した。
１０１８ａｔｏｍ／ｃｃ以下であったが、さらに放電出
力は３０Ｗとすると、３×１０１７ａｔｏｍ／ｃｃとさ
らにその１／３に減少し、従来から知られたＰＣＶＤ法
では、３×１０１９ａｔｏｍ／ｃｃ以上であり、この値
より１０分の１以下に減少していることが判明した。
【００３５】かくの如く酸素を１×１０１９ｃｍ−３未
満にし得る非単結晶シリコン半導体を３００℃において
すら作ることができた。また、基板温度を３５０℃、４
００℃にすることによりこの結晶性はさらに進行した。
この反応生成物を作る温度も３００℃ではなく１５０〜
３００℃においても可能であった。
満にし得る非単結晶シリコン半導体を３００℃において
すら作ることができた。また、基板温度を３５０℃、４
００℃にすることによりこの結晶性はさらに進行した。
この反応生成物を作る温度も３００℃ではなく１５０〜
３００℃においても可能であった。
【００３６】シランを前記したモノシランではなく、ポ
リシラン（例えばＳｉ２Ｈ６）用いることができる。こ
のポリシラン特にジシランを少なくとも一部（ＳｉＨ４
／（ＳｉＨ４＋Ｓｉ２Ｈ６）５〜３０％例えば１５％）
に含むシランを用いて前記したＰＰＣＶＤ法により半導
体被膜を作製する場合は、被膜の成長速度を２０Å／秒
とモノシランの場合の約１０倍にまで高めることができ
た。もちろんポリシランが９０％以上の濃度に存在する
時はさらに成長速度を速めることができた。第３図はガ
ラス基板上に第１図の装置にて０．５μｍのシリコン半
導体層をＰＰＣＶＤ法（光出力３．０ＫＷ放電出力が３
０Ｗ）にて作製し、この後、この部分にオームコンタク
ト電極を平行電極として設けて、電気伝導度特性を調べ
たものである。
リシラン（例えばＳｉ２Ｈ６）用いることができる。こ
のポリシラン特にジシランを少なくとも一部（ＳｉＨ４
／（ＳｉＨ４＋Ｓｉ２Ｈ６）５〜３０％例えば１５％）
に含むシランを用いて前記したＰＰＣＶＤ法により半導
体被膜を作製する場合は、被膜の成長速度を２０Å／秒
とモノシランの場合の約１０倍にまで高めることができ
た。もちろんポリシランが９０％以上の濃度に存在する
時はさらに成長速度を速めることができた。第３図はガ
ラス基板上に第１図の装置にて０．５μｍのシリコン半
導体層をＰＰＣＶＤ法（光出力３．０ＫＷ放電出力が３
０Ｗ）にて作製し、この後、この部分にオームコンタク
ト電極を平行電極として設けて、電気伝導度特性を調べ
たものである。
【００３７】第３図は特に本発明方法のＰＰＣＶＤ法に
よりシランを用いたシリコン半導体の電気特性 （５
６）（６４） （６５）（６６）（６８）従来よりのＰ
ＰＣＶＤ法での特性（５７）（６３）（５８）（６７）
（６９）を示したものである。図面において、従来例に
おいて領域（５９）は暗電気伝導度（５７）を示し３×
１０−８（Ωｃｍ−１）の値を有している。ここにＡＭ
１（１００ｍＷ／ｃｍ２）を領域（６０）にて照射する
と、従来法では曲線（５８）に示すごとく、１×１０
−４（Ωｃｍ）−１有し、且つ２時間連続照射して約１
桁その値が劣化していた。
よりシランを用いたシリコン半導体の電気特性 （５
６）（６４） （６５）（６６）（６８）従来よりのＰ
ＰＣＶＤ法での特性（５７）（６３）（５８）（６７）
（６９）を示したものである。図面において、従来例に
おいて領域（５９）は暗電気伝導度（５７）を示し３×
１０−８（Ωｃｍ−１）の値を有している。ここにＡＭ
１（１００ｍＷ／ｃｍ２）を領域（６０）にて照射する
と、従来法では曲線（５８）に示すごとく、１×１０
−４（Ωｃｍ）−１有し、且つ２時間連続照射して約１
桁その値が劣化していた。
【００３８】他方本発明方法においては、暗伝導度（５
６）として５×１０１１（Ωｃｍ）−１を有し、その光
伝導度（６４）は６×１０−５（Ωｃｍ）−１とフォト
センシティビティにて１０６を有し、従来例よりも約１
桁も大きく、さらに連続光の照射にて、曲線（６５）に
見られるごとくほとんどその電気伝導度の劣化がみられ
なかった。さらに領域（６１）において、その照射後の
暗伝導度も本発明においては（６６）と（５６）に比べ
誤差の範囲で同一であった。さらに１５０℃の加熱を行
うと、従来例では曲線（６７）が（６９）となり、見掛
け上の特性変化があり、その後領域（６２）にて再度光
照射を行うと、再び劣化特性がみられた。即ち、従来例
ではかくのごとくに電気伝導度が光照射により劣化特性
がみられる。しかし本発明においては、電気伝導度が光
照射の有無、熱アニールの有無で特性の変化、劣化が殆
ど観察されず、かつフォトセンシティビティ（光伝導度
と暗伝導度との差）が大きく、また暗伝導度は小さかっ
た。
６）として５×１０１１（Ωｃｍ）−１を有し、その光
伝導度（６４）は６×１０−５（Ωｃｍ）−１とフォト
センシティビティにて１０６を有し、従来例よりも約１
桁も大きく、さらに連続光の照射にて、曲線（６５）に
見られるごとくほとんどその電気伝導度の劣化がみられ
なかった。さらに領域（６１）において、その照射後の
暗伝導度も本発明においては（６６）と（５６）に比べ
誤差の範囲で同一であった。さらに１５０℃の加熱を行
うと、従来例では曲線（６７）が（６９）となり、見掛
け上の特性変化があり、その後領域（６２）にて再度光
照射を行うと、再び劣化特性がみられた。即ち、従来例
ではかくのごとくに電気伝導度が光照射により劣化特性
がみられる。しかし本発明においては、電気伝導度が光
照射の有無、熱アニールの有無で特性の変化、劣化が殆
ど観察されず、かつフォトセンシティビティ（光伝導度
と暗伝導度との差）が大きく、また暗伝導度は小さかっ
た。
【００３９】以上のごとく、本発明の半導体装置は、高
信頼性を有するシリコン半導体被膜を有することが判明
した。これは不純物としての酸素濃度が減少したため、
このＰＩＥの特性劣化を少なくしたものと判断される。
信頼性を有するシリコン半導体被膜を有することが判明
した。これは不純物としての酸素濃度が減少したため、
このＰＩＥの特性劣化を少なくしたものと判断される。
【００４０】このＰＩＥは半導体エレクトロニクスにお
いて工業上信頼性の低下を促し、きわめて有害なもので
あった。かかる劣化特性が明らかになり、かつその対策
がうたれた本発明は光電変換装置、光センサ、静電複写
機、絶縁ゲイト型電界効果半導体およびその集積化装置
への応用が可能となり、工業上きわめて有効なものと判
断される。さらに本発明の作製に用いた第１図で示され
た装置で得られた従来例との特性の比較を示す。
いて工業上信頼性の低下を促し、きわめて有害なもので
あった。かかる劣化特性が明らかになり、かつその対策
がうたれた本発明は光電変換装置、光センサ、静電複写
機、絶縁ゲイト型電界効果半導体およびその集積化装置
への応用が可能となり、工業上きわめて有効なものと判
断される。さらに本発明の作製に用いた第１図で示され
た装置で得られた従来例との特性の比較を示す。
【００４１】第４図（Ａ）は２５０℃の基板温度であ
り、放電出力を１８０Ｗとし、反応性気体の導入量を１
０ｃｃ／分（４１）（４３）６０ｃｃ／分（４２）（４
０）である。また曲線（４３）（４２）は従来のＰＣＶ
Ｄ法で得られたものである。また第１図（４０）（４
１）はＦＩＲ（出力３ｋＷ，２８ｍＷ／ｃｍ３）を加え
たＰＰＣＶＤ法で得られたものである。 この出力は５
ｍＷ／ｃｍ３以下にすると、光励起の効果が少なくなる
ため、少なくとも５ｍＷ／ｃｍ３以上であることが好ま
しかった。
り、放電出力を１８０Ｗとし、反応性気体の導入量を１
０ｃｃ／分（４１）（４３）６０ｃｃ／分（４２）（４
０）である。また曲線（４３）（４２）は従来のＰＣＶ
Ｄ法で得られたものである。また第１図（４０）（４
１）はＦＩＲ（出力３ｋＷ，２８ｍＷ／ｃｍ３）を加え
たＰＰＣＶＤ法で得られたものである。 この出力は５
ｍＷ／ｃｍ３以下にすると、光励起の効果が少なくなる
ため、少なくとも５ｍＷ／ｃｍ３以上であることが好ま
しかった。
【００４２】図面より明らかなごとくＰＣＶＤ法ではそ
の被膜成長速度が増加し、結果として反応性気体の有効
利用率が向上した。さらにまた圧力が高い領域（１ｔｏ
ｒｒ以上）では、従来のＰＣＶＤ法では被膜を作ること
ができない。他方本実施例で用いたＰＰＣＶＤ法におい
ては、１〜１０ｔｏｒｒにおいても十分の被膜成長速度
を得ることができた。
の被膜成長速度が増加し、結果として反応性気体の有効
利用率が向上した。さらにまた圧力が高い領域（１ｔｏ
ｒｒ以上）では、従来のＰＣＶＤ法では被膜を作ること
ができない。他方本実施例で用いたＰＰＣＶＤ法におい
ては、１〜１０ｔｏｒｒにおいても十分の被膜成長速度
を得ることができた。
【００４３】第４図（Ｂ）は、放電出力と反応炉内圧力
とを０．２Å／秒以上の被膜成長ができる領域（曲線に
て囲まれた内部）（４４）（４５）と４Å／秒の被膜
（４６）とができる部分を示す。図面で従来のＰＣＶＤ
法では曲線（４４）が得られるが、本実施例で用いたＰ
ＰＣＶＤ法にては曲線（４５）に見られるごとく高圧力
側にもさらに重要なことは低い放電出力においても被膜
を十分に得ることができた。加えてＰＣＶＤ法にては得
られない４Å／秒以上の領域（４６）を大きな範囲で得
られ、従来よりしられたＰＣＶＤ法に比べて低い放電出
力即ち被形成面へのスパッタ（損傷）を少なくし、かつ
反応炉内に導入された反応性気体の有効利用率（収率即
ち被膜に密着した珪素／導入された珪素）を高めること
ができた。そしてＰＣＶＤ法では２〜５％であったもの
を１０〜２０％にまて高めることが可能である。 本実
施例において用いたＦＩＲの出力を３ＫＷは単位空間当
たり２８ｍＷ／ｃｍ３であった。しかしこの出力をさら
に５０〜５００ｍＷ／ｃｍ３にしてＦＩＲの効果をより
高め、珪素としてプラズマ反応を下げることは被形成面
に損傷を与えないために有効である。本明細書での実施
例においては、１００〜３５０℃で作られた非単結晶特
に水素またはハロゲン元素が混入した非晶質または珪素
半導体について示した。しかしこの温度を４００〜６０
０℃とし、多結晶珪素半導体とし、ＶＬＳＩ（大面積集
積回路）に用いてもよいことはいうまでもない。
とを０．２Å／秒以上の被膜成長ができる領域（曲線に
て囲まれた内部）（４４）（４５）と４Å／秒の被膜
（４６）とができる部分を示す。図面で従来のＰＣＶＤ
法では曲線（４４）が得られるが、本実施例で用いたＰ
ＰＣＶＤ法にては曲線（４５）に見られるごとく高圧力
側にもさらに重要なことは低い放電出力においても被膜
を十分に得ることができた。加えてＰＣＶＤ法にては得
られない４Å／秒以上の領域（４６）を大きな範囲で得
られ、従来よりしられたＰＣＶＤ法に比べて低い放電出
力即ち被形成面へのスパッタ（損傷）を少なくし、かつ
反応炉内に導入された反応性気体の有効利用率（収率即
ち被膜に密着した珪素／導入された珪素）を高めること
ができた。そしてＰＣＶＤ法では２〜５％であったもの
を１０〜２０％にまて高めることが可能である。 本実
施例において用いたＦＩＲの出力を３ＫＷは単位空間当
たり２８ｍＷ／ｃｍ３であった。しかしこの出力をさら
に５０〜５００ｍＷ／ｃｍ３にしてＦＩＲの効果をより
高め、珪素としてプラズマ反応を下げることは被形成面
に損傷を与えないために有効である。本明細書での実施
例においては、１００〜３５０℃で作られた非単結晶特
に水素またはハロゲン元素が混入した非晶質または珪素
半導体について示した。しかしこの温度を４００〜６０
０℃とし、多結晶珪素半導体とし、ＶＬＳＩ（大面積集
積回路）に用いてもよいことはいうまでもない。
【００４４】また本発明方法により被膜形成の際、Ｍｏ
Ｃｌ５，ＷＦ５を同時に加え、ＭｏＳｉ２，ＷＳｉ２の
ごとき珪素を主成分とするリフテクトリーメタルを作る
ことは実施例１において同時に作ることが可能である。
Ｃｌ５，ＷＦ５を同時に加え、ＭｏＳｉ２，ＷＳｉ２の
ごとき珪素を主成分とするリフテクトリーメタルを作る
ことは実施例１において同時に作ることが可能である。
【００４５】本明細書においては、シリコンを主成分と
する半導体被膜を示した。この半導体被膜として、アミ
ン（ＮＨ２）の吸収は７００〜９００ｃｍ−１に強い吸
収ピークを有していることより、メタンまたはアンモニ
アを同時に導入してＳｉｘＣ１−ｘ（０．５＜ｘ＜
１）、Ｓｉ３Ｎ４−ｘ（２＜ｘ＜４）で示される炭素ま
たは窒素が添加された非単結晶半導体を作ることは有効
である。
する半導体被膜を示した。この半導体被膜として、アミ
ン（ＮＨ２）の吸収は７００〜９００ｃｍ−１に強い吸
収ピークを有していることより、メタンまたはアンモニ
アを同時に導入してＳｉｘＣ１−ｘ（０．５＜ｘ＜
１）、Ｓｉ３Ｎ４−ｘ（２＜ｘ＜４）で示される炭素ま
たは窒素が添加された非単結晶半導体を作ることは有効
である。
【００４６】またこれまではＳｉ―Ｈを中心として示し
た。しかしＳｉ−Ｆは９００〜１１５０ｃｍ−１、Ｓｉ
―Ｃｌは９００〜７５０ｃｍ−１、Ｓｉ−Ｂｒは５００
〜７５０ｃｍ−１、Ｓｉ−Ｚは５００〜３００ｃｍ−１
にそれぞれ強い吸収ピークを有する。このため本発明方
法にこれらの珪素のハロゲン化物気体を用いた場合でも
同様にきわめて有効にＰＰＣＶＤを実施することができ
ることはいうまでもない。
た。しかしＳｉ−Ｆは９００〜１１５０ｃｍ−１、Ｓｉ
―Ｃｌは９００〜７５０ｃｍ−１、Ｓｉ−Ｂｒは５００
〜７５０ｃｍ−１、Ｓｉ−Ｚは５００〜３００ｃｍ−１
にそれぞれ強い吸収ピークを有する。このため本発明方
法にこれらの珪素のハロゲン化物気体を用いた場合でも
同様にきわめて有効にＰＰＣＶＤを実施することができ
ることはいうまでもない。
【００４７】
【発明の効果】半導体膜中の酸素濃度を従来より低い１
×１０１９／ｃｃ未満とすることで、電気的安定性と信
頼性に優れた半導体装置を得る事ができた。
×１０１９／ｃｃ未満とすることで、電気的安定性と信
頼性に優れた半導体装置を得る事ができた。
【図１】本発明を得るために用いた気相化学反応装置の
概要を示す。
概要を示す。
【図２】本発明に用いられた遠赤外の発光特性およびＳ
ｉ―Ｈ結合の赤外線吸収特性である。
ｉ―Ｈ結合の赤外線吸収特性である。
【図３】本発明及び従来例によって得られた電気伝導度
特性を示す。
特性を示す。
【図４】従来より公知のプラズマ気相法および本発明で
用いた光プラズマ気相法で作られた被膜の特性である。
用いた光プラズマ気相法で作られた被膜の特性である。
１０ 反応系 ２０ ドーピング系 ３０ 排気系 ９ 光化学反応用のランプ ５，６ 一対の電極 ３２ 反応空間 １ 基板 ３１ 基板ホルダ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲の欄
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】段落番号０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【問題を解決するための手段】この発明は、珪素の水素
化物またはハロゲン化物であって、Ｓｉ−Ｈ，Ｓｉ−
Ｆ，Ｓｉ−Ｃｌ，Ｓｉ−Ｂｒ，Ｓｉ−Ｉの結合を有する
反応性気体を用いたものであって、これらの反応性気体
に１５００〜３００ｃｍ−１の遠赤外（以下ＦＩＲとい
う）の連続光を照射するとともに、電気エネルギを加え
ることにより気相反応を行うことによって得られる酸素
が１×１０１９／ｃｃ未満の量しか混入されていない非
単結晶珪素被膜が基板上に設けられたことを特徴とする
半導体装置である。
化物またはハロゲン化物であって、Ｓｉ−Ｈ，Ｓｉ−
Ｆ，Ｓｉ−Ｃｌ，Ｓｉ−Ｂｒ，Ｓｉ−Ｉの結合を有する
反応性気体を用いたものであって、これらの反応性気体
に１５００〜３００ｃｍ−１の遠赤外（以下ＦＩＲとい
う）の連続光を照射するとともに、電気エネルギを加え
ることにより気相反応を行うことによって得られる酸素
が１×１０１９／ｃｃ未満の量しか混入されていない非
単結晶珪素被膜が基板上に設けられたことを特徴とする
半導体装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】段落番号００４６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４６】またこれまではＳｉ−Ｈを中心として示し
た。しかしＳｉ−Ｆは９００〜１１５０ｃｍ−１、Ｓｉ
−Ｃｌは９００〜７５０ｃｍ−１、Ｓｉ−Ｂｒは５００
〜７５０ｃｍ−１、Ｓｉ−Ｉは５００〜３００ｃｍ−１
にそれぞれ強い吸収ピークを有する。このため本発明方
法にこれらの珪素のハロゲン化物気体を用いた場合でも
同様にきわめて有効にＰＰＣＶＤを実施することができ
ることはいうまでもない。
た。しかしＳｉ−Ｆは９００〜１１５０ｃｍ−１、Ｓｉ
−Ｃｌは９００〜７５０ｃｍ−１、Ｓｉ−Ｂｒは５００
〜７５０ｃｍ−１、Ｓｉ−Ｉは５００〜３００ｃｍ−１
にそれぞれ強い吸収ピークを有する。このため本発明方
法にこれらの珪素のハロゲン化物気体を用いた場合でも
同様にきわめて有効にＰＰＣＶＤを実施することができ
ることはいうまでもない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 21/205
Claims (1)
- 【請求項１】 水素またはハロゲン元素が混入し、酸素
が１×１０１９／ｃｃ未満の量しか混入されていないシ
リコンを主成分とする非単結晶珪素被膜であって、該非
単結晶珪素被膜中に、モリブデンまたはタングステンが
添加されたＭｏＳｉ２，ＷＳｉ２のごとき導電性被膜が
形成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134900A JPS6027122A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 光プラズマ気相反応法 |
| JP2417708A JP2588446B2 (ja) | 1983-07-22 | 1990-12-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134900A JPS6027122A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 光プラズマ気相反応法 |
| JP2417708A JP2588446B2 (ja) | 1983-07-22 | 1990-12-15 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58134900A Division JPS6027122A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 光プラズマ気相反応法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335607A true JPH05335607A (ja) | 1993-12-17 |
| JP2588446B2 JP2588446B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=26468891
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58134900A Pending JPS6027122A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 光プラズマ気相反応法 |
| JP2417708A Expired - Lifetime JP2588446B2 (ja) | 1983-07-22 | 1990-12-15 | 半導体装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58134900A Pending JPS6027122A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 光プラズマ気相反応法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS6027122A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010087471A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JP2010141306A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタの作製方法 |
| JP2011071534A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-04-07 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 薄膜トランジスタ |
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