JP3387977B2 - 絶縁膜の作製方法 - Google Patents

絶縁膜の作製方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁膜、特に絶縁ゲイ
ト型電界効果トランジスタ等の薄膜デバイスに用いられ
るゲイト絶縁膜や、ICの層間絶縁膜やパッシベーショ
ン膜を650℃以下の低温で得る方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜型の絶縁ゲイト型電界効果ト
ランジスタ(TFT)等の薄膜デバイスにおいては、結
晶シリコンを形成した後、この表面を900〜1100
℃の高温で熱酸化することによって、特性の良好な酸化
珪素を作製し、これをゲイト絶縁膜として用いることが
なされてきた。
【0003】このような熱酸化膜の特徴は、界面準位密
度が極めて低いことと結晶シリコンの表面に一様な厚さ
で形成できることに集約される。すなわち、前者は良好
なオン/オフ特性やバイアス/温度に対する長期の信頼
性をもたらし、また、後者は島状の半導体領域のエッヂ
部分でのゲイト電極と半導体領域(活性層)の短絡を少
なくすることによって歩留りを向上させた。
【0004】
【発明が解決しようする課題】しかしながら、このよう
な熱酸化膜を用いる場合には基板材料として高温に耐え
る材料を選択しなければならなかった。この点に関して
は、安価なガラス材料(コーニング7059等の無アル
カリガラス)を用いることができず、したがって、特に
大面積基板を用いる場合にコストが増大する点で不利で
あった。近年、無アルカリガラス基板上にTFTを形成
する技術が開発途上にあるが、このような技術において
は熱酸化膜を使用することができず、スパッタ法やプラ
ズマCVD法、減圧CVD法等の物理的あるいは化学的
気相成長法によってゲイト絶縁膜を形成していた。
【0005】しかし、このような手段によって形成され
た酸化珪素膜は、熱酸化膜に比べると特性の見劣りは否
めなかった。すなわち、一般に界面準位密度は大きく、
また、ナトリウム等のアルカリイオンが成膜中に侵入す
る危険が常に付きまとっていた。また、ステップカバレ
ージ(段差被覆性)がそれほど良好でないので、島状の
半導体領域のエッヂ部分でのゲイト電極と活性層との短
絡が頻発した。このため、特性、信頼性、歩留りの全て
を満足させるものを得ることは極めて難しかった。
【0006】本発明はこのような諸問題の少なくとも1
つを解決せんとしてなされたものである。すなわち、本
発明においては、ステップカバレージが良好で、しかも
成膜速度の大きな酸化珪素膜を作製する方法を提供せん
とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、平行平板型の
一対の電極の一方の電極に配置された基体上に酸化珪素
膜を成膜する方法であって、成膜雰囲気として、エトキ
シ基を有する有機シランと酸素とを含む雰囲気を用い、
前記雰囲気には、電磁エネルギーと紫外線のエネルギー
とが供給されること、成膜後に加熱しつつ紫外線を照射
することによってアニールすること、を要旨とする絶縁
膜の作製方法である。
【0008】ここで、エトキシ基を有する有機シランと
しては、化学式Si(OC2 5 4 (テトラ・エトキ
シ・シラン、以下、TEOSという)、Si2 O(OC
2 5 6 、Si3 2 (OC2 5 8 、Si4 3
(OC2 5 10、Si5 4 (OC2 5 12で表現
される物質が好ましい。このような有機シラン材料は、
基板表面を泳動する時間が長く、表面での分解によって
酸化珪素膜を形成するので、凹部への回り込みが良好で
ステップカバレージの優れた被膜が得られる。
【0009】電磁エネルギーとしては、13.56MHzの高周
波エネルギーを加えることが一般的であるが、この周波
数に限られるものではない。紫外線のエネルギーとして
は、公知のUVランプ(水銀ランプが一般的に用いられ
る)を使用することが一般的である。
【0010】上記発明は、絶縁ゲイト型電界効果半導体
装置のゲイト絶縁膜の作製、半導体装置(IC等の集積
回路も含む)の下地酸化珪素膜や層間絶縁膜やパッシベ
ーション膜の作製に利用できる。従って、本発明におけ
る基体としては、絶縁ゲイト型電界効果半導体装置のチ
ャネル形成領域、ICの電極配線、絶縁性基板、半導体
基板、半導体層、等々の絶縁膜を必要とする部分が全て
含まれる。
【0011】また、本発明は、成膜が行われる際の基体
の温度を、650度以下、特に450度以下の温度とす
ることができる。この成膜の際の温度の下限は、200
度程度であるが、成膜速度の点を考慮すると、350度
程度で行うことが好ましい。
【0012】また本発明においては、電極間隔を15m
m以下とすることによって、成膜速度を向上させたこと
を特徴とするものである。この電極間隔は、基体の厚さ
や成膜条件、さらには反応性気体の導入方法等によって
制限されるものであるが、できる限り狭くした方が大き
な成膜速度を得ることができる。
【0013】また、本発明において、予め有機シランと
酸素とを含む混合気体を紫外線のエネルギーによって、
予備励起させることは有用である。この予備励起によっ
て、効果的に有機シランを分解活性化せしめ、しかも酸
素との反応を促進させることができる。
【0014】また本発明において、下地に半導体を用い
る場合、事前に下地の半導体(シリコンを主成分とする
ものが好ましい)膜を酸素を含むプラズマ雰囲気中にさ
らしておくとよい。この結果、界面準位密度が低下し信
頼性が向上する。また、この際には、酸素以外に塩化水
素もしくはトリクロロエチレン、トリクロロエタン、ジ
クロールメタン等の塩素を有する材料を混入させてもよ
り一層の効果を得ることができる。
【0015】なお、成膜に用いられる成膜装置のチャン
バー(真空室)内は十分にクリーニングして、ナトリウ
ム等のアルカリ元素を減らしておくことが要求される。
チャンバーのクリーニングには、チャンバー内に塩素、
塩化水素、もしくは塩素を含む炭化水素と、酸素を導入
した上で、プラズマを発生させればよい。また、その際
にはチャンバー内を150℃以上、好ましくは300℃
以上に加熱しておくと一層の効果が得られる。
【0016】
【作用】エトキシ基を有する有機シランと酸素とを含む
雰囲気に電磁エネルギーと紫外線のエネルギーを加える
ことによって、効果的に有機シランの分解と活性化、さ
らには酸素との反応を促進させることができ、電磁エネ
ルギーのみでは不十分であったステップカバレージ(段
差被覆性)の問題と、成膜速度の向上を計ることができ
る。
【0017】また、エトキシ基を有する有機シランとし
て、TEOSを用いた場合、炭素原子が紫外線の照射に
より活性化され、酸素原子と反応することによって、二
酸化炭素として膜中から排除するこができるので、酸化
珪素膜中に炭素原子が残存することを低減することがで
き、膜質の向上を計ることができる。また、成膜後に加
熱しつつ紫外線の照射によってアニールすることによっ
て、絶縁膜としての膜質の向上を計ることができる。
【0018】
【実施例】
〔実施例1〕図1に本実施例で用いた成膜装置を示す。
図1において、チャンバー61と、紫外光源室69とチ
ャンバー内60とを仕切る石英窓63と、紫外光源室内
に配置された紫外光源(水銀ランプ)62と、高周波
(13.56MHz) 電源67に接続されたメッシュ電極64
と、基板または基体66が設置された接地電極65が示
されている。また図1には、基板まはた基体を加熱する
機構が示されていないが、ヒータや赤外線ランプによる
加熱機構が備えられている。また、ガス供給系や排気系
が備えられていることはいうまでもない。
【0019】本実施例は、電極間極68えお0mm以下
とすることが特徴である。これは、電極間隔を15mm
以下とすることによって、成膜速度の向上とステップカ
バレージの向上が実験的に確かめられたことによる。図
6に示す成膜装置を用いた実験(電極間隔は15mm)
によれば、水銀ランプ62からの紫外線の照射と同時に
高周波エネルギーを印加して、TEOSと酸素との混合
ガスを用いて、酸化珪素を形成した場合、成膜速度とし
て0.07μm/minを得ることができ、しかも良好
なステップカバレージが得られることが確認されてい
る。なお、電極間距離が40mmの場合の成膜速度は、
0.001μm/min以下であり、電極間距離を15
mmとした場合でも紫外線の照射を行わないと、成膜速
度は0.003μm/min以下である。
【0020】電極間距離は、狭い程良いと考えられる
が、電極間に基板や基体を配置しなければならない問題
や、基板の出し入れの時の基板と電極との接触の問題、
上側の電極からのフレークの膜中への混入、といった問
題があり限度がある。しかし、可能な限り電極間隔を狭
くして成膜を行うことは、有用であると考えられる。
【0021】以下に実験の経緯を説明する。まず、成膜
条件を説明する。ここでは基板として高純度シリコンウ
ェファーを用い、電極間隔68を15mmとして成膜を
行った。ここでは、基板温度は300℃とした。また、
チャンバー内60には、酸素を300SCCM、TEO
Sを15SCCM、トリクロロエチレン(以下、TCE
という)を2SCCM導入した。RFパワー(13.56MHz)
は75W、全圧は5Paである。また、成膜後に350
℃、35分の水素雰囲気で、紫外線を照射しながらのア
ニールをおこなった。このアニールは、大気や酸素雰囲
気下で行なってもよい。
【0022】図3は、基板66として高抵抗シリコンウ
ェファーを用い、この上に成膜した厚さ1000Åの酸
化珪素膜の絶縁破壊試験の結果である。酸化珪素膜上に
は1mmφのアルミニウム電極を形成して電圧−電流の
関係をプロットした。図3(C)は基板に特別な処理を
おこなわないで、成膜したもので絶縁耐圧が低い。しか
しながら、基板をチャンバーにセットした後、基板温度
300℃、酸素を400SCCM、TCEを0〜5SC
CM流し、全圧5Paの雰囲気、RFパワー150Wで
10分間プラズマ雰囲気にさらした(この工程では気相
反応では被膜は形成されない)後に、引き続いて酸化珪
素膜を堆積すると図3(A)に示すように良好な耐圧を
示す酸化珪素膜が得られた。
【0023】しかしながら、酸化珪素成膜時のTCEの
流量を4SCCM以上、例えば、5SCCMに増やすと
図3(B)に示すように耐圧の劣る被膜になってしまっ
た。この結果から、TCEの濃度には最適な値があるこ
とが明らかになった。
【0024】図4(A)は、信頼性試験の1つとして、
バイアス/温度印加試験によるフラットバンド電圧(V
FB)の変動(ΔVFB)と基板前処理の関係を示したもの
である。バイアス/温度試験では、150℃で試料に+
17Vの電圧を1時間印加した後、室温でそのC−V特
性を測定し、さらに、150℃で−17Vの電圧を1時
間印加した後、室温でそのC−V特性を測定し、この2
回の測定でのVFBの差をΔVFBとして評価した。
【0025】前処理を行わなかった試料(図4(A)に
おいて、(a)と表示)では、ΔVFBは5V前後で比較
的大きな値を示した。しかし、前処理をおこなうことに
よってそれは改善された。図4(A)の(b)、(c)
の前処理条件を以下に示す。 試料 (b) (c) 基板温度 300℃ 300℃ TCE/酸素 0/400 0.5/400 RFパワー 150W 150W 処理時間 10分 10分 図4から、TCEを用いて基板の前処理をおこなうこと
によって、より一層の改善が見られることが確かめられ
た。
【0026】同様な改善は成膜後にアニールをおこなう
ことによって得られる。アニールは1気圧のアルゴン雰
囲気で300〜570℃で、1時間おこなった。アニー
ル温度とΔVFBの関係を図4(B)に示す。特に450
℃以下の温度でΔVFBの低減が観測され、600℃に近
づくにつれて一定の値に漸近する傾向がうかがえる。こ
のことから、成膜後のアニールは信頼性向上に寄与する
ことが明らかにされた。
【0027】以上の実験から得られた結果を用いて、T
FTを作製した。その工程を図2に示す。まず、基板
(コーニング7059)201上に厚さ2000Åの下
地の酸化珪素膜202をTEOS、酸素、TCEを原料
とする紫外線の照射を併用したプラズマCVD法によっ
て形成した。用いた装置は図1に示したものと同じであ
る。主な条件は以下の通りである。 基板温度:300℃ 全圧:5Pa ガス TEOS: 15SCCM 酸素:300SCCM TCE : 2SCCM RFパワー:75W
【0028】その後、プラズマCVD法によって、厚さ
500nmのアモルファスシリコン膜を堆積し、これを
パターニングして、島状シリコン領域203を形成し
た。さらに、窒素雰囲気に400℃、30分放置するこ
とによって、水素出しをおこなった。そして、図2
(A)に示すようにレーザーアニールをおこなって、結
晶化させた。レーザーにはKrFエキシマーレーザー
(波長248nm、パルス幅20nsec)を用いた。
エネルギー密度は200〜350mJ/cm2 とした。
また、レーザー照射時には基板温度を300〜500
℃、例えば450℃に保った。
【0029】その後、図2(B)に示すように、この島
状シリコン領域203を覆って、ゲイト絶縁膜として厚
さ1000Åの酸化珪素膜204をTEOS、酸素、T
CEを原料とするプラズマCVD法によって形成した。
成膜に先立って、基板の前処理をおこなった。前処理と
成膜は、図1に示す装置を用い、電極間距離15mmで
紫外線を照射しながら行った。前処理の主な条件を以下
に示す。 基板温度 :300℃ 全圧 :5Pa ガス 酸素:400SCCM TCE:0.5SCCM RFパワー 150W 処理時間 10分 続いて、成膜をおこなった。主な成膜条件は以下の通り
である。また、成膜後に紫外線を照射しながら、アルゴ
ン雰囲気、550℃で1時間のアニールをおこなった。 基板温度:300℃ 全圧:5Pa ガス TEOS: 15SCCM 酸素:300SCCM TCE : 2SCCM RFパワー:75W
【0030】次に、シリコンを2%ドープしたアルミニ
ウム膜を6000Å堆積し、これをパターニングしてゲ
イト電極205を形成した。そして、図2(C)に示す
ように不純物イオン(燐やホウ素)をプラズマドーピン
グ法によって、ゲイト電極205をマスクとして自己整
合的に導入し、不純物領域206、207を形成した。
不純物が形成されなかった領域はチャネル形成領域20
8となる。ドーピングはゲイト絶縁膜を通しておこなわ
れるので、燐の場合は80kVの、また、ホウ素の場合
は65kVの加速電圧が必要であった。また、ドーズ量
は1×1015〜4×1015cm-2が適当であった。
【0031】その後、図2(D)に示すように、再びレ
ーザーアニール法によって、不純物の活性化をおこなっ
た。レーザーにはKrFエキシマーレーザー(波長24
8nm、パルス幅20nsec)を用いた。エネルギー
密度は200〜350mJ/cm2 とした。また、レー
ザー照射時には基板温度を300〜500℃に保っても
よい。レーザー照射終了後、0.1〜1気圧の分圧の水
素雰囲気、350℃で35分間のアニールをおこなっ
た。
【0032】次に、層間絶縁物として厚さ5000Åの
酸化珪素膜209を堆積した。酸化珪素膜209はTE
OS、酸素、TCEを原料とするプラズマCVD法によ
って形成した。用いた装置は図1に示したものと同じで
ある。主な成膜条件は以下の通りである。 基板温度:300℃ 全圧:5Pa ガス TEOS: 30SCCM 酸素:300SCCM RFパワー:100W
【0033】そして、層間絶縁物にコンタクトホール2
10、211を形成し、アルミニウムによってTFTの
ソース、ドレインに電極212、213を形成した。ア
ルミニウムの代わりにチタン、窒化チタンを用いてもよ
い。以上によってTFTを完成することができた。得ら
れたTFTの歩留りはゲイト絶縁膜のステップカバレー
ジが改善されたことと、ゲイト絶縁膜の信頼性が向上し
たために歩留りが著しく改善された。
【0034】上記TFTの作製において、特に、紫外線
を照射することによって、ステップカバレージを改善で
きたこと、さらには膜中に炭素が残留することを抑制で
きたこと、がTFTの信頼性の向上に寄与したものと考
えられる。
【0035】〔実施例2〕本実施例は、ICの層間絶縁
膜として本発明を利用した例である。
【0036】図5にIC(DRAM)の断面図を示す。
図面において、51が素子部分であり、ここにMOS型
トランジスタやキャパシタが作り込まれている。また5
2は層間絶縁膜であり、PPSG等で構成される。53
はアルミ配線であり、該アルミ配線53上に層間絶縁膜
である酸化珪素膜54が示されている。本実施例は、こ
の層間絶縁膜54を形成する例である。
【0037】層間絶縁膜54の作製条件の一例を以下に
示す。用いる装置は図1に示したものと同じである。主
な条件は以下の通りである。 基板温度:300℃ 全圧:5Pa ガス TEOS: 15SCCM 酸素:300SCCM RFパワー:75W そして成膜後、紫外線を照射しながら300度、1時間
のアニールを行なった。
【0038】本実施例のように、高いステップカバレー
ジを必要とされる絶縁膜を形成するには、本発明を利用
することが有用である。また、以上の実施例において
は、層間絶縁膜としての酸化珪素膜を形成するのみの例
であるが、成膜ガスとして、PH3 を添加すれば、絶縁
膜中にPを添加するこができ、B2 6 を用いれば、B
を膜に添加できる。また、膜中に塩素やハロゲン元素を
含ませることもできる。
【0039】
【効果】本発明によって、得られる酸化珪素膜がゲイト
絶縁膜として十分に信頼性に優れていることは以上に述
べたとおりである。しかも、信頼性だけでなく、歩留り
の向上にも寄与することが明らかになった。また、ステ
ップカバレージと成膜速度の向上を得ることができ、量
産性を向上させることができた。このように本発明は産
業上、有益な発明である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例に用いられた成膜装置の概念図を示
す。
【図2】 実施例におけるTFTの作製工程図を示
す。
【図3】 実施例において得られた絶縁被膜の耐圧特
性を示す。
【図4】 実施例において得られた絶縁被膜のΔVFB
特性を示す。
【図5】 実施例で用いたICの断面図を示す。
【符号の説明】
61 ・・・チャンバー 67 ・・・高周波電源 65、64 ・・・電極 68 ・・・電極間隔 62 ・・・紫外光源 63 ・・・石英窓 66 ・・・基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/31 - 21/32

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】平行平板型の一対の電極を有するチャンバ
    ーと光源室とを有するプラズマCVD装置を用いた絶縁
    膜の作製方法であって、 前記電極の一方に基体を配置し、 前記チャンバー内にエトキシ基を有する有機シランと酸
    素とトリクロロエチレンとを含む混合ガスを導入し、 前記一対の電極に電磁エネルギーを供給し、且つ前記光
    源室からの紫外線を前記チャンバー内へ照射することに
    より、前記ガスのプラズマを生じさせ、前記基体上に前
    記酸化珪素膜を形成し、 前記光源室からの紫外線を前記チャンバー内へ照射しな
    がら前記酸化珪素膜を加熱することを特徴とする絶縁膜
    の作製方法。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記トリクロロエチレ
    ンの流量は4SCCM未満であることを特徴とする絶縁
    膜の作製方法。
  3. 【請求項3】請求項1又は2において、前記基体を20
    0〜650℃に加熱しながら前記基体上に前記酸化珪素
    膜を形成することを特徴とする絶縁膜の作製方法。
  4. 【請求項4】請求項1乃至3のいずれか一において、前
    記基体を200〜650℃に加熱しながら前記酸化珪素
    膜を加熱することを特徴とする絶縁膜の作製方法。
  5. 【請求項5】請求項1乃至4のいずれか一において、前
    記酸化珪素膜を加熱する雰囲気はアルゴン雰囲気である
    ことを特徴とする絶縁膜の作製方法。
  6. 【請求項6】請求項1乃至5のいずれか一において、前
    記チャンバー内に前記混合ガスを導入し、前記一対の電
    極に電磁エネルギーを供給する前に、前記光源室からの
    紫外線を前記チャンバーへ照射することを特徴とする絶
    縁膜の作製方法。
  7. 【請求項7】請求項1乃至6のいずれか一において、前
    記基体上に前記酸化珪素膜を形成する前に、前記チャン
    バー内に塩素、塩化水素又は塩素を含む炭化水素と、酸
    素と、を含むガスを導入し、当該ガスのプラズマを生じ
    させることにより前記チャンバー内をクリーニングする
    ことを特徴とする絶縁膜の作製方法。
  8. 【請求項8】請求項1乃至7のいずれか一において、前
    記エトキシ基を有する有機シランとは、化学式Si(O
    、SiO(OC、Si
    (OC、Si(OC10、S
    (OC12で表現される物質のいずれ
    かであることを特徴とする絶縁膜の作製方法。
  9. 【請求項9】請求項1乃至8のいずれか一において、前
    記一対の電極の間隔は15mm以下であることを特徴と
    する絶縁膜の作製方法。
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