JPH0533542U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0533542U
JPH0533542U JP8022091U JP8022091U JPH0533542U JP H0533542 U JPH0533542 U JP H0533542U JP 8022091 U JP8022091 U JP 8022091U JP 8022091 U JP8022091 U JP 8022091U JP H0533542 U JPH0533542 U JP H0533542U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
semiconductor device
external lead
connecting portion
wiring pattern
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Pending
Application number
JP8022091U
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English (en)
Inventor
明 小島
晴彦 牧野
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】半導体装置を配線基板に半田リフローで表面実
装した場合に、外部リードの接続部からはみ出した半田
で、隣接の配線パターン又は半田と半田ブリッジ部が形
成されないようにすることを目的とする。 【構成】外部リード2の接続部2aにおいて、その両側
縁に外側から内側に向かう切欠き9を形成する。 【効果】これらの切欠き9に接続部からはみだした半田
5が収容されるので、前記の半田ブリッジ部6が発生す
ることがない。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、半導体装置の外部リードを半田リフローにより配線基板の配線パ ターンに良好に半田付けできる構造の外部リードを備えた半導体装置に関するも のである。
【0002】
【従来の技術】
先ず、図3を用いて従来技術を説明する。図3において符号1は樹脂でパッケ ージされた半導体装置を示し、複数の外部リード2がこの半導体装置1のパッケ ージから導出されていて、それらの外部リード2は配線基板4上に形成された配 線パターン3上に位置合わせされて搭載され、半田リフローにより接続部2aで 半田付け、接続される。 しかし、このように単に接続した場合、余分な半田5が外部リード2及び配線 パターン3からはみ出し、隣接の外部リード2及び配線パターン3からはみ出し た半田5と接続し、所謂半田ブリッジ部6が発生することがあった。
【0003】 この半田ブリッジ部6の発生を防ぐため、図4Aに示したように、外部リード 2の接続部2aの中央にホール7を開けたり、同図Bに示したように、スリット 8を開けて、前記接続部2aの下面からこれらのホール7又はスリット8を通じ て上面に、前記余分な半田5が盛り上がり、その上面で余分な半田5を処理する 構造が提案されている(特開平1−202850)。
【0004】 しかし、近年、半導体装置の超高密度集積化が要求されるようになり、前記外 部リード2のピッチが0.3mm或いはそれ以下ともなると、それらの外部リー ド2の接続部2aにホールやスリットを開けることは極めて困難であり、また、 たとえ開けられたとしても、半田5の表面張力により、その余分な半田5がその 極小のホールやスリットを通って接続部2aの上面には盛り上がることができず 、外部リード2の接続部2aの両側からはみ出し、図3に示した従来技術に見ら れたような半田ブリッジ部6が形成される現象を認めた。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
この考案は、半導体装置がたとえ超高密度実装化され、外部リードがファイン ピッチ化されても、前述したような半田ブリッジ部が形成されない、又はされ難 い半導体装置を得ようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
そのためこの考案は、半導体装置の各外部リードの配線パターンと接続する接 続部の一部両側に切欠きを形成して、前記の欠点を解決した。
【0007】
【作用】
従って、これらの切欠きに前記余分な半田を収容することができるので、前記 の半田ブリッジ部が発生することがない。
【0008】
【実施例】
以下、この考案の実施例を図を用いて説明する。図1はこの考案の半導体装置 を配線基板に搭載したところを示す一部斜視図ある。図2はこの考案の半導体装 置の外部リードの変形例を示す平面図である。 なお、図3及び図4の半導体装置における構成、構造と同一の構成、構造の部 分には同一の符号を付した。
【0009】 先ず、図1を用いてこの考案の実施例の半導体装置を説明する。 この考案の半導体装置1おいて、配線基板4の配線パターン3と接合する外部 リード2の接続部2aの両側縁に外側から内側に向けて、相対するように切欠き 9を設けた。 これらの切欠き9の形状は、図1のように円弧状であっても、図2に示したよ うに、三角形状であってもよい。 実験例では、これらの外部リード2のピッチPを0.3mmとし、切欠き9の 長さLを0.3mm、その深さDを0.03mmとした。
【0010】
【考案の効果】
以上のような構造に、外部リード2の接続部2aを形成することにより、これ らの切欠き9に余分な半田が収容することができ、従来技術で発生した半田ブリ ッジ部6が発生することがなく、接続部2aの半田付け強度もそれ程低下させる ことなく、この考案の半導体装置1を配線基板4に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の半導体装置を配線基板に搭載したと
ころを示す一部拡大斜視図である。
【図2】この考案の半導体装置の外部リードの変形例を
示す平面図である。
【図3】従来技術の半導体装置を配線基板に搭載したと
ころを示す一部拡大平面図である。
【図4】従来技術の改良された半導体装置を示し、同図
Aはその一例の平面図、同図Bはその他の例の平面図で
ある。
【符号の説明】
1 半導体装置 2 外部リード 2a 接続部 3 配線パターン 4 配線基板 5 半田 6 半田ブリッジ部 9 切欠き

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】外部リードをリフローにより配線パターン
    に半田付けして配線基板に搭載するようにした半導体装
    置において、該外部リードの該配線パターンと接続する
    部分の両側縁に切欠きを形成したことを特徴とする半導
    体装置。
JP8022091U 1991-10-03 1991-10-03 半導体装置 Pending JPH0533542U (ja)

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JPH0533542U true JPH0533542U (ja) 1993-04-30

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9699915B2 (en) 2014-10-09 2017-07-04 Semiconductor Components Industries, Llc Method of manufacture an electric circuit

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02172266A (ja) * 1988-12-23 1990-07-03 Texas Instr Japan Ltd リード、パッケージ及び電気回路装置
JPH0555438A (ja) * 1991-08-26 1993-03-05 Rohm Co Ltd 電子部品のリード端子構造

Patent Citations (2)

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