JPH053167A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH053167A JPH053167A JP3180299A JP18029991A JPH053167A JP H053167 A JPH053167 A JP H053167A JP 3180299 A JP3180299 A JP 3180299A JP 18029991 A JP18029991 A JP 18029991A JP H053167 A JPH053167 A JP H053167A
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Abstract
って製造コストが安価でありながら、層間絶縁膜として
のCVD膜に理想的な形状のコンタクトホールを形成す
ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することで
ある。 【構成】 本発明では、まず比較的高温の条件でCVD
法を行い、次に比較的低温の条件でCVD法を行い、得
られるCVD膜の膜厚方向にCVD法の温度条件が連続
的または断続的に変化しているCVD膜15を形成し、
このCVD膜15をエッチングすることによりコンタク
トホールを形成する。
Description
に係わり、特に半導体装置に形成してあるCVD膜に対
してコンタクトホールを作成する方法に関する。
縁膜等として、窒化珪素膜あるいは酸化珪素膜がCVD
法により形成される場合がある。近年では、半導体装置
の多層配線化により、復層の層間絶縁膜が半導体基板上
に積層して形成される場合が多くなっている。
は、半導体基板表面に形成してある半導体回路との電気
的接続などを行う必要から、コンタクトホールを形成す
る必要がある。コンタクトホールの内部には、アルミニ
ウムなどの金属電極層が被着されることから、コンタク
トホールは、その上部で拡開する方向のテーパ形状にな
っていることが好ましい。金属電極層が段切れなくコン
タクトホール内部に被着されるようにするためである。
金属電極層の段切れが生じると、接続不良などの問題を
生じる。
対する従来のコンタクトホールの形成方法を図3に示
す。図3(A)に示す従来例では、各種半導体回路が表
面に形成してある半導体基板2の上部に、第1電極層4
が形成してあり、この第1電極層4及び半導体基板2の
表面を覆うように、層間絶縁膜6が形成してある。層間
絶縁膜6は、例えばCVD法により形成される酸化珪素
膜である。このような層間絶縁膜6に、第1電極層4へ
のコンタクトホール10を形成するため、従来では、層
間絶縁膜6を形成した後、その表面部分8に、ダメージ
形成用のイオン注入を行う。次に、層間絶縁膜6の表面
にレジスト膜を形成し、等方性エッチング及び異方性エ
ッチングを行い、コンタクトホール10を形成する。
イオン注入を行うのは、そうすることで、コンタクトホ
ール10を形成するための等方性エッチング及び等方性
エッチングに際し、ホール10の上部に良好なテーパ部
分を形成するためである。イオン注入を行うことで、表
面部分8がダメージを受け、等方性エッチング時に、そ
の表面部分8が、より早いエッチング速度でエッチング
されて、その部分に良好なテーパ形状を形成することが
できる。
グ速度が相違する二層の絶縁膜6a,6bで層間絶縁膜
を構成し、上層の絶縁膜6bのエッチング速度が下層の
絶縁膜6aのエッチング速度に対して早くなるように
し、さらに上層の絶縁膜6bの表面にダメージ部分形成
用のイオン注入を行い、等方性エッチング及び異方性エ
ッチングを行うことで、良好なテーパ形状を上部に有す
るコンタクトホール10を形成する方法も知られてい
る。
うな従来の方法では、層間絶縁膜における上層部の増速
エッチングを図り、良好なテーパ形状を上部に有するコ
ンタクトホール10を形成するために、ダメージ部分形
成用のイオン注入工程を必要としたり、材質の異なる二
層の層間絶縁膜6a,6bを形成する必要があり、製造
工程が増大し、ひいては製造コストが増大すると言う問
題点を有している。
都合を有効に解消するためになされ、製造工程が少な
く、したがって製造コストが安価でありながら、層間絶
縁膜としてのCVD膜に理想的な形状のコンタクトホー
ルを形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
に、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表
面に少なくとも一層のCVD膜が形成してあり、このC
VD膜にコンタクトホールが形成してある半導体装置を
製造する方法において、まず比較的高温の条件でCVD
法を行い、次に比較的低温の条件でCVD法を行い、得
られるCVD膜の膜厚方向にCVD法の温度条件が連続
的または断続的に変化しているCVD膜を形成し、この
CVD膜をエッチングすることによりコンタクトホール
を形成することを特徴としている。
部分形成用のイオン注入を行うことなく、CVD膜の表
層部分に、CVD法の温度条件を変化させて低温度CV
D膜を形成することにより、深層部分よりもエッチング
速度が早い領域を表層に形成することができる。このた
め、このようなCVD膜を等方性エッチングすれば、表
層部分にテーパ部分が形成されて金属電極層を被着し易
い良好な形状のコンタクトホールを形成することができ
る。しかも、本発明では、このような形状のコンタクト
ホールを得るためには、CVD膜を形成時に温度条件を
変化させるだけでよいので、製造工程が増大することが
なく、製造コストが安価になる。
製造方法について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
図1は本発明の半導体装置の製造工程を示す要部断面
図、図2はCVD膜を形成するための温度条件とCVD
膜のエッチング速度との関係を示すグラフである。
体装置は、各種の半導体製造プロセスを経て表面に半導
体回路が形成してある半導体基板2を有する。半導体基
板2の表面には、第1の金属電極層4が所定のパターン
で形成してある。金属電極層4は、例えばアルミニウム
金属で構成される。
面には、層間絶縁膜としてのCVD膜15が皮膜形成し
てある。本実施例では、このCVD膜15は、高温度条
件でCVD法により成膜された高温度CVD膜12と、
その表層部に形成され、低温度条件でCVD法により成
膜された低温度CVD膜14とから成る。これらCVD
膜12,14は連続的に形成される。CVD膜15の材
質は、特に限定されないが、酸化珪素膜あるいは窒化珪
素膜等が例示される。なお、本発明では、CVD法と
は、プラズマCVD法などを含む広い概念で用いる。
合には、図2に示すように、CVDの温度条件により、
得られる膜のエッチング速度が変化し、温度条件を低く
するとエッチング速度が著しく早くなる傾向にある。エ
ッチング速度は、例えばフッ化水素酸に対する膜のエッ
チング速度である。
膜12を、例えば400℃の温度条件で成膜し、表層部
である低温度CVD膜14を、例えば300℃の温度条
件で成膜する。そうすれば、図2に示すように、約5倍
程度のエッチング速度差が生じる。表層部に形成される
低温度CVD膜14の膜厚は、特に限定されないが、例
えば数百オングストローム以下程度である。高温度CV
D膜12の膜厚は、半導体装置の種類などに応じて種々
に改変される。
本実施例では、図1(B)に示すように、CVD膜15
の表面に、所定のパターンでエッチング孔18が形成し
てあるレジスト膜16を形成する。このようなレジスト
膜16を用いて、レジスト孔18の下方に位置するCV
D膜15をエッチングする。その際に、まず等方性エッ
チングを行い、図1(C)に示すように、レジスト膜1
6の下方部分もエッチングする。本実施例では、CVD
膜15の表層部分が低温度CVD膜14で構成してある
ことから、都合良くテーパ状部分22が形成されるよう
にエッチングすることができる。このような等方性エッ
チングのみでも、テーパ状部分22を上部に有するコン
タクトホール20を形成することができるが、等方性エ
ッチングの後に異方性エッチングを行うことにより、よ
り理想的な形状のコンタクトホール20を形成すること
が可能である。
図1(D)に示すように、レジスト膜を除去し、コンタ
クトホール20の内部に第2の金属電極層24が埋め込
まれるように、所定のパターンで金属電極層24を皮膜
形成する。その際に、コンタクトホール20の上部に理
想的な形状のテーパ部分22が形成してあるので、この
金属電極層24は、段切れ等が生じることなく、カバレ
ッジ良く皮膜形成され、この金属電極層が断線するなど
の事態が生じなくなる。
れるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変するこ
とができる。例えば、上述した実施例では、高温度CV
D膜の表層部に低温度CVD膜を形成した例を示した
が、本発明は、これに限定されず、CVD膜を形成する
に際して、温度条件を除々に変化させて界面が明確でな
いCVD膜を形成するようにしても良い。
上に単層のCVD膜が形成された例を示したが、本発明
はこれに限定されず、複数のCVD膜が形成された多層
配線構造の半導体装置にも適用することができる。
ば、CVD膜の表層部分に、CVD法の温度条件を変化
させて低温度CVD膜を形成することにより、ダメージ
部分形成用のイオン注入を行うことなく、しかもエッチ
ング速度が相違する異なる材質の二層のCVD膜を形成
することなく、エッチング速度が早い領域を表層に形成
することができる。このため、このようなCVD膜を等
方性エッチングすれば、表層部分にテーパ部分が形成さ
れて金属電極層を被着し易い良好な形状のコンタクトホ
ールを形成することができる。したがって、本発明で
は、金属電極層を被着し易い良好な形状のコンタクトホ
ールを得るためには、CVD膜の形成時に温度条件を変
化させるだけでよいので、製造工程が増大することがな
く、製造コストが安価になる。また、本発明では、場合
によっては、等方性エッチングのみでコンタクトホール
を作成することが可能になり、その場合には、さらに工
程を短縮することが可能になる。
部断面図である。
VD膜のエッチング速度との関係を示すグラフである。
要部断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 半導体基板の表面に少なくとも一層のC
VD膜が形成してあり、このCVD膜にコンタクトホー
ルが形成してある半導体装置を製造する方法において、
まず比較的高温の条件でCVD法を行い、次に比較的低
温の条件でCVD法を行い、得られるCVD膜の膜厚方
向にCVD法の温度条件が連続的または断続的に変化し
ているCVD膜を形成し、このCVD膜をエッチングす
ることによりコンタクトホールを形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3180299A JPH053167A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3180299A JPH053167A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH053167A true JPH053167A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16080781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3180299A Pending JPH053167A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH053167A (ja) |
-
1991
- 1991-06-25 JP JP3180299A patent/JPH053167A/ja active Pending
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