JPH05315511A - リードフレーム材およびその製造方法 - Google Patents
リードフレーム材およびその製造方法Info
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- JPH05315511A JPH05315511A JP35656691A JP35656691A JPH05315511A JP H05315511 A JPH05315511 A JP H05315511A JP 35656691 A JP35656691 A JP 35656691A JP 35656691 A JP35656691 A JP 35656691A JP H05315511 A JPH05315511 A JP H05315511A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【目的】 めっき性などに悪影響を及ぼさずに、リード
フレームと封止材との密着性を向上させるリードフレー
ム材とその製造方法の開発。 【構成】 リードフレーム１は、ＬＳＩ素子４を搭載す
るダイパット部２とその周囲のインナーリード３を有す
る。ダイパット部２およびインナーリード３の先端部に
はめっきが施される。ＬＳＩ素子４上の電極とインナー
リードの先端部とをボンディングワイヤ５によりボンデ
ィングする。封止材６によってパッケージングする。リ
ードフレーム材のボンディング面７の平均粗さを１．５
μｍ未満そして封止材接着面８の平均粗さを１．５〜１
０μｍに調整する。１．５μｍ未満に圧延された金属条
表面の封止材と接着される片面の平均粗さ（Ｒｚ）を
１．５〜１０μｍに粗面加工することにより作製する。
フレームと封止材との密着性を向上させるリードフレー
ム材とその製造方法の開発。 【構成】 リードフレーム１は、ＬＳＩ素子４を搭載す
るダイパット部２とその周囲のインナーリード３を有す
る。ダイパット部２およびインナーリード３の先端部に
はめっきが施される。ＬＳＩ素子４上の電極とインナー
リードの先端部とをボンディングワイヤ５によりボンデ
ィングする。封止材６によってパッケージングする。リ
ードフレーム材のボンディング面７の平均粗さを１．５
μｍ未満そして封止材接着面８の平均粗さを１．５〜１
０μｍに調整する。１．５μｍ未満に圧延された金属条
表面の封止材と接着される片面の平均粗さ（Ｒｚ）を
１．５〜１０μｍに粗面加工することにより作製する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表裏表面の表面粗さを
調整した、封着性および耐湿信頼性並びにめっき性に優
れたリードフレーム材およびその製造方法に関するもの
である。
調整した、封着性および耐湿信頼性並びにめっき性に優
れたリードフレーム材およびその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来技術】リードフレームは、その中央部にＬＳＩ素
子を搭載するダイパット部をそしてその周囲に先端部で
ＬＳＩ素子上の電極とワイヤーボンディングされる複数
のインナーリードを形成したもので、ダイパット部およ
びインナーリードの先端部には、良好なワイヤボンディ
ングを行うために金や銀などの貴金属めっきが施されて
いる。
子を搭載するダイパット部をそしてその周囲に先端部で
ＬＳＩ素子上の電極とワイヤーボンディングされる複数
のインナーリードを形成したもので、ダイパット部およ
びインナーリードの先端部には、良好なワイヤボンディ
ングを行うために金や銀などの貴金属めっきが施されて
いる。
【０００３】従来より、リードフレームは、鉄、鉄合
金、銅および銅合金などの金属条材を使用し、これにフ
ォトエッチングまたはプレス打ち抜き加工を実施して所
望とする形状に加工した後、ダイパット部およびインナ
ーリード先端部に部分めっきを施すことにより作製され
た。
金、銅および銅合金などの金属条材を使用し、これにフ
ォトエッチングまたはプレス打ち抜き加工を実施して所
望とする形状に加工した後、ダイパット部およびインナ
ーリード先端部に部分めっきを施すことにより作製され
た。
【０００４】更に、実装に当たっては、ダイパットにＬ
ＳＩを搭載し、ＬＳＩ素子上の電極とインナーリードの
先端部とをワイヤボンディングした後、ＬＳＩ素子を周
囲環境から物理的及び化学的に保護することを目的とし
て、セラミック、エポキシ樹脂等によってパッケージン
グ（封止）された。
ＳＩを搭載し、ＬＳＩ素子上の電極とインナーリードの
先端部とをワイヤボンディングした後、ＬＳＩ素子を周
囲環境から物理的及び化学的に保護することを目的とし
て、セラミック、エポキシ樹脂等によってパッケージン
グ（封止）された。
【０００５】従来、リードフレームの素材として用いら
れる金属条材、特に一般的に用いられている銅合金や４
２合金の圧延材の表面粗さは、平均粗さ（Ｒｚ）１．５
μｍ未満とされ、この理由は、平均粗さ（Ｒｚ）が前述
のダイパット部およびインナーリード部の部分めっきに
おけるめっき密着性に影響するためであった。すなわ
ち、表面が粗すぎるとめっき工程の前工程やめっき処理
において、液切れが不十分となり、その後の加熱によっ
て、めっきと素材との間に閉じこめられた物質が蒸発し
てめっき部にシミやフクレが生じ、剥離の原因となる結
果として、めっき欠陥を生じることになったからであ
る。
れる金属条材、特に一般的に用いられている銅合金や４
２合金の圧延材の表面粗さは、平均粗さ（Ｒｚ）１．５
μｍ未満とされ、この理由は、平均粗さ（Ｒｚ）が前述
のダイパット部およびインナーリード部の部分めっきに
おけるめっき密着性に影響するためであった。すなわ
ち、表面が粗すぎるとめっき工程の前工程やめっき処理
において、液切れが不十分となり、その後の加熱によっ
て、めっきと素材との間に閉じこめられた物質が蒸発し
てめっき部にシミやフクレが生じ、剥離の原因となる結
果として、めっき欠陥を生じることになったからであ
る。
【０００６】しかし、表面粗さが小さいものは、パッケ
ージングした際、リードフレームと封止材、例えばエポ
キシ樹脂との密着性が劣るため、エポキシ樹脂とリード
部の間に微少な隙間が生じたり、リードフレーム材とエ
ポキシ樹脂との熱膨張係数差により、それらの界面に剥
離が生じたりして、ここより湿気が浸入してＬＳＩパッ
ケージの耐湿信頼性を低下させるという問題が生じた。
ージングした際、リードフレームと封止材、例えばエポ
キシ樹脂との密着性が劣るため、エポキシ樹脂とリード
部の間に微少な隙間が生じたり、リードフレーム材とエ
ポキシ樹脂との熱膨張係数差により、それらの界面に剥
離が生じたりして、ここより湿気が浸入してＬＳＩパッ
ケージの耐湿信頼性を低下させるという問題が生じた。
【０００７】特に、最近の薄型パッケージでは、樹脂が
薄くなり、またＬＳＩ素子の大型化に伴い、ダイパット
部が大型化してリードフレーム材と封止材との熱膨張係
数差による影響をこれまで以上に大きく受けるようにな
った。
薄くなり、またＬＳＩ素子の大型化に伴い、ダイパット
部が大型化してリードフレーム材と封止材との熱膨張係
数差による影響をこれまで以上に大きく受けるようにな
った。
【０００８】そこで、この問題に対処すべく、ＬＳＩ素
子を搭載するダイパット部の面とは反対側の面をエッチ
ングによってディンプル加工したり、十字に溝を加工し
たりしてリードフレームと樹脂との密着性を上げる方法
を採ってきたが、製造工程の増加およびコストの増大、
またダイパット部の加工によるダイパットの平坦度の低
下（変形）をもたらし、製造上の問題となっている。
子を搭載するダイパット部の面とは反対側の面をエッチ
ングによってディンプル加工したり、十字に溝を加工し
たりしてリードフレームと樹脂との密着性を上げる方法
を採ってきたが、製造工程の増加およびコストの増大、
またダイパット部の加工によるダイパットの平坦度の低
下（変形）をもたらし、製造上の問題となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
従来技術の問題を解決し、複雑かつ困難な製造工程を付
加することなく容易でしかもめっき性などに悪影響を及
ぼさずに、リードフレームと封止材との密着性を向上さ
せることが可能なリードフレーム材を提供することにあ
る。
従来技術の問題を解決し、複雑かつ困難な製造工程を付
加することなく容易でしかもめっき性などに悪影響を及
ぼさずに、リードフレームと封止材との密着性を向上さ
せることが可能なリードフレーム材を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、この課題を
解決するべく検討の結果、リードフレーム材の表面粗さ
を表裏で目的に応じて調整することにより課題の解決に
成功した。斯くして、本発明は、金属条リードフレーム
材において、金属条表面の片面の封止材接着面の平均粗
さ（Ｒｚ）が１．５〜１０μｍであり、そして他方のボ
ンディング面の平均粗さ（Ｒｚ）が１．５μｍ未満であ
ることを特徴とするリードフレーム材を提供するもので
ある。本発明はまた、金属条リードフレーム材の製造方
法において、金属条表面の片面の封止材接着面の平均粗
さ（Ｒｚ）を１．５〜１０μｍに粗面加工しそして他方
のボンディング面の平均粗さ（Ｒｚ）を１．５μｍ未満
とすることを特徴とするリードフレーム材の製造方法を
提供する。
解決するべく検討の結果、リードフレーム材の表面粗さ
を表裏で目的に応じて調整することにより課題の解決に
成功した。斯くして、本発明は、金属条リードフレーム
材において、金属条表面の片面の封止材接着面の平均粗
さ（Ｒｚ）が１．５〜１０μｍであり、そして他方のボ
ンディング面の平均粗さ（Ｒｚ）が１．５μｍ未満であ
ることを特徴とするリードフレーム材を提供するもので
ある。本発明はまた、金属条リードフレーム材の製造方
法において、金属条表面の片面の封止材接着面の平均粗
さ（Ｒｚ）を１．５〜１０μｍに粗面加工しそして他方
のボンディング面の平均粗さ（Ｒｚ）を１．５μｍ未満
とすることを特徴とするリードフレーム材の製造方法を
提供する。
【００１１】尚、本明細書において、「封止材接着面」
とは、封止材によるパッケージングに際して封止材によ
り全面を被覆される側の表面を云う。「ボンディング
面」とは、ダイパットにＬＳＩ素子を搭載し、ＬＳＩ素
子上の電極とインナーリードの先端部とをワイヤボンデ
ィングする側の表面を云う。
とは、封止材によるパッケージングに際して封止材によ
り全面を被覆される側の表面を云う。「ボンディング
面」とは、ダイパットにＬＳＩ素子を搭載し、ＬＳＩ素
子上の電極とインナーリードの先端部とをワイヤボンデ
ィングする側の表面を云う。
【００１２】また、「平均粗さ（Ｒｚ）」とは、ＪＩＳ
Ｂ−０６０１３．５十点平均粗さ（Ｒz ）の定義に従
い、断面曲線から基準長さだけ抜き取った部分におい
て、平均線に平行かつ断面曲線を横切らない直線から縦
倍率の方向に測定した最高から５番目までの山頂の標高
の平均値と最深から５番目までの谷底の標高の平均値と
の差の値をマイクロメートル（μｍ）で表わしたものを
いう。その求め方は同じ項目の図３に示されている。
Ｂ−０６０１３．５十点平均粗さ（Ｒz ）の定義に従
い、断面曲線から基準長さだけ抜き取った部分におい
て、平均線に平行かつ断面曲線を横切らない直線から縦
倍率の方向に測定した最高から５番目までの山頂の標高
の平均値と最深から５番目までの谷底の標高の平均値と
の差の値をマイクロメートル（μｍ）で表わしたものを
いう。その求め方は同じ項目の図３に示されている。
【００１３】
【作用】リードフレーム材の封止材接着面を平均粗さ
（Ｒｚ）を１．５〜１０μｍとすることによって、封止
材との密着性が向上し、パッケージの耐湿信頼性を向上
する。他方のボンディング面の平均粗さ（Ｒｚ）を１．
５μｍ未満とすることにより良好なめっき性を確保す
る。
（Ｒｚ）を１．５〜１０μｍとすることによって、封止
材との密着性が向上し、パッケージの耐湿信頼性を向上
する。他方のボンディング面の平均粗さ（Ｒｚ）を１．
５μｍ未満とすることにより良好なめっき性を確保す
る。
【００１４】
【実施例】図１は、代表的なＬＳＩパッケージの一部の
断面の概略を示す。リードフレーム１は、その中央部の
ＬＳＩ素子を搭載するダイパット部２とその周囲の複数
のインナーリード３とを有する。ＬＳＩ素子が番号４に
より示されている。ダイパット部２およびインナーリー
ド３の先端部には、良好なボンディングを行うために、
金や銀などの貴金属めっきが施されている。ＬＳＩ素子
４上の電極とインナーリードの先端部とをボンディング
ワイヤ５によりワイヤボンディングした後、ＬＳＩ素子
４を周囲環境から物理的及び化学的に保護することを目
的として、セラミック、エポキシ樹脂等の封止材６によ
ってパッケージング（封止）される。従って、リードフ
レーム材は、ダイパットにＬＳＩ素子を搭載し、ＬＳＩ
素子上の電極とインナーリードの先端部とをワイヤボン
ディングする側のボンディング面７と全面を封止材で被
覆される封止材接着面８とを備える。
断面の概略を示す。リードフレーム１は、その中央部の
ＬＳＩ素子を搭載するダイパット部２とその周囲の複数
のインナーリード３とを有する。ＬＳＩ素子が番号４に
より示されている。ダイパット部２およびインナーリー
ド３の先端部には、良好なボンディングを行うために、
金や銀などの貴金属めっきが施されている。ＬＳＩ素子
４上の電極とインナーリードの先端部とをボンディング
ワイヤ５によりワイヤボンディングした後、ＬＳＩ素子
４を周囲環境から物理的及び化学的に保護することを目
的として、セラミック、エポキシ樹脂等の封止材６によ
ってパッケージング（封止）される。従って、リードフ
レーム材は、ダイパットにＬＳＩ素子を搭載し、ＬＳＩ
素子上の電極とインナーリードの先端部とをワイヤボン
ディングする側のボンディング面７と全面を封止材で被
覆される封止材接着面８とを備える。
【００１５】リードフレーム材には、物理的性質、機械
的性質、加工性、材料コスト等の観点から、銅および銅
合金並びに鉄および鉄合金等の圧延材が用いられてい
る。例えば、４２合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ）がその一例
である。
的性質、加工性、材料コスト等の観点から、銅および銅
合金並びに鉄および鉄合金等の圧延材が用いられてい
る。例えば、４２合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ）がその一例
である。
【００１６】従来からのリードフレーム圧延材は、ダイ
パット部およびインナーリード部の部分めっきにおける
めっき密着性を考慮して平均粗さが１．５μｍ未満に仕
上げられ、それがそのまま用いられたために、表及び裏
両面の平均粗さは同じであった。本発明に従えば、この
ようなリードフレーム材の片面の平均粗さは粗面加工に
より１．５〜１０μｍとし、そして反対の面の平均粗さ
は１．５μｍ未満のままとされる。
パット部およびインナーリード部の部分めっきにおける
めっき密着性を考慮して平均粗さが１．５μｍ未満に仕
上げられ、それがそのまま用いられたために、表及び裏
両面の平均粗さは同じであった。本発明に従えば、この
ようなリードフレーム材の片面の平均粗さは粗面加工に
より１．５〜１０μｍとし、そして反対の面の平均粗さ
は１．５μｍ未満のままとされる。
【００１７】１．５〜１０μｍ平均粗さに粗面加工を施
した面を封止材と接着する面になるようリードフレーム
材を加工する。平均粗さが１．５μｍ未満の場合には、
封止材との密着性が悪く、パッケージの耐湿信頼性が向
上せず、また平均粗さが１０μｍを超えるとリードフレ
ーム加工の寸法精度に悪影響を与え、封止材との密着性
および耐湿信頼性が劣るようになる。
した面を封止材と接着する面になるようリードフレーム
材を加工する。平均粗さが１．５μｍ未満の場合には、
封止材との密着性が悪く、パッケージの耐湿信頼性が向
上せず、また平均粗さが１０μｍを超えるとリードフレ
ーム加工の寸法精度に悪影響を与え、封止材との密着性
および耐湿信頼性が劣るようになる。
【００１８】当然のことながら、粗面加工した面の反対
の面がダイパット部およびインナーリードのボンディン
グ面になる。この面の平均粗さを１．５μｍ未満と規定
したのは、十分なめっき性を得るためで、１．５μｍ以
上にすると、平滑なめっき面が得られなくなったり、め
っき後の加熱によるめっき面にシミやフクレが生じたり
して、めっき異常が発生するためである。
の面がダイパット部およびインナーリードのボンディン
グ面になる。この面の平均粗さを１．５μｍ未満と規定
したのは、十分なめっき性を得るためで、１．５μｍ以
上にすると、平滑なめっき面が得られなくなったり、め
っき後の加熱によるめっき面にシミやフクレが生じたり
して、めっき異常が発生するためである。
【００１９】ところで、表裏両面とも粗面にとどめて或
いは粗面加工して、リードフレーム加工時に、めっきさ
れる側の表面をエッチングやコイニング加工などで平滑
にすることは、製造工程の増加およびコストの増大、ま
たダイパット部の加工によるダイパットの平坦度の低下
（変形）をもたらし、製造上の問題が生じることになり
不適当である。よって、リードフレーム材の表裏両面を
圧延により平滑にした後、一方表面に本発明で規定した
表面粗さを創出することに本発明の意義があるわけであ
る。
いは粗面加工して、リードフレーム加工時に、めっきさ
れる側の表面をエッチングやコイニング加工などで平滑
にすることは、製造工程の増加およびコストの増大、ま
たダイパット部の加工によるダイパットの平坦度の低下
（変形）をもたらし、製造上の問題が生じることになり
不適当である。よって、リードフレーム材の表裏両面を
圧延により平滑にした後、一方表面に本発明で規定した
表面粗さを創出することに本発明の意義があるわけであ
る。
【００２０】すなわち、金属条表面の片面の平均粗さ
（Ｒｚ）を粗面加工により、１．５〜１０μｍとし、も
う一方の面の平均粗さ（Ｒｚ）は、１．５μｍ未満とす
ることによってめっき性、封着性および耐湿信頼性に優
れたリードフレームの素材を提供することが可能にな
る。
（Ｒｚ）を粗面加工により、１．５〜１０μｍとし、も
う一方の面の平均粗さ（Ｒｚ）は、１．５μｍ未満とす
ることによってめっき性、封着性および耐湿信頼性に優
れたリードフレームの素材を提供することが可能にな
る。
【００２１】本発明において、上記のように、リードフ
レーム材の表面粗さを調整する方法として以下のような
ものがある。 （ａ）機械的加工法 粗面ロールによる圧延 研摩ブラシおよびバフによる研摩 ショットブラストによる加工 コイニングによる加工 （ｂ）化学的加工法 エッチング 酸洗
レーム材の表面粗さを調整する方法として以下のような
ものがある。 （ａ）機械的加工法 粗面ロールによる圧延 研摩ブラシおよびバフによる研摩 ショットブラストによる加工 コイニングによる加工 （ｂ）化学的加工法 エッチング 酸洗
【００２２】（実施例及び比較例）４２合金（４２％Ｎ
ｉ−Ｆｅ）製金属条材（０．１５ｍｍ厚さ×５０ｍｍ巾
×１５０ｍｍ長さ）の圧延上りの表面粗さ（０．５〜
０．７μｍ）を化学的加工法により、粗面加工し、十点
表面平均粗さ（Ｒｚ）が、１．５〜９．９μｍ範囲にあ
る金属条材を作製した。また、比較例として、表および
裏の十点平均粗さを様々に変更した金属条材をも作製し
た。図１に示したように、ＬＳＩ素子を搭載しボンディ
ングを行うリードフレームのボンディング面７をＡ面そ
してその裏の封止材との接着面８をＢ面として、それぞ
れ表面粗さを作り込んだ。これらＡ面およびＢ面の十点
表面平均粗さを表１に示す。
ｉ−Ｆｅ）製金属条材（０．１５ｍｍ厚さ×５０ｍｍ巾
×１５０ｍｍ長さ）の圧延上りの表面粗さ（０．５〜
０．７μｍ）を化学的加工法により、粗面加工し、十点
表面平均粗さ（Ｒｚ）が、１．５〜９．９μｍ範囲にあ
る金属条材を作製した。また、比較例として、表および
裏の十点平均粗さを様々に変更した金属条材をも作製し
た。図１に示したように、ＬＳＩ素子を搭載しボンディ
ングを行うリードフレームのボンディング面７をＡ面そ
してその裏の封止材との接着面８をＢ面として、それぞ
れ表面粗さを作り込んだ。これらＡ面およびＢ面の十点
表面平均粗さを表１に示す。
【００２３】これらの金属条材について以下に示す方法
で樹脂との密着性、耐湿信頼性、銀めっき性について評
価を行った。結果を表１に示した。
で樹脂との密着性、耐湿信頼性、銀めっき性について評
価を行った。結果を表１に示した。
【００２４】「銀めっき性」の評価は、銀めっき後、大
気中で４５０℃に５分間加熱した後のめっき部のシミや
フクレの発生の有無を観察により行った。
気中で４５０℃に５分間加熱した後のめっき部のシミや
フクレの発生の有無を観察により行った。
【００２５】「樹脂との密着性」の評価は、図２に示す
ようにリードフレーム材のＢ面に底面積が１００ｍｍ2
のエポキシ樹脂製の円柱体（Ｂ；１１．３ｍｍφ×２０
ｍｍｈ）を密着硬化させ、図に示した方向に荷重（せん
断荷重）をかけ、剥離したときの荷重を接着面の面積で
除して、単位面積あたりの荷重（Ｎ／ｍｍ2 ）を求め
た。
ようにリードフレーム材のＢ面に底面積が１００ｍｍ2
のエポキシ樹脂製の円柱体（Ｂ；１１．３ｍｍφ×２０
ｍｍｈ）を密着硬化させ、図に示した方向に荷重（せん
断荷重）をかけ、剥離したときの荷重を接着面の面積で
除して、単位面積あたりの荷重（Ｎ／ｍｍ2 ）を求め
た。
【００２６】「耐湿信頼性」の評価は、ＬＳＩ素子を搭
載し、エポキシ樹脂で封止した試験用のＬＳＩパッケー
ジを作製し、それを１２０℃、２気圧のプレッシャ・ク
ッカ試験を行い、累積故障率１％までの寿命を求めた。
載し、エポキシ樹脂で封止した試験用のＬＳＩパッケー
ジを作製し、それを１２０℃、２気圧のプレッシャ・ク
ッカ試験を行い、累積故障率１％までの寿命を求めた。
【００２７】本発明実施例（１）〜（４）は、Ａ面およ
びＢ面とも表面粗さを適正範囲内にしているため、銀め
っき性、樹脂との密着性および耐湿信頼性いずれにも優
れている。
びＢ面とも表面粗さを適正範囲内にしているため、銀め
っき性、樹脂との密着性および耐湿信頼性いずれにも優
れている。
【００２８】比較例（５）〜（７）は、Ｂ面の表面粗さ
は適正範囲内にあるが、Ａ面の表面平均粗さが大きすぎ
るため、銀めっき性が劣り、比較例（８）〜（１０）
は、Ａ面の表面粗さは適正範囲内にあるが、Ｂ面の表面
平均粗さが小さすぎるため、樹脂との密着性および耐湿
信頼性が劣っている。
は適正範囲内にあるが、Ａ面の表面平均粗さが大きすぎ
るため、銀めっき性が劣り、比較例（８）〜（１０）
は、Ａ面の表面粗さは適正範囲内にあるが、Ｂ面の表面
平均粗さが小さすぎるため、樹脂との密着性および耐湿
信頼性が劣っている。
【００２９】比較例（１１）および（１２）は、Ａ面の
表面粗さは適正範囲内にあるが、Ｂ面の表面平均粗さが
大きすぎるため、やはり樹脂との密着性および耐湿信頼
性が劣っている。
表面粗さは適正範囲内にあるが、Ｂ面の表面平均粗さが
大きすぎるため、やはり樹脂との密着性および耐湿信頼
性が劣っている。
【００３０】比較例（１３）は、Ａ面、Ｂ面とも表面平
均粗さが大きすぎるため、銀めっき性、樹脂との密着性
および耐湿信頼性が劣っている。
均粗さが大きすぎるため、銀めっき性、樹脂との密着性
および耐湿信頼性が劣っている。
【００３１】比較例（１４）は、Ａ面の平均表面粗さが
大きすぎそしてＢ面の表面平均粗さが小さすぎるため
に、銀めっき性、樹脂との密着性および耐湿信頼性が劣
っている。
大きすぎそしてＢ面の表面平均粗さが小さすぎるため
に、銀めっき性、樹脂との密着性および耐湿信頼性が劣
っている。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【発明の効果】以上に説明した如く、本発明によれば、
めっき性、封着性および耐湿信頼性が優れるリードフレ
ーム材を安定して製造することができ、半導体機器の更
なる高集積化、薄型化を可能にし、歩留の向上に寄与す
るなど、産業上極めて有益な効果がもたらされる。
めっき性、封着性および耐湿信頼性が優れるリードフレ
ーム材を安定して製造することができ、半導体機器の更
なる高集積化、薄型化を可能にし、歩留の向上に寄与す
るなど、産業上極めて有益な効果がもたらされる。
【図１】ＬＳＩパッケージの一部の概略断面図である。
【図２】リードフレーム材の樹脂との密着性を評価する
ための試験方法を示すものである。
ための試験方法を示すものである。
１ リードフレーム ２ ダイパット部 ３ インナーリード ４ ＬＳＩ素子 ５ ボンディングワイヤ ６ 封止材 ７ ボンディング面（Ａ面） ８ 封止材接着面（Ｂ面）
Claims (2)
- 【請求項１】 金属条リードフレーム材において、金属
条表面の片面の封止材接着面の平均粗さ（Ｒｚ）が１．
５〜１０μｍであり、そして他方のボンディング面の平
均粗さ（Ｒｚ）が１．５μｍ未満であることを特徴とす
るリードフレーム材。 - 【請求項２】 金属条リードフレーム材の製造方法にお
いて、金属条表面の片面の封止材接着面の平均粗さ（Ｒ
ｚ）を１．５〜１０μｍに粗面加工しそして他方のボン
ディング面の平均粗さ（Ｒｚ）を１．５μｍ未満とする
ことを特徴とするリードフレーム材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35656691A JPH05315511A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | リードフレーム材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35656691A JPH05315511A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | リードフレーム材およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315511A true JPH05315511A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=18449669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35656691A Withdrawn JPH05315511A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | リードフレーム材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315511A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100244254B1 (ko) * | 1997-07-16 | 2000-02-01 | 김영환 | 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지 |
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-
1991
- 1991-12-25 JP JP35656691A patent/JPH05315511A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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