JPH05315503A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents

半導体装置用リードフレーム

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JPH05315503A
JPH05315503A JP11561292A JP11561292A JPH05315503A JP H05315503 A JPH05315503 A JP H05315503A JP 11561292 A JP11561292 A JP 11561292A JP 11561292 A JP11561292 A JP 11561292A JP H05315503 A JPH05315503 A JP H05315503A
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JP
Japan
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lead
semiconductor device
lead frame
resin
island
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP11561292A
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English (en)
Inventor
Masahiro Ibe
雅博 伊部
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NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH05315503A publication Critical patent/JPH05315503A/ja
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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    • HELECTRICITY
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    • HELECTRICITY
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    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3421Leaded components

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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】薄い銅板から作られているに拘らず、十分な機
械的強度を保持しながら、かつ、折り曲げ部の曲げ性も
損われない外部リードを備えたリードフレームとするこ
と。 【構成】リードフレームリード2の外部リード3の折り
曲げ部3aを除いた他の部分を、リード材の銅より硬い
ニッケルめっき4で覆っている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置リード付け組
み立てに用いられる、金属製のリボンに対して所定のパ
ターンを形成して作られたリードフレームに関する。
【0002】
【従来の技術】図5は従来の半導体装置用リードフレー
ムを用いてリード付け組み立てた樹脂封止型半導体装置
のリード成形前の部分断面図である。
【0003】図において、リードフレームのアイランド
1に半導体素子7を搭載し、素子7の電極パッドとリー
ドフレームのリード2の内端部との間を金属細線で接続
し、リード2の外部リード3を樹脂8の外に出して樹脂
封止している。
【0004】リードフレームの材質としては、熱放散
性、電気伝導性の点から普通には銅が使用されてる。銅
財は硬度が低いのでできるだけ厚いものを使用してい
た。しかし、最近の多ピン化傾向に伴い、金属リボンか
らのリードフレームパターンの打ち抜き性、リード形成
の点から板厚の薄いものが使用されるようになってきて
いる。そのために不足する機械的強度を補うために外部
リード全体一様に、銅材により硬いニッケルのめっき4
を施していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、リード
強度を上げるために外部リード全体一様にニッケルめっ
きを施した場合には、曲げ加工の際の曲げ性が損われ、
外部リード成形工程における曲げ加工が困難になり、ま
た、折り曲げ部のニッケルめっきが剥がれ落ちるという
欠点があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題に対して本発明
では、外部リードの曲げ部分には0を含めて薄く、他部
分には厚く、リード材質より硬い金属の被覆を施してい
る。
【0007】
【実施例】つぎに図面により本発明を説明する。図1は
本発明の一実施例に係る樹脂封止型半導体装置の部分断
面図である。図において、リードフレームのアイランド
1に半導体素子7が搭載され、素子電極パッドとリード
内端部との間が金属細線で接続後、リード2の外部リー
ド3を樹脂外に出して樹脂8で封止されていることは図
5の従来例と同じである。しかし本例では、外部リード
3の折り曲げ部分3aを除いた表面が、リード材銅より
硬いニッケルのめっき4で覆われている。
【0008】したがって本例のリードフレームでは、図
1の状態から曲げ加工した状態を示す図2の断面図に示
すように、外部リード3のめっきのない部分3aでは容
易に曲げられている。しかし他部分はめっきにより補強
されてリード変形が防止されている。
【0009】図3は本発明の実施例2に係る樹脂封止半
導体装置のリード成形前の断面図である。図において、
外部リード3の曲げ部を除いた他の部分の表面がニッケ
ルのクラッド5で被覆されている。よって、図1の実施
例と同様に、曲げ部分は容易に曲げることができ、か
つ、他の部分は変形し難いという効果が得られる。
【0010】図4は本発明の実施例3に係る樹脂封止半
導体装置のリード成形前の断面図である。本例において
は、外部リードの全表面がニッケルクラッド6で被覆さ
れている。ただし、このニッケルクラッドはこの外部リ
ードの曲げ部分は曲げ性に悪影響のない厚さに、他の部
分は十分なリード強度が得られる厚さにされている。
【0011】本例は曲げ性を損わない程度で曲げ部分の
強度が高められている効果がある。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、樹脂封
止後に折り曲げ加工される外部リードの曲げ部分を、0
を含めて薄く、他部分は厚く、リード材の銅より硬いニ
ッケルで被覆しているので、曲げ部分の曲げ性を損わず
にリード強度を高め、薄いリード材に拘らず、リード変
形の起こり難いリードフレームとしている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のリードフレームを用いた樹
脂封止半導体装置のリード成形前の部分断面図である。
【図2】図1の樹脂封止半導体装置のリード成形後の部
分断面図である。
【図3】本発明の実施例2に係るリード成形前の半導体
装置の部分断面図である。
【図4】本発明の実施例3に係る半導体装置のリード成
形前の部分断面図である。
【図5】従来のリードフレームによる半導体装置のリー
ド成形前の部分断面図である。
【符号の説明】 1 アイランド 2 リード 3 外部リード 4 ニッケルめっき 5 ニッケルクラッド 6 全体ニッケルクラッド 7 半導体素子 8 封止樹脂

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子を搭載するアイランドと、こ
    のアイランドの周囲を取り囲むように配置された多数の
    リードとを有し、前記アイランドに半導体素子を搭載し
    前記リードの外部リード部を樹脂外に出して樹脂封止し
    た後に、前記外部リードに対し曲げ加工が行われる半導
    体装置用リードフレームにおいて、前記外部リードの曲
    げ部が0乃至厚くとも曲げ性に悪影響のない厚さに、曲
    げ部を除いた他部分が十分なリード強が得られる厚さ
    に、このリードの材質より硬い金属で被覆されているこ
    とを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
  2. 【請求項2】 上記外部リードの金属被覆はめっきによ
    り形成されていることを特徴とする請求項1の半導体装
    置用リードフレーム。
  3. 【請求項3】 上記外部リードの金属被覆はクラッドに
    より形成されていることを特徴とする請求項1の半導体
    装置用リードフレーム。
JP11561292A 1992-05-08 1992-05-08 半導体装置用リードフレーム Withdrawn JPH05315503A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721316B1 (ko) * 2006-06-29 2007-05-25 디피씨(주) 인쇄회로기판용 커넥터 핀
US20150001691A1 (en) * 2013-06-27 2015-01-01 Leo M. Higgins, III Packaged semiconductor device

Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721316B1 (ko) * 2006-06-29 2007-05-25 디피씨(주) 인쇄회로기판용 커넥터 핀
US20150001691A1 (en) * 2013-06-27 2015-01-01 Leo M. Higgins, III Packaged semiconductor device
US9287200B2 (en) * 2013-06-27 2016-03-15 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged semiconductor device

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