JPH05315316A - 多孔部品の製造方法 - Google Patents
多孔部品の製造方法Info
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- JPH05315316A JPH05315316A JP5031198A JP3119893A JPH05315316A JP H05315316 A JPH05315316 A JP H05315316A JP 5031198 A JP5031198 A JP 5031198A JP 3119893 A JP3119893 A JP 3119893A JP H05315316 A JPH05315316 A JP H05315316A
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- H01L21/3063—Electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 μｍ範囲からサブμｍ範囲の穴直径を得るこ
とができかつ簡単に実施可能な多孔部品の製造方法を提
供する。 【構成】ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る基
板１の第１の表面２に電気化学的エッチングにより穴４
をこの第１の表面２に対して垂直に形成してパターン化
された層７を作り、穴４の深さが完成部品の厚みにほぼ
相当する深さに達しとき、穴４の断面積が増大しパター
ン化された層７が部品を形成する板として分離されるよ
うにエッチングのプロセスパラメータを変更する。
とができかつ簡単に実施可能な多孔部品の製造方法を提
供する。 【構成】ｎドーピングされた単結晶シリコンから成る基
板１の第１の表面２に電気化学的エッチングにより穴４
をこの第１の表面２に対して垂直に形成してパターン化
された層７を作り、穴４の深さが完成部品の厚みにほぼ
相当する深さに達しとき、穴４の断面積が増大しパター
ン化された層７が部品を形成する板として分離されるよ
うにエッチングのプロセスパラメータを変更する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多孔部品の製造方法に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】多くの技術分野においては、特にμｍ範
囲からサブμｍ範囲の孔直径を有する価格的に手頃な光
学的または機械的フィルタとして、多孔部品が必要であ
る。このような分野としては、例えば同じ直径の孔を多
数有する多孔膜、逆流可能なフィルタ、整流体、触媒ホ
ルダー、バッテリおよび燃料セル用の電極、ノズル板、
管格子、または例えば光またはマイクロ波のような電磁
波用のフィルタなどがある。
囲からサブμｍ範囲の孔直径を有する価格的に手頃な光
学的または機械的フィルタとして、多孔部品が必要であ
る。このような分野としては、例えば同じ直径の孔を多
数有する多孔膜、逆流可能なフィルタ、整流体、触媒ホ
ルダー、バッテリおよび燃料セル用の電極、ノズル板、
管格子、または例えば光またはマイクロ波のような電磁
波用のフィルタなどがある。
【０００３】このようなフィルタの公知の製造方法は所
謂ＬＩＧＡ技術（ＬＩ＝Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ、Ｇ
＝Ｇａｌｖａｎｉｋ、Ａ＝Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）であ
る。例えばベッカー（Ｅ．Ｗ．Becker）等の著書「マイ
クロエレクトロニク・エンジニアリング（Ｍｉｃｒｏｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｅｎｅｅｒｉｎｇ）」（第
４巻、１９８６年発行、第３５頁以下）によって知られ
ているＬＩＧＡ技術においては、厚いホトラック膜がシ
ンクロトロン放射を用いてパターン化される。その後こ
のパターンはプラスチックの電気的成形および成形技術
によってフィルタへ転写される。ＬＩＧＡ技術を用いる
と２μｍの最小パターン幅を得ることができる。
謂ＬＩＧＡ技術（ＬＩ＝Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ、Ｇ
＝Ｇａｌｖａｎｉｋ、Ａ＝Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）であ
る。例えばベッカー（Ｅ．Ｗ．Becker）等の著書「マイ
クロエレクトロニク・エンジニアリング（Ｍｉｃｒｏｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｅｎｅｅｒｉｎｇ）」（第
４巻、１９８６年発行、第３５頁以下）によって知られ
ているＬＩＧＡ技術においては、厚いホトラック膜がシ
ンクロトロン放射を用いてパターン化される。その後こ
のパターンはプラスチックの電気的成形および成形技術
によってフィルタへ転写される。ＬＩＧＡ技術を用いる
と２μｍの最小パターン幅を得ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フィル
タの貫流方向に対して平行な次元に対してはパターン化
が不可能である。シンクロトロン放射の使用を必要とす
ることはこの方法を非常に高価にする。
タの貫流方向に対して平行な次元に対してはパターン化
が不可能である。シンクロトロン放射の使用を必要とす
ることはこの方法を非常に高価にする。
【０００５】本発明の課題は、μｍ範囲からサブμｍ範
囲の孔直径が得られしかも簡単に実施可能な多孔部品の
製造方法を提供することにある。
囲の孔直径が得られしかも簡単に実施可能な多孔部品の
製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明によれば、ｎドーピングされた単結晶シリコ
ンから成る基板の第１の表面に電気化学的エッチングに
よって穴が第１の表面に対して垂直に形成され、それに
よりパターン化された層が生成され、その際電気化学的
エッチングは基板が陽極として接続されている電解液内
で行われ、この電解液内で第１の表面が電解液に接触
し、エッチング除去に影響する電流密度が調整され、穴
の深さがほぼ完成部品の厚みに相当する深さに達しと
き、穴の断面積が増大しパターン化された層が部品を形
成する板として分離されるようにエッチングのプロセス
パラメータが変更される。
め、本発明によれば、ｎドーピングされた単結晶シリコ
ンから成る基板の第１の表面に電気化学的エッチングに
よって穴が第１の表面に対して垂直に形成され、それに
よりパターン化された層が生成され、その際電気化学的
エッチングは基板が陽極として接続されている電解液内
で行われ、この電解液内で第１の表面が電解液に接触
し、エッチング除去に影響する電流密度が調整され、穴
の深さがほぼ完成部品の厚みに相当する深さに達しと
き、穴の断面積が増大しパターン化された層が部品を形
成する板として分離されるようにエッチングのプロセス
パラメータが変更される。
【０００７】本発明のその他の構成は請求項２以降に記
載されている。
載されている。
【０００８】基板は電気化学的エッチングの際には陽極
として接続されるので、ｎドーピングされたシリコン内
の少数電荷キャリヤは電解液に接触している第１の表面
へ移動する。この第１の表面には空間電荷領域が形成さ
れる。表面の窪み領域の電界強さは窪み以外の領域の電
界強さよりも大きいので、少数電荷キャリヤは特にこの
個所へ移動する。これによって表面のパターン化が達成
される。初めは小さい非平坦部がエッチングによって深
くなればなる程、増大する電界強さのために少数電荷キ
ャリヤがその非平坦部へ移動する量が多くなり、そして
この個所でのエッチング作用が強くなる。穴は基板内で
〈１００〉結晶方向へ成長する。従って、〈１００〉方
位を有する基板を使用すると有利である。
として接続されるので、ｎドーピングされたシリコン内
の少数電荷キャリヤは電解液に接触している第１の表面
へ移動する。この第１の表面には空間電荷領域が形成さ
れる。表面の窪み領域の電界強さは窪み以外の領域の電
界強さよりも大きいので、少数電荷キャリヤは特にこの
個所へ移動する。これによって表面のパターン化が達成
される。初めは小さい非平坦部がエッチングによって深
くなればなる程、増大する電界強さのために少数電荷キ
ャリヤがその非平坦部へ移動する量が多くなり、そして
この個所でのエッチング作用が強くなる。穴は基板内で
〈１００〉結晶方向へ成長する。従って、〈１００〉方
位を有する基板を使用すると有利である。
【０００９】穴または溝を作るためにｎドーピングされ
たシリコンを電気化学的エッチングすることは例えばヨ
ーロッパ特許出願公開第０２９６３４８号明細書により
公知であり、そこでは特にＤＲＡＭセル用の溝をこのよ
うにして作っている。しかしながら、そこでは基板から
板を分離するためにこのエッチング方法を使用すること
については考慮されていない。
たシリコンを電気化学的エッチングすることは例えばヨ
ーロッパ特許出願公開第０２９６３４８号明細書により
公知であり、そこでは特にＤＲＡＭセル用の溝をこのよ
うにして作っている。しかしながら、そこでは基板から
板を分離するためにこのエッチング方法を使用すること
については考慮されていない。
【００１０】エッチング作用は基板内の電流密度と電解
液内のフッ化物濃度とに関係する。電解液内の電流密度
を高めるかまたは電解液内のフッ化物濃度を減らすこと
によって、エッチング作用が大きくなる。この事実が本
発明においては利用されており、穴の深さがほぼ完成部
品の厚みに相当する深さに達しとき、穴断面積が大きく
なるようにエッチング除去が増大させられる。上述した
ように、エッチング作用は穴の下部領域でのみ行われる
ので、穴の上部領域すなわち第１の表面近傍における穴
断面積は変化しない。しかしながら、下部領域において
は穴は大きくなる。電気化学的エッチングは、隣接する
穴が合体しそれによってパターン化された層が板として
分離されるまで続けられる。板は穴を細孔として含むつ
ながったシリコンから構成される。この板は多孔部品、
例えば機械的または電気的フィルタとして使用可能であ
る。
液内のフッ化物濃度とに関係する。電解液内の電流密度
を高めるかまたは電解液内のフッ化物濃度を減らすこと
によって、エッチング作用が大きくなる。この事実が本
発明においては利用されており、穴の深さがほぼ完成部
品の厚みに相当する深さに達しとき、穴断面積が大きく
なるようにエッチング除去が増大させられる。上述した
ように、エッチング作用は穴の下部領域でのみ行われる
ので、穴の上部領域すなわち第１の表面近傍における穴
断面積は変化しない。しかしながら、下部領域において
は穴は大きくなる。電気化学的エッチングは、隣接する
穴が合体しそれによってパターン化された層が板として
分離されるまで続けられる。板は穴を細孔として含むつ
ながったシリコンから構成される。この板は多孔部品、
例えば機械的または電気的フィルタとして使用可能であ
る。
【００１１】本発明による方法によれば、２０μｍ〜５
０ｎｍの孔直径を良好に作成することができる。
０ｎｍの孔直径を良好に作成することができる。
【００１２】この板は例えば拡散または注入によって基
板とは別のドーピングを施すことができる。このように
して多孔部品の導電率を調整することができる。
板とは別のドーピングを施すことができる。このように
して多孔部品の導電率を調整することができる。
【００１３】板の表面に絶縁層を設けることによって多
孔部品の表面状態を変えることができる。これによって
部品が絶縁される。板の表面にシリコン熱酸化物または
シリコン熱窒化物を作成することによって、その表面は
不活性化され、外界に対して抵抗力を有し、そして化学
的に不活性になる。
孔部品の表面状態を変えることができる。これによって
部品が絶縁される。板の表面にシリコン熱酸化物または
シリコン熱窒化物を作成することによって、その表面は
不活性化され、外界に対して抵抗力を有し、そして化学
的に不活性になる。
【００１４】基板内の電流密度は基板の第１の表面とは
反対側の表面に光照射することによって特に簡単に制御
することができる。この場合板の分離は光照射を増大さ
せることによって行われる。この場合、光照射を変える
ことによって第１の表面に対して垂直な孔の断面積を変
えることもできる。光照射を連続的に変えることによっ
て例えば円錐穴を作成することができる。
反対側の表面に光照射することによって特に簡単に制御
することができる。この場合板の分離は光照射を増大さ
せることによって行われる。この場合、光照射を変える
ことによって第１の表面に対して垂直な孔の断面積を変
えることもできる。光照射を連続的に変えることによっ
て例えば円錐穴を作成することができる。
【００１５】穴を形成する前に基板の第１の表面に表面
トポロジーを設けることは本発明の枠内である。このよ
うにして第１の表面には窪みが設けられ、この窪みが電
気化学的エッチングの際にエッチング作用の開始点とな
る。これによって穴の配置が決定される。
トポロジーを設けることは本発明の枠内である。このよ
うにして第１の表面には窪みが設けられ、この窪みが電
気化学的エッチングの際にエッチング作用の開始点とな
る。これによって穴の配置が決定される。
【００１６】第１の表面が規則的に配置された窪みから
成る表面トポロジーを設けられる場合、板はほぼ一定の
厚みとなる。この場合穴の間隔はほぼ等しく、それゆえ
隣合う穴間において板を分離するためにエッチング作用
を増大させることによってエッチング除去されなければ
ならない材料量はほぼ等しい。その場合ほぼ全ての穴が
同時に合体する。
成る表面トポロジーを設けられる場合、板はほぼ一定の
厚みとなる。この場合穴の間隔はほぼ等しく、それゆえ
隣合う穴間において板を分離するためにエッチング作用
を増大させることによってエッチング除去されなければ
ならない材料量はほぼ等しい。その場合ほぼ全ての穴が
同時に合体する。
【００１７】さらに、完成した板はこの場合パターン幅
すなわち穴の幅もしくは穴の間に残存する橋絡片が狭い
限界値内で一定となることを示す。パターン幅を１０％
以内に一定保持することが観察された。
すなわち穴の幅もしくは穴の間に残存する橋絡片が狭い
限界値内で一定となることを示す。パターン幅を１０％
以内に一定保持することが観察された。
【００１８】本発明による方法においては、基板の第１
の表面が穴を形成する前に規則的に配置された窪みを設
けられる場合、０．１μｍ以下の最小パターン幅を得る
ことができる。表面トポロジーはその際には例えば第１
の表面上にホトラックマスクを作成しその後第１の表面
をアルカリエッチングすることによって作られる。ホト
ラックマスクを作成するために通常の光学的ホトリトグ
ラフィーが使用される。
の表面が穴を形成する前に規則的に配置された窪みを設
けられる場合、０．１μｍ以下の最小パターン幅を得る
ことができる。表面トポロジーはその際には例えば第１
の表面上にホトラックマスクを作成しその後第１の表面
をアルカリエッチングすることによって作られる。ホト
ラックマスクを作成するために通常の光学的ホトリトグ
ラフィーが使用される。
【００１９】穴をエッチング形成する電解液内で光誘導
式電気化学的エッチングによって表面トポロジーを製作
することは本発明の枠内である。
式電気化学的エッチングによって表面トポロジーを製作
することは本発明の枠内である。
【００２０】
【実施例】次に本発明を図面および実施例に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
【００２１】例えば５Ωｃｍの導電率を有するｎドーピ
ングされた単結晶シリコンから成る基板１は第１の表面
２に表面トポロジーが設けられている（図１参照）。表
面トポロジーは規則的な間隔で配置された窪み３を含ん
でいる。
ングされた単結晶シリコンから成る基板１は第１の表面
２に表面トポロジーが設けられている（図１参照）。表
面トポロジーは規則的な間隔で配置された窪み３を含ん
でいる。
【００２２】窪み３は例えば通常のホトリトグラフィー
によってホトラックマスクを作成しその後アルカリエッ
チングを行うことにより作成される。表面トポロジーは
また光誘導式電気化学的エッチングによって形成するこ
とができる。
によってホトラックマスクを作成しその後アルカリエッ
チングを行うことにより作成される。表面トポロジーは
また光誘導式電気化学的エッチングによって形成するこ
とができる。
【００２３】基板１の第１の表面２はフッ化物を含有す
る酸性電解液に接触させられる。この電解液は１〜５０
％、好ましくは３％のフッ化水素酸濃度を有している。
基板１の第１の表面２に水素泡が発生するのを抑制する
ために、電解液には酸化剤、例えば過酸化水素を添加す
ることができる。
る酸性電解液に接触させられる。この電解液は１〜５０
％、好ましくは３％のフッ化水素酸濃度を有している。
基板１の第１の表面２に水素泡が発生するのを抑制する
ために、電解液には酸化剤、例えば過酸化水素を添加す
ることができる。
【００２４】基板１は陽極として接続される。基板１と
電解液との間には０〜２０Ｖ、好ましくは３ボルトの電
圧が印加される。基板１は背面側から光を照射され、そ
れにより例えば１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度に調整され
る。窪み３（図１参照）から出発して電気化学的エッチ
ングにより第１の表面２に対して垂直に延びる（図２参
照）穴４が作成される。その際に第１の表面２にパター
ン化された層７が形成される。
電解液との間には０〜２０Ｖ、好ましくは３ボルトの電
圧が印加される。基板１は背面側から光を照射され、そ
れにより例えば１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度に調整され
る。窪み３（図１参照）から出発して電気化学的エッチ
ングにより第１の表面２に対して垂直に延びる（図２参
照）穴４が作成される。その際に第１の表面２にパター
ン化された層７が形成される。
【００２５】約６０分のエッチング時間後に陽極側電流
密度は例えば３０ｍＡ／ｃｍ2 に高められる。その際電
解液と基板１との間の電圧は２ボルトに減らされる。電
流密度はさらに基板１の背面の光照射によって調整され
る。
密度は例えば３０ｍＡ／ｃｍ2 に高められる。その際電
解液と基板１との間の電圧は２ボルトに減らされる。電
流密度はさらに基板１の背面の光照射によって調整され
る。
【００２６】電気化学的エッチングのパラメータを変更
してエッチングを引き続いて行うことにより、穴４の下
部領域の断面積が拡大する。各穴４の底には空洞状拡大
部５が形成される。この空洞状拡大部５の断面積は、そ
れぞれ隣接する空洞状拡大部５を分離しているシリコン
がエッチング除去されるまで大きくなる（図４参照）。
このシリコンのエッチング除去は上述したプロセスパラ
メータの場合には約１０分後に生じる。
してエッチングを引き続いて行うことにより、穴４の下
部領域の断面積が拡大する。各穴４の底には空洞状拡大
部５が形成される。この空洞状拡大部５の断面積は、そ
れぞれ隣接する空洞状拡大部５を分離しているシリコン
がエッチング除去されるまで大きくなる（図４参照）。
このシリコンのエッチング除去は上述したプロセスパラ
メータの場合には約１０分後に生じる。
【００２７】穴４を有する独立したシリコンから成る板
６が形成される。上述したプロセスパラメータによれ
ば、３０μｍの板厚が得られる。この厚みは従来の鋸挽
きによって得られたシリコン基板厚みよりもはるかに小
さい。
６が形成される。上述したプロセスパラメータによれ
ば、３０μｍの板厚が得られる。この厚みは従来の鋸挽
きによって得られたシリコン基板厚みよりもはるかに小
さい。
【００２８】図５は板６の平面図である。この板６を形
成するパターン化された独立層７では円形または正方形
断面を有する穴４が一様に分布している。穴４は例えば
２μｍの直径を有し、例えば１．５μｍの間隔で配置さ
れている。第１の表面２に向かって穴４は拡大してい
る。これは基板の第１の表面に作られた表面トポロジー
の結果である。穴の上部領域におけるこの拡大部８はフ
ィルタとしての板６が逆流可能であるという利点を有す
る。流れ方向を短時間反転させることによって駆動中に
フィルタを洗浄することができる。
成するパターン化された独立層７では円形または正方形
断面を有する穴４が一様に分布している。穴４は例えば
２μｍの直径を有し、例えば１．５μｍの間隔で配置さ
れている。第１の表面２に向かって穴４は拡大してい
る。これは基板の第１の表面に作られた表面トポロジー
の結果である。穴の上部領域におけるこの拡大部８はフ
ィルタとしての板６が逆流可能であるという利点を有す
る。流れ方向を短時間反転させることによって駆動中に
フィルタを洗浄することができる。
【００２９】導電率を変更するために板６はその後公知
の方法でドーピングすることができる。
の方法でドーピングすることができる。
【００３０】表面を改善するために板６にはシリコン熱
酸化物またはシリコン熱窒化物を設けることができる。
これによって表面は化学的に不活性になり、板は部品と
して相応する分野で使用することができる。
酸化物またはシリコン熱窒化物を設けることができる。
これによって表面は化学的に不活性になり、板は部品と
して相応する分野で使用することができる。
【００３１】板６はシリコンから形成されるので、それ
ぞれの分野で必要とする場合には、高温度で焼鈍または
再生することができる。
ぞれの分野で必要とする場合には、高温度で焼鈍または
再生することができる。
【図１】表面トポロジーを設けられたシリコン基板の断
面図。
面図。
【図２】一定断面積の穴が電気化学的エッチングによっ
て形成されているシリコン基板の断面図。
て形成されているシリコン基板の断面図。
【図３】エッチングパラメータを変更することによって
断面積を拡大された穴が電気化学的エッチングによって
形成されているシリコン基板の断面図。
断面積を拡大された穴が電気化学的エッチングによって
形成されているシリコン基板の断面図。
【図４】多孔板が分離されている基板を示す断面図。
【図５】多孔板の平面図。
１ 基板 ２ 表面 ３ 窪み ４ 穴 ５ 空洞状拡大部 ６ 板 ７ パターン化された層 ８ 拡大部
Claims (15)
- 【請求項１】 ｎドーピングされた単結晶シリコンから
成る基板（１）の第１の表面（２）に電気化学的エッチ
ングにより穴（４）が第１の表面に対して垂直に形成さ
れ、それによりパターン化された層（７）が生成され、
その際電気化学的エッチングは基板が陽極として接続さ
れている電解液内で行われ、この電解液内で第１の表面
（２）が電解液に接触し、エッチング除去に影響する電
流密度が調整され、穴（４）の深さがほぼ完成部品の厚
みに相当する深さに達したとき、穴（４）の断面積が増
大しパターン化された層（７）が部品を形成する板
（６）として分離されるようにエッチングのプロセスパ
ラメータが変更されることを特徴とする多孔部品の製造
方法。 - 【請求項２】 電気化学的エッチングはフッ化物を含有
する酸性電解液内で行われることを特徴とする請求項１
記載の方法。 - 【請求項３】 基板は〈１００〉板であることを特徴と
する請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 電流密度は基板（１）の第１の表面
（２）とは反対側の第２の表面の光照射によって調整さ
れることを特徴とする請求項１ないし３の１つに記載の
方法。 - 【請求項５】 電解液は１〜５０％のフッ化水素酸（Ｈ
Ｆ）を含むことを特徴とする請求項１ないし４の１つに
記載の方法。 - 【請求項６】 電解液は酸化剤を含むことを特徴とする
請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 板（６）を分離するために電流密度が高
められることを特徴とする請求項１ないし６の１つに記
載の方法。 - 【請求項８】 板（６）を分離するために電解液内のフ
ッ化物濃度が減らされることを特徴とする請求項１ない
し６の１つに記載の方法。 - 【請求項９】 基板（１）の第１の表面（２）には穴
（４）を形成する前に穴の配置を決定する表面トポロジ
ーが作られることを特徴とする請求項１ないし８の１つ
に記載の方法。 - 【請求項１０】 表面トポロジーは第１の表面（２）の
規則的に配置された窪み（３）から構成されることを特
徴とする請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 表面トポロジーは第１の表面（２）上
にホトラックマスクを作りその後第１の表面（２）をア
ルカリエッチングすることによって作られることを特徴
とする請求項９または１０記載の方法。 - 【請求項１２】 表面トポロジーは、第１の表面（２）
に１１００ｎｍ以下の波長を有する光源を使用して照射
パターンを作成し、第１の表面（２）のエッチング除去
を生ぜしめる陽極少数キャリヤ電流が照射パターンの露
光個所にのみ局部的に基板を介して流れるように電解液
内の電流密度が調整されることによって、電解液を用い
た電気化学的エッチングにより作られることを特徴とす
る請求項９または１０記載の方法。 - 【請求項１３】 板（６）のドーピングによって部品の
導電率が調整されることを特徴とする請求項１ないし１
２の１つに記載の方法。 - 【請求項１４】 板（６）の表面には少なくとも１つの
絶縁層が作られることを特徴とする請求項１ないし１２
の１つに記載の方法。 - 【請求項１５】 請求項１ないし１４の１つに記載の方
法を使用して機械的または光学的フィルタを製造するこ
とを特徴とするフィルタの製造方法。
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042641A1 (fr) * | 1999-01-13 | 2000-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede de fabrication d'un dispositif de silicium |
| JP2002093775A (ja) * | 2000-03-10 | 2002-03-29 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 多孔質シリコン層の形成方法およびリフトオフ方法 |
| JP2006507133A (ja) * | 2002-11-18 | 2006-03-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体材料のナノワイヤの分散 |
| WO2006051727A1 (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-18 | Osaka University | 結晶基板に孔を形成する方法、及びその方法で孔が形成された結晶基板 |
| KR100785695B1 (ko) * | 2002-11-05 | 2007-12-14 | 임페리얼 이노베이션스 리미티드 | 구조화된 실리콘 양극 |
| JP2013518447A (ja) * | 2010-01-27 | 2013-05-20 | イェイル ユニヴァーシティ | ＧａＮデバイスのための導電率ベースの選択的エッチング及びその用途 |
| US9583353B2 (en) | 2012-06-28 | 2017-02-28 | Yale University | Lateral electrochemical etching of III-nitride materials for microfabrication |
| US10554017B2 (en) | 2015-05-19 | 2020-02-04 | Yale University | Method and device concerning III-nitride edge emitting laser diode of high confinement factor with lattice matched cladding layer |
| US11018231B2 (en) | 2014-12-01 | 2021-05-25 | Yale University | Method to make buried, highly conductive p-type III-nitride layers |
| US11043792B2 (en) | 2014-09-30 | 2021-06-22 | Yale University | Method for GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL) |
| US11095096B2 (en) | 2014-04-16 | 2021-08-17 | Yale University | Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL) |
Families Citing this family (68)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0630058A3 (de) * | 1993-05-19 | 1995-03-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Pyrodetektoranordnung durch elektronisches Ätzen eines Silizium Substrats. |
| EP0645621A3 (de) * | 1993-09-28 | 1995-11-08 | Siemens Ag | Sensoranordnung. |
| JP3347203B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2002-11-20 | 富士通株式会社 | 微細空洞形成方法及び微細空洞を有する微小装置 |
| DE59503218D1 (de) * | 1994-02-07 | 1998-09-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer kubisch integrierten Schaltungsanordnung |
| US5660680A (en) * | 1994-03-07 | 1997-08-26 | The Regents Of The University Of California | Method for fabrication of high vertical aspect ratio thin film structures |
| US5985328A (en) * | 1994-03-07 | 1999-11-16 | Regents Of The University Of California | Micromachined porous membranes with bulk support |
| US5985164A (en) * | 1994-03-07 | 1999-11-16 | Regents Of The University Of California | Method for forming a filter |
| US5770076A (en) * | 1994-03-07 | 1998-06-23 | The Regents Of The University Of California | Micromachined capsules having porous membranes and bulk supports |
| US5645684A (en) * | 1994-03-07 | 1997-07-08 | The Regents Of The University Of California | Multilayer high vertical aspect ratio thin film structures |
| US5798042A (en) * | 1994-03-07 | 1998-08-25 | Regents Of The University Of California | Microfabricated filter with specially constructed channel walls, and containment well and capsule constructed with such filters |
| US5651900A (en) * | 1994-03-07 | 1997-07-29 | The Regents Of The University Of California | Microfabricated particle filter |
| DE19507547C2 (de) * | 1995-03-03 | 1997-12-11 | Siemens Ag | Verfahren zur Montage von Chips |
| DE19526734A1 (de) * | 1995-07-21 | 1997-01-23 | Siemens Ag | Optische Struktur und Verfahren zu deren Herstellung |
| CA2179947A1 (en) * | 1995-09-25 | 1997-03-26 | Michael Gunnar Johnson | Mold assembly for forming apertures in a molded body |
| US6045677A (en) * | 1996-02-28 | 2000-04-04 | Nanosciences Corporation | Microporous microchannel plates and method of manufacturing same |
| GB9610878D0 (en) * | 1996-05-24 | 1996-07-31 | Philips Electronics Nv | Electronic device manufacture |
| DE69724269T2 (de) | 1996-09-06 | 2004-06-09 | Obducat Ab | Verfahren für das anisotrope ätzen von strukturen in leitende materialien |
| US5882496A (en) * | 1997-02-27 | 1999-03-16 | The Regents Of The University Of California | Porous silicon structures with high surface area/specific pore size |
| US5938923A (en) * | 1997-04-15 | 1999-08-17 | The Regents Of The University Of California | Microfabricated filter and capsule using a substrate sandwich |
| AU7374198A (en) * | 1997-05-08 | 1998-11-27 | Nanosystems, Inc. | Silicon etching process for making microchannel plates |
| US6121552A (en) | 1997-06-13 | 2000-09-19 | The Regents Of The University Of Caliofornia | Microfabricated high aspect ratio device with an electrical isolation trench |
| WO1999005344A1 (de) | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Nft Nanofiltertechnik Gesellschaft Mit Beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung eines filters |
| WO1999016123A1 (de) * | 1997-09-22 | 1999-04-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung einer dotierten schicht in einem aus einem halbleiter bestehenden erzeugnis, sowie entsprechendes erzeugnis |
| KR100567974B1 (ko) * | 1998-02-10 | 2006-04-07 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 광학 구조 및 광학 구조를 제조하는 방법 |
| DE19820756C1 (de) * | 1998-05-08 | 1999-11-11 | Siemens Ag | Perforiertes Werkstück und Verfahren zu dessen Herstellung |
| WO2000042666A1 (en) * | 1999-01-13 | 2000-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Inertia force sensor and method for producing inertia force sensor |
| DE19919903A1 (de) * | 1999-04-30 | 2000-11-02 | Nft Nano Filtertechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Filters |
| US6954613B1 (en) * | 1999-09-10 | 2005-10-11 | Virtual Geosatellite Holdings, Inc. | Fixed satellite constellation system employing non-geostationary satellites in sub-geosynchronous elliptical orbits with common ground tracks |
| US6720105B2 (en) | 1999-11-17 | 2004-04-13 | Neah Power Systems, Inc. | Metallic blocking layers integrally associated with fuel cell electrode structures and fuel cell electrode stack assemblies |
| US6924058B2 (en) * | 1999-11-17 | 2005-08-02 | Leroy J. Ohlsen | Hydrodynamic transport and flow channel passageways associated with fuel cell electrode structures and fuel cell electrode stack assemblies |
| EP1232533A2 (en) | 1999-11-17 | 2002-08-21 | Neah Power Systems, Inc. | Fuel cells having silicon substrates and/or sol-gel derived support structures |
| US6852443B1 (en) * | 1999-11-17 | 2005-02-08 | Neah Power Systems, Inc. | Fuel cells having silicon substrates and/or sol-gel derived support structures |
| US6768590B2 (en) * | 2000-05-19 | 2004-07-27 | Shipley Company, L.L.C. | Method of fabricating optical filters |
| US20020115198A1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-08-22 | Nerenberg Michael I. | Microfabricated ultrasound array for use as resonant sensors |
| DE10055872B4 (de) * | 2000-11-10 | 2004-02-05 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer porösen Struktur für ein Sieb oder einen Filter und poröse Struktur für ein Sieb oder einen Filter |
| JP2004527086A (ja) * | 2001-04-19 | 2004-09-02 | ネア・パワー・システムズ・インコーポレーテッド | 多孔質シリコンおよびゾル−ゲル誘導電極構造体ならびに燃料電池システムとの使用に適合させたアセンブリ |
| US6677070B2 (en) * | 2001-04-19 | 2004-01-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Hybrid thin film/thick film solid oxide fuel cell and method of manufacturing the same |
| DE10217569A1 (de) * | 2002-04-19 | 2003-11-13 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung auf Basis von partiell oxidiertem porösen Silizium |
| WO2003102633A2 (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Spectral filter for green and shorter wavelengths and method of manufacturing same |
| EP1554035A1 (de) * | 2002-08-23 | 2005-07-20 | Hartmut Presting | Mikrostrukturierter katalysatorkörper und verfahren zu dessen herstellung |
| WO2004036265A2 (en) | 2002-10-16 | 2004-04-29 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Spectral filter for green and longer wavelengths |
| DE10259366A1 (de) * | 2002-12-18 | 2004-07-08 | Siemens Ag | Verfahren zur Nachbearbeitung eines Durchgangslochs eines Bauteils |
| US20050058414A1 (en) * | 2003-08-21 | 2005-03-17 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Porous retroreflection suppression plates, optical isolators and method of fabricating same |
| US7165647B2 (en) * | 2003-12-18 | 2007-01-23 | Pei-Chau Lee | Mechanical acoustic filter by erosion etching |
| US7560018B2 (en) | 2004-01-21 | 2009-07-14 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Semiconductor electrochemical etching processes employing closed loop control |
| US7108813B2 (en) * | 2004-03-30 | 2006-09-19 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Gas/ion species selective membrane supported by multi-stage nano-hole array metal structure |
| US20060115919A1 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-01 | Gogoi Bishnu P | Method of making a microelectromechanical (MEM) device using porous material as a sacrificial layer |
| US20060207890A1 (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Norbert Staud | Electrochemical etching |
| US7569490B2 (en) | 2005-03-15 | 2009-08-04 | Wd Media, Inc. | Electrochemical etching |
| US20060256428A1 (en) * | 2005-05-16 | 2006-11-16 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Long wave pass infrared filter based on porous semiconductor material and the method of manufacturing the same |
| DE202005010588U1 (de) * | 2005-07-04 | 2005-10-13 | Weiss Umwelttechnik Gmbh Simulationsanlagen-Messtechnik | Anordnung zum Prüfen von pharmazeutischen Substanzen |
| GB0601318D0 (en) | 2006-01-23 | 2006-03-01 | Imp Innovations Ltd | Method of etching a silicon-based material |
| GB0601319D0 (en) | 2006-01-23 | 2006-03-01 | Imp Innovations Ltd | A method of fabricating pillars composed of silicon-based material |
| GB0709165D0 (en) | 2007-05-11 | 2007-06-20 | Nexeon Ltd | A silicon anode for a rechargeable battery |
| GB0713895D0 (en) | 2007-07-17 | 2007-08-29 | Nexeon Ltd | Production |
| GB0713898D0 (en) | 2007-07-17 | 2007-08-29 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silcon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
| GB0713896D0 (en) | 2007-07-17 | 2007-08-29 | Nexeon Ltd | Method |
| GB2464157B (en) | 2008-10-10 | 2010-09-01 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material |
| GB2464158B (en) | 2008-10-10 | 2011-04-20 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
| GB2470056B (en) | 2009-05-07 | 2013-09-11 | Nexeon Ltd | A method of making silicon anode material for rechargeable cells |
| US9853292B2 (en) | 2009-05-11 | 2017-12-26 | Nexeon Limited | Electrode composition for a secondary battery cell |
| GB2470190B (en) | 2009-05-11 | 2011-07-13 | Nexeon Ltd | A binder for lithium ion rechargeable battery cells |
| DE102009042321A1 (de) | 2009-09-21 | 2011-03-31 | Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg | Poren aufweisender n-dotierter Siliziumkörper sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
| GB201005979D0 (en) | 2010-04-09 | 2010-05-26 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
| GB201009519D0 (en) | 2010-06-07 | 2010-07-21 | Nexeon Ltd | An additive for lithium ion rechargeable battery cells |
| GB201014706D0 (en) | 2010-09-03 | 2010-10-20 | Nexeon Ltd | Porous electroactive material |
| GB201014707D0 (en) | 2010-09-03 | 2010-10-20 | Nexeon Ltd | Electroactive material |
| JP6787924B2 (ja) | 2015-04-09 | 2020-11-18 | アングル ヨーロッパ リミテッド | ディスポーザブルバイオアッセイカートリッジ、複数のアッセイステップを実施しカートリッジ内の流体を搬送する方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3962052A (en) * | 1975-04-14 | 1976-06-08 | International Business Machines Corporation | Process for forming apertures in silicon bodies |
| FR2339953A1 (fr) * | 1976-01-29 | 1977-08-26 | Anvar | Procede d'obtention de films minces en silicium de type n, de diodes a barriere de surface comportant de tels films, et detecteurs de particules comportant de telles diodes |
| DE3879771D1 (de) * | 1987-05-27 | 1993-05-06 | Siemens Ag | Aetzverfahren zum erzeugen von lochoeffnungen oder graeben in n-dotiertem silizium. |
-
1992
- 1992-01-29 DE DE4202454A patent/DE4202454C1/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-16 DE DE59202728T patent/DE59202728D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-16 EP EP92121412A patent/EP0553465B1/de not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-01-21 US US08/006,939 patent/US5262021A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-01-27 JP JP03119893A patent/JP3190759B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042641A1 (fr) * | 1999-01-13 | 2000-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede de fabrication d'un dispositif de silicium |
| JP2002093775A (ja) * | 2000-03-10 | 2002-03-29 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 多孔質シリコン層の形成方法およびリフトオフ方法 |
| KR100785695B1 (ko) * | 2002-11-05 | 2007-12-14 | 임페리얼 이노베이션스 리미티드 | 구조화된 실리콘 양극 |
| JP2006507133A (ja) * | 2002-11-18 | 2006-03-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体材料のナノワイヤの分散 |
| JP4807754B2 (ja) * | 2004-11-09 | 2011-11-02 | シャープ株式会社 | 結晶基板に孔を形成する方法 |
| JPWO2006051727A1 (ja) * | 2004-11-09 | 2008-05-29 | シャープ株式会社 | 結晶基板に孔を形成する方法、及びその方法で孔が形成された結晶基板 |
| US7718254B2 (en) | 2004-11-09 | 2010-05-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of forming pores in crystal substrate, and crystal substrate containing pores formed by the same |
| JP2011101009A (ja) * | 2004-11-09 | 2011-05-19 | Sharp Corp | 単結晶基板 |
| WO2006051727A1 (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-18 | Osaka University | 結晶基板に孔を形成する方法、及びその方法で孔が形成された結晶基板 |
| JP2013518447A (ja) * | 2010-01-27 | 2013-05-20 | イェイル ユニヴァーシティ | ＧａＮデバイスのための導電率ベースの選択的エッチング及びその用途 |
| US10458038B2 (en) | 2010-01-27 | 2019-10-29 | Yale University | Conductivity based on selective etch for GaN devices and applications thereof |
| US9583353B2 (en) | 2012-06-28 | 2017-02-28 | Yale University | Lateral electrochemical etching of III-nitride materials for microfabrication |
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