JPH05315316A - 多孔部品の製造方法 - Google Patents

多孔部品の製造方法

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JPH05315316A
JPH05315316A JP5031198A JP3119893A JPH05315316A JP H05315316 A JPH05315316 A JP H05315316A JP 5031198 A JP5031198 A JP 5031198A JP 3119893 A JP3119893 A JP 3119893A JP H05315316 A JPH05315316 A JP H05315316A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 μm範囲からサブμm範囲の穴直径を得るこ
とができかつ簡単に実施可能な多孔部品の製造方法を提
供する。 【構成】nドーピングされた単結晶シリコンから成る基
板1の第1の表面2に電気化学的エッチングにより穴4
をこの第1の表面2に対して垂直に形成してパターン化
された層7を作り、穴4の深さが完成部品の厚みにほぼ
相当する深さに達しとき、穴4の断面積が増大しパター
ン化された層7が部品を形成する板として分離されるよ
うにエッチングのプロセスパラメータを変更する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は多孔部品の製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】多くの技術分野においては、特にμm範
囲からサブμm範囲の孔直径を有する価格的に手頃な光
学的または機械的フィルタとして、多孔部品が必要であ
る。このような分野としては、例えば同じ直径の孔を多
数有する多孔膜、逆流可能なフィルタ、整流体、触媒ホ
ルダー、バッテリおよび燃料セル用の電極、ノズル板、
管格子、または例えば光またはマイクロ波のような電磁
波用のフィルタなどがある。
【0003】このようなフィルタの公知の製造方法は所
謂LIGA技術(LI=Lithographie、G
=Galvanik、A=Abformung)であ
る。例えばベッカー(E.W.Becker)等の著書「マイ
クロエレクトロニク・エンジニアリング(Microe
lectronic Engeneering)」(第
4巻、1986年発行、第35頁以下)によって知られ
ているLIGA技術においては、厚いホトラック膜がシ
ンクロトロン放射を用いてパターン化される。その後こ
のパターンはプラスチックの電気的成形および成形技術
によってフィルタへ転写される。LIGA技術を用いる
と2μmの最小パターン幅を得ることができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フィル
タの貫流方向に対して平行な次元に対してはパターン化
が不可能である。シンクロトロン放射の使用を必要とす
ることはこの方法を非常に高価にする。
【0005】本発明の課題は、μm範囲からサブμm範
囲の孔直径が得られしかも簡単に実施可能な多孔部品の
製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明によれば、nドーピングされた単結晶シリコ
ンから成る基板の第1の表面に電気化学的エッチングに
よって穴が第1の表面に対して垂直に形成され、それに
よりパターン化された層が生成され、その際電気化学的
エッチングは基板が陽極として接続されている電解液内
で行われ、この電解液内で第1の表面が電解液に接触
し、エッチング除去に影響する電流密度が調整され、穴
の深さがほぼ完成部品の厚みに相当する深さに達しと
き、穴の断面積が増大しパターン化された層が部品を形
成する板として分離されるようにエッチングのプロセス
パラメータが変更される。
【0007】本発明のその他の構成は請求項2以降に記
載されている。
【0008】基板は電気化学的エッチングの際には陽極
として接続されるので、nドーピングされたシリコン内
の少数電荷キャリヤは電解液に接触している第1の表面
へ移動する。この第1の表面には空間電荷領域が形成さ
れる。表面の窪み領域の電界強さは窪み以外の領域の電
界強さよりも大きいので、少数電荷キャリヤは特にこの
個所へ移動する。これによって表面のパターン化が達成
される。初めは小さい非平坦部がエッチングによって深
くなればなる程、増大する電界強さのために少数電荷キ
ャリヤがその非平坦部へ移動する量が多くなり、そして
この個所でのエッチング作用が強くなる。穴は基板内で
〈100〉結晶方向へ成長する。従って、〈100〉方
位を有する基板を使用すると有利である。
【0009】穴または溝を作るためにnドーピングされ
たシリコンを電気化学的エッチングすることは例えばヨ
ーロッパ特許出願公開第0296348号明細書により
公知であり、そこでは特にDRAMセル用の溝をこのよ
うにして作っている。しかしながら、そこでは基板から
板を分離するためにこのエッチング方法を使用すること
については考慮されていない。
【0010】エッチング作用は基板内の電流密度と電解
液内のフッ化物濃度とに関係する。電解液内の電流密度
を高めるかまたは電解液内のフッ化物濃度を減らすこと
によって、エッチング作用が大きくなる。この事実が本
発明においては利用されており、穴の深さがほぼ完成部
品の厚みに相当する深さに達しとき、穴断面積が大きく
なるようにエッチング除去が増大させられる。上述した
ように、エッチング作用は穴の下部領域でのみ行われる
ので、穴の上部領域すなわち第1の表面近傍における穴
断面積は変化しない。しかしながら、下部領域において
は穴は大きくなる。電気化学的エッチングは、隣接する
穴が合体しそれによってパターン化された層が板として
分離されるまで続けられる。板は穴を細孔として含むつ
ながったシリコンから構成される。この板は多孔部品、
例えば機械的または電気的フィルタとして使用可能であ
る。
【0011】本発明による方法によれば、20μm〜5
0nmの孔直径を良好に作成することができる。
【0012】この板は例えば拡散または注入によって基
板とは別のドーピングを施すことができる。このように
して多孔部品の導電率を調整することができる。
【0013】板の表面に絶縁層を設けることによって多
孔部品の表面状態を変えることができる。これによって
部品が絶縁される。板の表面にシリコン熱酸化物または
シリコン熱窒化物を作成することによって、その表面は
不活性化され、外界に対して抵抗力を有し、そして化学
的に不活性になる。
【0014】基板内の電流密度は基板の第1の表面とは
反対側の表面に光照射することによって特に簡単に制御
することができる。この場合板の分離は光照射を増大さ
せることによって行われる。この場合、光照射を変える
ことによって第1の表面に対して垂直な孔の断面積を変
えることもできる。光照射を連続的に変えることによっ
て例えば円錐穴を作成することができる。
【0015】穴を形成する前に基板の第1の表面に表面
トポロジーを設けることは本発明の枠内である。このよ
うにして第1の表面には窪みが設けられ、この窪みが電
気化学的エッチングの際にエッチング作用の開始点とな
る。これによって穴の配置が決定される。
【0016】第1の表面が規則的に配置された窪みから
成る表面トポロジーを設けられる場合、板はほぼ一定の
厚みとなる。この場合穴の間隔はほぼ等しく、それゆえ
隣合う穴間において板を分離するためにエッチング作用
を増大させることによってエッチング除去されなければ
ならない材料量はほぼ等しい。その場合ほぼ全ての穴が
同時に合体する。
【0017】さらに、完成した板はこの場合パターン幅
すなわち穴の幅もしくは穴の間に残存する橋絡片が狭い
限界値内で一定となることを示す。パターン幅を10%
以内に一定保持することが観察された。
【0018】本発明による方法においては、基板の第1
の表面が穴を形成する前に規則的に配置された窪みを設
けられる場合、0.1μm以下の最小パターン幅を得る
ことができる。表面トポロジーはその際には例えば第1
の表面上にホトラックマスクを作成しその後第1の表面
をアルカリエッチングすることによって作られる。ホト
ラックマスクを作成するために通常の光学的ホトリトグ
ラフィーが使用される。
【0019】穴をエッチング形成する電解液内で光誘導
式電気化学的エッチングによって表面トポロジーを製作
することは本発明の枠内である。
【0020】
【実施例】次に本発明を図面および実施例に基づいて詳
細に説明する。
【0021】例えば5Ωcmの導電率を有するnドーピ
ングされた単結晶シリコンから成る基板1は第1の表面
2に表面トポロジーが設けられている(図1参照)。表
面トポロジーは規則的な間隔で配置された窪み3を含ん
でいる。
【0022】窪み3は例えば通常のホトリトグラフィー
によってホトラックマスクを作成しその後アルカリエッ
チングを行うことにより作成される。表面トポロジーは
また光誘導式電気化学的エッチングによって形成するこ
とができる。
【0023】基板1の第1の表面2はフッ化物を含有す
る酸性電解液に接触させられる。この電解液は1〜50
%、好ましくは3%のフッ化水素酸濃度を有している。
基板1の第1の表面2に水素泡が発生するのを抑制する
ために、電解液には酸化剤、例えば過酸化水素を添加す
ることができる。
【0024】基板1は陽極として接続される。基板1と
電解液との間には0〜20V、好ましくは3ボルトの電
圧が印加される。基板1は背面側から光を照射され、そ
れにより例えば10mA/cm2 の電流密度に調整され
る。窪み3(図1参照)から出発して電気化学的エッチ
ングにより第1の表面2に対して垂直に延びる(図2参
照)穴4が作成される。その際に第1の表面2にパター
ン化された層7が形成される。
【0025】約60分のエッチング時間後に陽極側電流
密度は例えば30mA/cm2 に高められる。その際電
解液と基板1との間の電圧は2ボルトに減らされる。電
流密度はさらに基板1の背面の光照射によって調整され
る。
【0026】電気化学的エッチングのパラメータを変更
してエッチングを引き続いて行うことにより、穴4の下
部領域の断面積が拡大する。各穴4の底には空洞状拡大
部5が形成される。この空洞状拡大部5の断面積は、そ
れぞれ隣接する空洞状拡大部5を分離しているシリコン
がエッチング除去されるまで大きくなる(図4参照)。
このシリコンのエッチング除去は上述したプロセスパラ
メータの場合には約10分後に生じる。
【0027】穴4を有する独立したシリコンから成る板
6が形成される。上述したプロセスパラメータによれ
ば、30μmの板厚が得られる。この厚みは従来の鋸挽
きによって得られたシリコン基板厚みよりもはるかに小
さい。
【0028】図5は板6の平面図である。この板6を形
成するパターン化された独立層7では円形または正方形
断面を有する穴4が一様に分布している。穴4は例えば
2μmの直径を有し、例えば1.5μmの間隔で配置さ
れている。第1の表面2に向かって穴4は拡大してい
る。これは基板の第1の表面に作られた表面トポロジー
の結果である。穴の上部領域におけるこの拡大部8はフ
ィルタとしての板6が逆流可能であるという利点を有す
る。流れ方向を短時間反転させることによって駆動中に
フィルタを洗浄することができる。
【0029】導電率を変更するために板6はその後公知
の方法でドーピングすることができる。
【0030】表面を改善するために板6にはシリコン熱
酸化物またはシリコン熱窒化物を設けることができる。
これによって表面は化学的に不活性になり、板は部品と
して相応する分野で使用することができる。
【0031】板6はシリコンから形成されるので、それ
ぞれの分野で必要とする場合には、高温度で焼鈍または
再生することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】表面トポロジーを設けられたシリコン基板の断
面図。
【図2】一定断面積の穴が電気化学的エッチングによっ
て形成されているシリコン基板の断面図。
【図3】エッチングパラメータを変更することによって
断面積を拡大された穴が電気化学的エッチングによって
形成されているシリコン基板の断面図。
【図4】多孔板が分離されている基板を示す断面図。
【図5】多孔板の平面図。
【符号の説明】
1 基板 2 表面 3 窪み 4 穴 5 空洞状拡大部 6 板 7 パターン化された層 8 拡大部

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 nドーピングされた単結晶シリコンから
    成る基板(1)の第1の表面(2)に電気化学的エッチ
    ングにより穴(4)が第1の表面に対して垂直に形成さ
    れ、それによりパターン化された層(7)が生成され、
    その際電気化学的エッチングは基板が陽極として接続さ
    れている電解液内で行われ、この電解液内で第1の表面
    (2)が電解液に接触し、エッチング除去に影響する電
    流密度が調整され、穴(4)の深さがほぼ完成部品の厚
    みに相当する深さに達したとき、穴(4)の断面積が増
    大しパターン化された層(7)が部品を形成する板
    (6)として分離されるようにエッチングのプロセスパ
    ラメータが変更されることを特徴とする多孔部品の製造
    方法。
  2. 【請求項2】 電気化学的エッチングはフッ化物を含有
    する酸性電解液内で行われることを特徴とする請求項1
    記載の方法。
  3. 【請求項3】 基板は〈100〉板であることを特徴と
    する請求項1または2記載の方法。
  4. 【請求項4】 電流密度は基板(1)の第1の表面
    (2)とは反対側の第2の表面の光照射によって調整さ
    れることを特徴とする請求項1ないし3の1つに記載の
    方法。
  5. 【請求項5】 電解液は1〜50%のフッ化水素酸(H
    F)を含むことを特徴とする請求項1ないし4の1つに
    記載の方法。
  6. 【請求項6】 電解液は酸化剤を含むことを特徴とする
    請求項5記載の方法。
  7. 【請求項7】 板(6)を分離するために電流密度が高
    められることを特徴とする請求項1ないし6の1つに記
    載の方法。
  8. 【請求項8】 板(6)を分離するために電解液内のフ
    ッ化物濃度が減らされることを特徴とする請求項1ない
    し6の1つに記載の方法。
  9. 【請求項9】 基板(1)の第1の表面(2)には穴
    (4)を形成する前に穴の配置を決定する表面トポロジ
    ーが作られることを特徴とする請求項1ないし8の1つ
    に記載の方法。
  10. 【請求項10】 表面トポロジーは第1の表面(2)の
    規則的に配置された窪み(3)から構成されることを特
    徴とする請求項9記載の方法。
  11. 【請求項11】 表面トポロジーは第1の表面(2)上
    にホトラックマスクを作りその後第1の表面(2)をア
    ルカリエッチングすることによって作られることを特徴
    とする請求項9または10記載の方法。
  12. 【請求項12】 表面トポロジーは、第1の表面(2)
    に1100nm以下の波長を有する光源を使用して照射
    パターンを作成し、第1の表面(2)のエッチング除去
    を生ぜしめる陽極少数キャリヤ電流が照射パターンの露
    光個所にのみ局部的に基板を介して流れるように電解液
    内の電流密度が調整されることによって、電解液を用い
    た電気化学的エッチングにより作られることを特徴とす
    る請求項9または10記載の方法。
  13. 【請求項13】 板(6)のドーピングによって部品の
    導電率が調整されることを特徴とする請求項1ないし1
    2の1つに記載の方法。
  14. 【請求項14】 板(6)の表面には少なくとも1つの
    絶縁層が作られることを特徴とする請求項1ないし12
    の1つに記載の方法。
  15. 【請求項15】 請求項1ないし14の1つに記載の方
    法を使用して機械的または光学的フィルタを製造するこ
    とを特徴とするフィルタの製造方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000042641A1 (fr) * 1999-01-13 2000-07-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Procede de fabrication d'un dispositif de silicium
JP2002093775A (ja) * 2000-03-10 2002-03-29 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw 多孔質シリコン層の形成方法およびリフトオフ方法
JP2006507133A (ja) * 2002-11-18 2006-03-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 半導体材料のナノワイヤの分散
WO2006051727A1 (ja) * 2004-11-09 2006-05-18 Osaka University 結晶基板に孔を形成する方法、及びその方法で孔が形成された結晶基板
KR100785695B1 (ko) * 2002-11-05 2007-12-14 임페리얼 이노베이션스 리미티드 구조화된 실리콘 양극
JP2013518447A (ja) * 2010-01-27 2013-05-20 イェイル ユニヴァーシティ GaNデバイスのための導電率ベースの選択的エッチング及びその用途
US9583353B2 (en) 2012-06-28 2017-02-28 Yale University Lateral electrochemical etching of III-nitride materials for microfabrication
US10554017B2 (en) 2015-05-19 2020-02-04 Yale University Method and device concerning III-nitride edge emitting laser diode of high confinement factor with lattice matched cladding layer
US11018231B2 (en) 2014-12-01 2021-05-25 Yale University Method to make buried, highly conductive p-type III-nitride layers
US11043792B2 (en) 2014-09-30 2021-06-22 Yale University Method for GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL)
US11095096B2 (en) 2014-04-16 2021-08-17 Yale University Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL)

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0630058A3 (de) * 1993-05-19 1995-03-15 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Pyrodetektoranordnung durch elektronisches Ätzen eines Silizium Substrats.
EP0645621A3 (de) * 1993-09-28 1995-11-08 Siemens Ag Sensoranordnung.
JP3347203B2 (ja) * 1993-12-27 2002-11-20 富士通株式会社 微細空洞形成方法及び微細空洞を有する微小装置
EP0666595B1 (de) * 1994-02-07 1998-08-19 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer kubisch integrierten Schaltungsanordnung
US5985164A (en) * 1994-03-07 1999-11-16 Regents Of The University Of California Method for forming a filter
US5985328A (en) * 1994-03-07 1999-11-16 Regents Of The University Of California Micromachined porous membranes with bulk support
US5770076A (en) * 1994-03-07 1998-06-23 The Regents Of The University Of California Micromachined capsules having porous membranes and bulk supports
US5798042A (en) * 1994-03-07 1998-08-25 Regents Of The University Of California Microfabricated filter with specially constructed channel walls, and containment well and capsule constructed with such filters
US5660680A (en) * 1994-03-07 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Method for fabrication of high vertical aspect ratio thin film structures
US5651900A (en) * 1994-03-07 1997-07-29 The Regents Of The University Of California Microfabricated particle filter
US5645684A (en) * 1994-03-07 1997-07-08 The Regents Of The University Of California Multilayer high vertical aspect ratio thin film structures
DE19507547C2 (de) * 1995-03-03 1997-12-11 Siemens Ag Verfahren zur Montage von Chips
DE19526734A1 (de) * 1995-07-21 1997-01-23 Siemens Ag Optische Struktur und Verfahren zu deren Herstellung
CA2179947A1 (en) * 1995-09-25 1997-03-26 Michael Gunnar Johnson Mold assembly for forming apertures in a molded body
US6045677A (en) * 1996-02-28 2000-04-04 Nanosciences Corporation Microporous microchannel plates and method of manufacturing same
GB9610878D0 (en) * 1996-05-24 1996-07-31 Philips Electronics Nv Electronic device manufacture
CA2264908C (en) 1996-09-06 2006-04-25 Obducat Ab Method for anisotropic etching of structures in conducting materials
US5882496A (en) * 1997-02-27 1999-03-16 The Regents Of The University Of California Porous silicon structures with high surface area/specific pore size
US5938923A (en) * 1997-04-15 1999-08-17 The Regents Of The University Of California Microfabricated filter and capsule using a substrate sandwich
US5997713A (en) * 1997-05-08 1999-12-07 Nanosciences Corporation Silicon etching process for making microchannel plates
US6121552A (en) 1997-06-13 2000-09-19 The Regents Of The University Of Caliofornia Microfabricated high aspect ratio device with an electrical isolation trench
WO1999005344A1 (de) 1997-07-28 1999-02-04 Nft Nanofiltertechnik Gesellschaft Mit Beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines filters
WO1999016123A1 (de) * 1997-09-22 1999-04-01 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung einer dotierten schicht in einem aus einem halbleiter bestehenden erzeugnis, sowie entsprechendes erzeugnis
KR100567974B1 (ko) * 1998-02-10 2006-04-07 인피니언 테크놀로지스 아게 광학 구조 및 광학 구조를 제조하는 방법
DE19820756C1 (de) * 1998-05-08 1999-11-11 Siemens Ag Perforiertes Werkstück und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1087445A4 (en) * 1999-01-13 2007-05-02 Mitsubishi Electric Corp Inertia sensor and method of its manufacture
DE19919903A1 (de) * 1999-04-30 2000-11-02 Nft Nano Filtertechnik Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Filters
US6954613B1 (en) * 1999-09-10 2005-10-11 Virtual Geosatellite Holdings, Inc. Fixed satellite constellation system employing non-geostationary satellites in sub-geosynchronous elliptical orbits with common ground tracks
US6852443B1 (en) * 1999-11-17 2005-02-08 Neah Power Systems, Inc. Fuel cells having silicon substrates and/or sol-gel derived support structures
EP1232533A2 (en) * 1999-11-17 2002-08-21 Neah Power Systems, Inc. Fuel cells having silicon substrates and/or sol-gel derived support structures
US6924058B2 (en) * 1999-11-17 2005-08-02 Leroy J. Ohlsen Hydrodynamic transport and flow channel passageways associated with fuel cell electrode structures and fuel cell electrode stack assemblies
US6720105B2 (en) 1999-11-17 2004-04-13 Neah Power Systems, Inc. Metallic blocking layers integrally associated with fuel cell electrode structures and fuel cell electrode stack assemblies
US6768590B2 (en) * 2000-05-19 2004-07-27 Shipley Company, L.L.C. Method of fabricating optical filters
US20020115198A1 (en) * 2000-09-20 2002-08-22 Nerenberg Michael I. Microfabricated ultrasound array for use as resonant sensors
DE10055872B4 (de) * 2000-11-10 2004-02-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer porösen Struktur für ein Sieb oder einen Filter und poröse Struktur für ein Sieb oder einen Filter
US6677070B2 (en) * 2001-04-19 2004-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Hybrid thin film/thick film solid oxide fuel cell and method of manufacturing the same
EP1390996A1 (en) * 2001-04-19 2004-02-25 Neah Power Systems, Inc. Porous silicon and sol-gel derived electrode structures and assemblies adapted for use with fuel cell systems
DE10217569A1 (de) * 2002-04-19 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Vorrichtung auf Basis von partiell oxidiertem porösen Silizium
US7135120B2 (en) 2002-06-04 2006-11-14 Lake Shore Cryotronics, Inc. Method of manufacturing a spectral filter for green and shorter wavelengths
AU2003266998A1 (en) * 2002-08-23 2004-03-11 Hartmut Presting Microstructured catalyst body and method for production thereof
US7139459B2 (en) * 2002-10-16 2006-11-21 Lake Shore Cryotronics, Inc. Spectral filter for green and longer wavelengths
DE10259366A1 (de) * 2002-12-18 2004-07-08 Siemens Ag Verfahren zur Nachbearbeitung eines Durchgangslochs eines Bauteils
US20050058414A1 (en) * 2003-08-21 2005-03-17 Lake Shore Cryotronics, Inc. Porous retroreflection suppression plates, optical isolators and method of fabricating same
US7165647B2 (en) * 2003-12-18 2007-01-23 Pei-Chau Lee Mechanical acoustic filter by erosion etching
US7560018B2 (en) 2004-01-21 2009-07-14 Lake Shore Cryotronics, Inc. Semiconductor electrochemical etching processes employing closed loop control
US7108813B2 (en) * 2004-03-30 2006-09-19 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Gas/ion species selective membrane supported by multi-stage nano-hole array metal structure
US20060115919A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-01 Gogoi Bishnu P Method of making a microelectromechanical (MEM) device using porous material as a sacrificial layer
US20060207890A1 (en) 2005-03-15 2006-09-21 Norbert Staud Electrochemical etching
US7569490B2 (en) 2005-03-15 2009-08-04 Wd Media, Inc. Electrochemical etching
US20060256428A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-16 Lake Shore Cryotronics, Inc. Long wave pass infrared filter based on porous semiconductor material and the method of manufacturing the same
DE202005010588U1 (de) * 2005-07-04 2005-10-13 Weiss Umwelttechnik Gmbh Simulationsanlagen-Messtechnik Anordnung zum Prüfen von pharmazeutischen Substanzen
GB0601318D0 (en) 2006-01-23 2006-03-01 Imp Innovations Ltd Method of etching a silicon-based material
GB0601319D0 (en) * 2006-01-23 2006-03-01 Imp Innovations Ltd A method of fabricating pillars composed of silicon-based material
GB0709165D0 (en) 2007-05-11 2007-06-20 Nexeon Ltd A silicon anode for a rechargeable battery
GB0713896D0 (en) 2007-07-17 2007-08-29 Nexeon Ltd Method
GB0713898D0 (en) 2007-07-17 2007-08-29 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silcon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
GB0713895D0 (en) 2007-07-17 2007-08-29 Nexeon Ltd Production
GB2464157B (en) 2008-10-10 2010-09-01 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material
GB2464158B (en) 2008-10-10 2011-04-20 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
GB2470056B (en) 2009-05-07 2013-09-11 Nexeon Ltd A method of making silicon anode material for rechargeable cells
GB2470190B (en) 2009-05-11 2011-07-13 Nexeon Ltd A binder for lithium ion rechargeable battery cells
US9853292B2 (en) 2009-05-11 2017-12-26 Nexeon Limited Electrode composition for a secondary battery cell
DE102009042321A1 (de) 2009-09-21 2011-03-31 Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg Poren aufweisender n-dotierter Siliziumkörper sowie Verfahren zu seiner Herstellung
GB201005979D0 (en) 2010-04-09 2010-05-26 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
GB201009519D0 (en) 2010-06-07 2010-07-21 Nexeon Ltd An additive for lithium ion rechargeable battery cells
GB201014706D0 (en) 2010-09-03 2010-10-20 Nexeon Ltd Porous electroactive material
GB201014707D0 (en) 2010-09-03 2010-10-20 Nexeon Ltd Electroactive material
EP3683578A1 (en) 2015-04-09 2020-07-22 Angle Europe Limited Porous substrate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3962052A (en) * 1975-04-14 1976-06-08 International Business Machines Corporation Process for forming apertures in silicon bodies
FR2339953A1 (fr) * 1976-01-29 1977-08-26 Anvar Procede d'obtention de films minces en silicium de type n, de diodes a barriere de surface comportant de tels films, et detecteurs de particules comportant de telles diodes
EP0296348B1 (de) * 1987-05-27 1993-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Ätzverfahren zum Erzeugen von Lochöffnungen oder Gräben in n-dotiertem Silizium

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000042641A1 (fr) * 1999-01-13 2000-07-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Procede de fabrication d'un dispositif de silicium
JP2002093775A (ja) * 2000-03-10 2002-03-29 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw 多孔質シリコン層の形成方法およびリフトオフ方法
KR100785695B1 (ko) * 2002-11-05 2007-12-14 임페리얼 이노베이션스 리미티드 구조화된 실리콘 양극
JP2006507133A (ja) * 2002-11-18 2006-03-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 半導体材料のナノワイヤの分散
JP4807754B2 (ja) * 2004-11-09 2011-11-02 シャープ株式会社 結晶基板に孔を形成する方法
JPWO2006051727A1 (ja) * 2004-11-09 2008-05-29 シャープ株式会社 結晶基板に孔を形成する方法、及びその方法で孔が形成された結晶基板
US7718254B2 (en) 2004-11-09 2010-05-18 Sharp Kabushiki Kaisha Method of forming pores in crystal substrate, and crystal substrate containing pores formed by the same
JP2011101009A (ja) * 2004-11-09 2011-05-19 Sharp Corp 単結晶基板
WO2006051727A1 (ja) * 2004-11-09 2006-05-18 Osaka University 結晶基板に孔を形成する方法、及びその方法で孔が形成された結晶基板
JP2013518447A (ja) * 2010-01-27 2013-05-20 イェイル ユニヴァーシティ GaNデバイスのための導電率ベースの選択的エッチング及びその用途
US10458038B2 (en) 2010-01-27 2019-10-29 Yale University Conductivity based on selective etch for GaN devices and applications thereof
US9583353B2 (en) 2012-06-28 2017-02-28 Yale University Lateral electrochemical etching of III-nitride materials for microfabrication
US11095096B2 (en) 2014-04-16 2021-08-17 Yale University Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL)
US11043792B2 (en) 2014-09-30 2021-06-22 Yale University Method for GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL)
US11018231B2 (en) 2014-12-01 2021-05-25 Yale University Method to make buried, highly conductive p-type III-nitride layers
US10554017B2 (en) 2015-05-19 2020-02-04 Yale University Method and device concerning III-nitride edge emitting laser diode of high confinement factor with lattice matched cladding layer

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