JPH05314816A - 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサと厚膜コンデンサ - Google Patents
誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサと厚膜コンデンサInfo
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- JPH05314816A JPH05314816A JP4121606A JP12160692A JPH05314816A JP H05314816 A JPH05314816 A JP H05314816A JP 4121606 A JP4121606 A JP 4121606A JP 12160692 A JP12160692 A JP 12160692A JP H05314816 A JPH05314816 A JP H05314816A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高誘電率、低誘電損失の誘電体磁器組成物お
よびそれを用いたセラミックコンデンサおよび厚膜コン
デンサを提供する。 【構成】 ＰｂＴｉx（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）yＺｒzＯ3（ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１）の組成式において、０．２５０≦ｘ≦
０．５００、０．０６２５≦ｙ≦０．５００、０．０５
０≦ｚ≦０．６２５の範囲（図１の斜線部分に対応）の
組成にＭｎＯ2を０．１〜３．０ｗｔ％を加え、さらに
１．０〜２５．０モル％のＰｂＯと、１０．０〜２５
０．０モル％のＡｌ2Ｏ3または組成物を用いることによ
り、誘電特性に優れたセラミックコンデンサや厚膜コン
デンサが得られる。
よびそれを用いたセラミックコンデンサおよび厚膜コン
デンサを提供する。 【構成】 ＰｂＴｉx（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）yＺｒzＯ3（ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１）の組成式において、０．２５０≦ｘ≦
０．５００、０．０６２５≦ｙ≦０．５００、０．０５
０≦ｚ≦０．６２５の範囲（図１の斜線部分に対応）の
組成にＭｎＯ2を０．１〜３．０ｗｔ％を加え、さらに
１．０〜２５．０モル％のＰｂＯと、１０．０〜２５
０．０モル％のＡｌ2Ｏ3または組成物を用いることによ
り、誘電特性に優れたセラミックコンデンサや厚膜コン
デンサが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品に使用される
誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミックコンデ
ンサと厚膜コンデンサに関するものである。
誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミックコンデ
ンサと厚膜コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来小型化・大容量化が進むセラミック
コンデンサの高誘電率材料としては、チタン酸バリウム
を主成分とする材料が用いられてきた。しかし、この材
料を焼成するには大気中でかつ焼成温度として１３００
℃程度の高温が必要であるため、積層型セラミックコン
デンサを作製する場合に、電極材料としては高価な白金
あるいはパラジウム等の貴金属の使用が不可欠であり、
特に大容量化にともない内部電極材料の使用量が増大す
るため原料費を押し上げる要因となっていた。
コンデンサの高誘電率材料としては、チタン酸バリウム
を主成分とする材料が用いられてきた。しかし、この材
料を焼成するには大気中でかつ焼成温度として１３００
℃程度の高温が必要であるため、積層型セラミックコン
デンサを作製する場合に、電極材料としては高価な白金
あるいはパラジウム等の貴金属の使用が不可欠であり、
特に大容量化にともない内部電極材料の使用量が増大す
るため原料費を押し上げる要因となっていた。
【０００３】これに対し、近年チタン酸バリウム系材料
に耐還元性をもたせ、電極材料として安価な卑金属を用
いて酸素分圧の低い雰囲気中で焼成する方法や、鉛系誘
電体材料と安価な銀を主体とする銀−パラジウム合金の
電極材料とを用いて、１０００℃前後の低温で焼成する
方法により積層セラミックコンデンサの低コスト化が図
られている。
に耐還元性をもたせ、電極材料として安価な卑金属を用
いて酸素分圧の低い雰囲気中で焼成する方法や、鉛系誘
電体材料と安価な銀を主体とする銀−パラジウム合金の
電極材料とを用いて、１０００℃前後の低温で焼成する
方法により積層セラミックコンデンサの低コスト化が図
られている。
【０００４】一方、小型化や高信頼性が望まれる電子機
器においては、実装密度の高いハイブリッドＩＣ化が進
められており、従来のチップコンデンサに変って厚膜コ
ンデンサに対する要望が高まっている。厚膜コンデンサ
を作製するには、低温、短時間焼成が可能な誘電体が必
要であり、このための材料としては主に鉛系誘電体が用
いられる。従って、積層チップコンデンサの大容量化あ
るいはコンデンサの厚膜化のいずれにも対応できる低温
焼成が可能な材料として、鉛系誘電体の開発が盛んに進
められている。
器においては、実装密度の高いハイブリッドＩＣ化が進
められており、従来のチップコンデンサに変って厚膜コ
ンデンサに対する要望が高まっている。厚膜コンデンサ
を作製するには、低温、短時間焼成が可能な誘電体が必
要であり、このための材料としては主に鉛系誘電体が用
いられる。従って、積層チップコンデンサの大容量化あ
るいはコンデンサの厚膜化のいずれにも対応できる低温
焼成が可能な材料として、鉛系誘電体の開発が盛んに進
められている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】また、ＰｂＴｉＯ3−
Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3系にＭｎＯ2
を添加した誘電損失の小さい誘電体磁器組成物は、特公
昭４６−４２５４４号公報等で知られているように、強
誘電率磁器組成物であるが、誘電率を高め十分緻密な焼
成体を得るためには１２５０℃以上の焼成温度にて数時
間保持する必要がある。そのため誘電体と電極とを同時
焼成にて形成する場合、電極材料としては低融点の安価
な卑金属が利用できない。一方、ハイブリッドＩＣ用の
厚膜コンデンサを作製する場合、低温短時間焼成が不可
欠となり、このような条件下では上記誘電体材料は未焼
成となるため所望の特性が得られないという課題があっ
た。
Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3系にＭｎＯ2
を添加した誘電損失の小さい誘電体磁器組成物は、特公
昭４６−４２５４４号公報等で知られているように、強
誘電率磁器組成物であるが、誘電率を高め十分緻密な焼
成体を得るためには１２５０℃以上の焼成温度にて数時
間保持する必要がある。そのため誘電体と電極とを同時
焼成にて形成する場合、電極材料としては低融点の安価
な卑金属が利用できない。一方、ハイブリッドＩＣ用の
厚膜コンデンサを作製する場合、低温短時間焼成が不可
欠となり、このような条件下では上記誘電体材料は未焼
成となるため所望の特性が得られないという課題があっ
た。
【０００６】本発明ではかかる問題に鑑み、ＰｂＴｉＯ
3−Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3系固容体
の持つ誘電率を損なわず、大気中、中性雰囲気中あるい
は還元雰囲気中にて８００〜１０００℃で、短時間焼成
が可能でかつ誘電損失の小さい誘電体磁器組成物および
それを用いたセラミックコンデンサと厚膜コンデンサと
を提供することを目的とするものである。
3−Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3系固容体
の持つ誘電率を損なわず、大気中、中性雰囲気中あるい
は還元雰囲気中にて８００〜１０００℃で、短時間焼成
が可能でかつ誘電損失の小さい誘電体磁器組成物および
それを用いたセラミックコンデンサと厚膜コンデンサと
を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の誘電体磁器組成物は、ＰｂＴｉx（Ｍｇ1 /3
Ｎｂ2/3）yＺｒzＯ3＋ｍＭｎＯ2で表される組成の一般
式（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）において、ｘ，ｙ，ｚはそ
れぞれ０．２５０≦ｘ≦０．５００、０．０６２５≦ｙ
≦０．５００、０．０５０≦ｚ≦０．６２５でかつｍは
０．１〜３．０ｗｔ％の範囲にあるものを主成分とし、
この主成分からＭｎＯ2を除くもの１００モル％に対し
て副成分としてＰｂＯを１．０〜２５．０モル％と、Ａ
ｌ2Ｏ3を１０．０〜２５０．０モル％またはＺｒ2Ｏ3と
１０．０〜１５０．０モル％添加するという構成を備え
たものである。
めに本発明の誘電体磁器組成物は、ＰｂＴｉx（Ｍｇ1 /3
Ｎｂ2/3）yＺｒzＯ3＋ｍＭｎＯ2で表される組成の一般
式（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）において、ｘ，ｙ，ｚはそ
れぞれ０．２５０≦ｘ≦０．５００、０．０６２５≦ｙ
≦０．５００、０．０５０≦ｚ≦０．６２５でかつｍは
０．１〜３．０ｗｔ％の範囲にあるものを主成分とし、
この主成分からＭｎＯ2を除くもの１００モル％に対し
て副成分としてＰｂＯを１．０〜２５．０モル％と、Ａ
ｌ2Ｏ3を１０．０〜２５０．０モル％またはＺｒ2Ｏ3と
１０．０〜１５０．０モル％添加するという構成を備え
たものである。
【０００８】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物においては、ペロブ
スカイト構造を有するＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3系にＭｎＯ2を添加した主成分
に、ＰｂＯとＡｌ2Ｏ3あるいはＺｒ2Ｏ3を添加すること
により、低温で液相を発生しまた低損失の助剤にて粒界
層を形成することで、誘電損失の上昇を防ぐことができ
る。また、１０００℃以下という低い焼成温度で短時間
に焼成が可能な誘電体磁器組成であることから、大気
中、中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中のいずれの雰囲
気においても、高誘電率で誘電損失の小さいセラミック
コンデンサと厚膜コンデンサが得られることとなる。
スカイト構造を有するＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3系にＭｎＯ2を添加した主成分
に、ＰｂＯとＡｌ2Ｏ3あるいはＺｒ2Ｏ3を添加すること
により、低温で液相を発生しまた低損失の助剤にて粒界
層を形成することで、誘電損失の上昇を防ぐことができ
る。また、１０００℃以下という低い焼成温度で短時間
に焼成が可能な誘電体磁器組成であることから、大気
中、中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中のいずれの雰囲
気においても、高誘電率で誘電損失の小さいセラミック
コンデンサと厚膜コンデンサが得られることとなる。
【０００９】
（実施例１）本発明の第１の実施例における誘電体磁器
組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサを説明
する。
組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサを説明
する。
【００１０】まず、出発原料としては化学的に高純度な
ＰｂＯ，ＭｇＯ，Ｎｂ2Ｏ5，ＴｉＯ 2，ＺｒＯ2，ＭｎＯ
2を用いた。これらを純度補正を行った上で所定量を秤
量し、純水を加えめのう製玉石を用いてボールミルで１
７時間混合した。これを吸引ろ過して水分の大半を分離
した後乾燥し、その後らいかい機で充分解砕した後、粉
砕量の５ｗｔ％の純水を加え、直径６０mm高さ約５０mm
の円柱状に成型圧力５００kg／cm2で成型した。これを
アルミナルツボ中に入れ同質の蓋をし、７５０〜１１５
０℃で２時間仮焼した。次に、上記仮焼物をアルミナ乳
鉢で粗砕し、さらにボールミルで１７時間粉砕し、吸引
ろ過した後乾燥した。以上の仮焼・粉砕・乾燥を数回く
りかえした。
ＰｂＯ，ＭｇＯ，Ｎｂ2Ｏ5，ＴｉＯ 2，ＺｒＯ2，ＭｎＯ
2を用いた。これらを純度補正を行った上で所定量を秤
量し、純水を加えめのう製玉石を用いてボールミルで１
７時間混合した。これを吸引ろ過して水分の大半を分離
した後乾燥し、その後らいかい機で充分解砕した後、粉
砕量の５ｗｔ％の純水を加え、直径６０mm高さ約５０mm
の円柱状に成型圧力５００kg／cm2で成型した。これを
アルミナルツボ中に入れ同質の蓋をし、７５０〜１１５
０℃で２時間仮焼した。次に、上記仮焼物をアルミナ乳
鉢で粗砕し、さらにボールミルで１７時間粉砕し、吸引
ろ過した後乾燥した。以上の仮焼・粉砕・乾燥を数回く
りかえした。
【００１１】この誘電体粉末に副成分としてＰｂＯと、
Ａｌ2Ｏ3あるいはＺｒ2Ｏ3を添加しらいかい機で混合し
た後、ポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の
６ｗｔ％加え、３２メッシュふるいを通して造粒し、成
型圧力５００kg／cm2で直径１３mm高さ約５mmの円板状
に成型した。次いで、この成型物を大気中６００℃で、
１時間保持して脱バインダした後、マグネシア磁器容器
に入れて同質の蓋をし、雰囲気ベルト炉を用いて大気
中、中性雰囲気中または還元雰囲気中で所定温度まで２
４００℃／時間で昇温し、最高温度で１０分間保持後、
２４００℃／時間で降温した。
Ａｌ2Ｏ3あるいはＺｒ2Ｏ3を添加しらいかい機で混合し
た後、ポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の
６ｗｔ％加え、３２メッシュふるいを通して造粒し、成
型圧力５００kg／cm2で直径１３mm高さ約５mmの円板状
に成型した。次いで、この成型物を大気中６００℃で、
１時間保持して脱バインダした後、マグネシア磁器容器
に入れて同質の蓋をし、雰囲気ベルト炉を用いて大気
中、中性雰囲気中または還元雰囲気中で所定温度まで２
４００℃／時間で昇温し、最高温度で１０分間保持後、
２４００℃／時間で降温した。
【００１２】以上のようにして得られた焼成物を厚さ１
mmの円板状に加工し、両面を電極としてＣｒ−Ａｇを蒸
着してセラミックコンデンサとし、誘電率、ｔａｎδを
１ＭHz、１Ｖ／mmの電界下２０℃で測定した。
mmの円板状に加工し、両面を電極としてＣｒ−Ａｇを蒸
着してセラミックコンデンサとし、誘電率、ｔａｎδを
１ＭHz、１Ｖ／mmの電界下２０℃で測定した。
【００１３】（表１），（表２）に本実施例および比較
例の材料組成と、大気中での焼成物の誘電特性、誘電損
失を示す。
例の材料組成と、大気中での焼成物の誘電特性、誘電損
失を示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】また、焼成雰囲気を中性雰囲気である窒素
中とした焼成物および焼成雰囲気を１０-8ａｔｍ以上の
酸素分圧を有する窒素−水素混合ガスの還元雰囲気中と
した場合の誘電体磁器組成物の誘電特性および誘電損失
を（表３）に示す。
中とした焼成物および焼成雰囲気を１０-8ａｔｍ以上の
酸素分圧を有する窒素−水素混合ガスの還元雰囲気中と
した場合の誘電体磁器組成物の誘電特性および誘電損失
を（表３）に示す。
【００１７】
【表３】
【００１８】（表１），（表２）から明らかなように、
ＰｂＴｉx（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）yＺｒ zＯ3においてｘ，
ｙ，ｚがモル比でそれぞれ０．２５０≦ｘ≦０．５０
０、０．０６２５≦ｙ≦０．５００、０．０５０≦ｚ≦
０．６２５の範囲にあるもの、すなわち図１のＰｂＴｉ
Ｏ3−Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3三成分
系組成図において、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆの各点を順
次結ぶ直線で囲まれた範囲にあるもの１００ｗｔ％に対
してＭｎＯ2を０．１〜３．０ｗｔ％加えたものを主成
分とし、このＭｎＯ2を除く主成分１００モル％に対し
て副成分として１．０〜２５．０モル％のＰｂＯを添加
し、さらに１０．０〜２５０．０モル％のＡｌ2Ｏ3また
は１０．０〜１５０．０モル％のＺｒ2Ｏ3を添加した組
成の場合は、８００〜１０００℃の短時間焼成にもかか
わらず、助剤にＰｂＯとＡｌ2Ｏ3あるいはＺｒ2Ｏ3を添
加することで、大気中において、高い誘電率で低誘電損
失の焼成体が得られるものである。また、（表３）に示
すように、中性雰囲気、還元雰囲気による焼成において
も上記の特徴を持った焼結体が得られた。
ＰｂＴｉx（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）yＺｒ zＯ3においてｘ，
ｙ，ｚがモル比でそれぞれ０．２５０≦ｘ≦０．５０
０、０．０６２５≦ｙ≦０．５００、０．０５０≦ｚ≦
０．６２５の範囲にあるもの、すなわち図１のＰｂＴｉ
Ｏ3−Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3三成分
系組成図において、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆの各点を順
次結ぶ直線で囲まれた範囲にあるもの１００ｗｔ％に対
してＭｎＯ2を０．１〜３．０ｗｔ％加えたものを主成
分とし、このＭｎＯ2を除く主成分１００モル％に対し
て副成分として１．０〜２５．０モル％のＰｂＯを添加
し、さらに１０．０〜２５０．０モル％のＡｌ2Ｏ3また
は１０．０〜１５０．０モル％のＺｒ2Ｏ3を添加した組
成の場合は、８００〜１０００℃の短時間焼成にもかか
わらず、助剤にＰｂＯとＡｌ2Ｏ3あるいはＺｒ2Ｏ3を添
加することで、大気中において、高い誘電率で低誘電損
失の焼成体が得られるものである。また、（表３）に示
すように、中性雰囲気、還元雰囲気による焼成において
も上記の特徴を持った焼結体が得られた。
【００１９】なお、図１におけるＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，
Ｆ各点の組成（ｕ，ｖ，ｗ）は、ＰｂＴｉＯ3をｕモル
％、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3をｖモル％、ＰｂＺｒ
Ｏ3をｗモル％としたとき、Ａ（２５．０，１２．５，
６２．５）、Ｂ（３１．２５，６．２５，６２．５）、
Ｃ（５０．０，６．２５，４３．２５）、Ｄ（５０．
０，４５．０，５．０）、Ｅ（４５．０，５０．０，
５．０）、Ｆ（２５．０，５０．０，２５．０）であ
る。
Ｆ各点の組成（ｕ，ｖ，ｗ）は、ＰｂＴｉＯ3をｕモル
％、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3をｖモル％、ＰｂＺｒ
Ｏ3をｗモル％としたとき、Ａ（２５．０，１２．５，
６２．５）、Ｂ（３１．２５，６．２５，６２．５）、
Ｃ（５０．０，６．２５，４３．２５）、Ｄ（５０．
０，４５．０，５．０）、Ｅ（４５．０，５０．０，
５．０）、Ｆ（２５．０，５０．０，２５．０）であ
る。
【００２０】上記の組成範囲外では、副成分である助剤
の添加量が少ない組成および８００℃より低い焼成温度
では、焼成が不十分となって緻密な焼成体が得られず、
助剤の添加量の多い組成および１０００℃より高い焼成
温度では、助剤の誘電体への反応により誘電率が低下
し、また、誘電損失が大きくなる難点を有している。ま
た、ｘ，ｙ，ｚが限定の範囲外の組成物では高い誘電率
および低い誘電損失が得られない難点を有している。以
上のように、限定範囲外の組成では具体的には、本焼成
条件で焼成体の誘電率が２００以下、誘電損失が１．０
％以上となり、セラミックコンデンサとしての所望の特
性が得られない。
の添加量が少ない組成および８００℃より低い焼成温度
では、焼成が不十分となって緻密な焼成体が得られず、
助剤の添加量の多い組成および１０００℃より高い焼成
温度では、助剤の誘電体への反応により誘電率が低下
し、また、誘電損失が大きくなる難点を有している。ま
た、ｘ，ｙ，ｚが限定の範囲外の組成物では高い誘電率
および低い誘電損失が得られない難点を有している。以
上のように、限定範囲外の組成では具体的には、本焼成
条件で焼成体の誘電率が２００以下、誘電損失が１．０
％以上となり、セラミックコンデンサとしての所望の特
性が得られない。
【００２１】なお本実施例では円型型のセラミックコン
デンサの例を示したが、円筒型のものや上記組成物のセ
ラミックグリーンシートと電極とを交互に多数枚積層し
て作製した積層型のものでも円板型と同様の効果が得ら
れるものである。
デンサの例を示したが、円筒型のものや上記組成物のセ
ラミックグリーンシートと電極とを交互に多数枚積層し
て作製した積層型のものでも円板型と同様の効果が得ら
れるものである。
【００２２】（実施例２）上記実施例１と同様に仮焼・
粉砕・乾燥した誘電体粉末に、副成分としてＰｂＯとＡ
ｌ2Ｏ3あるいはＺｒ2Ｏ3を添加し、ボールミルにて湿式
混合した後乾燥し、エチルセルロースを主成分とする樹
脂を溶媒で溶かしたビヒクルを加え、三段ロールにて混
練し誘電体ペーストを作製した。一方、純度９６％のア
ルミナ基板上に２×２mm角の形状を有する厚膜コンデン
サを形成するために、下部電極として電極ペーストを印
刷し乾燥させた。次に、誘電体層として上記誘電体ペー
ストを厚み０．０５０〜０．０６０mmになるように二度
印刷乾燥を行い、さらに上部電極として下部電極と同じ
電極ペーストを印刷し乾燥することにより、電極−誘電
体−電極の三層構造の印刷厚膜を形成し、ベルト炉を用
いて最高温度８００〜１０００℃、保持時間１０分間焼
成した。このようにして得られた厚膜コンデンサの誘電
率、ｔａｎδを１ＭHz、１Ｖ／mmの電界下で測定した。
（表４），（表５）に本実施例および比較例の材料組成
と、大気中９００℃で焼成した厚膜コンデンサの誘電特
性、誘電損失を示す。
粉砕・乾燥した誘電体粉末に、副成分としてＰｂＯとＡ
ｌ2Ｏ3あるいはＺｒ2Ｏ3を添加し、ボールミルにて湿式
混合した後乾燥し、エチルセルロースを主成分とする樹
脂を溶媒で溶かしたビヒクルを加え、三段ロールにて混
練し誘電体ペーストを作製した。一方、純度９６％のア
ルミナ基板上に２×２mm角の形状を有する厚膜コンデン
サを形成するために、下部電極として電極ペーストを印
刷し乾燥させた。次に、誘電体層として上記誘電体ペー
ストを厚み０．０５０〜０．０６０mmになるように二度
印刷乾燥を行い、さらに上部電極として下部電極と同じ
電極ペーストを印刷し乾燥することにより、電極−誘電
体−電極の三層構造の印刷厚膜を形成し、ベルト炉を用
いて最高温度８００〜１０００℃、保持時間１０分間焼
成した。このようにして得られた厚膜コンデンサの誘電
率、ｔａｎδを１ＭHz、１Ｖ／mmの電界下で測定した。
（表４），（表５）に本実施例および比較例の材料組成
と、大気中９００℃で焼成した厚膜コンデンサの誘電特
性、誘電損失を示す。
【００２３】
【表４】
【００２４】
【表５】
【００２５】（表４），（表５）に示すように、本実施
例の材料組成にかかる焼成物は、短時間低温焼成にもか
かわらず、高誘電率でかつ低い誘電損失の厚膜コンデン
サが得られるものである。
例の材料組成にかかる焼成物は、短時間低温焼成にもか
かわらず、高誘電率でかつ低い誘電損失の厚膜コンデン
サが得られるものである。
【００２６】また、（表６）に本実施例の材料組成と、
窒素中、および組成雰囲気を１０-8ａｔｍ以上の酸素分
圧を有する窒素−水素混合ガス中９００℃で焼成した厚
膜コンデンサの誘電特性、誘電損失を示す。
窒素中、および組成雰囲気を１０-8ａｔｍ以上の酸素分
圧を有する窒素−水素混合ガス中９００℃で焼成した厚
膜コンデンサの誘電特性、誘電損失を示す。
【００２７】
【表６】
【００２８】（表６）に示すように、本実施例の材料組
成にかかる組成物は、短時間低温焼成にもかかわらず、
緻密な焼成体からなる高誘電率でかつ低い誘電損失を有
する厚膜コンデンサが得られるものである。本実施例の
組成の範囲外では、（表４），（表５）の比較例に示す
ように、実施例１と同様に、本焼成条件で焼成体の誘電
率が２００以下、あるいは誘電損失が１．０％以上とな
り、厚膜コンデンサとしての所望の特性が得られない。
成にかかる組成物は、短時間低温焼成にもかかわらず、
緻密な焼成体からなる高誘電率でかつ低い誘電損失を有
する厚膜コンデンサが得られるものである。本実施例の
組成の範囲外では、（表４），（表５）の比較例に示す
ように、実施例１と同様に、本焼成条件で焼成体の誘電
率が２００以下、あるいは誘電損失が１．０％以上とな
り、厚膜コンデンサとしての所望の特性が得られない。
【００２９】本実施例では窒素中にて焼成が可能である
ことを示したが、アルゴン、ヘリウム等の中性雰囲気中
でも焼成が可能であることが容易に推察される。なお、
本実施例で用いられる電極としては、大気中、中性雰囲
気中あるいは還元雰囲気中にて８００〜１０００℃で焼
成可能な電極が適宜選択され、使用されるものである。
ことを示したが、アルゴン、ヘリウム等の中性雰囲気中
でも焼成が可能であることが容易に推察される。なお、
本実施例で用いられる電極としては、大気中、中性雰囲
気中あるいは還元雰囲気中にて８００〜１０００℃で焼
成可能な電極が適宜選択され、使用されるものである。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、誘電
特性に優れた誘電体磁器組成物が実現でき、これを用い
ることにより８００〜１０００℃の温度にて短時間で大
気中、中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中においても焼
成可能な高誘電率を有し、かつ誘電損失の小さいセラミ
ックコンデンサおよび厚膜コンデンサを実現できるとい
う優れた効果を発揮するものである。
特性に優れた誘電体磁器組成物が実現でき、これを用い
ることにより８００〜１０００℃の温度にて短時間で大
気中、中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中においても焼
成可能な高誘電率を有し、かつ誘電損失の小さいセラミ
ックコンデンサおよび厚膜コンデンサを実現できるとい
う優れた効果を発揮するものである。
【図１】本発明の実施例における誘電体磁器組成物の組
成範囲を示すＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3
−ＰｂＺｒＯ3三成分系組成図
成範囲を示すＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3
−ＰｂＺｒＯ3三成分系組成図
Claims (3)
- 【請求項１】ＰｂＴｉx（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）yＺｒzＯ3＋
ｍＭｎＯ2で表される組成の一般式において、ｘ，ｙ，
ｚはそれぞれモル比でｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｍはＭｎＯ2の
添加量でｗｔ％としたとき、０．２５０≦ｘ≦０．５０
０、０．０６２５≦ｙ≦０．５００、０．０５０≦ｚ≦
０．６２５、０．１≦ｍ≦３．０の範囲の組成を主成分
とし、この主成分のうちのＰｂＴｉx（Ｍｇ1/3Ｎ
ｂ2/3）yＺｒzＯ3１００モル％に対して副成分として
１．０〜２５．０モル％のＰｂＯと、１０．０〜２５
０．０モル％のＡｌ2Ｏ3または１０．０〜１５０．０モ
ル％のＺｒ 2Ｏ3とを添加した誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】請求項１記載の誘電体磁器組成物からなる
磁器板の表面に電極を設けたセラミックコンデンサ。 - 【請求項３】セラミック基板上に請求項１記載の誘電体
磁器組成物からなる誘電体層と電極層とを設けた厚膜コ
ンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4121606A JPH05314816A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサと厚膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4121606A JPH05314816A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサと厚膜コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05314816A true JPH05314816A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14815421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4121606A Pending JPH05314816A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサと厚膜コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05314816A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007182353A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電磁器、及び圧電部品 |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP4121606A patent/JPH05314816A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007182353A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電磁器、及び圧電部品 |
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