JPH05313350A - 半導体装置のフォトマスク - Google Patents

半導体装置のフォトマスク

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JPH05313350A
JPH05313350A JP7972592A JP7972592A JPH05313350A JP H05313350 A JPH05313350 A JP H05313350A JP 7972592 A JP7972592 A JP 7972592A JP 7972592 A JP7972592 A JP 7972592A JP H05313350 A JPH05313350 A JP H05313350A
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JP
Japan
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photomask
pattern
name
bar code
product name
Prior art date
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Pending
Application number
JP7972592A
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English (en)
Inventor
Wataru Nakamura
渉 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH05313350A publication Critical patent/JPH05313350A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
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    • HELECTRICITY
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    • H01L2223/54413Marks applied to semiconductor devices or parts comprising digital information, e.g. bar codes, data matrix

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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体チップ上に形成された各工程パターンの
認識作業の自動化を可能とすることによって、人間の誤
作業をなくし作業工数の削減を図る。 【構成】フォトマスク1は露光領域2と非露光領域3か
ら成り、非露光領域3にバーコード4を備えており、バ
ーコード4は使用する製品名、工程名、及びフォトマス
ク番号情報を登録している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置のフォトマス
クに関し、特に半導体装置の製造時に製品名、工程名、
及びフォトマスク番号の識別自動化を可能とするフォト
マスクに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法におけるフ
ォトリソグラフィー工程について図面を用いて説明す
る。図2(a)に従来のフォトリソグラフィー工程に適
用する識別パターンの例を示す。従来の半導体装置で
は、半導体チップ5上の外部素子領域7に各フォトリソ
グラフィー工程毎に製品名識別用数値パターン8及び工
程名識別用数値パターン9を半導体素子の形成と同時に
形成しており、識別用数値パターン8,9を人間が光学
顕微鏡で観察し、指定された製品名及び工程と同一であ
るかを調べることよりフォトリソグラフィー工程での誤
作業の有無を判断している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来のフォトリソ
グラフィー工程におけるフォトマスクの品名、工程名を
識別する方法の問題点を以下に示す。まず第1に、図2
(b)に示すように従来の方法では、半導体チップ5上
に製品名識別用数値パターン8及び工程名識別用数値パ
ターン9を前工程で形成された製品名、工程名識別用数
値パターンと同位置に、第1工程パターン10、第2工
程パターン11を重ね合わせて第1,第2工程重ね合わ
せパターン12を形成している。これは、図2(c)に
示すように、例えば第1〜4工程パターンを半導体チッ
プ内の異なる位置に配置を行うと、パターン一文字の面
積が20×30μm2 であり、一工程を3文字で構成
し、4工程のパターンをチップ上に形成するためには最
低7.2×103 μm2 の面積が必要となる。すなわ
ち、長辺80μm程度のパッド同様の面積が必要とな
り、チップ内の識別パターンの占有面積が大きくなり、
チップ面積が増大するためである。ところが、パターン
を重ね合わせて形成すると、製品名、工程名識別用数値
パターン8,9は後工程のエッチング工程あるいは成膜
工程を経ることにより積層形成され、パターンの輪郭が
不鮮明となる。従って、人間の顕微鏡によるパターン識
別が困難かつ、熟練を要するようになる。また、機械に
よるパターンの自動認識も輪郭の不鮮明さにより不可能
となる問題点がある。
【0004】第2に、図2(a)に示したように、ゲー
トアレイ製品、スタンダードセル製品の場合、同一のチ
ップ寸法を有し、外部素子領域7のパターンを共通と
し、内部素子領域6のパターンのみが異なる複数の製品
が同時に製造されることがある。回路パターン設計効率
の視点からは、チップ内の同一位置に製品名識別用数値
パターン8及び工程名識別用数値パターン9を配するこ
とが効率的である。従って、同一製品内でフォトリソグ
ラフィー工程のフォトマスクを間違える誤作業の可能性
があり、この場合は外部素子領域7及び工程名識別用数
値パターン9のみの観察では誤作業の有無の検出が行え
ず、よって、内部素子領域6の観察を行う必要が生じ
る。その結果、特定製品において特別な顕微鏡観察を必
要とするという製造工程ラインにおける作業の能率低下
の原因となるという問題があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置のフ
ォトマスクは、露光領域と非露光領域から成り、非露光
領域にバーコードを備えており、バーコードには使用す
る製品名、工程名、及びフォトマスク番号情報を登録し
ている。
【0006】
【実施例】次に本発明について図面を用いて説明する。
図1は本発明の一実施例を示すフォトマスク1であり、
フォトマスク1は半導体チップ上に所定パターンを形成
するための露光領域2と半導体チップ形成に関与しない
非露光領域3とで構成される。非露光領域3上に公知の
バーコード4を短辺1cm、長辺3cmに形成する。バ
ーコード4にはそのフォトマスク1を使用する製品名、
工程名及び、フォトマスク番号などの情報を登録してお
く。このフォトマスク上のバーコード4の製品名、工程
名およびフォトマスク番号と予め露光装置に入力されて
いる製品名、工程名およびフォトマスク番号との照合を
行い、その結果、フォトマスクと半導体チップとの製品
名,工程名,フォトマスク番号の対応が正しいかどうか
の確認を行う。
【0007】バーコードを読み取るには、フォトマスク
1を半導体装置の目合わせ、露光工程時にHe−Neレ
ーザー光を用いて行う。また、半導体装置の目合わせ、
露光工程に必要とされているフォトマスクの寸法、半導
体チップの寸法などの他に、フォトマスクの製品名、工
程名もデータファイル化しておく。そして、そのデータ
ファイルとバーコード情報とを目合わせ露光時に、照合
することによりフォトリソグラフィー工程における誤作
業識別の自動化が行える。
【0008】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、フォトリソ
グラフィー工程における製品名、及び工程名の識別のた
めの数値パターンを用いた外観確認を行うのではなく、
露光時にフォトマスク上に形成したバーコードから製品
名と工程名のコードを読み取る。そして、露光を行うと
きに露光機を操作するためのデータファイルに入力して
ある製品名と工程名とを照合することによって、誤作業
の有無の検出を行う。その事により、従来の顕微鏡によ
る人間の検出作業ではなく自動化ができる事になり、従
来、人間の誤作業が0.5〜2%発生していたが、この
自動化で完全にミスはなくなり、工数の削減につなが
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すフォトマスクの平面図
である。
【図2】従来のフォトマスクを用いたパターン形成を説
明する図で、同図(a)は半導体チップの平面図,同図
(b)はその重ね合わせパターン図,同図(c)は各工
程パターン図である。
【符号の説明】
1 フォトマスク 2 露光領域 3 非露光領域 4 バーコード 5 半導体チップ 6 内部素子領域 7 外部素子領域 8 製品名識別用数値パターン 9 工程名識別用数値パターン 10 第1工程パターン 11 第2工程パターン 12 第1,第2工程重ね合わせパターン 13 第3工程パターン 14 第4工程パターン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置のフォトマスクにおいて、フ
    ォトマスクは露光領域と非露光領域から成り、前記非露
    光領域にバーコードを形成し、前記バーコードには、前
    記フォトマスクを使用する製品名、工程名、及びフォト
    マスク番号情報を登録することを特徴とする半導体装置
    のフォトマスク。
JP7972592A 1992-04-01 1992-04-01 半導体装置のフォトマスク Pending JPH05313350A (ja)

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JP7972592A JPH05313350A (ja) 1992-04-01 1992-04-01 半導体装置のフォトマスク

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JP7972592A JPH05313350A (ja) 1992-04-01 1992-04-01 半導体装置のフォトマスク

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JPH05313350A true JPH05313350A (ja) 1993-11-26

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ID=13698182

Family Applications (1)

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JP7972592A Pending JPH05313350A (ja) 1992-04-01 1992-04-01 半導体装置のフォトマスク

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JP (1) JPH05313350A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997050111A1 (fr) * 1996-06-26 1997-12-31 Hitachi, Ltd. Puce de semiconducteur et reticule de production de semiconducteur
JP2006119695A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクの製造工程における工程進捗の光学的識別符号による処理手順の管理方法
JP2007523371A (ja) * 2004-02-17 2007-08-16 トッパン、フォウタマスクス、インク フォトマスク、およびフォトマスク基板と関連する情報を伝達する方法。

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997050111A1 (fr) * 1996-06-26 1997-12-31 Hitachi, Ltd. Puce de semiconducteur et reticule de production de semiconducteur
JP2007523371A (ja) * 2004-02-17 2007-08-16 トッパン、フォウタマスクス、インク フォトマスク、およびフォトマスク基板と関連する情報を伝達する方法。
JP2006119695A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクの製造工程における工程進捗の光学的識別符号による処理手順の管理方法
JP4617819B2 (ja) * 2004-10-19 2011-01-26 凸版印刷株式会社 フォトマスクの製造工程における進捗処理手順の管理方法

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19981104