JPH05313185A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH05313185A
JPH05313185A JP10314492A JP10314492A JPH05313185A JP H05313185 A JPH05313185 A JP H05313185A JP 10314492 A JP10314492 A JP 10314492A JP 10314492 A JP10314492 A JP 10314492A JP H05313185 A JPH05313185 A JP H05313185A
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敏彦 小関
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は、リバースチルトにより劣下さ
れていた液晶表示装置の表示イメージの品質を改善する
ことである。 【構成】ラビング方向の上流にある表示電極の表示領域
の縁の光遮断層は、表示電極の周縁に形成されて開口の
縁を限定する薄い光遮断層と、この薄い光遮断層に縁が
位置づけられた厚い光遮断層とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、光遮断層が薄膜トラン
ジスタの上に形成されている液晶表示装置（ＬＣＤ）に
関する。
【０００３】
【従来の技術】
【０００４】ブラックマトリクスと呼ばれる光遮断層が
ＬＣＤ装置に設けられてきた。光遮断層は、表示イメー
ジのコントラストを改善するために表示電極の表示領域
のみを露出するように設計される。ＬＣＤ装置は、例え
ばガラスのような互いに離された第１及び第２の透明絶
縁基板並びにこの間隔に保持された液晶材料を有する。
代表的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）型のＬＣＤ装置
においては、表示領域のみを露出するパターンの光遮断
層は第１基板に形成され、次いで酸化錫をドープした酸
化インジウム（ＩＴＯ）の共通電極が形成され、そして
例えばポリイミドのような配向層が形成される。共通電
極全体は一定の基準電位に保たれるので、例えばＣｒ等
の薄い金属層が光遮断層として使用されることができ
る。
【０００５】第２基板上には、水平方向の金属ゲート線
及び垂直方向の金属データ線が形成される。ゲート及び
データ線の各交点には、ＴＦＴ及びＩＴＯの表示電極を
含む表示セルが形成される。そして、保護層及び配向層
がこの構造の上に形成される。第１及び第２基板の外側
に偏光板が配置され、そしてＬＣＤ装置に光を当てるた
めの光源が設けられる。データ及びゲート線の夫々接続
されたデータ線ドライバ及びゲート線ドライバが選択的
に附勢され、この選択された表示電極及び共通電極の間
の液晶に電圧を印加してイメージを表示する。共通電極
基板と呼ばれる第１基板に光遮断層が形成され、そして
ＴＦＴ基板と呼ばれる第２基板に表示電極が形成される
ので、光遮断層の開口を表示電極に整列させるように両
基板は注意深く組立てられねばならない。この問題を解
決するために、光遮断層をＴＦＴ基板上に形成すること
が提案された。しかしながら次の問題点が生じる。即
ち、金属の光遮断層はＴＦＴ基板上に使用されることが
できない。何故ならば、金属層は、例えば保護層の如き
絶縁層と例えばデータ及びゲート線と共に望ましくない
容量効果を生じるからである。
【０００６】この問題点を解決するために、本発明の発
明者は、ＴＦＴ基板上の光遮断層として例えばフォトレ
ジストのような感光性の有機材料を用いることを試み
た。光を十分に遮断するに必要な光学濃度を実現するた
めには、厚いフォトレジスト層が必要である。第８図は
セルの平面図であり、そして第９図は第８図のＡ−Ａで
見た第２ガラス基板上の断面構造を示す。第１ガラス基
板は第９図に示されていない。ゲート線若しくはゲート
電極は第２ガラス基板に形成される。ゲート絶縁層が形
成され、ＴＦＴのチャネル領域として働く無定形Ｓｉ層
が形成され、そしてＩＴＯの表示電極が形成される。無
定形Ｓｉ層の上にＮ+ 無定形Ｓｉ層及びＡｌ層が形成さ
れ、ＴＦＴのチャネルの右側でドレイン電極を形成し、
左側でソース電極を形成する。ドレイン領域はデータ線
から延長され、そして、ソース電極は表示電極に接続さ
れる。この構造を覆うように保護層が形成される。次
に、厚い黒色のフォトレジスト層即ち光遮断層が表示電
極を露出するように形成される。そして配向膜が全体の
構造の上に形成される。この分野で周知の如く、電圧が
印加されない時に液晶分子を一方向に整列するために、
第８図に示すように配向層がラビングされる。液晶分子
Ｂで示すように、液晶分子は同じ方向にチルトすること
を要求される。しかしながら、ラビング方向の上流の光
遮断層の開口の縁に近い液晶分子Ａは、第９図に示すよ
うに逆の方向にチルト即ち傾く。これを逆の傾き（リバ
ースチルト）と呼ぶ。このリバースチルトは、厚いフォ
トレジスト層により生じる大きな段差Ｈに基づいて発生
する。第１０図は第９図の開口の簡略図であり、保護層
及び配向層は示されていない。リバースチルトは、ラビ
ング方向の上流のＬで示される領域で生じる。ノーマル
チルト領域とリバースチルト領域との境界は、一種のデ
ィスクリネーション・ライン（転傾線）を形成し、そし
てリバースチルト転傾線とも呼ばれる。光源からの光
は、リバースチルト転傾線に沿って液晶を通過する。第
８図の線は、電圧が液晶に印加されない時にラビング方
向の上流の上側の縁及び左側の縁に沿って現れる連続的
なリバースチルト転傾線を示す。リバースチルト転傾線
は、ＬＣＤ装置がノーマルホワイト・モードで動作して
いる時に問題を生じる。ノーマルホワイト・モードで
は、偏光板は交差されそして液晶分子はツイストされて
いる。電圧が液晶に印加されない時、光源からの光はＬ
ＣＤ装置を通過し、それにより白色が表示される。電圧
が印加されると、光は偏光板により遮断され、そして黒
色が表示される。しかしながら、電圧が印加された時に
もしもリバースチルトが生じると、光源からの光はリバ
ースチルト転傾線を通過し、その結果黒イメージ内に白
い線が生じ、これによりコントラストを低下ししかも残
像効果を増大する。このようにして表示品質がリバース
チルトにより著しく低下させる。
【０００７】特願昭６３−１６２５２１（特開平２−１
３９２７号公報）は、ＬＣＤ装置の矩形表示電極の角部
に発生するリバースチルトを、この表示電極の角部を拡
張して、リバースチルトを拡張領域で生じさせることに
より解決する。この特許出願６３−１６２５２１は、本
発明と異なった手法でリバースチルトを解決する手法を
示している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、厚い光遮断
層をＴＦＴ基板に用いることにより生じるリバースチル
トの問題を解決する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、共通電極が形
成されている第１透明絶縁基板と、一方向に形成された
ゲート線、一方向に交差する他方向に形成されたデータ
線、ゲート線及びデータ線の各交点に形成され、薄膜ト
ランジスタ及び表示電極を有する液晶表示セル並びに各
表示電極の表示領域を露出する開口を有する光遮断層を
有する第２透明絶縁基板と、第１及び第２基板の間に保
持された液晶材料とを含む液晶表示装置に関する。本発
明に従うと、ラビング方向の上流にある開口の縁の上記
光遮断層は、表示電極の周縁に形成され開口の縁を限定
する薄い光遮断層と、この薄い光遮断層上に縁が位置づ
けられた厚い光遮断層とより成る。薄い光遮断層は、逆
チルトされた液晶分子を通る光を遮断する。薄い光遮断
層の厚さは０．５μｍ以下である。薄い光遮断層は金属
層であり、厚い光遮断層は黒色のフォトレジスト層であ
る。金属層はゲート線に使用される金属層である。金属
層はデータ線に使用される金属層である。フォトレジス
ト層は青色顔料、黄色顔料及び紫色顔料を含む。フォト
レジストは赤色顔料、青色顔料、黄色顔料及び紫色顔料
を含む。
【００１０】
【実施例】液晶表示装置は、例えばガラス板のような第
１透明絶縁基板、例えばガラス板のような第２透明絶縁
基板並びに第１及び第２基板の間に保持された正の誘電
異方性の液晶材料を含む。第１基板は、共通電極及び配
向層を有する。第２基板は、水平方向に延びるゲート
線、垂直方向に延びるデータ線並びにゲート及びデータ
線の交点に夫々形成された液晶表示セルを有する。液晶
表示セルは、薄膜トランジスタ及び表示電極を含み、そ
して表示電極の開口で限定される露出領域は、画素（ペ
ル）と呼ばれる。第２基板の構造の表面は、配向層によ
り覆われる。第１基板の配向層は、第１方向にラビング
され、そして第２基板の配向層は、第１方向に直交する
第２方向にラビングされ、それにより液晶分子は９０゜
だけツイストされる。第１基板の構造は、これがこの分
野で周知であるので詳しく説明せず又図示しない。
【００１１】第１図は、第２基板上の表示電極の簡略化
した構造を示す。ゲート絶縁層２、表示電極（ＩＴＯ）
３、薄い光遮断層５及び厚い黒色フォトレジスト層４即
ち厚い光遮断層が、ガラス基板１上に形成される。本発
明によると、ラビング方向の上流に位置する表示電極３
の周縁に、薄い光遮断層５及び厚い黒色フォトレジスト
層４が形成される。薄い光遮断層５及び厚い黒色フォト
レジスト層４の上面までの高さＨ１に基づき、リバース
チルトが部分Ｌに生じる。距離Ｌは、５−１０μｍであ
る。薄い光遮断層５の目的は、部分Ｌにあるリバースチ
ルトされた液晶分子を光が通過しないようにすることで
ある。しかしながら、光遮断層５の厚さが大きいと、リ
バースチルトが部分Ｌ１で生じる。本発明の発明者は、
光遮断層５の厚さが０．５μｍ以下であるならば、部分
Ｌ１にリバースチルトが生じないこと、そして上述の２
つの条件即ち、光遮断能力及び０．５μｍ以下の厚さを
満足する材料が、ゲート線及びデータ線としてＬＣＤ装
置内に存在することを見い出した。ゲート線及びデータ
線の厚さの例は、夫々３０００Å及び４５００Åであ
る。ゲート線及びデータ線のための金属材料を薄い光遮
断層５として使用することは次のような附加的な効果を
生じる。即ち、薄い光遮断層５は、ゲート線若しくはデ
ータ線の形成と同時に形成され得ることである。言い代
えると、薄い光遮断層５は、ＬＣＤ装置の製造工程の数
を増大することなく形成され得る。
【００１２】上述の理由で、ラビング方向の上流にある
表示領域の縁の光遮断層は、表示電極３の周縁に形成さ
れ開口の縁６を限定する薄い光遮断層５及び縁７が薄い
光遮断層５の上に位置づけられる厚い黒色フォトレジス
ト層即ち黒色感光性有機材料層４より成る。縁即ちエッ
ジ６は縁７から距離Ｌだけ離されている。薄い光遮断層
５は、リバースチルトを解決するためにラビング方向の
上流にある開口の縁に形成される必要がある。しかしな
がら、全ての液晶表示セルが同じ開口率を有することが
望ましいので、第１図に示す如く、ラビング方向の下流
の縁にも薄い光遮断層５を形成することが望ましい。開
口率とは、液晶表示セルの全面積に対する、光の通過す
る面積の比を意味する。薄い光遮断層５は第１図におい
て、表示電極３の上に形成されているが、第４−７図に
関して後述する如く、層５は表示電極３の下側に形成さ
れることができる。
【００１３】第２図は本発明の第１実施例を示し、ここ
で薄い光遮断層５はデータ線に用いられる金属層により
形成される。第２図の平面図は、データ線及びゲート線
の交点の表示セルを示す。右上りのハッチングはゲート
線に用いられる金属層を表わし、そして左上りのハッチ
ングはデータ線に用いられる金属層を表わす。表示セル
はＴＦＴ及びＩＴＯ等の表示電極３を含む。表示電極３
の開口は、データ線10の光遮断層５により限定される。
矢印９はラビング方向を示す。第２図は又、各製造工程
における断面Ａ−Ａ及びＢ−Ｂの断面を示す。製造工程
を説明すると、工程１において、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ等の金属層11がスパッタリング・
プロセスによりガラス基板１の上に附着される。平面図
で示されているゲート線１１及び基準電圧線11Ａが、フ
ォトレジストを用いる通常の選択的エッチング・プロセ
スにより形成される。工程２において、例えばＳｉ
Ｏ2、ＳｉＮｘの如き透明絶縁層２がＣＶＤプロセスに
より全表面に附着される。工程３において、ＣＶＤプロ
セスにより真性無定形Ｓｉ層が附着され、そして選択的
にエッチングされてＴＦＴの能動即ちチャネル領域13が
形成される。工程４において、例えばＩＴＯの如き透明
導電層が附着され、そして表示電極３を形成するように
選択的にエッチングされる。工程５において、例えばＡ
ｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ等の金属層５が附着
され、そして薄い光遮断層５、データ線10並びにＴＦＴ
のソース（Ｓ）及びドレイン（Ｄ）電極を形成するよう
に選択的にエッチングされる。工程６において、低い透
過率の黒色フォトレジスト層４がスピン・コーティング
により附着され、第１図に示す構造を形成するように選
択的にエッチングされる。黒色フォトレジスト層４はネ
ガティブ・フォトレジストであり、光が当たった部分は
現像液により溶解されず、光が当らない部分は溶解され
る。
【００１４】第３図は、この分野で周知である第２図の
液晶セルの等価回路である。第２図の基準電圧線１１Ａ
に重なる表示電極の部分、絶縁層１２及び基準電圧線１
１Ａは第３図の貯蔵コンデンサＣＳを構成する。貯蔵コ
ンデンサＣＳは、周知のように、ＬＣＤ装置の１フレー
ム期間、電荷を貯蔵する。第４図は、本発明の第２実施
例を示し、ここで薄い光遮断層５は、ゲート線に用いら
れる金属材料で形成される。第４図の平面図は、データ
線10及びゲート線１１の交点の表示セルを示す。このセ
ルの等価回路は第３図に示されている。第４図は又各製
造工程における線Ａ−Ａ及びＢ−Ｂの断面を示す。矢印
９はラビング方向を示す。製造工程を説明すると、工程
１において、金属層がガラス基板１の全面に附着され、
そしてゲート線１１、基準電圧線１１Ａ及び薄い光遮断
層５Ａを形成するために選択的にエッチングされる。工
程２において、透明絶縁層２が附着される。工程３にお
いて、ＴＦＴの真性無定形Ｓｉの能動領域13が形成され
る。工程４において、ＩＴＯの如き透明な表示電極３が
形成される。工程５において、ＴＦＴのドレイン（Ｄ）
及びソース（Ｓ）並びに金属データ線10が形成される。
工程６において、低透過率の厚い黒色フォトレジスト層
４が表示電極３の表示領域を露出するように形成され
る。
【００１５】第５図は、本発明の第３実施例を示し、こ
こで開口の縁の薄い光遮断層５は、４つの部分即ち部分
５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、及び５Ｄにより形成されている。部
分５Ａ及び５Ｃはゲート線１１の金属により形成され、
そして部分５Ｂ及び５Ｄはデータ線１０の金属により形
成されている。第６図は本発明の第４実施例を示し、こ
こで、基準電圧線１１Ａは薄い光遮断層５の上側水平部
分として共通的に用いられ、そしてこの薄い光遮断層５
の左右垂直部分は、上側水平部分から延長されている。
基準電圧線１１Ａはゲート線１１と同時に形成される。
言い代えると、基準電圧線11Ａ、即ち薄い光遮断層５は
ゲート線１１の金属で作られる。第２及び３図を参照し
て説明したように、表示電極３と重なる基準電圧線１１
Ａは、貯蔵コンデンサＣＳの一方の電極として働く。第
２図、第４図、第５図及び第７図の実施例では、表示電
極３に重なる基準電圧線１１Ａの部分の巾は残りの部分
よりも広い。第６図の実施例では、光遮断層５の左右の
垂直部分が貯蔵コンデンサＣＳの一方の電極として使用
されるので、表示電極３の上部と重なる基準電圧線１１
Ａの巾が減少されることができる。上述の理由により、
開口即ち表示電極３の表示領域の長さＬ２は他の実施例
よりも長く、これにより大きな開口率が実現される。そ
して厚い黒色フォトレジスト層４の縁７Ａは、基準電圧
線１１Ａの上側で、厚い黒色フォトレジスト層の縁７Ｂ
から離されて即ち不連続であり、従って垂直な縁７Ａに
沿って生じるリバースチルトは、水平な縁７Ｂに沿って
生じるリバースチルトから隔てられ即ち不連続であり、
これにより第８図の部分Ａにより示される斜めのリバー
スチルトが完全に防止される。矢印９はラビング方向を
示す。
【００１６】第７図は本発明の第５の実施例を示し、こ
こで、薄い光遮断層５は、ラビング方向９の上流のみに
形成されている。即ち、薄い光遮断層５は、表示電極３
の開口の上側の縁及び左側の縁に設けられている。薄い
光遮断層５はゲート線１０の金属で作られている。しか
しながら、この薄い光遮断層５はデータ線１０の金属で
作られることができる。ネガティブ・フォトレジスト層
即ち透明の有機材料は、以下より成る。 バインダ・ポリマー ： ３００ｇ モノマー ： １６５ｇ 光重合開始剤 ： １０ｇ 熱重合禁止剤 ： ８０ｍｇ 溶媒 ： ２７５０ｇ 光遮断層として働く黒色ネガティブ・フォトレジストを
与えるために、次のような種類の顔料が透明なネガティ
ブ・フォトレジストに分散される。顔料は、例えばジア
ントラキノンのような赤色顔料、例えば銅フタロシアニ
ンのような青色顔料、例えばイソインドリンのような黄
色顔料及び例えばジオキサジンのような紫色顔料であ
る。これらの顔料は、黒色のネガティブ・フォトレジス
トを与えるために混合される。黒色を与えるための顔料
の組合わせは次のとおりである。 例１ 例２ 赤色顔料 ５重量％ − 青色顔料 ３５重量％ ２０重量％ 黄色顔料 ４０重量％ ２０重量％ 紫色顔料 ２０重量％ ６０重量％ １．５以下の光学濃度を示す黒色の光遮断層を生じるた
めに、これらの顔料はネガティブ・フォトレジスト中に
分散される。光学濃度は、層の厚さ及びこの層中に分散
される顔料の重量％によって決定される。前述の実施例
で使用された光遮断層４は、厚さが２μｍあり、そして
層４中に分散されている顔料の重量％は３６重量％であ
り、そしてその光学濃度は２．０である。光学濃度の値
１．５は、要求される表示イメージのコントラストを与
えるために必要な最小値であることが、本発明の発明者
により見い出された。もしも光学濃度が１．５よりも小
さいと、層４を通って光が薄膜トランジスタに通過し、
その結果、液晶表示セルの電圧一光透過特性が変動し
て、表示品質が低下する。１．５の光学濃度を生じるた
めの光遮光断層４の厚さ及びこの層中に分散されている
顔料の重量％は次の通りである。 厚さ（μｍ） 重量％ 光学濃度 ０．８ ６７．５ １．５ ０．９ ６０．０ １．５ １．０ ５４．０ １．５ １．１ ４９．０ １．５ １．５ ３６．０ １．５ ２．０ ２７．０ １．５ ２．５ ２１．６ １．５
【００１７】
【発明の効果】本発明は、リバースチルトにより劣下さ
れていた表示イメージの品質を改善する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の表示電極並びに薄い及び厚い光遮断層
の構造を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す図である。
【図３】液晶表示セルの回路を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す図である。
【図５】本発明の第３実施例を示す図である。
【図６】本発明の第４実施例を示す図である。
【図７】本発明の第５実施例を示す図である。
【図８】リバースチルトによりイメージが劣下された液
晶表示セルの平面図である。
【図９】図８の線Ａ−Ａに沿って得られる断面図であ
る。
【図１０】図９に示す構造の表示電極を示す図である。
【符号の説明】
１ ……… ガラス基板 ２ ……… ゲート絶縁層 ３ ……… 表示電極 ４ ……… 厚い光遮断層 ５ ……… 薄い光遮断層 ６ ……… 縁 ７ ……… 縁 ９ ……… ラビング方向 １０ ……… データ線 １１ ……… ゲート線 １１Ａ …… 基準電圧線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/12 Ａ 29/784 (72)発明者 小関 敏彦 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内 (72)発明者 高野 秀夫 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内 (72)発明者 山中 秀峰 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】共通電極が形成されている第１透明絶縁基
    板と、一方向に形成された線、上記一方向に交差する他
    方向に形成されたデータ線、上記ゲート線及びデータ線
    の各交点に形成され薄膜トランジスタ及び表示電極を有
    する液晶表示セル並びに各表示電極の表示領域を露出す
    る開口を有する光遮断層を有する第２透明絶縁基板と、
    上記第１及び第２基板の間に保持された液晶材料とを含
    む液晶表示装置において、 ラビング方向の上流にある上記開口の縁の上記光遮断層
    は、上記表示電極の周縁に形成された上記開口の縁を限
    定する薄い光遮断層と、該薄い光遮断層上に縁が位置づ
    けられた厚い光遮断層とより成ることを特徴とする上記
    液晶表示装置。
  2. 【請求項２】上記薄い光遮断層は、逆チルトされた液晶
    分子を通る光を遮断することを特徴とする請求項１の液
    晶表示装置。
  3. 【請求項３】上記薄い光遮断層の厚さは ０．５μｍ以
    下であることを特徴とする請求項２の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】上記薄い光遮断層は金属層であり、上記厚
    い光遮断層は黒色のフォトレジスト層である請求項１の
    液晶表示装置。
  5. 【請求項５】上記金属層は上記ゲート線に使用される金
    属層である請求項４の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】上記金属層は上記データ線に使用される金
    属層である請求項４の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】上記フォトレジスト層は青色顔料、黄色顔
    料及び紫色顔料を含む請求項４の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】上記フォトレジストは赤色顔料、青色顔
    料、黄色顔料及び紫色顔料を含む請求項４の液晶表示装
    置。 【０００１】
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6762809B1 (en) 1999-09-30 2004-07-13 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and method for manufacturing the same

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960006205B1 (ko) * 1992-12-30 1996-05-09 엘지전자주식회사 티에프티-엘씨디(tft-lcd)의 구조
JP2975844B2 (ja) * 1993-06-24 1999-11-10 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JPH07131030A (ja) * 1993-11-05 1995-05-19 Sony Corp 表示用薄膜半導体装置及びその製造方法
JP3164489B2 (ja) * 1994-06-15 2001-05-08 シャープ株式会社 液晶表示パネル
JP3109979B2 (ja) * 1994-06-20 2000-11-20 キヤノン株式会社 液晶表示装置
JP3296719B2 (ja) * 1995-07-14 2002-07-02 キヤノン株式会社 カラー液晶表示素子及び該カラー液晶表示素子の製造方法
KR0171102B1 (ko) * 1995-08-29 1999-03-20 구자홍 액정표시장치 구조 및 제조방법
JPH09105953A (ja) 1995-10-12 1997-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
US6900855B1 (en) 1995-10-12 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having resin black matrix over counter substrate
US6268895B1 (en) * 1995-10-27 2001-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having light shield in periphery of display
KR0158260B1 (ko) * 1995-11-25 1998-12-15 구자홍 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법
TW373114B (en) * 1996-08-05 1999-11-01 Sharp Kk Liquid crystal display device
KR100244730B1 (ko) * 1996-10-02 2000-02-15 구본준, 론 위라하디락사 액정표시소자 제조방법
US6088070A (en) 1997-01-17 2000-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix liquid crystal with capacitor between light blocking film and pixel connecting electrode
JP3784491B2 (ja) * 1997-03-28 2006-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の表示装置
KR100318535B1 (ko) * 1999-02-24 2001-12-22 윤종용 액정표시장치용박막트랜지스터기판및그제조방법
KR100582598B1 (ko) 2000-10-25 2006-05-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 빛샘 현상을 방지하는 액정표시장치
JP4728507B2 (ja) * 2001-06-08 2011-07-20 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
KR100746283B1 (ko) * 2002-01-25 2007-08-03 삼성전자주식회사 액정표시장치
KR100787815B1 (ko) * 2002-02-27 2007-12-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100919199B1 (ko) * 2002-12-31 2009-09-28 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
JP2006015271A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法
JP5117667B2 (ja) * 2005-02-28 2013-01-16 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネル
JP2006245031A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
KR101211345B1 (ko) * 2005-12-14 2012-12-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
WO2008047726A1 (en) * 2006-10-13 2008-04-24 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Thin film transistor substrate and display device
KR101579487B1 (ko) * 2008-10-28 2015-12-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US8351219B2 (en) * 2009-09-03 2013-01-08 Visera Technologies Company Limited Electronic assembly for an image sensing device
CN103513471B (zh) * 2012-06-26 2016-05-04 群康科技(深圳)有限公司 基板及具有其的显示装置
TWI485496B (zh) * 2012-06-26 2015-05-21 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 基板及具有其之顯示裝置
TWI528090B (zh) * 2015-02-11 2016-04-01 友達光電股份有限公司 畫素結構以及顯示面板
CN109273508B (zh) * 2018-10-11 2021-03-30 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60164723A (ja) * 1984-02-07 1985-08-27 Seiko Instr & Electronics Ltd 液晶表示装置
JPH01266512A (ja) * 1988-04-19 1989-10-24 Toshiba Corp 液晶表示素子

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59129832A (ja) * 1983-01-18 1984-07-26 Canon Inc 光学変調装置
JPS6045219A (ja) * 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp アクテイブマトリクス型表示装置
US5245452A (en) * 1988-06-24 1993-09-14 Matsushita Electronics Corporation Active matric drive liquid crystal display device using polycrystalline silicon pixel electrodes
JPH0792574B2 (ja) * 1988-12-21 1995-10-09 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 液晶表示装置およびその製造方法
US5282068A (en) * 1990-11-08 1994-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display with opaque insulating layer and metal layer at and wider than inter-electrode gap and method of manufacturing

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60164723A (ja) * 1984-02-07 1985-08-27 Seiko Instr & Electronics Ltd 液晶表示装置
JPH01266512A (ja) * 1988-04-19 1989-10-24 Toshiba Corp 液晶表示素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6762809B1 (en) 1999-09-30 2004-07-13 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and method for manufacturing the same

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Publication number Publication date
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