JPH05295516A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH05295516A JPH05295516A JP12418692A JP12418692A JPH05295516A JP H05295516 A JPH05295516 A JP H05295516A JP 12418692 A JP12418692 A JP 12418692A JP 12418692 A JP12418692 A JP 12418692A JP H05295516 A JPH05295516 A JP H05295516A
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- Japan
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- titanium
- thin film
- nitrogen
- vapor deposition
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 チタン蒸着と窒素イオンビーム照射との併
用により窒化チタン薄膜を形成する方法に於て、定比性
のＴｉＮ単相からなる窒化チタン薄膜を再現性良く安定
に形成する。 【構成】 被処理材５を試料ホルダー２に取付け、処
理チャンバー１を真空排気後、イオン源３および蒸着源
４を起動し、窒素イオンビーム照射とチタン蒸着を開始
する。このとき被処理材に到達するチタン原子の窒素イ
オンに対する比率（Ｔｉ原子数／Ｎイオン数）を１．５
以上であって、かつ２．０以下となるようにチタン蒸着
速度と窒素イオンビーム電流とを制御し、薄膜形成時の
処理チャンバー内の圧力を１×１０-5ｔｏｒｒ以上であ
って、かつ１×１０-4ｔｏｒｒ以下に制御することによ
って、定比性のＴｉＮ単相からなる窒化チタン薄膜を被
処理材５の表面に形成する。
用により窒化チタン薄膜を形成する方法に於て、定比性
のＴｉＮ単相からなる窒化チタン薄膜を再現性良く安定
に形成する。 【構成】 被処理材５を試料ホルダー２に取付け、処
理チャンバー１を真空排気後、イオン源３および蒸着源
４を起動し、窒素イオンビーム照射とチタン蒸着を開始
する。このとき被処理材に到達するチタン原子の窒素イ
オンに対する比率（Ｔｉ原子数／Ｎイオン数）を１．５
以上であって、かつ２．０以下となるようにチタン蒸着
速度と窒素イオンビーム電流とを制御し、薄膜形成時の
処理チャンバー内の圧力を１×１０-5ｔｏｒｒ以上であ
って、かつ１×１０-4ｔｏｒｒ以下に制御することによ
って、定比性のＴｉＮ単相からなる窒化チタン薄膜を被
処理材５の表面に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、構造材料や機械部品な
どの表面に、耐摩耗性や耐食性に優れた窒化チタン薄膜
を形成するための方法に関するものである。
どの表面に、耐摩耗性や耐食性に優れた窒化チタン薄膜
を形成するための方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】材料の耐摩耗性や耐食性を向上させるた
めに、その表面に窒素イオンビームとチタン蒸着との併
用により窒化チタン薄膜を成膜させる試みは、例えば特
開平１ー１６８８５７号公報に於て、Ｔｉ2Ｎ結晶を含
む窒化チタン膜の形成方法として提案されている。
めに、その表面に窒素イオンビームとチタン蒸着との併
用により窒化チタン薄膜を成膜させる試みは、例えば特
開平１ー１６８８５７号公報に於て、Ｔｉ2Ｎ結晶を含
む窒化チタン膜の形成方法として提案されている。
【０００３】しかしながら、Ｔｉ2Ｎ結晶は、定比性の
ＴｉＮ結晶と比較すると熱的安定性に劣るために、Ｔｉ
2Ｎ結晶を含む窒化チタン膜を強い力が作用する摺動部
分、特に高速摺動部分などの苛酷な使用条件下に置かれ
る部分に適用した場合、摩擦により発生する熱によって
Ｔｉ2Ｎ結晶が不安定になり、薄膜の耐久性が劣化する
という欠点があった。また、特開平１ー１６８８５６号
公報には、ＴｉＮ薄膜の形成条件について窒素イオン電
流密度、チタン蒸着速度、窒素イオン全投入量及びチタ
ン全蒸着量の範囲を規定したものが開示されているが、
その条件範囲が広く、実際には高品質のＴｉＮ薄膜を安
定に再現性良く得ることが困難であった。
ＴｉＮ結晶と比較すると熱的安定性に劣るために、Ｔｉ
2Ｎ結晶を含む窒化チタン膜を強い力が作用する摺動部
分、特に高速摺動部分などの苛酷な使用条件下に置かれ
る部分に適用した場合、摩擦により発生する熱によって
Ｔｉ2Ｎ結晶が不安定になり、薄膜の耐久性が劣化する
という欠点があった。また、特開平１ー１６８８５６号
公報には、ＴｉＮ薄膜の形成条件について窒素イオン電
流密度、チタン蒸着速度、窒素イオン全投入量及びチタ
ン全蒸着量の範囲を規定したものが開示されているが、
その条件範囲が広く、実際には高品質のＴｉＮ薄膜を安
定に再現性良く得ることが困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記したよう
な従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その主
な目的は、チタン蒸着と窒素イオンビーム照射とにより
窒化チタン薄膜を形成する方法に於て、苛酷な摺動環境
にも耐え得る定比性のＴｉＮ単相よりなる窒化チタン薄
膜を再現性良く安定に形成することが可能な薄膜形成方
法を提供することにある。
な従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その主
な目的は、チタン蒸着と窒素イオンビーム照射とにより
窒化チタン薄膜を形成する方法に於て、苛酷な摺動環境
にも耐え得る定比性のＴｉＮ単相よりなる窒化チタン薄
膜を再現性良く安定に形成することが可能な薄膜形成方
法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解決する
ために、発明者らは、チタン蒸着と窒素イオンビーム照
射とによる窒化チタン薄膜の形成条件について詳細な検
討を行った。その結果、被処理材に到達するチタン原子
と窒素イオンとの比率を正確に制御することで、定比性
のＴｉＮ単相よりなる窒化チタン薄膜を形成することが
できることがわかった。即ち、定比性の窒化チタンを形
成するために被処理材に到達するチタン原子と窒素イオ
ンとの比を例えば１対１に設定すると、チタンが窒素と
の反応性が非常に高いことから雰囲気から余分な窒素を
取り込んでしまう。従って、この取り込み窒素量を考慮
してチタン蒸着量を補正しないと定比性のＴｉＮ単相か
らなる窒化チタン薄膜が形成できない。また、逆にチタ
ンの蒸着量を大きくしすぎると、Ｔｉ2Ｎや金属チタン
が含まれる窒化チタン薄膜となってしまい、同様にＴｉ
Ｎ単相の窒化チタン薄膜が形成できない。
ために、発明者らは、チタン蒸着と窒素イオンビーム照
射とによる窒化チタン薄膜の形成条件について詳細な検
討を行った。その結果、被処理材に到達するチタン原子
と窒素イオンとの比率を正確に制御することで、定比性
のＴｉＮ単相よりなる窒化チタン薄膜を形成することが
できることがわかった。即ち、定比性の窒化チタンを形
成するために被処理材に到達するチタン原子と窒素イオ
ンとの比を例えば１対１に設定すると、チタンが窒素と
の反応性が非常に高いことから雰囲気から余分な窒素を
取り込んでしまう。従って、この取り込み窒素量を考慮
してチタン蒸着量を補正しないと定比性のＴｉＮ単相か
らなる窒化チタン薄膜が形成できない。また、逆にチタ
ンの蒸着量を大きくしすぎると、Ｔｉ2Ｎや金属チタン
が含まれる窒化チタン薄膜となってしまい、同様にＴｉ
Ｎ単相の窒化チタン薄膜が形成できない。
【０００６】そこで、本発明ではチタン蒸着と窒素イオ
ンビーム照射との併用により窒化チタン薄膜を形成する
方法に於て、被処理材に到達するチタン原子の窒素イオ
ンに対する比率（Ｔｉ原子数／Ｎイオン数）を１．５以
上であって、かつ２．０以下となるようにチタン蒸着速
度と窒素イオン電流とを設定することにより、定比性の
ＴｉＮ単相からなる窒化チタン薄膜を形成する。
ンビーム照射との併用により窒化チタン薄膜を形成する
方法に於て、被処理材に到達するチタン原子の窒素イオ
ンに対する比率（Ｔｉ原子数／Ｎイオン数）を１．５以
上であって、かつ２．０以下となるようにチタン蒸着速
度と窒素イオン電流とを設定することにより、定比性の
ＴｉＮ単相からなる窒化チタン薄膜を形成する。
【０００７】
【作用】本発明の詳細な構成を図面を用いて説明する。
図１は本発明に基づく装置構成の一例を示す。処理チャ
ンバー１には、試料ホルダー２、イオン源３、蒸着源４
が取付けられている。この試料ホルダー２に被処理材５
を取り付け、処理チャンバー１を真空排気し、所定の真
空度（代表的には１×１０-6ｔｏｒｒ以下）に達したと
ころで成膜を開始する。このとき、成膜直前に窒素イオ
ンビームやアルゴンイオンビームによるイオンボンバー
ドメントなど、被処理材５の成膜前処理を行った後に窒
化チタン膜を成膜すると皮膜の密着性が更に向上する。
このイオンボンバードメント用のイオン源としては、イ
オン源３を用いても良いし、専用のイオン源を処理チャ
ンバー１に別途設置しても良い。
図１は本発明に基づく装置構成の一例を示す。処理チャ
ンバー１には、試料ホルダー２、イオン源３、蒸着源４
が取付けられている。この試料ホルダー２に被処理材５
を取り付け、処理チャンバー１を真空排気し、所定の真
空度（代表的には１×１０-6ｔｏｒｒ以下）に達したと
ころで成膜を開始する。このとき、成膜直前に窒素イオ
ンビームやアルゴンイオンビームによるイオンボンバー
ドメントなど、被処理材５の成膜前処理を行った後に窒
化チタン膜を成膜すると皮膜の密着性が更に向上する。
このイオンボンバードメント用のイオン源としては、イ
オン源３を用いても良いし、専用のイオン源を処理チャ
ンバー１に別途設置しても良い。
【０００８】次に、イオン源３および蒸着源４を起動
し、窒素イオンビームとチタン蒸気とを発生させる。こ
のとき、被処理材５に到達するチタン原子の窒素イオン
に対する比率（Ｔｉ原子数／Ｎイオン数）が１．５以上
であって、かつ２．０以下となるようにチタン蒸着速度
と窒素イオンビーム電流とを設定する。この理由は、チ
タンの窒素との反応性が非常に高く、イオン源３からリ
ークした窒素ガスが処理チャンバー１内に存在する状態
でチタン蒸着を行うと、チタン蒸気および皮膜は雰囲気
ガスから窒素を必ず取り込むため、この雰囲気から取り
込む窒素量を考慮しければならないためである。チタン
原子と窒素イオンとの比率が１．５未満では、雰囲気ガ
スからの窒素の取り込みのために、またイオンビームと
して供給される窒素原子数に対して蒸着で供給されるチ
タン原子数が少ないために、窒素を過剰に含む窒化チタ
ン膜が形成される。この余分な窒素原子は、窒化チタン
結晶の格子間位置や結晶粒界に入り込み、皮膜の機械的
特性を劣化させるため、皮膜は耐摩耗性が不十分なもの
となってしまう。また、チタン原子と窒素イオンとの比
率が２．０を超えると、イオンビーム及び雰囲気から供
給される窒素量が少なく、薄膜中のチタンが過剰にな
り、定比性の窒化チタン（ＴｉＮ）の中に金属チタンや
Ｔｉ2Ｎが形成される。これら金属チタンやＴｉ2Ｎが混
在すると、薄膜の摩擦係数の上昇や摺動中の凝着を引き
起こすばかりでなく、苛酷な摺動環境での耐久性を劣化
させる。
し、窒素イオンビームとチタン蒸気とを発生させる。こ
のとき、被処理材５に到達するチタン原子の窒素イオン
に対する比率（Ｔｉ原子数／Ｎイオン数）が１．５以上
であって、かつ２．０以下となるようにチタン蒸着速度
と窒素イオンビーム電流とを設定する。この理由は、チ
タンの窒素との反応性が非常に高く、イオン源３からリ
ークした窒素ガスが処理チャンバー１内に存在する状態
でチタン蒸着を行うと、チタン蒸気および皮膜は雰囲気
ガスから窒素を必ず取り込むため、この雰囲気から取り
込む窒素量を考慮しければならないためである。チタン
原子と窒素イオンとの比率が１．５未満では、雰囲気ガ
スからの窒素の取り込みのために、またイオンビームと
して供給される窒素原子数に対して蒸着で供給されるチ
タン原子数が少ないために、窒素を過剰に含む窒化チタ
ン膜が形成される。この余分な窒素原子は、窒化チタン
結晶の格子間位置や結晶粒界に入り込み、皮膜の機械的
特性を劣化させるため、皮膜は耐摩耗性が不十分なもの
となってしまう。また、チタン原子と窒素イオンとの比
率が２．０を超えると、イオンビーム及び雰囲気から供
給される窒素量が少なく、薄膜中のチタンが過剰にな
り、定比性の窒化チタン（ＴｉＮ）の中に金属チタンや
Ｔｉ2Ｎが形成される。これら金属チタンやＴｉ2Ｎが混
在すると、薄膜の摩擦係数の上昇や摺動中の凝着を引き
起こすばかりでなく、苛酷な摺動環境での耐久性を劣化
させる。
【０００９】チタンの被処理材上での蒸着速度は、０．
５オングストローム／秒以上であって、かつ５０オング
ストローム／秒以下とすると良い。蒸着速度が０．５オ
ングストローム／秒未満では、成膜時間が長くなり実用
的でないこと及び処理チャンバー１内に残存する不純物
の膜中への取り込みが相対的に大きくなり、膜質が低下
する。一方、５０オングストローム／秒を超えるような
蒸着速度では安定な蒸着を行うことが困難であり、また
蒸着速度が５０オングストローム／秒を超えると適正な
チタン原子と窒素イオンとの比を得るのに必要な窒素イ
オンビーム電流が大きくなることからビーム加熱による
被処理材の温度上昇を抑える必要が生じ、被処理材の温
度制御装置など複雑な機構が必要となる。
５オングストローム／秒以上であって、かつ５０オング
ストローム／秒以下とすると良い。蒸着速度が０．５オ
ングストローム／秒未満では、成膜時間が長くなり実用
的でないこと及び処理チャンバー１内に残存する不純物
の膜中への取り込みが相対的に大きくなり、膜質が低下
する。一方、５０オングストローム／秒を超えるような
蒸着速度では安定な蒸着を行うことが困難であり、また
蒸着速度が５０オングストローム／秒を超えると適正な
チタン原子と窒素イオンとの比を得るのに必要な窒素イ
オンビーム電流が大きくなることからビーム加熱による
被処理材の温度上昇を抑える必要が生じ、被処理材の温
度制御装置など複雑な機構が必要となる。
【００１０】成膜中の処理チャンバー１内の圧力は、１
×１０-5ｔｏｒｒ以上であって、かつ１×１０-4ｔｏｒ
ｒ以下とする。処理チャンバー１内圧力が１×１０-5ｔ
ｏｒｒ未満では、吸着によって皮膜に取り込まれる窒素
量が減少するために、定比性の窒化チタン（ＴｉＮ）を
形成するのにイオンビーム電流を大きくする必要があ
り、これは被処理材の温度上昇を引き起こすために望ま
しくない。また大電流・大面積のイオンビームを発生す
るのに一般に用いられるバケット型イオン源やカウフマ
ン型イオン源の安定動作圧力が１×１０-5ｔｏｒｒ以上
であることも処理チャンバー１内圧力の下限の設定理由
である。処理チャンバー１内圧力が１×１０-4ｔｏｒｒ
を超えると、雰囲気の窒素分圧が高すぎて吸着によって
薄膜に取り込まれる窒素原子の数が多くなり、適正なチ
タン原子数と窒素イオン数との比を満足させるためにイ
オンビーム電流を小さくする必要があるため、イオンビ
ーム照射効果が小さくなり、窒化チタン薄膜の緻密さと
均質性および薄膜の密着性を十分に確保できない。
×１０-5ｔｏｒｒ以上であって、かつ１×１０-4ｔｏｒ
ｒ以下とする。処理チャンバー１内圧力が１×１０-5ｔ
ｏｒｒ未満では、吸着によって皮膜に取り込まれる窒素
量が減少するために、定比性の窒化チタン（ＴｉＮ）を
形成するのにイオンビーム電流を大きくする必要があ
り、これは被処理材の温度上昇を引き起こすために望ま
しくない。また大電流・大面積のイオンビームを発生す
るのに一般に用いられるバケット型イオン源やカウフマ
ン型イオン源の安定動作圧力が１×１０-5ｔｏｒｒ以上
であることも処理チャンバー１内圧力の下限の設定理由
である。処理チャンバー１内圧力が１×１０-4ｔｏｒｒ
を超えると、雰囲気の窒素分圧が高すぎて吸着によって
薄膜に取り込まれる窒素原子の数が多くなり、適正なチ
タン原子数と窒素イオン数との比を満足させるためにイ
オンビーム電流を小さくする必要があるため、イオンビ
ーム照射効果が小さくなり、窒化チタン薄膜の緻密さと
均質性および薄膜の密着性を十分に確保できない。
【００１１】成膜温度としては、１００℃以上であっ
て、かつ４００℃以下となるように制御すると良い。成
膜温度が１００℃未満では、基板上でのチタン原子の移
動が不十分でイオンビーム照射を行っても皮膜が十分に
緻密にならず、高い硬度が実現されない。また成膜温度
が４００℃を超えるとチタン蒸気の付着量が減少するた
め、上記チタン原子と窒素イオンとの比を達成するため
に、多量にチタンを蒸発させる必要があり、蒸着材料の
歩留りが悪くなる。
て、かつ４００℃以下となるように制御すると良い。成
膜温度が１００℃未満では、基板上でのチタン原子の移
動が不十分でイオンビーム照射を行っても皮膜が十分に
緻密にならず、高い硬度が実現されない。また成膜温度
が４００℃を超えるとチタン蒸気の付着量が減少するた
め、上記チタン原子と窒素イオンとの比を達成するため
に、多量にチタンを蒸発させる必要があり、蒸着材料の
歩留りが悪くなる。
【００１２】用いるイオンビームの加速エネルギーは、
１ｋｅＶ以上であって、かつ５０ｋｅＶ以下とすると良
い。イオンビームの加速エネルギーが１ｋｅＶ未満で
は、成膜初期の被処理材と膜との界面部の混合層が十分
形成されないために皮膜の密着性が不十分となり、イオ
ンビームの加速エネルギーが５０ｋｅＶを超えるとイオ
ン源が大型化し産業用プロセスとして実用的でなくな
る。
１ｋｅＶ以上であって、かつ５０ｋｅＶ以下とすると良
い。イオンビームの加速エネルギーが１ｋｅＶ未満で
は、成膜初期の被処理材と膜との界面部の混合層が十分
形成されないために皮膜の密着性が不十分となり、イオ
ンビームの加速エネルギーが５０ｋｅＶを超えるとイオ
ン源が大型化し産業用プロセスとして実用的でなくな
る。
【００１３】尚、チタンの蒸着には、真空蒸着法、スパ
ッタリング蒸着法、クラスターイオン蒸着法のいずれを
用いても良い。
ッタリング蒸着法、クラスターイオン蒸着法のいずれを
用いても良い。
【００１４】
【実施例】軸受け鋼（ＳＵＪ２）に窒化チタン膜を形成
し、Ｘ線回折による結晶解析、皮膜硬度および耐摩耗性
を評価した。皮膜硬度はマイクロビッカース硬度計によ
り測定荷重１０ｇｆで測定し、摩耗量および摩擦係数は
ピンオンディスク試験により、荷重：１ｋｇｆ、摺動速
度：１０ｍｍ／秒、摺動距離：１０ｋｍ、相手ピン材
質：ＳＵＳ４４０Ｃ、相手ピン径：５ｍｍの条件で評価
した。窒化チタンの成膜条件は、窒素イオンエネルギ
ー：２０ｋＶ、窒素イオンビーム電流：０．４４ｍＡ／
ｃｍ2、窒素イオンビームに含まれる種：Ｎ+５０％及び
Ｎ2 +５０％、イオンビーム照射角度：被処理材法線方向
に対して４５°、処理チャンバー圧力：１×１０-5ｔｏ
ｒｒ、成膜温度：２００℃とし、基板に到達するチタン
原子の窒素イオンに対する比率（Ｔｉ原子数／Ｎイオン
数）を１．０から３．０まで０．２５きざみで変化させ
て２ミクロン２膜厚に成膜した。
し、Ｘ線回折による結晶解析、皮膜硬度および耐摩耗性
を評価した。皮膜硬度はマイクロビッカース硬度計によ
り測定荷重１０ｇｆで測定し、摩耗量および摩擦係数は
ピンオンディスク試験により、荷重：１ｋｇｆ、摺動速
度：１０ｍｍ／秒、摺動距離：１０ｋｍ、相手ピン材
質：ＳＵＳ４４０Ｃ、相手ピン径：５ｍｍの条件で評価
した。窒化チタンの成膜条件は、窒素イオンエネルギ
ー：２０ｋＶ、窒素イオンビーム電流：０．４４ｍＡ／
ｃｍ2、窒素イオンビームに含まれる種：Ｎ+５０％及び
Ｎ2 +５０％、イオンビーム照射角度：被処理材法線方向
に対して４５°、処理チャンバー圧力：１×１０-5ｔｏ
ｒｒ、成膜温度：２００℃とし、基板に到達するチタン
原子の窒素イオンに対する比率（Ｔｉ原子数／Ｎイオン
数）を１．０から３．０まで０．２５きざみで変化させ
て２ミクロン２膜厚に成膜した。
【００１５】
【表１】
【００１６】Ｘ線回折により同定された結晶、皮膜硬
度、摩耗量、摩擦係数を表１に示す。本発明による薄膜
形成方法で形成した皮膜が、硬度および耐摩耗性に於て
優れていることは明らかである。
度、摩耗量、摩擦係数を表１に示す。本発明による薄膜
形成方法で形成した皮膜が、硬度および耐摩耗性に於て
優れていることは明らかである。
【００１７】
【発明の効果】このように本発明によれば、高硬度で密
着性に優れた定比性のＴｉＮ単相からなる窒化チタン膜
を再現性良く安定に形成することが可能である。
着性に優れた定比性のＴｉＮ単相からなる窒化チタン膜
を再現性良く安定に形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用された薄膜形成装置の構成例を示
す図。
す図。
１ 処理チャンバー ２ 試料ホルダー ３ イオン源 ４ 蒸着源 ５ 被処理材
Claims (1)
- 【請求項１】 チタン蒸着と窒素イオンビーム照射の
併用により窒化チタン薄膜を形成する方法に於て、 被処理材に到達するチタン原子の窒素イオンに対する比
率（Ｔｉ原子数／Ｎイオン数）を１．５以上であって、
かつ２．０以下となるようにチタン蒸着速度と窒素イオ
ンビーム電流とを制御し、更に薄膜形成時の圧力を１×
１０-5ｔｏｒｒ以上であって、かつ１×１０-4ｔｏｒｒ
以下に制御することにより、定比性のＴｉＮ単相からな
る窒化チタン薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04124186A JP3121435B2 (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04124186A JP3121435B2 (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05295516A true JPH05295516A (ja) | 1993-11-09 |
| JP3121435B2 JP3121435B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=14879117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04124186A Expired - Fee Related JP3121435B2 (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3121435B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7351594B2 (en) | 2003-07-10 | 2008-04-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming magnetic random access memory devices having titanium-rich lower electrodes with oxide layer and oriented tunneling barrier |
| WO2021075385A1 (ja) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | 学校法人東海大学 | 成膜方法及び成膜装置 |
-
1992
- 1992-04-17 JP JP04124186A patent/JP3121435B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7351594B2 (en) | 2003-07-10 | 2008-04-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming magnetic random access memory devices having titanium-rich lower electrodes with oxide layer and oriented tunneling barrier |
| US7352021B2 (en) * | 2003-07-10 | 2008-04-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic random access memory devices having titanium-rich lower electrodes with oxide layer and oriented tunneling barrier |
| WO2021075385A1 (ja) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | 学校法人東海大学 | 成膜方法及び成膜装置 |
| WO2021074953A1 (ja) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | 学校法人東海大学 | 成膜方法及び成膜装置 |
| JPWO2021075385A1 (ja) * | 2019-10-15 | 2021-11-04 | 学校法人東海大学 | 成膜方法及び成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3121435B2 (ja) | 2000-12-25 |
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