JPWO2021075385A1 - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents
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Abstract
Description
排気及び/又は前記蒸着材料の組成を変えないガスの供給により、前記成膜室の内部の、前記被蒸着物を含む第1領域の雰囲気圧力を、0.05〜100Paに設定するとともに、前記成膜室の内部の、前記蒸着材料を含む第2領域の雰囲気圧力を0.05Pa以下に設定する圧力設定装置と、
真空蒸着法により前記被蒸着物に前記蒸着材料を成膜する際に、前記被蒸着物にイオンを照射するイオン源と、
雰囲気圧力を0.05Pa以下に設定した前記第2領域において前記蒸着材料を蒸発させ、雰囲気圧力を0.05〜100Paに設定した前記第1領域において前記被蒸着物に前記蒸発した蒸着材料を成膜する制御装置と、を備える成膜装置によって上記課題を解決する。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明に係る成膜装置の第1実施形態である真空蒸着装置1を示す概略縦断面、図2は、図1のII-II線に沿う矢視図である。なお、真空蒸着装置1は、本発明に係る成膜方法を実施する装置でもある。
本実施形態の真空蒸着装置1及びこれを用いた成膜方法は、基板ホルダ5の基板保持面5aに基板Sを装着し、筐体2を密閉したのち、ゲートバルブ3aを開いて第1排気装置3を作動し、当該第1排気装置3の設定値をたとえば0.01Paに設定して成膜室2aの内部を全体的に減圧する。これと相前後してゲートバルブ4aを開いて第2排気装置4を作動し、当該第2排気装置4の設定値をたとえば0.01Paに設定して蒸着機構6を含む第2領域Bを局所的に減圧する。なお、この時点で駆動部5cを駆動して基板ホルダ5の所定の回転速度で回転し始めてもよい。
上記第1排気装置3,上記第2排気装置4,上記遮蔽部材7,上記ノズル8及び上記ガス供給源9が、本発明の圧力設定装置に相当し、
上記第1排気装置3及び上記第2排気装置4が、本発明の減圧装置に相当し、
上記遮蔽部材7,上記ノズル8及び上記ガス供給源9が、本発明の増圧装置に相当し、
上記ノズル8及び上記ガス供給源9が、本発明のガス供給装置に相当し、
上記第1排気装置3,上記遮蔽部材7,上記ノズル8及び上記ガス供給源9が、本発明の第1減圧装置に相当し、
上記第2排気装置4が、本発明の第2減圧装置に相当する。
図4は、本発明に係る真空蒸着装置1の第2実施形態を示す概略縦断面である。本実施形態の真空蒸着装置1は、図1〜2に示す第1実施形態の真空蒸着装置1に比べ、遮蔽部材7を設けていない点が相違する。本発明の成膜方法及び成膜装置は、第1領域Aの雰囲気圧力を、0.05〜100Paに設定できればよいので、遮蔽部材7は、たとえば第1排気装置3、第2排気装置、ノズル8及びガス供給源9の構成や能力に応じて、省略することができる。また、イオン源として第1イオン源11Aのみを図示するが、第1実施形態と同様、第1イオン源11Aに代えて、成膜室2aの内部の第1領域A、又は成膜室2aの内部の蒸着機構6と基板ホルダ5との間、より詳しくは、蒸着機構6の上方で基板ホルダ5の下方の位置に、第2イオン源を設けてもよい。その他の構成については、第1実施形態の構成と同一であるため、第1実施形態の記載をここに援用する。なお、ノズル8及びガス供給源9からは、アルゴンガスその他の不活性ガス又は蒸着材料の組成を変えない活性ガスが供給され、成膜室2aの内部は、不活性ガス雰囲気又は蒸着材料の組成を変えない活性ガス雰囲気とされている点も同じである。
図5は、本発明に係る真空蒸着装置1の第3実施形態を示す概略縦断面である。本実施形態の真空蒸着装置1は、図1〜2に示す第1実施形態の真空蒸着装置1に比べ、ノズル8及びガス供給源9を設けていない点が相違する。
図6は、本発明に係る真空蒸着装置1の第4実施形態を示す概略縦断面である。本実施形態の真空蒸着装置1は、図1〜2に示す第1実施形態の真空蒸着装置1に比べ、第2排気装置4を設けていない点が相違する。なお、ノズル8及びガス供給源9からは、アルゴンガスその他の不活性ガス又は蒸着材料の組成を変えない活性ガスが供給され、成膜室2aの内部は、不活性ガス雰囲気又は蒸着材料の組成を変えない活性ガス雰囲気とされている点も同じである。
図7は、本発明に係る真空蒸着装置1の第5実施形態を示す概略縦断面である。本実施形態の真空蒸着装置1は、図1〜2に示す第1実施形態の真空蒸着装置1に比べ、遮蔽部材7を設けていない点と、第2排気装置4を設けていない点が相違する。本発明の成膜方法及び成膜装置は、第1領域Aの雰囲気圧力を、0.05〜100Paに設定できればよいので、遮蔽部材7は、たとえば第1排気装置3、ノズル8及びガス供給源9の構成や能力に応じて、省略することができる。また、本発明の成膜方法及び成膜装置は、第2領域Bの雰囲気圧力を、0.05Pa以下に設定できればよいので、第2排気装置4は、たとえば第1排気装置3、ノズル8及びガス供給源9の構成や能力に応じて、省略することができる。また、イオン源として第1イオン源11Aのみを図示するが、第1実施形態と同様、第1イオン源11Aに代えて、成膜室2aの内部の第1領域A、又は成膜室2aの内部の蒸着機構6と基板ホルダ5との間、より詳しくは、蒸着機構6の上方で基板ホルダ5の下方の位置に、第2イオン源を設けてもよい。その他の構成については、第1実施形態の構成と同一であるため、第1実施形態の記載をここに援用する。なお、ノズル8及びガス供給源9からは、アルゴンガスその他の不活性ガス又は蒸着材料の組成を変えない活性ガスが供給され、成膜室2aの内部は、不活性ガス雰囲気又は蒸着材料の組成を変えない活性ガス雰囲気とされている点も同じである。
図8は、本発明に係る真空蒸着装置1の第6実施形態を示す概略縦断面である。本実施形態の真空蒸着装置1は、図1〜2に示す第1実施形態の真空蒸着装置1に比べ、第2排気装置4を設けていない点と、ノズル8及びガス供給源9を設けていない点が相違する。
図9は、本発明に係る真空蒸着装置1の第7実施形態を示す概略縦断面である。本実施形態の真空蒸着装置1は、図1〜2に示す第1実施形態の真空蒸着装置1に比べ、遮蔽部材7の構成と、第1排気装置3及びゲートバルブ3aの設置位置と、第2排気装置4を設けていない点と、イオン源として第2イオン源11Bを設けている点が相違する。
図10は、本発明に係る真空蒸着装置1の第8実施形態を示す概略縦断面である。本実施形態の真空蒸着装置1は、図1〜2に示す第1実施形態の真空蒸着装置1に比べ、第1排気装置3及びゲートバルブ3aの設置位置と、遮蔽部材7を設けていない点と、第2排気装置4を設けていない点が相違する。第1排気装置3及びゲートバルブ3aの設置位置は、図9の第7実施形態と同一であるため、その記載をここに援用する。
図11は、本発明に係る真空蒸着装置1の第9実施形態を示す概略縦断面である。本実施形態の真空蒸着装置1は、図1〜2に示す第1実施形態の真空蒸着装置1に比べ、遮蔽部材7の構成と、ノズル8及びガス供給源9を設けていない点と、第1排気装置3及びゲートバルブ3aの設置位置と、第2排気装置4を設けていない点と、イオン源として第2イオン源11Bを設けている点が相違する。遮蔽部材7の構成と第1排気装置3及びゲートバルブ3aの設置位置と第2イオン源11Bの構成は、図9の第7実施形態と同一であるため、その記載をここに援用する。
上述した各実施形態の成膜方法により得られる膜は、特に限定されないが、屈折率が1.38以下、鉛筆硬度が2B以上である膜であり、光学薄膜として利用することができる。また、上述した各実施形態の成膜方法により得られる光学薄膜などの膜は、特に限定はされないが、単一の光学薄膜などの膜で構成してもよく、または光学薄膜などの多層膜に適用してもよい。本実施形態の成膜方法により得られた光学薄膜などの膜を多層膜に適用する場合、最下層、中間層又は最表面の何れに本実施形態の膜を適用してもよい。さらに、本実施形態の成膜方法により得られた光学薄膜などの膜の表面に有機膜を形成してもよい。
図4の真空蒸着装置1を用いて、ガラス製の基板S(SCHOTT社製N−BK7,板厚1.0mm,φ30mm,屈折率n:1.5168)の片面に、目標膜厚を500nmにしてSiO2膜を成膜した。このときの成膜条件として、図1に示す蒸着機構6の坩堝6aと基板Sとの垂直方向の距離を35〜70cm、第1領域Aの目標真空度を1Pa、第2領域Bの目標真空度を0.001Paとした。また、蒸着材料としてSiO2を用い、電子銃6bの電流量を170mAとした。また基板Sは200℃に加熱した。また、イオン源としてカウフマン型の第1イオン源11Aを用い、出力設定は、加速電圧を0.5kV、加速電流を0.2Aとした。
実施例1で用いた真空蒸着装置1において、ノズル8からの不活性ガスの供給を停止し、成膜室2aの内部全体の真空度を0.001Paとして真空蒸着による成膜を行ったこと以外は実施例1と同じ条件で成膜した。得られたSiO2膜の鉛筆硬度と、波長550nmでの屈折率を表1に示す。
比較例1の結果のとおり、従来公知のイオンアシスト真空蒸着法でガラス製の基板の表面にSiO2膜を形成すると、成膜材料SiO2自体の屈折率1.46にほぼ等しい膜が形成される。これに対して、実施例1の結果のとおり、第1領域Aの雰囲気圧力を0.05〜100Pa、第2領域Bの圧力を0.05Pa以下としてイオンアシスト真空蒸着法を行うと、成膜材料SiO2の屈折率1.46より低い、1.31〜1.41の屈折率の膜が形成される。また、一般的に低屈折率膜は機械的強度が低いが、実施例1では、鉛筆硬度試験結果がFの膜が形成された。
2…筐体
2a…成膜室
3…第1排気装置
3a…ゲートバルブ
4…第2排気装置
5…基板ホルダ
5a…基板保持面
5b…回転軸
5c…駆動部
6…蒸着機構
6a…坩堝
6b…電子銃
6c…シャッタ
6d…マイスナトラップ
7…遮蔽部材
8…ノズル
9…ガス供給源
10…制御装置
11A…第1イオン源
11B…第2イオン源
A…第1領域
B…第2領域
S…基板
Claims (14)
- 成膜室の内部に少なくとも蒸着材料と被蒸着物を設置し、
排気及び/又は前記蒸着材料の組成を変えないガスの供給により、前記成膜室の内部の前記被蒸着物を含む第1領域の雰囲気圧力を、0.05〜100Paに設定し、
前記成膜室の内部の前記蒸着材料を含む第2領域の雰囲気圧力を、0.05Pa以下に設定し、
この状態で、真空蒸着法により、前記第2領域において前記蒸着材料を蒸発させ、前記第1領域において前記被蒸着物に前記蒸発した蒸着材料を成膜するとともに、前記第1領域において前記被蒸着物にイオンを照射する成膜方法。 - 前記イオンは、前記第2領域に設置された、動作圧力が0.05Pa以下の第1イオン源から照射される請求項1に記載の成膜方法。
- 前記イオンは、前記第1領域に設置された、動作圧力が0.05〜100Paの第2イオン源から照射される請求項1に記載の成膜方法。
- 屈折率が1.38以下、鉛筆硬度が2B以上である膜を形成する請求項1〜3のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記蒸着材料がSiO2である請求項1〜4のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 少なくとも蒸着材料と被蒸着物とが設けられる成膜室と、
排気及び/又は前記蒸着材料の組成を変えないガスの供給により、前記成膜室の内部の、前記被蒸着物を含む第1領域の雰囲気圧力を、0.05〜100Paに設定するとともに、前記成膜室の内部の、前記蒸着材料を含む第2領域の雰囲気圧力を0.05Pa以下に設定する圧力設定装置と、
真空蒸着法により前記被蒸着物に前記蒸着材料を成膜する際に、前記被蒸着物にイオンを照射するイオン源と、
雰囲気圧力を0.05Pa以下に設定した前記第2領域において前記蒸着材料を蒸発させ、雰囲気圧力を0.05〜100Paに設定した前記第1領域において前記被蒸着物に前記蒸発した蒸着材料を成膜する制御装置と、を備える成膜装置。 - 前記イオン源は、前記第2領域に設置された、動作圧力が0.05Pa以下の第1イオン源である請求項6に記載の成膜装置。
- 前記イオン源は、前記第1領域に配置された、動作圧力が0.05〜100Paの第2イオン源である請求項7に記載の成膜装置。
- 前記圧力設定装置は、
前記成膜室の内部の全体を、蒸着可能な雰囲気圧力に減圧する減圧装置と、
前記成膜室の内部の前記被蒸着物を含む第1領域の雰囲気圧力を、前記成膜室の内部の雰囲気圧力に対して局所的に増圧する増圧装置と、を含む請求項6〜8のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記増圧装置は、
前記成膜室の内部の前記第1領域に不活性ガスを供給するガス供給装置を含む請求項9に記載の成膜装置。 - 前記増圧装置は、
前記減圧装置による前記第1領域の減圧作用の一部を遮る遮蔽部材を含む請求項9又は10に記載の成膜装置。 - 前記圧力設定装置は、
前記成膜室の内部の、前記第1領域を含む全体を、蒸着可能な雰囲気圧力より高い圧力に減圧する第1減圧装置と、
前記成膜室の内部の、前記蒸着材料を含む第2領域を、蒸着可能な圧力に局所的に減圧する第2減圧装置と、を含む請求項6〜11のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記第1減圧装置は、
前記成膜室の内部の前記第1領域に不活性ガスを供給するガス供給装置を含む請求項12に記載の成膜装置。 - 前記第1減圧装置は、
前記第1減圧装置及び/又は前記第2減圧装置による前記第1領域の減圧作用の一部を遮る遮蔽部材を含む請求項12又は13に記載の成膜装置。
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