JPH0529499A - セラミツクス多層基板 - Google Patents
セラミツクス多層基板Info
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- JPH0529499A JPH0529499A JP3178149A JP17814991A JPH0529499A JP H0529499 A JPH0529499 A JP H0529499A JP 3178149 A JP3178149 A JP 3178149A JP 17814991 A JP17814991 A JP 17814991A JP H0529499 A JPH0529499 A JP H0529499A
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- ceramic multilayer
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
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- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、熱抵抗が少なく放熱特性に優
れており、放熱フィンを装着した多層基板より小型に形
成することができ、さらに、割れや剥離等が少なく、信
頼性が高いセラミックス多層基板を提供することにあ
る。 【構成】本発明に係るセラミックス多層基板Ｓ1 は、セ
ラミックス多層基板本体表面にセラミックス材料で形成
した突起Ｐ1 を一体に配置して基板本体表面部を凹凸に
形成したことを特徴とする。また多層基板本体および突
起Ｐ1 を同一種類のセラミックス材料で形成するとよ
い。
れており、放熱フィンを装着した多層基板より小型に形
成することができ、さらに、割れや剥離等が少なく、信
頼性が高いセラミックス多層基板を提供することにあ
る。 【構成】本発明に係るセラミックス多層基板Ｓ1 は、セ
ラミックス多層基板本体表面にセラミックス材料で形成
した突起Ｐ1 を一体に配置して基板本体表面部を凹凸に
形成したことを特徴とする。また多層基板本体および突
起Ｐ1 を同一種類のセラミックス材料で形成するとよ
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックス多層基板に
係り、特に放熱特性が優れるため、高動作速度で、かつ
集積度が高い半導体集積回路用として好適なセラミック
ス多層基板に関する。
係り、特に放熱特性が優れるため、高動作速度で、かつ
集積度が高い半導体集積回路用として好適なセラミック
ス多層基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体用セラミックス多層基板
は、下記のような工程を経て製造される。すなわち、ア
ルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等のセラミックス成形体であるグ
リーンシート上に所望の回路パターンや電極パッド、ボ
ンディングパッド等を印刷し、必要に応じて異なる回路
パターンを印刷した複数のセラミックスグリーンシート
を積層して一体化し、次に一体化したワークを焼成して
焼結体とした後に、さらに焼結体外表面にめっき処理を
施して製造される。
は、下記のような工程を経て製造される。すなわち、ア
ルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等のセラミックス成形体であるグ
リーンシート上に所望の回路パターンや電極パッド、ボ
ンディングパッド等を印刷し、必要に応じて異なる回路
パターンを印刷した複数のセラミックスグリーンシート
を積層して一体化し、次に一体化したワークを焼成して
焼結体とした後に、さらに焼結体外表面にめっき処理を
施して製造される。
【０００３】図５は従来のセラミックス多層基板１の典
型例を示している。図においてセラミックス多層基板の
上面側は平坦に形成される一方、下面側には多数の電極
パッド（Ｉ／Ｏパッド）２が形成され、この各電極パッ
ド２に接続ピン３が接合されている。またセラミックス
多層基板１の下面中央部には、半導体ＩＣチップ４等を
収容するための凹陥部５が形成され、この凹陥部５はリ
ッド６によって密閉されており、半導体ＩＣチップ４を
湿気等から防護している。半導体ＩＣチップ４の各端子
（リード）は、多層基板１に形成されたボンディングパ
ッド（図示せず）とワイヤでボンディングされ、多層基
板１内の各配線パターンは、各接続ピン３から外部に引
き出される。
型例を示している。図においてセラミックス多層基板の
上面側は平坦に形成される一方、下面側には多数の電極
パッド（Ｉ／Ｏパッド）２が形成され、この各電極パッ
ド２に接続ピン３が接合されている。またセラミックス
多層基板１の下面中央部には、半導体ＩＣチップ４等を
収容するための凹陥部５が形成され、この凹陥部５はリ
ッド６によって密閉されており、半導体ＩＣチップ４を
湿気等から防護している。半導体ＩＣチップ４の各端子
（リード）は、多層基板１に形成されたボンディングパ
ッド（図示せず）とワイヤでボンディングされ、多層基
板１内の各配線パターンは、各接続ピン３から外部に引
き出される。
【０００４】近年、電子機器の高速化および高密度実装
化がより希求され、例えば動作速度が５０〜１００ｎｓ
程度の高速用（ＥＣＬ）セラミックス多層基板が主流と
なりつつある。この高速用セラミックス多層基板におい
ては、必然的に発熱量が大きくなり、その放熱特性をよ
り改善する方策が研究されている。
化がより希求され、例えば動作速度が５０〜１００ｎｓ
程度の高速用（ＥＣＬ）セラミックス多層基板が主流と
なりつつある。この高速用セラミックス多層基板におい
ては、必然的に発熱量が大きくなり、その放熱特性をよ
り改善する方策が研究されている。
【０００５】例えば、セラミックス多層基板１を構成す
るセラミックス材料として、従来のアルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）より熱伝導率が数倍大きい窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）や炭化けい素（ＳｉＣ）を使用して、伝熱特性を改
善したり、また図６に示すように多層基板１ａの上面側
に、アルミニウム等の金属材で形成した放熱フィン７を
装着して、放熱面積の増大化を図ったり、多層基板表面
に強制的に冷却用空気を送給する小型送風機（ファン）
を装備して放熱特性の改善を図っている。
るセラミックス材料として、従来のアルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）より熱伝導率が数倍大きい窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）や炭化けい素（ＳｉＣ）を使用して、伝熱特性を改
善したり、また図６に示すように多層基板１ａの上面側
に、アルミニウム等の金属材で形成した放熱フィン７を
装着して、放熱面積の増大化を図ったり、多層基板表面
に強制的に冷却用空気を送給する小型送風機（ファン）
を装備して放熱特性の改善を図っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ックス多層基板を構成するセラミックス材料を熱伝導率
が高いものへ転換しても多層基板の表面が、図５に示す
ように、平坦で放熱面積が小さい場合には、放熱量の大
きな増加は望めない問題点があった。
ックス多層基板を構成するセラミックス材料を熱伝導率
が高いものへ転換しても多層基板の表面が、図５に示す
ように、平坦で放熱面積が小さい場合には、放熱量の大
きな増加は望めない問題点があった。
【０００７】また図６に示すように、金属製の放熱フィ
ンを焼結した基板表面に接合した多層基板においては、
放熱フィンが基板表面から突出する高さｈが高く、その
空間占有率が大きくなり、高密度化および機器を小型化
する際のレイアウト設計が困難になる。また放熱フィン
と多層基板との接着面における熱抵抗が高くなり、熱伝
導が阻害され易い欠点がある。さらに、放熱フィンは通
常、金属で形成されているため、基板材料との熱膨張係
数の差が大きく、両者の接着部における剥離や熱応力に
よるセラミックス多層基板の割れ等が発生し易く、動作
の信頼性が低下し易い問題点もあった。
ンを焼結した基板表面に接合した多層基板においては、
放熱フィンが基板表面から突出する高さｈが高く、その
空間占有率が大きくなり、高密度化および機器を小型化
する際のレイアウト設計が困難になる。また放熱フィン
と多層基板との接着面における熱抵抗が高くなり、熱伝
導が阻害され易い欠点がある。さらに、放熱フィンは通
常、金属で形成されているため、基板材料との熱膨張係
数の差が大きく、両者の接着部における剥離や熱応力に
よるセラミックス多層基板の割れ等が発生し易く、動作
の信頼性が低下し易い問題点もあった。
【０００８】さらに小型の送風機を多層基板の近傍に配
設して、冷却用空気を強制的に供給する方式では、多層
基板の各領域に均一に冷却用空気を送給することが困難
であったり、送風機自体を配置し得る充分なスペースを
確保することが困難になるなどの問題点があった。
設して、冷却用空気を強制的に供給する方式では、多層
基板の各領域に均一に冷却用空気を送給することが困難
であったり、送風機自体を配置し得る充分なスペースを
確保することが困難になるなどの問題点があった。
【０００９】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、熱抵抗が少なく放熱特性に優れてお
り、放熱フィンを装着した多層基板より小型に形成する
ことができ、さらに、割れや剥離等が少なく、信頼性が
高いセラミックス多層基板を提供することを目的とす
る。
れたものであり、熱抵抗が少なく放熱特性に優れてお
り、放熱フィンを装着した多層基板より小型に形成する
ことができ、さらに、割れや剥離等が少なく、信頼性が
高いセラミックス多層基板を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るセラミックス多層基板は、セラミック
ス多層基板本体表面にセラミックス材料で形成した突起
を一体に配置して基板本体表面部を凹凸に形成したこと
を特徴とする。
め、本発明に係るセラミックス多層基板は、セラミック
ス多層基板本体表面にセラミックス材料で形成した突起
を一体に配置して基板本体表面部を凹凸に形成したこと
を特徴とする。
【００１１】また多層基板本体および突起を同一種類の
セラミックス材料で形成するとよい。
セラミックス材料で形成するとよい。
【００１２】さらに上記多層基板本体および突起を構成
するセラミックス材料としては、特に従来材のアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）と比較して熱伝導率が高い窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）、炭化けい素（ＳｉＣ）、ベリリア（Ｂ
ｅＯ）が、単独でまたは２種以上混合して使用される。
上記セラミックス材料によれば、熱伝導率が高いため優
れた放熱特性を得ることができる。
するセラミックス材料としては、特に従来材のアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）と比較して熱伝導率が高い窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）、炭化けい素（ＳｉＣ）、ベリリア（Ｂ
ｅＯ）が、単独でまたは２種以上混合して使用される。
上記セラミックス材料によれば、熱伝導率が高いため優
れた放熱特性を得ることができる。
【００１３】また上記セラミックス多層基板本体表面に
形成する突起は、グリーンシートを積層した積層体表面
に、さらに部分的に所定高さまでグリーンシートを順次
積層して形成した後に、基板本体とともに焼結して製造
してもよいが、予め焼結したセラミックス基板表面に、
同じく焼成して形成した突起材を一体に接合して形成す
ることも可能である。この接合法としては、例えばセラ
ミックス基板表面と突起材との接合界面にＴｉ−Ａｇ−
Ｃｕ箔等の活性金属ろう材を介装した状態で加熱し、両
部材の構成金属原子およびＴｉ原子の相互拡散移動を利
用して接合する活性化金属法、またはシリコーンコンパ
ウンドなどの高熱伝導性接着剤等によって突起材を基板
本体表面に接着する接着法などがある。
形成する突起は、グリーンシートを積層した積層体表面
に、さらに部分的に所定高さまでグリーンシートを順次
積層して形成した後に、基板本体とともに焼結して製造
してもよいが、予め焼結したセラミックス基板表面に、
同じく焼成して形成した突起材を一体に接合して形成す
ることも可能である。この接合法としては、例えばセラ
ミックス基板表面と突起材との接合界面にＴｉ−Ａｇ−
Ｃｕ箔等の活性金属ろう材を介装した状態で加熱し、両
部材の構成金属原子およびＴｉ原子の相互拡散移動を利
用して接合する活性化金属法、またはシリコーンコンパ
ウンドなどの高熱伝導性接着剤等によって突起材を基板
本体表面に接着する接着法などがある。
【００１４】また多層基板本体および突起を同一種類の
セラミックス材料で形成することにより、両者の熱膨張
量の差を解消することができ、熱膨張差に起因する基板
の割れ等を効果的に防止することができる。
セラミックス材料で形成することにより、両者の熱膨張
量の差を解消することができ、熱膨張差に起因する基板
の割れ等を効果的に防止することができる。
【００１５】また突起の形状、寸法、配置数、形成位置
等は特に規定されず、多層基板の寸法、形状、熱抵抗値
等の要素を勘案して決定される。すなわち突起の形状
は、円柱、角柱、三角錐、不定形等いずれも採用するこ
とができ、形成位置についても多層基板本体の上面、底
面、側面のいずれでも構わない。
等は特に規定されず、多層基板の寸法、形状、熱抵抗値
等の要素を勘案して決定される。すなわち突起の形状
は、円柱、角柱、三角錐、不定形等いずれも採用するこ
とができ、形成位置についても多層基板本体の上面、底
面、側面のいずれでも構わない。
【００１６】
【作用】上記構成に係るセラミックス多層基板によれ
ば、セラミックス多層基板本体表面に突起を形成してい
るため、基板本体表面の放熱面積が増加する。したがっ
て、多層基板の放熱特性が優れており、より発熱量が大
きな高速用電子機器に最適である。
ば、セラミックス多層基板本体表面に突起を形成してい
るため、基板本体表面の放熱面積が増加する。したがっ
て、多層基板の放熱特性が優れており、より発熱量が大
きな高速用電子機器に最適である。
【００１７】また多層基板と突起とが一体に配置され、
両者間における熱膨張差も少ないため、両者の接着部に
おける剥離や割れ等も起こりにくく、放熱フィンを装備
する場合と比較して、信頼性が高い多層基板を小型に形
成することができ、電子機器内の狭隘なスペースにも設
置可能となる。
両者間における熱膨張差も少ないため、両者の接着部に
おける剥離や割れ等も起こりにくく、放熱フィンを装備
する場合と比較して、信頼性が高い多層基板を小型に形
成することができ、電子機器内の狭隘なスペースにも設
置可能となる。
【００１８】
【実施例】次に本発明の一実施例について添付図面を参
照して説明する。図１〜図４は、本発明に係るセラミッ
クス多層基板の実施例１〜４をそれぞれ示す平面図およ
び側断面図である。
照して説明する。図１〜図４は、本発明に係るセラミッ
クス多層基板の実施例１〜４をそれぞれ示す平面図およ
び側断面図である。
【００１９】実施例１〜４のセラミックス多層基板Ｓ1
〜Ｓ4 は、いずれもセラミックス材料として窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）が使用され、以下の工程で製造され
た。
〜Ｓ4 は、いずれもセラミックス材料として窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）が使用され、以下の工程で製造され
た。
【００２０】すなわちＡｌＮ原料粉と常圧焼結助剤酸化
イットリウム（Ｙ2Ｏ3 ）３重量％とを含有する粉体を
泥漿化し、スラリーを得た。次に得られたスラリーをド
クターブレード法によって厚さ０．７mmのグリーンシー
ト（ＧＳ）に成形後、１辺が１３０mmで正方形状となる
ようにブランク型で多数打ち抜き、さらに配線パターン
を印刷するとともにタングステン（Ｗ）を主体とする導
体ペーストで、電極パッド、ワイヤボンディングパッド
などの配線部を印刷した。
イットリウム（Ｙ2Ｏ3 ）３重量％とを含有する粉体を
泥漿化し、スラリーを得た。次に得られたスラリーをド
クターブレード法によって厚さ０．７mmのグリーンシー
ト（ＧＳ）に成形後、１辺が１３０mmで正方形状となる
ようにブランク型で多数打ち抜き、さらに配線パターン
を印刷するとともにタングステン（Ｗ）を主体とする導
体ペーストで、電極パッド、ワイヤボンディングパッド
などの配線部を印刷した。
【００２１】そして複数のグリーンシートを熱圧着法で
一体に積層して厚さ３mmの積層体とした後に、周辺を切
断、脱脂後、Ｎ2 ガス雰囲気で温度１８００℃で６時間
加熱して焼結を行ない、１辺が４２mmの正方形状で厚さ
が２mmの焼結体とした。さらに電極パッドおよびワイヤ
ボンディングパッドに無電解Ｎｉめっき法によって厚さ
２μｍのＮｉめっき層を形成した。そして実施例１〜３
に係るセラミックス多層基板Ｓ1 〜Ｓ3 については、各
電極パッド２に接続ピン３をろう付け接合し、続いて各
接続ピンに対して再びＮｉめっき後、厚さ２μｍの金
（Ａｕ）めっき層を形成し、ＰＧＡ（Pin Grid Array）
型のセラミックス多層基板を形成した。
一体に積層して厚さ３mmの積層体とした後に、周辺を切
断、脱脂後、Ｎ2 ガス雰囲気で温度１８００℃で６時間
加熱して焼結を行ない、１辺が４２mmの正方形状で厚さ
が２mmの焼結体とした。さらに電極パッドおよびワイヤ
ボンディングパッドに無電解Ｎｉめっき法によって厚さ
２μｍのＮｉめっき層を形成した。そして実施例１〜３
に係るセラミックス多層基板Ｓ1 〜Ｓ3 については、各
電極パッド２に接続ピン３をろう付け接合し、続いて各
接続ピンに対して再びＮｉめっき後、厚さ２μｍの金
（Ａｕ）めっき層を形成し、ＰＧＡ（Pin Grid Array）
型のセラミックス多層基板を形成した。
【００２２】一方、実施例４に係るセラミックス多層基
板Ｓ4 においては、図４（Ｂ）に示すように、下面に接
続ピンの代りに半田バンプ８を形成して、フリップチッ
プ型のパッケージとしている。この半田バンプ８は、セ
ラミックス多層基板Ｓ4 が図示しない電子機器のパネル
上に載置されたときに融解され、多層基板Ｓ4 を上記パ
ネルに一体に接合するものである。
板Ｓ4 においては、図４（Ｂ）に示すように、下面に接
続ピンの代りに半田バンプ８を形成して、フリップチッ
プ型のパッケージとしている。この半田バンプ８は、セ
ラミックス多層基板Ｓ4 が図示しない電子機器のパネル
上に載置されたときに融解され、多層基板Ｓ4 を上記パ
ネルに一体に接合するものである。
【００２３】次に各セラミックス多層基板のＳ1 〜Ｓ4
の表面部に形成する突起Ｐ1 〜Ｐ4 について説明する。
の表面部に形成する突起Ｐ1 〜Ｐ4 について説明する。
【００２４】図１（Ａ），（Ｂ）に示すように実施例１
に係るセラミックス多層基板Ｓ1 の本体表面には高さｈ
が５mmの角柱状の突起Ｐ1を１６個配設した。この突起
Ｐ1 は、多層基板本体を構成するグリーンシートを積層
する工程において、さらにグリーンシートを部分的に多
段に積層して突起積層体（高さ６．３mm）とした後に焼
成して形成した。
に係るセラミックス多層基板Ｓ1 の本体表面には高さｈ
が５mmの角柱状の突起Ｐ1を１６個配設した。この突起
Ｐ1 は、多層基板本体を構成するグリーンシートを積層
する工程において、さらにグリーンシートを部分的に多
段に積層して突起積層体（高さ６．３mm）とした後に焼
成して形成した。
【００２５】図４（Ａ），（Ｂ）に示す実施例４に係る
セラミックス多層基板Ｓ4 の本体表面には、梁状の４本
の突起Ｐ4 がそれぞれ基板本体表面に一体に配設され
る。この突起Ｐ4 も実施例１の突起と同様に長方形のグ
リーンシートを所定高さまで積層後、焼成して形成され
る。
セラミックス多層基板Ｓ4 の本体表面には、梁状の４本
の突起Ｐ4 がそれぞれ基板本体表面に一体に配設され
る。この突起Ｐ4 も実施例１の突起と同様に長方形のグ
リーンシートを所定高さまで積層後、焼成して形成され
る。
【００２６】図２（Ａ），（Ｂ）に示す実施例２に係る
セラミックス多層基板Ｓ2 の本体表面には、高さｈが５
mmの円柱状の突起Ｐ2 を２５個配設した。この各突起Ｐ
2 は予め焼結体として用意されていたものを、焼成した
セラミックス多層基板Ｓ2 本体表面にシリコーンコンパ
ウンドによって一体に接着して形成した。
セラミックス多層基板Ｓ2 の本体表面には、高さｈが５
mmの円柱状の突起Ｐ2 を２５個配設した。この各突起Ｐ
2 は予め焼結体として用意されていたものを、焼成した
セラミックス多層基板Ｓ2 本体表面にシリコーンコンパ
ウンドによって一体に接着して形成した。
【００２７】また図３（Ａ），（Ｂ）に示す実施例３に
係るセラミックス多層基板Ｓ3 の本体表面は半球状の突
起Ｐ3 が２５個配設される。この各突起Ｐ3 も、実施例
２の突起Ｐ2 と同様に予め半球状に形成された焼結体を
シリコーンコンパウンドによって接着して形成した。
係るセラミックス多層基板Ｓ3 の本体表面は半球状の突
起Ｐ3 が２５個配設される。この各突起Ｐ3 も、実施例
２の突起Ｐ2 と同様に予め半球状に形成された焼結体を
シリコーンコンパウンドによって接着して形成した。
【００２８】一方、比較例１として、図５に示すよう
に、多層基板本体表面に何ら突起を形成せずに平坦にし
た以外は実施例１と全く同一の材料を同一の条件で処理
して、従来のセラミックス多層基板１を製造した。
に、多層基板本体表面に何ら突起を形成せずに平坦にし
た以外は実施例１と全く同一の材料を同一の条件で処理
して、従来のセラミックス多層基板１を製造した。
【００２９】また比較例２として、図６に示すように、
Ａｌで形成した放熱フィン７をエポキシ系接着剤を使用
して多層基板に接着した以外は実施例１と全く同様にし
て、従来のセラミックス多層基板１ａを製造した。
Ａｌで形成した放熱フィン７をエポキシ系接着剤を使用
して多層基板に接着した以外は実施例１と全く同様にし
て、従来のセラミックス多層基板１ａを製造した。
【００３０】こうして得られた実施例１〜４および比較
例１〜２に係る各セラミックス多層基板Ｓ1 〜Ｓ4 およ
び１〜１ａの放熱特性を評価するために、熱抵抗
（Ｒth）の測定試験を実施するとともに、放熱面積の測
定を行なった。
例１〜２に係る各セラミックス多層基板Ｓ1 〜Ｓ4 およ
び１〜１ａの放熱特性を評価するために、熱抵抗
（Ｒth）の測定試験を実施するとともに、放熱面積の測
定を行なった。
【００３１】熱抵抗測定試験は、各セラミックス多層基
板内に内蔵させたトランジスタのベースとエミッタとの
間の順方向の電圧降下ＶBEの温度依存性を利用して測定
し、熱抵抗Ｒth（℃／Ｗ）として算出する方法を採用し
た。
板内に内蔵させたトランジスタのベースとエミッタとの
間の順方向の電圧降下ＶBEの温度依存性を利用して測定
し、熱抵抗Ｒth（℃／Ｗ）として算出する方法を採用し
た。
【００３２】測定算出結果を下記表１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１に示す結果から明らかなように、実施
例１〜４に係るセラミックス多層基板によれば比較例の
セラミックス多層基板と比較して、熱抵抗値Ｒthが小さ
く、放熱特性に優れた小型で高信頼性を有する多層基板
が得られる。
例１〜４に係るセラミックス多層基板によれば比較例の
セラミックス多層基板と比較して、熱抵抗値Ｒthが小さ
く、放熱特性に優れた小型で高信頼性を有する多層基板
が得られる。
【００３５】一方、比較例２の放熱フィンを設けた多層
基板においては、基板表面積が大きくなり、熱抵抗値も
低下するが、突起高さｈが大きく配置設計上難点が多
い。
基板においては、基板表面積が大きくなり、熱抵抗値も
低下するが、突起高さｈが大きく配置設計上難点が多
い。
【００３６】
【発明の効果】以上説明の通り、本発明に係るセラミッ
クス多層基板によれば、セラミックス多層基板本体表面
に突起を形成しているため、基板本体表面の放熱面積が
増加する。したがって、多層基板の放熱特性が優れてお
り、より発熱量が大きな高速用電子機器に最適である。
クス多層基板によれば、セラミックス多層基板本体表面
に突起を形成しているため、基板本体表面の放熱面積が
増加する。したがって、多層基板の放熱特性が優れてお
り、より発熱量が大きな高速用電子機器に最適である。
【００３７】また多層基板と突起とが一体に配置され、
両者間における熱膨張差も少ないため、両者の接着部に
おける剥離や割れ等も起こりにくく、放熱フィンを装備
する場合と比較して、信頼性が高い多層基板を小型に形
成することができ、電子機器内の狭隘なスペースにも設
置可能となる。
両者間における熱膨張差も少ないため、両者の接着部に
おける剥離や割れ等も起こりにくく、放熱フィンを装備
する場合と比較して、信頼性が高い多層基板を小型に形
成することができ、電子機器内の狭隘なスペースにも設
置可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明に係るセラミ
ックス多層基板の第１実施例を示す平面図および側断面
図。
ックス多層基板の第１実施例を示す平面図および側断面
図。
【図２】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第２実施例
を示す平面図および側断面図。
を示す平面図および側断面図。
【図３】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第３実施例
を示す平面図および側断面図。
を示す平面図および側断面図。
【図４】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第４実施例
を示す平面図および側断面図。
を示す平面図および側断面図。
【図５】従来のセラミックス多層基板の構造例を示す側
断面図。
断面図。
【図６】放熱フィンを装着した従来のセラミックス多層
基板の構造例を示す側断面図。
基板の構造例を示す側断面図。
１，１ａ，Ｓ1 〜Ｓ4 セラミックス多層基板
２ 電極パッド（Ｉ／Ｏパッド）
３ 接続ピン
４ 半導体ＩＣチップ
５ 凹陥部
６ リッド
７ 放熱フィン
８ 半田バンプ
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックス多層基板本体表面にセラミ
ックス材料で形成した突起を一体に配置して基板本体表
面部を凹凸に形成したことを特徴とするセラミックス多
層基板。 - 【請求項２】 多層基板本体および突起を同一種類のセ
ラミックス材料で形成したことを特徴とする請求項１記
載のセラミックス多層基板。 - 【請求項３】 多層基板本体および突起は窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）および炭化けい素（ＳｉＣ）の少なくと
も一方から成ることを特徴とする請求項１記載のセラミ
ックス多層基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3178149A JPH0529499A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | セラミツクス多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3178149A JPH0529499A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | セラミツクス多層基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529499A true JPH0529499A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16043497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3178149A Pending JPH0529499A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | セラミツクス多層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529499A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0569954U (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | 京セラ株式会社 | 半導体パッケージ |
| EP1406303A1 (en) * | 2001-07-09 | 2004-04-07 | Daikin Industries, Ltd. | Power module and air conditioner |
| JP2008187146A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
-
1991
- 1991-07-18 JP JP3178149A patent/JPH0529499A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0569954U (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | 京セラ株式会社 | 半導体パッケージ |
| EP1406303A1 (en) * | 2001-07-09 | 2004-04-07 | Daikin Industries, Ltd. | Power module and air conditioner |
| EP1406303A4 (en) * | 2001-07-09 | 2007-12-12 | Daikin Ind Ltd | POWER MODULE AND AIR CONDITIONER |
| JP2008187146A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
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