JPH05294622A - 酸化亜鉛配向膜の製造方法 - Google Patents
酸化亜鉛配向膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH05294622A JPH05294622A JP10436292A JP10436292A JPH05294622A JP H05294622 A JPH05294622 A JP H05294622A JP 10436292 A JP10436292 A JP 10436292A JP 10436292 A JP10436292 A JP 10436292A JP H05294622 A JPH05294622 A JP H05294622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- substrate
- heat treatment
- zinc
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一かつ緻密なＣ軸が基板の表面に垂直に配
向した酸化亜鉛薄膜を簡便かつ低コストで製造する方法
の開発。 【構成】 亜鉛化合物溶液を基板に塗布して得られた塗
布膜を２段階の加熱処理を経ることによって得られる酸
化亜鉛配向膜の製造方法
向した酸化亜鉛薄膜を簡便かつ低コストで製造する方法
の開発。 【構成】 亜鉛化合物溶液を基板に塗布して得られた塗
布膜を２段階の加熱処理を経ることによって得られる酸
化亜鉛配向膜の製造方法
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は酸化亜鉛配向膜の製造方
法に関し、さらに詳しくは、センサ，表面波デバイス，
バリスタ，透明電極等の材料，γ線の発光材料，光導波
路素子，強誘電性薄膜作成用基板等として有用な均一か
つ緻密なＣ軸が基板の表面に垂直に配向している酸化亜
鉛薄膜を簡便かつ低コストで製造する方法に関するもの
である。
法に関し、さらに詳しくは、センサ，表面波デバイス，
バリスタ，透明電極等の材料，γ線の発光材料，光導波
路素子，強誘電性薄膜作成用基板等として有用な均一か
つ緻密なＣ軸が基板の表面に垂直に配向している酸化亜
鉛薄膜を簡便かつ低コストで製造する方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、酸化亜鉛配向膜は、光学的に透
明で、圧電性やｎ−型半導体特性を有し、例えば表面波
デバイス，バリスタ，透明電極等に幅広く利用できる材
料である。このように、酸化亜鉛配向膜は利用価値が高
いため、簡便で安価な製造方法が望まれている。従来、
金属酸化物薄膜の製造方法、特にＣ軸が基板の表面に垂
直に配向した薄膜の製造方法としては、例えば真空蒸着
法，スパッタリング法，気相化学反応法（ＣＶＤ法），
噴霧熱分解法（スプレーパイロリシス法）等がよく用い
られている。しかしながら、従来の方法においては、薄
膜製造設備が大がかりとなり、大面積の薄膜を製造する
ことが困難であり、Ｃ軸が基板の表面に垂直に配向して
いない薄膜も製造されていた。また、高橋らは第３０回
セラミックス基礎科学討論会予稿集（１９９１年）にお
いて、イソプロパノールに亜鉛ｎ−プロポキシドおよび
／または酢酸亜鉛２水和物をジエタノールアミンと共に
溶解し、基板に塗布後熱処理することにより得られる酸
化亜鉛薄膜を開示している。この酸化亜鉛薄膜は、５０
０℃以下での第１段目の加熱処理を行わずに６００℃で
焼成しているため、Ｃ軸が基板の表面に垂直に配向した
ものではない。
明で、圧電性やｎ−型半導体特性を有し、例えば表面波
デバイス，バリスタ，透明電極等に幅広く利用できる材
料である。このように、酸化亜鉛配向膜は利用価値が高
いため、簡便で安価な製造方法が望まれている。従来、
金属酸化物薄膜の製造方法、特にＣ軸が基板の表面に垂
直に配向した薄膜の製造方法としては、例えば真空蒸着
法，スパッタリング法，気相化学反応法（ＣＶＤ法），
噴霧熱分解法（スプレーパイロリシス法）等がよく用い
られている。しかしながら、従来の方法においては、薄
膜製造設備が大がかりとなり、大面積の薄膜を製造する
ことが困難であり、Ｃ軸が基板の表面に垂直に配向して
いない薄膜も製造されていた。また、高橋らは第３０回
セラミックス基礎科学討論会予稿集（１９９１年）にお
いて、イソプロパノールに亜鉛ｎ−プロポキシドおよび
／または酢酸亜鉛２水和物をジエタノールアミンと共に
溶解し、基板に塗布後熱処理することにより得られる酸
化亜鉛薄膜を開示している。この酸化亜鉛薄膜は、５０
０℃以下での第１段目の加熱処理を行わずに６００℃で
焼成しているため、Ｃ軸が基板の表面に垂直に配向した
ものではない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明者らは、
上記従来技術の欠点を解消し、均一かつ透明で緻密なＣ
軸が基板の表面に垂直な配向を有する亜鉛酸化配向膜
を、簡便かつ低コストで製造する方法を開発すべく鋭意
研究を重ねた。
上記従来技術の欠点を解消し、均一かつ透明で緻密なＣ
軸が基板の表面に垂直な配向を有する亜鉛酸化配向膜
を、簡便かつ低コストで製造する方法を開発すべく鋭意
研究を重ねた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】その結果、亜鉛化合物溶
液を塗布して得られた塗布膜を、２段階にわけて加熱処
理することによって、上記目的を達成できることを見出
した。本発明はかかる知見に基いて完成したものであ
る。すなわち本発明は、亜鉛化合物溶液を基板に塗布し
て得られた塗布膜を２００℃以上５００℃以下で１段目
加熱処理をし、さらに１段目の加熱温度より高い温度〜
１０００℃以下で２段目加熱処理をすることを特徴とす
る酸化亜鉛配向膜の製造方法を提供するものである。
液を塗布して得られた塗布膜を、２段階にわけて加熱処
理することによって、上記目的を達成できることを見出
した。本発明はかかる知見に基いて完成したものであ
る。すなわち本発明は、亜鉛化合物溶液を基板に塗布し
て得られた塗布膜を２００℃以上５００℃以下で１段目
加熱処理をし、さらに１段目の加熱温度より高い温度〜
１０００℃以下で２段目加熱処理をすることを特徴とす
る酸化亜鉛配向膜の製造方法を提供するものである。
【０００５】本発明において、亜鉛化合物溶液の原料で
ある亜鉛化合物は、特に限定されないが、例えば塩化亜
鉛，硝酸亜鉛，硫酸亜鉛等の無機化合物や酢酸亜鉛，蟻
酸亜鉛，アセチルアセトナト亜鉛，亜鉛アルコキシド等
の有機化合物が挙げられる。好ましくは酢酸亜鉛であ
る。また、上記亜鉛化合物溶液の溶媒は、特に限定され
ないが、例えばメタノール，エタノール，ｎ−プロパノ
ール，イソプロパノール，ｎ−ブタノール，イソブタノ
ール，ｓｅｃ−ブタノール，ｔ−ブタノール，エチレン
グリコールモノメチルエーテル，エチレングリコールモ
ノエチルエーテル等の炭素数１〜５の脂肪族アルコール
類あるいはその誘導体、アセトン，アセチルアセトン，
メチルエチルケトン等のケトン類、ジメチルエーテル，
ジエチルエーテル等のエーテル、酢酸，プロピオン酸等
のカルボン酸等を挙げることができる。これらの中で特
に炭素数１〜５の脂肪族アルコール類が好適である。ま
た、上記溶媒は、場合に応じてそれぞれ単独で用いても
よく、二種以上を組合わせて用いてもよい。
ある亜鉛化合物は、特に限定されないが、例えば塩化亜
鉛，硝酸亜鉛，硫酸亜鉛等の無機化合物や酢酸亜鉛，蟻
酸亜鉛，アセチルアセトナト亜鉛，亜鉛アルコキシド等
の有機化合物が挙げられる。好ましくは酢酸亜鉛であ
る。また、上記亜鉛化合物溶液の溶媒は、特に限定され
ないが、例えばメタノール，エタノール，ｎ−プロパノ
ール，イソプロパノール，ｎ−ブタノール，イソブタノ
ール，ｓｅｃ−ブタノール，ｔ−ブタノール，エチレン
グリコールモノメチルエーテル，エチレングリコールモ
ノエチルエーテル等の炭素数１〜５の脂肪族アルコール
類あるいはその誘導体、アセトン，アセチルアセトン，
メチルエチルケトン等のケトン類、ジメチルエーテル，
ジエチルエーテル等のエーテル、酢酸，プロピオン酸等
のカルボン酸等を挙げることができる。これらの中で特
に炭素数１〜５の脂肪族アルコール類が好適である。ま
た、上記溶媒は、場合に応じてそれぞれ単独で用いても
よく、二種以上を組合わせて用いてもよい。
【０００６】さらに本発明においては、上記溶媒に対す
る亜鉛化合物の溶解性を向上させるために、添加剤を用
いてもよい。この添加剤としては、アミンが好ましく、
例えばモノエタノールアミン，ジエタノールアミン，ト
リエタノールアミン，２−アミノ−２−メチル−１−プ
ロパノール等の水酸基含有アミン、ｎ−プロピルアミ
ン，イソプロピルアミン等の炭素数１〜１５のアルキル
アミン、アニリン等の芳香族アミン等が挙げられる。こ
れらの中で特に水酸基含有アミンが好適である。さら
に、アミンとの混合物として無機塩類も用いることがで
きる。無機塩類としては、硝酸，塩酸，硫酸等が挙げら
れる。また、上記添加剤はそれぞれ単独で用いてもよ
く、場合に応じて二種以上を組合わせて用いてもよい。
る亜鉛化合物の溶解性を向上させるために、添加剤を用
いてもよい。この添加剤としては、アミンが好ましく、
例えばモノエタノールアミン，ジエタノールアミン，ト
リエタノールアミン，２−アミノ−２−メチル−１−プ
ロパノール等の水酸基含有アミン、ｎ−プロピルアミ
ン，イソプロピルアミン等の炭素数１〜１５のアルキル
アミン、アニリン等の芳香族アミン等が挙げられる。こ
れらの中で特に水酸基含有アミンが好適である。さら
に、アミンとの混合物として無機塩類も用いることがで
きる。無機塩類としては、硝酸，塩酸，硫酸等が挙げら
れる。また、上記添加剤はそれぞれ単独で用いてもよ
く、場合に応じて二種以上を組合わせて用いてもよい。
【０００７】本発明は、まず亜鉛化合物および溶媒を混
合して亜鉛化合物溶液である塗布液を調製する。この
際、必要に応じて添加剤を加えることができる。この塗
布液の調製において、各成分の混合順序については特に
制限はなく、任意の順序で混合を行ってもよい。例え
ば、亜鉛化合物と溶媒を混合した後、添加剤を添加する
調製方法が挙げられる。
合して亜鉛化合物溶液である塗布液を調製する。この
際、必要に応じて添加剤を加えることができる。この塗
布液の調製において、各成分の混合順序については特に
制限はなく、任意の順序で混合を行ってもよい。例え
ば、亜鉛化合物と溶媒を混合した後、添加剤を添加する
調製方法が挙げられる。
【０００８】上記塗布液における亜鉛化合物の濃度につ
いては特に制限はなく、低濃度でもよいが、0.００１モ
ル／リットル以上が好ましい。また、添加剤の添加量
は、通常、亜鉛化合物１モルに対し、0.５モル以上であ
ればよい。さらに、上記塗布液には、本発明の目的が損
なわれない範囲で、所望に応じ酢酸等の酸や上記含酸素
有機化合物以外のアルカリ等の添加剤、あるいは水を添
加してもよいし、粘度等を調整する目的で他の有機溶媒
を添加してもよく、さらには使用する溶媒に溶解する他
の金属の化合物、例えばアルミニウム，インジウム，ス
ズ，ビスマス等の金属化合物を添加してもよい。
いては特に制限はなく、低濃度でもよいが、0.００１モ
ル／リットル以上が好ましい。また、添加剤の添加量
は、通常、亜鉛化合物１モルに対し、0.５モル以上であ
ればよい。さらに、上記塗布液には、本発明の目的が損
なわれない範囲で、所望に応じ酢酸等の酸や上記含酸素
有機化合物以外のアルカリ等の添加剤、あるいは水を添
加してもよいし、粘度等を調整する目的で他の有機溶媒
を添加してもよく、さらには使用する溶媒に溶解する他
の金属の化合物、例えばアルミニウム，インジウム，ス
ズ，ビスマス等の金属化合物を添加してもよい。
【０００９】このようにして調製された塗布液は加水分
解が起こりにくく、安定性に優れている。次に、この塗
布液を基板上に塗布するが、この塗布方法については特
に制限はなく、溶液からの薄膜の形成に従来慣用されて
いる方法、例えば、スプレー法，ディップコート法，ス
ピンコート法等を用いることができる。基板上に塗布さ
れたゲル膜は２段階の熱処理が施される。１段目熱処理
は、２００以上５００℃未満の温度、即ち塗布液中の酸
化亜鉛の結晶成長の速度が遅い温度範囲で行われる。ま
た２段目熱処理は、１段目の加熱温度より高い温度〜１
０００℃以下、好ましくは３００〜８００℃の範囲で行
われる。また、熱処理時間は１０分ないし５時間程度で
充分である。このようにして形成された酸化亜鉛薄膜は
サイズの均一な酸化亜鉛粒子からなるため透明性が良好
であり、Ｃ軸が基板の表面に垂直な配向を有するもので
ある。また、その膜厚は通常0.０１〜１０μｍの範囲で
ある。本発明において用いられる基板は、塗布液及び熱
処理に耐えるものであればよく、例えば耐熱ガラス，石
英ガラス，単結晶，セラミックス，プラスチック等の基
板を用いることができる。
解が起こりにくく、安定性に優れている。次に、この塗
布液を基板上に塗布するが、この塗布方法については特
に制限はなく、溶液からの薄膜の形成に従来慣用されて
いる方法、例えば、スプレー法，ディップコート法，ス
ピンコート法等を用いることができる。基板上に塗布さ
れたゲル膜は２段階の熱処理が施される。１段目熱処理
は、２００以上５００℃未満の温度、即ち塗布液中の酸
化亜鉛の結晶成長の速度が遅い温度範囲で行われる。ま
た２段目熱処理は、１段目の加熱温度より高い温度〜１
０００℃以下、好ましくは３００〜８００℃の範囲で行
われる。また、熱処理時間は１０分ないし５時間程度で
充分である。このようにして形成された酸化亜鉛薄膜は
サイズの均一な酸化亜鉛粒子からなるため透明性が良好
であり、Ｃ軸が基板の表面に垂直な配向を有するもので
ある。また、その膜厚は通常0.０１〜１０μｍの範囲で
ある。本発明において用いられる基板は、塗布液及び熱
処理に耐えるものであればよく、例えば耐熱ガラス，石
英ガラス，単結晶，セラミックス，プラスチック等の基
板を用いることができる。
【００１０】
【実施例】次に実施例および比較例により本発明をさら
に詳しく説明するが、本発明はこれらの例によって何ら
限定されるものではない。 実施例１ エチレングリコールモノメチルエーテルに酢酸亜鉛２水
和物を濃度0.７５モル／リットルとなるように加え、更
にモノエタノールアミンを酢酸亜鉛２水和物の0.５倍の
モル量を添加し、４０℃で攪拌および加温して塗布液を
得た。得られた塗布液にシリカガラス基板を室温で浸漬
した後、約3.５ｃｍ／分で基板を塗布液から引上げ電気
炉で３００℃，１０分間熱処理（１段目）して透明なゲ
ル膜を得た。浸漬−引上げ−熱処理を３回繰り返した
後、電気炉で８００℃，６０分間熱処理（２段目）し
た。得られた薄膜は、Ｘ線回折測定によるとＣ軸が基板
の表面に垂直に配向した酸化亜鉛配向膜であることを確
認した。膜厚は、約１０００Å（走査型電子顕微鏡によ
る測定）であった。
に詳しく説明するが、本発明はこれらの例によって何ら
限定されるものではない。 実施例１ エチレングリコールモノメチルエーテルに酢酸亜鉛２水
和物を濃度0.７５モル／リットルとなるように加え、更
にモノエタノールアミンを酢酸亜鉛２水和物の0.５倍の
モル量を添加し、４０℃で攪拌および加温して塗布液を
得た。得られた塗布液にシリカガラス基板を室温で浸漬
した後、約3.５ｃｍ／分で基板を塗布液から引上げ電気
炉で３００℃，１０分間熱処理（１段目）して透明なゲ
ル膜を得た。浸漬−引上げ−熱処理を３回繰り返した
後、電気炉で８００℃，６０分間熱処理（２段目）し
た。得られた薄膜は、Ｘ線回折測定によるとＣ軸が基板
の表面に垂直に配向した酸化亜鉛配向膜であることを確
認した。膜厚は、約１０００Å（走査型電子顕微鏡によ
る測定）であった。
【００１１】比較例１ １段目の加熱処理を８５０℃とした以外は、実施例１と
同様にして酸化亜鉛薄膜を得た。得られた薄膜は、Ｘ線
回折測定によるとＣ軸が基板の表面に垂直に配向してい
ない酸化亜鉛薄膜であった。
同様にして酸化亜鉛薄膜を得た。得られた薄膜は、Ｘ線
回折測定によるとＣ軸が基板の表面に垂直に配向してい
ない酸化亜鉛薄膜であった。
【００１２】実施例２ モノエタノールアミンの代わりにジエタノールアミンを
用いた以外は、実施例１と同様にして酸化亜鉛薄膜を得
た。得られた薄膜は、Ｘ線回折測定によるとＣ軸が基板
の表面に垂直に配向した酸化亜鉛配向膜であった。膜厚
は、約１０００Å（走査型電子顕微鏡による測定）であ
った。
用いた以外は、実施例１と同様にして酸化亜鉛薄膜を得
た。得られた薄膜は、Ｘ線回折測定によるとＣ軸が基板
の表面に垂直に配向した酸化亜鉛配向膜であった。膜厚
は、約１０００Å（走査型電子顕微鏡による測定）であ
った。
【００１３】比較例２ １段目の加熱処理を８５０℃とした以外は、実施例２と
同様にして酸化亜鉛薄膜を得た。得られた薄膜は、Ｘ線
回折測定によるとＣ軸が基板の表面に垂直に配向してい
ない酸化亜鉛薄膜であった。
同様にして酸化亜鉛薄膜を得た。得られた薄膜は、Ｘ線
回折測定によるとＣ軸が基板の表面に垂直に配向してい
ない酸化亜鉛薄膜であった。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、均一透明で緻密なＣ軸
が基板の表面に垂直な配向を有する（導電性，圧電性に
優れている）亜鉛酸化薄膜を、簡便かつ低コストで製造
することができる。本発明によって製造される酸化亜鉛
配向膜は、センサ，表面波デバイス，バリスタ，透明電
極等の材料やγ線の発光材料，光導波路素子，強誘電性
薄膜作成用基板等として有効な利用が期待される。
が基板の表面に垂直な配向を有する（導電性，圧電性に
優れている）亜鉛酸化薄膜を、簡便かつ低コストで製造
することができる。本発明によって製造される酸化亜鉛
配向膜は、センサ，表面波デバイス，バリスタ，透明電
極等の材料やγ線の発光材料，光導波路素子，強誘電性
薄膜作成用基板等として有効な利用が期待される。
Claims (1)
- 【請求項１】 亜鉛化合物溶液を基板に塗布して得られ
た塗布膜を２００℃以上５００℃未満で１段目加熱処理
をし、さらに１段目の加熱温度より高い温度〜１０００
℃以下で２段目加熱処理をすることを特徴とする酸化亜
鉛配向膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10436292A JPH05294622A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 酸化亜鉛配向膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10436292A JPH05294622A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 酸化亜鉛配向膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05294622A true JPH05294622A (ja) | 1993-11-09 |
Family
ID=14378722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10436292A Pending JPH05294622A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 酸化亜鉛配向膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05294622A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004256377A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nippon Shokubai Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2007022851A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ポーラス酸化亜鉛膜、同製造方法、ポーラス酸化亜鉛膜を備えた色素増感型太陽電池、光触媒、化学センサー又は蛍光体、ポーラス酸化亜鉛膜形成用前駆体、同製造方法 |
| JP2013103843A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 無機結晶膜およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-04-23 JP JP10436292A patent/JPH05294622A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004256377A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nippon Shokubai Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2007022851A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ポーラス酸化亜鉛膜、同製造方法、ポーラス酸化亜鉛膜を備えた色素増感型太陽電池、光触媒、化学センサー又は蛍光体、ポーラス酸化亜鉛膜形成用前駆体、同製造方法 |
| JP4714844B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2011-06-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ポーラス酸化亜鉛膜形成用前駆体の製造方法、ポーラス酸化亜鉛膜の製造方法 |
| JP2013103843A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 無機結晶膜およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5933540B2 (ja) | 酸化インジウム含有層を製造するためのインジウムオキソアルコキシド | |
| JP5877832B2 (ja) | 酸化インジウム含有層を製造するためのインジウムオキソアルコキシド、その製造方法及びその使用 | |
| KR101352246B1 (ko) | 산화아연 박막의 제조방법 | |
| GB2093442A (en) | Composition and process for preparing transparent conducting film | |
| CN101174671A (zh) | 具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法 | |
| CN103493220B (zh) | 氧化铝糊及其使用方法 | |
| JP2012518087A (ja) | インジウムアルコキシド含有組成物、該組成物の製造法及び該組成物の使用 | |
| JPH05294623A (ja) | 酸化亜鉛薄膜の製造方法 | |
| RU2639169C2 (ru) | Способ получения содержащих оксид индия покрытий | |
| CN108546936B (zh) | 一种低温制备高性能ZnO基透明导电氧化物薄膜的方法 | |
| JPH05294622A (ja) | 酸化亜鉛配向膜の製造方法 | |
| CN101211764A (zh) | 一种铬掺杂二氧化钛室温铁磁薄膜的制备方法 | |
| Krishnakumar et al. | Preparation of cadmium stannate films by spray pyrolysis technique | |
| CN103011813B (zh) | 一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法 | |
| JPH05262524A (ja) | 酸化亜鉛薄膜の製造方法 | |
| JP3235279B2 (ja) | エピタキシャル強誘電体薄膜素子の作製方法 | |
| JP2000016812A (ja) | 金属酸化物膜の製造方法 | |
| JP2708120B2 (ja) | 透明酸化物薄膜用塗布液の製造方法および透明酸化物薄膜付基材 | |
| TW200403306A (en) | Sol-gel process for the preparation of vitreous films possessing high adhesion properties and stable colloidal solutions suitable for its carrying out the same | |
| CN106128941A (zh) | 一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜的液相方法 | |
| JP3251755B2 (ja) | アルミナ前駆体溶液、当該溶液を用いたアルミナ薄膜の形成方法及びアルミナ薄膜形成体 | |
| JP2000026120A (ja) | Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液の製造方法およびＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の製造方法 | |
| CN107974673A (zh) | 一种快速制备氧化锌薄膜的低温溶液方法 | |
| JPH01133961A (ja) | 透明酸化物薄膜被着ガラスの製造方法 | |
| JP3154678B2 (ja) | 透明導電性被膜形成用塗布液および該塗布液を使用した透明導電性被膜付きガラス |