CN103011813B - 一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 8
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 title abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 34
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- XIXADJRWDQXREU-UHFFFAOYSA-M lithium acetate Chemical compound [Li+].CC([O-])=O XIXADJRWDQXREU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 27
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 17
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims description 17
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 15
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 12
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 11
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 11
- JVOQKOIQWNPOMI-UHFFFAOYSA-N ethanol;tantalum Chemical compound [Ta].CCO JVOQKOIQWNPOMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 10
- QQGWBRJQPRTJDA-UHFFFAOYSA-N [Li].CC(O)=O Chemical compound [Li].CC(O)=O QQGWBRJQPRTJDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 6
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 abstract 2
- NGCRLFIYVFOUMZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloroquinoxaline-6-carbonyl chloride Chemical compound N1=C(Cl)C(Cl)=NC2=CC(C(=O)Cl)=CC=C21 NGCRLFIYVFOUMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 abstract 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 6
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 5
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UXFQFBNBSPQBJW-UHFFFAOYSA-N 2-amino-2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(N)(C)CO UXFQFBNBSPQBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEFANHJWTFZDRE-UHFFFAOYSA-N [Li].C(C)C(=O)C(=O)C Chemical compound [Li].C(C)C(=O)C(=O)C OEFANHJWTFZDRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 208000007502 anemia Diseases 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- AZVCGYPLLBEUNV-UHFFFAOYSA-N lithium;ethanolate Chemical compound [Li+].CC[O-] AZVCGYPLLBEUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002652 macrocyte Anatomy 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,其步骤如下:(1)将无水乙酸锂溶于高溶解度的溶剂中,加热并磁力搅拌至乙酸锂完全溶解;(2)在大气环境中,按Li+与Ta5+的摩尔比准确加入乙醇钽,磁力搅拌至前驱体充分反应,得到棕黄色透明胶体;(3)采用旋涂法制备湿膜;(4)在大气通氧气氛下热处理使薄膜干燥并结晶;(5)重复(3)和(4)至得到所需厚度的钽酸锂结晶薄膜。本方法克服了目前溶胶凝胶法制备钽酸锂薄膜时需要惰性气体保护、绝对干燥等严苛的实验要求,解决了前驱体浓度过低的问题,大大降低旋涂与热处理次数,可制备均匀、平整、致密、热释电性能良好的钽酸锂纳米结晶薄膜。
Description
技术领域
本发明涉及功能薄膜制备方法,属于热释电薄膜材料领域和太赫兹探测领域,具体涉及一种新型的溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法。
背景技术
钽酸锂材料作为一种近年来备受各国关注的新的功能材料,它具有热释电系数大、居里温度高(650℃)、相对介电常熟小等特点使其具备良好的应用前景。
钽酸锂材料的最初的应用为钽酸锂晶体,但是由于钽酸锂晶体的性能指标与敏感单元的厚度成反比,所以在钽酸锂晶体的应用中一直把减薄钽酸锂晶体作为目标。减薄的方法主要为机械抛光和化学机械抛光,但都无法克服钽酸锂晶体在减薄过程中的机械损伤,从而对钽酸锂晶体的性能产生巨大的影响,而且将钽酸锂晶体减薄加工到可以使用的厚度需要复杂繁琐的过程且重复率不高,成本昂贵。C. H. Kohli等首先尝试采用磁控溅射法制备钽酸锂薄膜(C. H. Kohli etc Characterization of lithium tantalite thin films sputter-deposited onto RUO2/Si substrates, Microelectronic Engineering, 1995, 29: 201)。H. Xie等用脉冲液体喷射金属有机化学沉积(MOCVD)方法制备了钽酸锂薄膜(H. Xie etc Epitaxial LiTaO3 thin film by pulsed metalorganic chemical vapor deposition from a single precursor, Appl, Phys, Lett, 1993, 63(23): 3146)。A. A. Wernberg用固相外延化学气相沉积方法制备了钽酸锂薄膜(A. A. Wernberg etc Improved solid phase epitaxial growth of lithium tantalate thin films on sapphire, using a two-step metalorganic chemical-vapor deposition process, Appl, Phys, Lett, 1993, 63(19): 2049)。但是这些干法制备钽酸锂薄膜的方法存在薄膜中钽和锂的化学计量无法控制、生产和设备成本较高、不适合大面积成膜等问题。
为了解决以上问题,J. H. Jean首次使用溶胶凝胶法制备钽酸锂陶瓷粉体(J. H. Jean Sol-gel derived LiTaO3, Journal of material science, 1990, 25: 859-864)。在这之后衍生出制备钽酸锂薄膜的溶胶凝胶法。目前,国内外采用溶胶凝胶法制备钽酸锂薄膜的方法主要有三种:1、美国加州大学D.M. Chen和C.J. Chen分别使用醋酸锂和乙醇钽为起始原料、乙二醇单甲醚为溶剂制备了钽酸锂胶体,采用旋涂法制备钽酸锂薄膜(D.M. Chen etc Uncooled pyroelectric lithium tantalite thin film infrared microsensors Integrated Ferroelectrics, 2000; C.J. Chen etc Sol-gel derived LiTaO3 thin film properties and application,Presented at Sol-gel Optics IV, San Diego, CA, USA,1997)。国内电子科技大学黄大贵,张德银等用同样的方法制备获得浓度为0.4mol/L的钽酸锂胶体(D. Y. Zhang etc Preparation of the multi-layer LiTaO3 infrared-detected functional thin film,Proc, of SPIE Vol, 6149 614911-1-614911-5)。但是这种制备方法中,水解反应需要精确控制,因为乙醇钽材料极易发生水解导致合成失败。而且由于溶剂乙二醇单甲醚对与反应物醋酸锂的溶解度很小,导致制备的钽酸锂前驱体浓度很低,因此,每次涂覆得到的钽酸锂薄膜厚度很小(约25nm),制备需要厚的薄膜需要多次涂覆。同时,乙二醇单甲醚具有毒性,能引起贫血症、巨红血球症,出现新生颗粒性白血球,引起中枢神经障碍等;2、中国台湾中山大学高铭政、陈英忠等采用乙酰丙酮锂和异丙醇钽为起始原料、1.3丙二醇为溶剂制备了钽酸锂胶体,并利用旋涂法得到了钽酸锂薄膜(M. C. Kao etc Properties of LiTaO3 Thin Films Derived by a Diol-Based Sol-Gel Process, Jpn, J, Appl, Phys, 2002, 41: 2982-2986)。这种制备方法所采用的材料昂贵,不适合大规模制备,并且制备过程中溶剂对人也有一定的毒害作用;3、日本的Z. X. Cheng等利用乙醇锂和乙醇钽作为起始反应物、乙醇作为溶剂,将浓度为30%的过氧化氢加入溶液中制备了浓度为0.1mol/L的钽酸锂胶体(Z. X, Cheng etc Ferroelectric lithium tantalate thin film derived from peroxide, Journal of Alloys and Compounds 2005, 402: 208-212)。这种制备方法中,反应物均为极易水解的金属醇盐,所以对反应环境有严格要求,制备出的钽酸锂胶体浓度也非常低(0.1mol/L左右)。
发明内容
本发明的目的是如何克服制备钽酸锂成本过高、浓度过低、反应条件过于苛刻的缺点,改进现有的溶胶凝胶法,简化制备条件,获得高浓度的钽酸锂胶体与高质量的钽酸锂薄膜。
本发明的技术方案为:一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,其特征在于,其步骤如下:
(1)将无水乙酸锂溶于高溶解度的溶剂中,加热并磁力搅拌至乙酸锂完全溶解;
(2)在大气环境中,按Li+与Ta5+的摩尔比准确加入乙醇钽,磁力搅拌至前驱体充分反应,得到棕黄色透明胶体;
(3)采用旋涂法制备湿膜;
(4)在氧气气氛下热处理使薄膜干燥并结晶;
(5)重复(3)和(4)至得到所需厚度的钽酸锂结晶薄膜。
进一步地,步骤(1)中所述的高溶解度的溶剂为二醇类有机物。所述二醇类有机物优选为1,2-丙二醇或1,3-丙二醇。
进一步地,步骤(3)中旋涂制备的钽酸锂薄膜厚度为50-150nm。
进一步地,步骤(3)中涂覆条件为匀胶转速为200-600转/分,匀胶时间为10-30秒,甩胶转速为1500-4500转/分,甩胶时间为30-90秒。
进一步地,步骤(1)中无水乙酸锂与溶剂的摩尔比为1:10-1:30,溶解时磁力搅拌温度为100-140℃,溶解时间为0.5-3小时。
进一步地,制备LiTaO3时,Li+与Ta5+的摩尔比为1:1,制备LiTa3O8时,Li+与Ta5+的摩尔比为1:3,反应时磁力搅拌温度为100-140℃,反应时间为4-48小时。反应后静置时间为24-72小时,制备的钽酸锂前驱体浓度为0.5-1.2mol/L。
进一步地,步骤(4)中热处理分三步进行:第一步使薄膜干燥,温度为180-250℃,时间5-30分钟;第二步使有机物裂解,温度为400-450℃,时间20-60分钟;第三步使薄膜结晶,温度为650-750℃,时间5-60分钟
进一步地,热处理时,通入氧气减少薄膜中因氧空位引起的缺陷,大气气氛中通入的氧气流量为2-4升/分钟。
进一步地,制备得到的钽酸锂薄膜的晶粒直径为10-60nm。
本发明提出了一种新型的溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜,采用醋酸锂与乙醇钽为反应物,采用高溶解度高粘度的1.2-丙二醇为溶剂,该方法具有以下优点: 可制备高浓度的钽酸锂前驱体溶液(浓度可达1mol/L),增加每次涂覆制备的薄膜厚度(100nm),因此可大大减少涂覆和热处理次数(制备600nm钽酸锂薄膜仅需涂覆6次);反应稳定,容易控制,无需在严格的干燥环境中进行;反应物无毒,反应过程中无有害物质生成;设备简单,成本低廉。采用本发明提出的溶胶凝胶法制备得到平均粒径为10-60nm的钽酸锂薄膜,薄膜具有均匀、平整、致密性好、热释电性能稳定等特点。
本发明与现有技术相比具有如下的有益效果:
本发明提出一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,采用醋酸锂与乙醇钽为反应物,采用高溶解度高粘度的1,2-丙二醇为溶剂。本发明提出的制备方法成本低、反应易于控制、可在普通大气条件下制备,制备的钽酸锂胶体稳定、浓度高,制备的钽酸锂薄膜均匀、平整、致密性好、热释电性能稳定,为薄膜材料热释电太赫兹探测器的研制提供有力支持。
附图说明
图1 钽酸锂制备流程图;
图2涂覆6次所测得的钽酸锂薄膜的XRD图;
图3涂覆6次所测得的钽酸锂薄膜的SEM剖面图。
具体实施方式
下面结合实施例与附图对本发明做近一步描述:
本发明提供一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,其制备流程包括:.将无水乙酸锂溶于高溶解度的溶剂中,加热并磁力搅拌至乙酸锂完全溶解;.在大气环境中,按Li+与Ta5+的摩尔比准确加入乙醇钽,磁力搅拌至前驱体充分反应,得到棕黄色透明胶体;③.采用旋涂法制备湿膜;.在氧气气氛下热处理使薄膜干燥并结晶;.重复③和至得到所需厚度的钽酸锂结晶薄膜。
将无水醋酸锂溶于二醇类有机物中,称取适量无水醋酸锂量取溶于二醇类有机物中,磁力搅拌至无水醋酸锂完全溶解。其中,无水乙酸锂与二醇类有机物的摩尔比为1:10-1:30,溶解时磁力搅拌温度为100-140℃,溶解时间为1-5小时。
将乙醇钽加入到的溶液中,制备LiTaO3时,控制Li+与Ta5+的摩尔比为1:1,制备LiTa3O8时,控制Li+与Ta5+的摩尔比为1:3,反应时磁力搅拌温度为100-140℃,反应时间为4-48小时,到棕黄色透明胶体。反应后静置24-72小时,制备的钽酸锂前驱体浓度为0.5-1.2mol/L。
采用旋涂法制备湿膜,将反应得到的胶体用匀胶机涂敷在衬底上。制备湿膜时,匀胶转速为200-600转/分,匀胶时间为10-30秒,甩胶转速为1500-4500转/分,甩胶时间为30-90秒。
在氧气气氛下热处理使薄膜干燥并结晶,热处理分三步进行:第一步使薄膜干燥,温度为180-250℃,时间5-30分钟;第二步使有机物裂解,温度为400-450℃,时间20-60分钟;第三步使薄膜结晶,温度为650-750℃,时间5-60分钟。热处理时,通入氧气减少薄膜中因氧空位引起的缺陷,大气气氛中通入的氧气流量为2-4升/分钟。
重复旋涂和热处理步骤得到所需厚度的钽酸锂结晶薄膜,重复次数为3-10次。
实施例1
一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,包括以下步骤:
(1)量取50mL 1,2-丙二醇装入三角烧瓶,称取99.99%的无水醋酸锂3.2995g加入1,2-丙二醇中,将三角烧瓶放入磁力搅拌机中,调节温度为120℃,转速为12rad/s,磁力搅拌3小时,使无水醋酸锂完全溶解;
(2)量取乙醇钽12.9709mL加入到步骤(1)的溶液中(Li+与Ta5+的摩尔比为1:1),调节温度为110℃,转速12rad/s,磁力搅拌48小时,得到棕黄色透明胶体。
(3)采用旋涂法制备湿膜。将步骤(2)得到的胶体用匀胶机涂敷在Si衬底上,旋涂时,调节匀胶转速为300转/分,匀胶时间为30秒,甩胶转速为3000转/分,甩胶时间为90秒。
(4)在氧气气氛下热处理使薄膜干燥并结晶,热处理分三步进行:第一步使薄膜干燥,温度为250℃,时间10分钟;第二步使有机物裂解,温度为400℃,时间30分钟;第三步使薄膜结晶,温度为680℃,时间10分钟。热处理时,通入氧气减少薄膜中因氧空位引起的缺陷,大气中通入的氧气流量为3升/分钟。
(5)重复步骤(3)和(4)5次得到所需厚度的钽酸锂结晶薄膜。采用场发射扫描电镜(SEM)测试得到薄膜的厚度为为670nm,如图1所示。采用原子力显微镜(AFM)测试获得薄膜的表面形貌图,如图2所示。X射线衍射仪(XRD)测试表明制备的薄膜为多晶钽酸锂薄膜,如图3所示。
实施例2
一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,包括以下步骤:
(1)量取50mL 1,2-丙二醇装入三角烧瓶,称取99.99%的无水醋酸锂3.2995g加入1,3-丙二醇中,将三角烧瓶放入磁力搅拌机中,调节温度为120℃,转速为12rad/s,磁力搅拌3小时,使无水醋酸锂完全溶解;
(2)量取乙醇钽12.9709mL加入到步骤(1)的溶液中(Li+与Ta5+的摩尔比为1:1),调节温度为110℃,转速12rad/s,磁力搅拌48小时,得到棕黄色透明胶体。
(3)采用旋涂法制备湿膜。将步骤(2)得到的胶体用匀胶机涂敷在Si衬底上,旋涂时,调节匀胶转速为500转/分,匀胶时间为30秒,甩胶转速为4500转/分,甩胶时间为90秒。
(4)在氧气气氛下热处理使薄膜干燥并结晶,热处理分三步进行:第一步使薄膜干燥,温度为250℃,时间10分钟;第二步使有机物裂解,温度为400℃,时间30分钟;第三步使薄膜结晶,温度为680℃,时间10分钟。热处理时,通入氧气减少薄膜中因氧空位引起的缺陷,大气中通入的氧气流量为5升/分钟。
(5)重复步骤(3)和(4)5次得到所需厚度的钽酸锂结晶薄膜。采用场发射扫描电镜(SEM)测试得到薄膜的厚度为为440nm。
Claims (8)
1.一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,其特征在于,其步骤如下:
(1)将无水乙酸锂溶于高溶解度的溶剂中,加热并磁力搅拌至乙酸锂完全溶解;
(2)在大气环境中,按Li+与Ta5+的摩尔比准确加入乙醇钽,磁力搅拌至前驱体充分反应,得到棕黄色透明胶体;
(3)采用旋涂法制备湿膜;
(4)在大气通氧气氛下热处理使薄膜干燥并结晶;
(5)重复(3)和(4)至得到所需厚度的钽酸锂结晶薄膜;
步骤(1)中所述的高溶解度的溶剂为1,2-丙二醇或1,3-丙二醇。
2.根据权利要求1所述的一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,其特征在于,步骤(3)中旋涂制备的钽酸锂薄膜厚度为50-150nm。
3.根据权利要求1所述的一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,其特征在于,步骤(3)中涂覆条件为匀胶转速为200-600转/分,匀胶时间为10-30秒,甩胶转速为1500-4500转/分,甩胶时间为30-90秒。
4.根据权利要求1所述的一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,其特征在于,步骤(1)中无水乙酸锂与溶剂的摩尔比为1:10-1:30,溶解时磁力搅拌温度为100-140℃,溶解时间为0.5-3小时。
5.根据权利要求1所述的一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,其特征在于,制备LiTaO3时,Li+与Ta5+的摩尔比为1:1,制备LiTa3O8时,Li+与Ta5+的摩尔比为1:3,反应时磁力搅拌温度为100-140℃,反应时间为4-48小时,反应后静置时间为24-72小时,制备的钽酸锂前驱体浓度为0.5-1.2mol/L。
6.根据权利要求1所述的一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,其特征在于,步骤(4)中热处理分三步进行:第一步使薄膜干燥,温度为180-250℃,时间5-30分钟;第二步使有机物裂解,温度为400-450℃,时间20-60分钟;第三步使薄膜结晶,温度为650-750℃,时间5-60分钟。
7.根据权利要求6所述的一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,其特征在于,热处理时,通入氧气,大气气氛中通入的氧气流量为2-4升/分钟。
8.根据权利要求1所述的一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,其特征在于,制备得到的钽酸锂薄膜的晶粒直径为10-60nm。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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---|---|---|---|
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Country | Link |
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CN (1) | CN103011813B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109004059B (zh) * | 2017-06-26 | 2019-11-05 | 苏州科技大学 | 宽温带太赫兹波探测器 |
CN107331600A (zh) * | 2017-07-10 | 2017-11-07 | 苏州益可泰电子材料有限公司 | 光波检测用衬底及其制备方法 |
CN112891628B (zh) * | 2021-01-27 | 2022-06-14 | 南充市中心医院 | 一种促进细胞生长防裂纹涂层及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101246055A (zh) * | 2008-03-13 | 2008-08-20 | 电子科技大学 | 钽酸锂薄膜红外探测器及制法 |
CN101265094A (zh) * | 2008-03-13 | 2008-09-17 | 电子科技大学 | 热释电钽酸锂LiTa3O8薄膜及其制备工艺 |
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Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
张熙 等.钽酸锂薄膜溶胶凝胶制备工艺研究.《电子元件与材料》.2007,第26卷(第10期),第29-32页. |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN103011813A (zh) | 2013-04-03 |
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