JPH0529283A - 斜めエツチング方法 - Google Patents
斜めエツチング方法Info
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- JPH0529283A JPH0529283A JP20629991A JP20629991A JPH0529283A JP H0529283 A JPH0529283 A JP H0529283A JP 20629991 A JP20629991 A JP 20629991A JP 20629991 A JP20629991 A JP 20629991A JP H0529283 A JPH0529283 A JP H0529283A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドライエチング方法において、所望の方向に
傾斜した所望の形状のトレンチを所望の場所に容易にで
きるようにし、また、マスク寸法のバラツキが少なくな
るようにする。 【構成】 ドライエッチングにより被エッチング材に傾
斜したトレンチを形成する斜めエッチング方法におい
て、被エッチング材１上に、トレンチの開口部となる部
分を挟んで、加熱流動性を示す第１のマスク材からなる
第１のエッチングストッパ−層７ｂと、第１のマスク材
からなる層７ａ上に第１のマスク材よりも加熱流動性の
低い第２のマスク材からなる層８ａが積層している第２
のエッチングストッパ−層とを形成し、加熱により第１
のエッチングストッパ−層７ａを流動化させてその表面
を傾斜させ、テーパ７ｃを形成し、これをマスクとして
ドライエッチングする。
傾斜した所望の形状のトレンチを所望の場所に容易にで
きるようにし、また、マスク寸法のバラツキが少なくな
るようにする。 【構成】 ドライエッチングにより被エッチング材に傾
斜したトレンチを形成する斜めエッチング方法におい
て、被エッチング材１上に、トレンチの開口部となる部
分を挟んで、加熱流動性を示す第１のマスク材からなる
第１のエッチングストッパ−層７ｂと、第１のマスク材
からなる層７ａ上に第１のマスク材よりも加熱流動性の
低い第２のマスク材からなる層８ａが積層している第２
のエッチングストッパ−層とを形成し、加熱により第１
のエッチングストッパ−層７ａを流動化させてその表面
を傾斜させ、テーパ７ｃを形成し、これをマスクとして
ドライエッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ドライエッチングに
より被エッチング材に傾斜したトレンチを形成する斜め
エッチング方法に関する。
より被エッチング材に傾斜したトレンチを形成する斜め
エッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高集積化した半導体においては素子間分
離層が形成されるが、この場合素子間分離層周辺に生じ
る寄生サイリスタの導路長を長くしてラッチアップを防
止する等のために、素子間分離層を斜めに形成すること
がなされている。
離層が形成されるが、この場合素子間分離層周辺に生じ
る寄生サイリスタの導路長を長くしてラッチアップを防
止する等のために、素子間分離層を斜めに形成すること
がなされている。
【０００３】素子間分離層を斜めに形成するには、まず
傾斜したトレンチを形成し、次いでそのトレンチをシリ
コン酸化物等の絶縁物で充填すればよいが、傾斜したト
レンチを形成する方法としては、ＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜の
脆弱部分を利用する方法が提案されている（特開昭６１
−２６２３９号公報）。図３はこの方法の概略説明図で
ある。この方法によれば、同図の（ａ）に示したよう
に、Ｓｉ基板１上の所定部分に第１のＳｉＯ2 膜２をＣ
ＶＤ法により形成し、次いでそのＳｉＯ2 膜２を覆い被
すように第２のＳｉＯ2膜３をＣＶＤ法により形成す
る。次に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）において塩
素系ガスを使用し低圧でイオン性を高くしてエッチング
を施す。すると、ＳｉＯ2 膜３の段差部３ａは他の部分
に比べて脆弱なために速くエッチングされるので、同図
の（ｂ）に示すように開口断面が斜めになったエッチン
グマスクが形成される。そして引続きこのエッチングを
行うことにより、同図の（ｃ）に示すようにＳｉ基板１
中に傾斜したトレンチ４が形成される。
傾斜したトレンチを形成し、次いでそのトレンチをシリ
コン酸化物等の絶縁物で充填すればよいが、傾斜したト
レンチを形成する方法としては、ＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜の
脆弱部分を利用する方法が提案されている（特開昭６１
−２６２３９号公報）。図３はこの方法の概略説明図で
ある。この方法によれば、同図の（ａ）に示したよう
に、Ｓｉ基板１上の所定部分に第１のＳｉＯ2 膜２をＣ
ＶＤ法により形成し、次いでそのＳｉＯ2 膜２を覆い被
すように第２のＳｉＯ2膜３をＣＶＤ法により形成す
る。次に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）において塩
素系ガスを使用し低圧でイオン性を高くしてエッチング
を施す。すると、ＳｉＯ2 膜３の段差部３ａは他の部分
に比べて脆弱なために速くエッチングされるので、同図
の（ｂ）に示すように開口断面が斜めになったエッチン
グマスクが形成される。そして引続きこのエッチングを
行うことにより、同図の（ｃ）に示すようにＳｉ基板１
中に傾斜したトレンチ４が形成される。
【０００４】また、傾斜したトレンチを形成する他の方
法としては、基板上に、トレンチの開口部となる部分を
挟んで、耐エッチング性の異なる２つの層を対置させる
方法も提案されている（特開昭６１−２６２３９号公
報）。図５はこの方法の概略説明図であり、この方法に
よれば、まず同図の（ａ）に示したように、Ｓｉ基板１
上に、トレンチの開口部となる部分を挟んでＳｉＯ2 膜
５とそのＳｉＯ2 膜５より耐エッチングの低いフォトレ
ジスト膜６とを形成し、さらにそのフォトレジスト膜６
を加熱処理してその段差部６ａを傾斜させる。次いで、
このＳｉＯ2 膜５とフォトレジスト膜６とをエッチング
マスクとして反応性イオンエッチングを施すことによ
り、同図の（ｂ）に示したようにＳｉ基板１中に傾斜し
たトレンチ４を形成する。
法としては、基板上に、トレンチの開口部となる部分を
挟んで、耐エッチング性の異なる２つの層を対置させる
方法も提案されている（特開昭６１−２６２３９号公
報）。図５はこの方法の概略説明図であり、この方法に
よれば、まず同図の（ａ）に示したように、Ｓｉ基板１
上に、トレンチの開口部となる部分を挟んでＳｉＯ2 膜
５とそのＳｉＯ2 膜５より耐エッチングの低いフォトレ
ジスト膜６とを形成し、さらにそのフォトレジスト膜６
を加熱処理してその段差部６ａを傾斜させる。次いで、
このＳｉＯ2 膜５とフォトレジスト膜６とをエッチング
マスクとして反応性イオンエッチングを施すことによ
り、同図の（ｂ）に示したようにＳｉ基板１中に傾斜し
たトレンチ４を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示したＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜の脆弱部分を利用する方法で
は、第１のＳｉＯ2 膜２の周囲に形成される段差部３ａ
を利用するため、トレンチ４はＳｉＯ2 膜の周囲にルー
プ状に、かつトレンチ４底部がＳｉＯ2 膜２に近付く方
向でのみ形成される。図４は、この状態を表す上面図で
ある。したがって、所望の方向に傾斜したトレンチを所
望の場所にのみに形成することが困難となっていた。
示したＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜の脆弱部分を利用する方法で
は、第１のＳｉＯ2 膜２の周囲に形成される段差部３ａ
を利用するため、トレンチ４はＳｉＯ2 膜の周囲にルー
プ状に、かつトレンチ４底部がＳｉＯ2 膜２に近付く方
向でのみ形成される。図４は、この状態を表す上面図で
ある。したがって、所望の方向に傾斜したトレンチを所
望の場所にのみに形成することが困難となっていた。
【０００６】また、図５に示した耐エッチング性の異な
る２つの層を対置させる方法においても、実質的に２つ
の層を配置する際、フォトリソグラフィー法による合せ
ずれが発生し、対置させるマスク寸法を一定にすること
は困難であり、従ってトレンチ開口部の幅を一定にでき
ないという問題点があった。
る２つの層を対置させる方法においても、実質的に２つ
の層を配置する際、フォトリソグラフィー法による合せ
ずれが発生し、対置させるマスク寸法を一定にすること
は困難であり、従ってトレンチ開口部の幅を一定にでき
ないという問題点があった。
【０００７】この発明は以上のような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、所望の方向に傾斜した所
望の形状のトレンチを所望の場所に容易に形成できるよ
うにし、またマスク寸法のバラツキを少なくすることを
目的としている。
解決しようとするものであり、所望の方向に傾斜した所
望の形状のトレンチを所望の場所に容易に形成できるよ
うにし、またマスク寸法のバラツキを少なくすることを
目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の目的
を達成するため、ドライエッチングにより被エッチング
材に傾斜したトレンチを形成する斜めエッチング方法に
おいて、被エッチング材上に、トレンチの開口部となる
部分を挟んで、加熱流動性を示す第１のマスク材からな
る第１のエッチングストッパ−層と、第１のマスク材か
らなる層上に第１のマスク材よりも加熱流動性の低い第
２のマスク材からなる層が積層している第２のエッチン
グストッパ−層とを形成し、加熱により第１のエッチン
グストッパ−層を流動化させてその表面を傾斜させた
後、ドライエッチングすることを特徴とする斜めエッチ
ング方法を提供する。
を達成するため、ドライエッチングにより被エッチング
材に傾斜したトレンチを形成する斜めエッチング方法に
おいて、被エッチング材上に、トレンチの開口部となる
部分を挟んで、加熱流動性を示す第１のマスク材からな
る第１のエッチングストッパ−層と、第１のマスク材か
らなる層上に第１のマスク材よりも加熱流動性の低い第
２のマスク材からなる層が積層している第２のエッチン
グストッパ−層とを形成し、加熱により第１のエッチン
グストッパ−層を流動化させてその表面を傾斜させた
後、ドライエッチングすることを特徴とする斜めエッチ
ング方法を提供する。
【０００９】この発明の方法は、加熱流動性の異なる２
種のマスク材を組み合わせて使用することにより、トレ
ンチの開口部となるべき部分を挟んで一方の側のみのマ
スク断面を容易に傾斜させられるようにし、それにより
所望トレンチを形成するのに必要なエッチングマスクを
容易に形成できるようにしたものである。
種のマスク材を組み合わせて使用することにより、トレ
ンチの開口部となるべき部分を挟んで一方の側のみのマ
スク断面を容易に傾斜させられるようにし、それにより
所望トレンチを形成するのに必要なエッチングマスクを
容易に形成できるようにしたものである。
【００１０】ここで、加熱流動性を示す第１のマスク材
としては、ボロンとリンを含有した二酸化シリコン（Ｂ
ＰＳＧ）、リンを含有した二酸化シリコン（ＰＳＧ）、
ヒ素含有した二酸化シリコン（ＡｓＳＧ）等を使用する
ことができる。
としては、ボロンとリンを含有した二酸化シリコン（Ｂ
ＰＳＧ）、リンを含有した二酸化シリコン（ＰＳＧ）、
ヒ素含有した二酸化シリコン（ＡｓＳＧ）等を使用する
ことができる。
【００１１】また、第１のマスク材よりも加熱流動性の
低い第２のマスク材としては、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、Ａｓ
ＳＧであって第１のマスク材よりも不純部物濃度が低い
もの、二酸化シリコン、窒化シリコン等を使用すること
ができる。
低い第２のマスク材としては、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、Ａｓ
ＳＧであって第１のマスク材よりも不純部物濃度が低い
もの、二酸化シリコン、窒化シリコン等を使用すること
ができる。
【００１２】この発明の方法では、このようなマスク材
を使用して、まず、被エッチング材上に、トレンチの開
口部となる部分を挟んで、一方の側に第１のマスク材か
らなる第１のエッチングストッパ−層を形成すると共
に、他方の側には第１のマスク材からなる層上に第２の
マスク材からなる層が積層している第２のエッチングス
トッパ−層とを形成するが、このような第１のエッチン
グストッパ−層と第２のエッチングストッパ−層の形成
方法については特に制限はなく、種々の方法で形成する
ことができる。
を使用して、まず、被エッチング材上に、トレンチの開
口部となる部分を挟んで、一方の側に第１のマスク材か
らなる第１のエッチングストッパ−層を形成すると共
に、他方の側には第１のマスク材からなる層上に第２の
マスク材からなる層が積層している第２のエッチングス
トッパ−層とを形成するが、このような第１のエッチン
グストッパ−層と第２のエッチングストッパ−層の形成
方法については特に制限はなく、種々の方法で形成する
ことができる。
【００１３】例えば、被エッチング材上に第１のマスク
材からなる層と第２のマスク材からなる層とを順次積層
することにより積層膜を形成し、次に被エッチング材の
トレンチの開口部に対応する積層膜をエッチングにより
除去する。なお、この場合にエッチングにより除去する
形状は形成すべきトレンチの形状に応じて適宜定めるこ
とができる。例えば、被エッチング材に溝型のトレンチ
を形成する場合には積層膜を溝型に除去すればよく、ま
た被エッチング材に筒型のトレンチを形成する場合には
積層膜を筒型に除去すればよい。また、このような積層
膜の選択的除去は、積層膜上にフォトリソグラフィによ
りレジストパターンを形成し、その後エッチングするこ
とにより容易に行うことができる。
材からなる層と第２のマスク材からなる層とを順次積層
することにより積層膜を形成し、次に被エッチング材の
トレンチの開口部に対応する積層膜をエッチングにより
除去する。なお、この場合にエッチングにより除去する
形状は形成すべきトレンチの形状に応じて適宜定めるこ
とができる。例えば、被エッチング材に溝型のトレンチ
を形成する場合には積層膜を溝型に除去すればよく、ま
た被エッチング材に筒型のトレンチを形成する場合には
積層膜を筒型に除去すればよい。また、このような積層
膜の選択的除去は、積層膜上にフォトリソグラフィによ
りレジストパターンを形成し、その後エッチングするこ
とにより容易に行うことができる。
【００１４】積層膜を選択的的に除去した後は、その除
去部分（すなわち被エッチング材のトレンチの開口部と
なる部分）を囲う積層膜の一部の領域から形成すべきト
レンチの形状に応じて適宜第２のマスク材からなる層を
除去する。例えば、被エッチング材に溝型のトレンチを
形成する場合には積層膜を溝型に除去した後、その溝部
を挟んで一方の側の積層膜の第２のマスク材からなる層
を除去すればよく、また、筒型のトレンチを形成する場
合には、積層膜を筒型に除去した後、その筒の周囲を適
宜２分割して一方の側の積層膜の第２のマスク材からな
る層を除去すればよい。なお、このような第２のマスク
材からなる層の除去もフォトリソグラフィでレジストパ
ターンを形成し、エッチングすることにより容易に行う
ことができる。
去部分（すなわち被エッチング材のトレンチの開口部と
なる部分）を囲う積層膜の一部の領域から形成すべきト
レンチの形状に応じて適宜第２のマスク材からなる層を
除去する。例えば、被エッチング材に溝型のトレンチを
形成する場合には積層膜を溝型に除去した後、その溝部
を挟んで一方の側の積層膜の第２のマスク材からなる層
を除去すればよく、また、筒型のトレンチを形成する場
合には、積層膜を筒型に除去した後、その筒の周囲を適
宜２分割して一方の側の積層膜の第２のマスク材からな
る層を除去すればよい。なお、このような第２のマスク
材からなる層の除去もフォトリソグラフィでレジストパ
ターンを形成し、エッチングすることにより容易に行う
ことができる。
【００１５】この発明の方法においては、被エッチング
材上に、トレンチの開口部となる部分を挟んで、第１の
エッチングストッパ−層と第２のエッチングストッパ−
層とを形成した後は加熱する。この場合、加熱温度は、
表面が加熱流動性の低い第２のマスク材からなる第２の
エッチングストッパ−層は流動化しないが、表面が加熱
流動性の第１のマスク材からなる第１のエッチングスト
ッパ−層は流動化する温度とする。これにより、トレン
チの開口部となる部分を囲う第２のエッチングストッパ
−層の表面は傾斜させることなく第１のエッチングスト
ッパ−層の表面を傾斜させることができ、斜めエッチン
グのマスクとして好適なエッチングマスクを得ることが
可能となる。
材上に、トレンチの開口部となる部分を挟んで、第１の
エッチングストッパ−層と第２のエッチングストッパ−
層とを形成した後は加熱する。この場合、加熱温度は、
表面が加熱流動性の低い第２のマスク材からなる第２の
エッチングストッパ−層は流動化しないが、表面が加熱
流動性の第１のマスク材からなる第１のエッチングスト
ッパ−層は流動化する温度とする。これにより、トレン
チの開口部となる部分を囲う第２のエッチングストッパ
−層の表面は傾斜させることなく第１のエッチングスト
ッパ−層の表面を傾斜させることができ、斜めエッチン
グのマスクとして好適なエッチングマスクを得ることが
可能となる。
【００１６】この発明の方法は、以上のようにして形成
されるマスクを使用して、反応性イオンエッチング、プ
ラズマエッチング、スパッタエッチング等種々のドライ
エッチング方法で実施することができるが、特に反応性
イオンエッチングにより好適に実施することができる。
されるマスクを使用して、反応性イオンエッチング、プ
ラズマエッチング、スパッタエッチング等種々のドライ
エッチング方法で実施することができるが、特に反応性
イオンエッチングにより好適に実施することができる。
【００１７】
【作用】この発明の斜めエッチング方法においては、被
エッチング材上に、トレンチの開口部となる部分を挟ん
で、加熱流動性を示す第１のマスク材からなる第１のエ
ッチングストッパ−層と、第１のマスク材からなる層上
に第１のマスク材よりも加熱流動性の低い第２のマスク
材からなる層が積層している第２のエッチングストッパ
−層とを形成し、加熱する。しがって、使用するマスク
材に応じて加熱温度を適宜定めることにより、表面が加
熱流動性の低い第２のマスク材からなる第２のエッチン
グストッパ−層は流動化させることなく、表面が加熱流
動性の第１のマスク材からなる第１のエッチングストッ
パ−層のみを流動性させ、その第１のエッチングストッ
パ−層の表面のみを傾斜させることが容易にでき、よっ
て、斜めエッチングに好適なマスクを容易に形成するこ
とが可能となる。
エッチング材上に、トレンチの開口部となる部分を挟ん
で、加熱流動性を示す第１のマスク材からなる第１のエ
ッチングストッパ−層と、第１のマスク材からなる層上
に第１のマスク材よりも加熱流動性の低い第２のマスク
材からなる層が積層している第２のエッチングストッパ
−層とを形成し、加熱する。しがって、使用するマスク
材に応じて加熱温度を適宜定めることにより、表面が加
熱流動性の低い第２のマスク材からなる第２のエッチン
グストッパ−層は流動化させることなく、表面が加熱流
動性の第１のマスク材からなる第１のエッチングストッ
パ−層のみを流動性させ、その第１のエッチングストッ
パ−層の表面のみを傾斜させることが容易にでき、よっ
て、斜めエッチングに好適なマスクを容易に形成するこ
とが可能となる。
【００１８】また、こうして形成されるマスクを使用し
てドライエッチングすることにより、エッチングが深く
被エッチング材中に進行するにしたがって第１のエッチ
ングストッパ−層側から第２のエッチングストッパ−層
側へ傾斜したトレンチを形成することが可能となる。
てドライエッチングすることにより、エッチングが深く
被エッチング材中に進行するにしたがって第１のエッチ
ングストッパ−層側から第２のエッチングストッパ−層
側へ傾斜したトレンチを形成することが可能となる。
【００１９】この発明の方法により形成されるトレンチ
の位置、傾斜方向および形状は、被エッチング材上にお
ける第１のエッチングストッパ−層と第２のエッチング
ストッパ−層の形成位置や、トレンチの開口部に相当す
るために除去されたエッチングストッパ−層部分の形状
に応じて定まることとなるが、第１のエッチングストッ
パ−層や第２のエッチングストッパ−層は容易に被エッ
チング材上の所望の位置に所望のパターンで形成するこ
とができる。したがって、この発明の方法によれば、被
エッチング材の所望の位置に所望の方向に傾斜した所望
の形状のトレンチを容易に形成することが可能となる。
の位置、傾斜方向および形状は、被エッチング材上にお
ける第１のエッチングストッパ−層と第２のエッチング
ストッパ−層の形成位置や、トレンチの開口部に相当す
るために除去されたエッチングストッパ−層部分の形状
に応じて定まることとなるが、第１のエッチングストッ
パ−層や第２のエッチングストッパ−層は容易に被エッ
チング材上の所望の位置に所望のパターンで形成するこ
とができる。したがって、この発明の方法によれば、被
エッチング材の所望の位置に所望の方向に傾斜した所望
の形状のトレンチを容易に形成することが可能となる。
【００２０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて具
体的に説明する。なお、各図中、同一符号は同一または
同等の構成要素を表している。 実施例１ 図１はこの発明の実施例の説明図である。この実施例に
おいては、シリコン基板１上に、加熱流動性を示す第１
のマスク材の層として、ボロンとリンをそれぞれ４％含
有している第１の二酸化シリコン膜７を１μｍ形成し
た。この上に、この第１のマスク材よりも加熱流動性の
低い第２のマスク材の層として、ボロンやリン等の不純
物を含有していない第２の二酸化シリコン膜８を１００
ｎｍ形成した。さらに、その上にレジスト層を形成し、
フォトリソグラフィ法により、基板１に形成すべきトレ
ンチの開口部に相当するレジストパタ−ン９を形成した
（同図の（ａ））。
体的に説明する。なお、各図中、同一符号は同一または
同等の構成要素を表している。 実施例１ 図１はこの発明の実施例の説明図である。この実施例に
おいては、シリコン基板１上に、加熱流動性を示す第１
のマスク材の層として、ボロンとリンをそれぞれ４％含
有している第１の二酸化シリコン膜７を１μｍ形成し
た。この上に、この第１のマスク材よりも加熱流動性の
低い第２のマスク材の層として、ボロンやリン等の不純
物を含有していない第２の二酸化シリコン膜８を１００
ｎｍ形成した。さらに、その上にレジスト層を形成し、
フォトリソグラフィ法により、基板１に形成すべきトレ
ンチの開口部に相当するレジストパタ−ン９を形成した
（同図の（ａ））。
【００２１】次に、レジストパターン９をマスクとして
ＲＩＥ装置により、第１の二酸化シリコン膜７及び第２
の二酸化シリコン膜８をエッチングし（ＣＦ3 ／Ｏ2 ＝
７５／８ｓｃｃｍ、５０ｍｔｏｒｒ、１０００Ｗ）、そ
の後、酸素ガスを用いるのプラズマアッシング処理によ
りレジストパターン９を除去し、第１の二酸化シリコン
膜７及び第２の二酸化シリコン膜８からなる積層膜に溝
１０を形成した。
ＲＩＥ装置により、第１の二酸化シリコン膜７及び第２
の二酸化シリコン膜８をエッチングし（ＣＦ3 ／Ｏ2 ＝
７５／８ｓｃｃｍ、５０ｍｔｏｒｒ、１０００Ｗ）、そ
の後、酸素ガスを用いるのプラズマアッシング処理によ
りレジストパターン９を除去し、第１の二酸化シリコン
膜７及び第２の二酸化シリコン膜８からなる積層膜に溝
１０を形成した。
【００２２】次に、図１の（ｂ）に示すように、不純物
を含有していない第２の二酸化シリコン膜８のうち、溝
１０を挟んで図中右側の部分８ａ上にレジストパターン
を形成し、上述と同様のＲＩＥの条件でエッチングする
ことにより、図１の（ｃ）に示すように、第２の二酸化
シリコン膜８のうち、溝１０を挟んで図中左側の部分８
ｂを除去した。
を含有していない第２の二酸化シリコン膜８のうち、溝
１０を挟んで図中右側の部分８ａ上にレジストパターン
を形成し、上述と同様のＲＩＥの条件でエッチングする
ことにより、図１の（ｃ）に示すように、第２の二酸化
シリコン膜８のうち、溝１０を挟んで図中左側の部分８
ｂを除去した。
【００２３】この状態で窒素雰囲気中９００℃、３０分
の熱処理を行った。この熱処理条件は、ボロンとリンを
含有している第１の二酸化シリコン膜７は流動性を示す
が、不純物を含有していない第２の二酸化シリコン膜８
はほとんど流動性を示さない条件である。したがってこ
の熱処理により、図１の（ｄ）に示すように、溝１０を
挟んで図中左側の第１の二酸化シリコン膜７は流動によ
り表面が傾斜し、テーパ７ｃが形成されるが、溝１０を
挟んで図中右側の表面が第２の二酸化シリコン膜８と第
１の二酸化シリコン膜７とからなる積層膜は流動化せ
ず、表面にテーパは形成されなかった。
の熱処理を行った。この熱処理条件は、ボロンとリンを
含有している第１の二酸化シリコン膜７は流動性を示す
が、不純物を含有していない第２の二酸化シリコン膜８
はほとんど流動性を示さない条件である。したがってこ
の熱処理により、図１の（ｄ）に示すように、溝１０を
挟んで図中左側の第１の二酸化シリコン膜７は流動によ
り表面が傾斜し、テーパ７ｃが形成されるが、溝１０を
挟んで図中右側の表面が第２の二酸化シリコン膜８と第
１の二酸化シリコン膜７とからなる積層膜は流動化せ
ず、表面にテーパは形成されなかった。
【００２４】こうして得られたパターンをマスクとして
ＲＩＥ装置によりシリコン基板１をエッチングした。そ
の結果、図１の（ｅ）に示すように傾斜したトレンチ４
を形成することができた。 実施例２ 実施例１と同様にして、図２の（ａ）に示すように、ボ
ロンとリンを含有している第１の二酸化シリコン膜７と
不純物を含有していない第２の二酸化シリコン膜８から
なる複数のパターンをシリコン基板１に形成した。そし
て加熱処理することにより、図２の（ｂ）に示すよう
に、第２の二酸化シリコン膜８を表面に形成しなかった
第１の二酸化シリコン膜７が流動化し、その表面が傾斜
してテーパが形成された。
ＲＩＥ装置によりシリコン基板１をエッチングした。そ
の結果、図１の（ｅ）に示すように傾斜したトレンチ４
を形成することができた。 実施例２ 実施例１と同様にして、図２の（ａ）に示すように、ボ
ロンとリンを含有している第１の二酸化シリコン膜７と
不純物を含有していない第２の二酸化シリコン膜８から
なる複数のパターンをシリコン基板１に形成した。そし
て加熱処理することにより、図２の（ｂ）に示すよう
に、第２の二酸化シリコン膜８を表面に形成しなかった
第１の二酸化シリコン膜７が流動化し、その表面が傾斜
してテーパが形成された。
【００２５】これをマスクとしてＲＩＥ装置によりシリ
コン基板１をエッチングした。その結果、図２の（ｃ）
に示すように所定の方向に傾斜させた複数のトレンチ４
を形成することができた。
コン基板１をエッチングした。その結果、図２の（ｃ）
に示すように所定の方向に傾斜させた複数のトレンチ４
を形成することができた。
【００２６】
【発明の効果】この発明のドライエチング方法によれ
ば、所望の方向に傾斜した所望の形状のトレンチを所望
の場所に容易に形成することが可能となる。また、マス
ク寸法を一定にすることもできる。
ば、所望の方向に傾斜した所望の形状のトレンチを所望
の場所に容易に形成することが可能となる。また、マス
ク寸法を一定にすることもできる。
【図１】この発明の実施例の説明図である。
【図２】この発明の他の実施例の説明図である。
【図３】従来の斜めエッチグ方法の説明図である。
【図４】従来の斜めエッチングにより形成されるパタ−
ンの上面図である。
ンの上面図である。
【図５】従来の他の斜めエッチグ方法の説明図である。
１ 基板 ４ トレンチ ７ ボロンとリンを含有している第１の二酸化シリコ
ン膜 ７ａ７ｂ、 第１の二酸化シリコン膜の一部 ７ｃ テーパ ８ 不純物を含有していない第２の二酸化シリコン膜 ８ａ、８ｂ 第２の二酸化シリコン膜の一部 １０ 溝
ン膜 ７ａ７ｂ、 第１の二酸化シリコン膜の一部 ７ｃ テーパ ８ 不純物を含有していない第２の二酸化シリコン膜 ８ａ、８ｂ 第２の二酸化シリコン膜の一部 １０ 溝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ドライエッチングにより被エッチング材
に傾斜したトレンチを形成する斜めエッチング方法にお
いて、被エッチング材上に、トレンチの開口部となる部
分を挟んで、加熱流動性を示す第１のマスク材からなる
第１のエッチングストッパ−層と、第１のマスク材から
なる層上に第１のマスク材よりも加熱流動性の低い第２
のマスク材からなる層が積層している第２のエッチング
ストッパ−層とを形成し、加熱により第１のエッチング
ストッパ−層を流動化させてその表面を傾斜させた後、
ドライエッチングすることを特徴とする斜めエッチング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20629991A JPH0529283A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 斜めエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20629991A JPH0529283A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 斜めエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529283A true JPH0529283A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16521005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20629991A Pending JPH0529283A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 斜めエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529283A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841452B2 (en) | 2002-12-05 | 2005-01-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of forming device isolation trench |
| US6913705B2 (en) * | 2002-02-21 | 2005-07-05 | Fujitsu Limited | Manufacturing method for optical integrated circuit having spatial reflection type structure |
| JP2008074020A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Fujifilm Corp | 液体吐出ヘッドの製造方法及び画像形成装置 |
| US8337712B2 (en) | 2007-05-15 | 2012-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming etching mask, method for fabricating three-dimensional structure and method for fabricating three-dimensional photonic crystalline laser device |
| JP2014078590A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 半導体素子の製造方法及び半導体素子 |
| CN112805812A (zh) * | 2018-10-12 | 2021-05-14 | 应用材料股份有限公司 | 具有深度调制角度光栅的光学组件及其形成方法 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP20629991A patent/JPH0529283A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2014078590A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 半導体素子の製造方法及び半導体素子 |
| CN112805812A (zh) * | 2018-10-12 | 2021-05-14 | 应用材料股份有限公司 | 具有深度调制角度光栅的光学组件及其形成方法 |
| CN112805812B (zh) * | 2018-10-12 | 2024-03-29 | 应用材料股份有限公司 | 在基板中形成斜角结构的方法及形成光学光栅的方法 |
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