JPH0529138U - 半導体ウエハ−のリンス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来、キャリア内に収められた半導体ウェハ
−をゆすぎ洗いするリンス装置はリンス液体が導入され
且つ頂部からオ−バ−フロ−するリンス槽が用いられ、
該槽内には支持枠とその下にバブラ−が設置され、その
支持枠上にキァリアがセットされたため槽内に導入され
た液体が半導体ウェハ−に接触するまでに或る時間を要
した。本考案はリンス槽内にセットされたウェハ−が早
く液体に接触し、前工程で付着した薬品の影響を受けな
いようにした。 【構成】 本考案は従来用いられた支持枠を用いないで
バブラ−上に直接キャリアをセットするようにし、キャ
リアをリンス槽の底部に一層近づけたものである。その
ためバブラ−は互に平行に且つ水平に設置される一対の
メイン管１１と、各メイン管の両側から突出するブラン
チ管１２と、各ブランチ管先端の発泡部１３を含み、各
メイン管の頂部に扁平部が設けられ、該扁平部の上にキ
ャリアの脚部が置かれるようになっている。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案はエッチングなどのように薬品で処理された後の半導体ウェハ−をゆす ぎ洗いするリンス装置の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来、薬品で処理された後の半導体ウェハ−は１ロットとして扱われる適当枚 数がキャリア内に収められた状態で、リンス用液体、即ち純水またはリンス用薬 品を含む液が入った槽内に浸漬されて洗浄される。図６はそのような従来のリン ス装置の一例を示すものであって、図において、１はリンス槽であり、その内に 支持枠２およびその下にバブラ−３が設置され、支持枠２の上に置かれたキャリ ア４に対しその下で気泡を発生し、槽内の液体を撹拌するようになっている。

【０００３】 リンス槽１にはその底部にリンス用液体を受け入れる導入口５があり、且つ頂 部からオ−バ−フロ−した液体を受ける樋６が在る。槽１からオ−バ−フロ−し て樋６に受けられた液体は配管によりポンプ７およびフィルタ−８を通って再び 導入口５からリンス槽内に導入され、循環する。なお、水または純水を使用する リンス槽の場合は循環しないで排水する。支持枠２にはキャリア４を支持枠上の 所定位置に載置するためのキャリアガイド９が備えられる。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

上記のように従来のリンス装置では支持枠２が用いられ、該支持枠上にキャリ ア４が支持され且つ支持枠の下にバブラ−３が配置されたためリンス槽１の底部 とキャリア４との間に或る程度の距離があり、通常約６〜８cm離れており、従っ てそのように離れている分だけ導入口５から槽内に入る液体がキャリア内の半導 体ウエハ−に接触するまでに時間がかかる。

【０００５】 一例ではリンス用液体としての純水がリンス槽内に１０〜２０リットル／分で 導入され、その場合、槽内に導入され始めてからオ−バ−フロ−するまでに１分 〜１分２０秒程度を要し、また槽内に導入され始めてから液体が半導体ウェハ− に接触するまでに１０〜２０秒を要し、その間に半導体ウェハ−は例えばエッチ ング液による腐食が進行するなど、付着していた薬品によって影響を受けるとい う問題点があった。

【０００６】 本考案の目的は上記従来技術の問題点を解消することであって、それ故、リン ス槽内の所定位置に設置されたキャリア内の半導体ウェハ−がリンス用の液体に 早く接触し、ゆすぎ洗いを早く行ない得るようにした半導体ウェハ−のリンス装 置を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

本考案による半導体ウェハ−のリンス装置はリンス槽１とその内に設置される バブラ−１０およびキャリアガイド９から構成され、該バブラ−は互に平行に且 つ水平に設置される一対のメイン管１１と各メイン管の両側から突出しそれぞれ 先端に発泡部１３があるブランチ管１２からなり、各メイン管の頂部には扁平部 １１ａがあってその上にキャリア４の脚部が載置されるように構成されているこ とである。

【０００８】

【作用】

このリンス装置では半導体ウェハ−を収めたキャリアは直接バブラ−１０のメ イン管１１上に設置されるので、キャリア４はリンス槽の底部に一層近くなり、 従って底部に近づいた分だけ早くリンス用の液体に接触し、付着していた薬品を 早く落すことになるので薬品による影響が少なくなる。また、バブラ−から発生 する気泡は支持枠を介さないでキャリア内に入るので、一層有効に作用し、キャ リア内の半導体ウェハ−と液体の接触を促進する。

【０００９】

【実施例】

次に図面を参照のもとに本考案の実施例に関し説明する。図１および図２は本 考案によるリンス装置の全体を示すものであって、この装置もリンス用の液体を 底部の導入口５または上部に備えられる導入管５ａから受け入れてオ−バ−フロ −するリンス槽１を含む。またリンス槽内にはバブラ−１０が設置される。従来 の装置と異なり、このリンス装置では支持枠２は用いられない。従って、キャリ ア４はバブラ−１０の上に設置され、この構成が本考案を特徴づけている。なお 、図示の例では槽１に樋６が備えられ、オ−バ−フロ−した液体をそこで受け、 配管およびポンプにより循環するようになっているが、純水によるリンスの場合 は一般には循環しないのでポンプやフィルタ−を用いないで、使用後は排水する ようになっている。

【００１０】 本考案で用いられるバブラ−１０はその上にキャリア４を支持するため図３お よび図４に示すように、互に平行に且つ水平に設置される一対のメイン管１１と 、それらのメイン管の両側から突出するブランチ管１２と、各ブランチ管１２の 先端に設けられた発泡部１３からなり、各メイン管に接続する気体導入管１４に より窒素ガス、オゾンまたは空気などの気体がバブラ−１０に導入され、各発泡 部から気泡となって放出するようになっている。発泡部１３には気泡を発生する ためメッシュまたは細孔が設けられている。なお、リンス槽およびバブラ−はフ ッ素樹脂、石英またはＰＶＣなどで形成される。

【００１１】 図３に示すように、各ブランチ管１２は同じ長さであるのが好ましく、且つ好 ましくはメイン管の側部から水平に突出し、各列のブランチ管の発泡部１３は向 き合う列または反対側の列の発泡部１３に対しくい違い状に設けられるのが好ま しい。

【００１２】 図４に示すように、キャリア４はその脚部４ａで各メイン管１１の頂部に沿っ て載置される。そのため各メイン管の頂部に扁平部１１ａが設けられる。この扁 平部１１ａは図４に見られるようにメイン管１１の頂部外周面を扁平に形成する ことによって設けてもよいが、図５に示すようにメイン管の頂部に平板１５を固 定することによって設けてもよい。なお、平板１５は細長い一体のものまたは適 当な間隔で固定された複数の板片でもよい。

【００１３】 このようにキャリア４がメイン管上にセットされるので、メイン管１１にキャ リアガイド９が設置され、該キャリアガイドは図示のように複数の部材からなり 、キャリアをセットする際に案内し、メイン管上の所定位置に設置する役割を果 す。なお、好ましくはバブラ−の中央に沿ってウェハ−持上げ片１６が備えられ 、キャリアが所定位置にセットされると各ウェハ−の下端が該持上げ片に当って 若干浮き上がり、従ってウェハ−にデッドスペ−スになる部分を生じない。また 、メイン管１１の下に可調整の脚１７があり、これによりメイン管が水平に設置 される。

【００１４】 キャリア４に収められた半導体ウェハ−Ａを洗浄する際は該キャリアをリンス 槽１内のバブラ−のメイン管１１の上に載置し、それと同時に底部の導入口５ま たは上部からリンス用の液体を槽内に導入し且つオ−バ−フロ−させる。このよ うにキャリア４がバブラ−１０の上に設置されるので、リンス槽１の底部に一層 近くなり、従って液の導入によりウェハ−は早く液体に接触し、洗浄される。即 ち、従来用いられた支持枠２を用いなかったことにより、支持枠とバブラ−の高 さの差（図６において寸法ａ）だけキャリア４は底部に近づき、その分だけ早く 液体に接触し、例えば従来では液体の導入からウェハ−と液体の接触までに１０ 〜２０秒を要したものが本考案では５〜１０秒と時間が短縮される。

【００１５】 このようにリンス槽内にセットされた半導体ウェハ−が早く液体に接触するこ とにより、歩留りに関係するユニフォミティ（エッチングの均一性）が向上する 。即ちユニフォミティ値が小さくなる。一例としてバッファ−ド オキサイド エ ッチング（エッチング時間６０秒）後の水洗の場合、リンス槽内の半導体ウェハ −が２０秒後に液体に接触する場合と５秒後に接触する場合では、前者ではユニ フォミティ値が６.４８％であるのに対し、後者では２.３４％となる。

【００１６】

【考案の効果】 上記のように、本考案によれば、半導体ウェハ−を収めたキャリアは直接バブ ラ−上に設置されるので、リンス槽の底部に一層近い位置に置かれ、ウェハ−は 従来より早くリンス用の液体に接触し、前工程で付着した薬品を早く落すので、 それだけ薬品による影響を受けない。即ち、ユニフォミティを向上する。また、 従来用いられた支持枠を用いないので、バブラ−から生じる気泡は直接キャリア 内に入り、液体の撹拌に一層有効に作用し、ウェハ−と液体との接触を促進し、 ゆすぎ洗いを好適に行なう。従って、歩留りの向上に寄与する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一例による半導体ウェハ−のリンス装
置の縦断面図である。

【図２】同リンス装置の平面図である。

【図３】本考案で用いられるバブラ−の一例を示す平面
図である。

【図４】図３に示すバブラ−の端面図である。

【図５】バブラ−の他の実施例を示す端面図である。

【図６】従来の同様なリンス装置を示す縦断面図であ
る。

【符号の説明】

１ リンス槽 ４ キャリア ９ キャリアガイド １０ バブラ− １１ メイン管 １２ ブランチ管 １３ 発泡部

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【手続補正書】

【提出日】平成４年１０月６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一例による半導体ウェハーのリンス装
置の縦断面図である。

【図２】同リンス装置の平面図である。

【図３】本考案で用いられるバブラーの一例を示す平面
図である。

【図４】図３に示すバブラーの端面図である。

【図５】バブラーの他の実施例を示す端面図である。

【図６】従来の同様なリンス装置を示す縦断面図であ
る。

【符号の説明】 １ リンス槽 ４ キャリア ９ キャリアガイド １０ バブラー １１ メイン管 １２ ブランチ管 １３ 発泡部

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】全図

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 キャリア内に収められた半導体ウェハ−
   をゆすぎ洗いするためリンス用液体が導入され且つ頂部
   からオ−バ−フロ−するようになっているリンス槽と、
   前記リンス槽内の底部に在って気泡を発生するバブラ−
   と、前記キャリアを前記バブラ−上の所定位置に載置す
   るキャリアガイドを含み、前記バブラ−は互に平行に且
   つ水平に設置される一対のメイン管と、各前記メイン管
   の両側から突出するブランチ管および各前記ブランチ管
   の先端に設けられた発泡部からなり、各前記メイン管の
   頂部に扁平部が設けられ、該扁平部の上に前記キャリア
   の脚部が設置されるようになっている半導体ウェハ−の
   リンス装置。