JPH05291275A - 炭素ドーピングｐ型エピタキシャルＡｌＧａＡｓ層の製造方法とそれをベース層とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ - Google Patents
炭素ドーピングｐ型エピタキシャルＡｌＧａＡｓ層の製造方法とそれをベース層とするヘテロ接合バイポーラトランジスタInfo
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- JPH05291275A JPH05291275A JP8552492A JP8552492A JPH05291275A JP H05291275 A JPH05291275 A JP H05291275A JP 8552492 A JP8552492 A JP 8552492A JP 8552492 A JP8552492 A JP 8552492A JP H05291275 A JPH05291275 A JP H05291275A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ａｌ組成が変化してもドーピングされるＣの
濃度が一定であるＡｌＧａＡｓエピタキシャル層をＭＯ
ＣＶＤ法で製造する。 【構成】 Ｃドーピングｐ型エピタキシャルＡｌＧａＡ
ｓ層をＭＯＣＶＤ法で製造する際に、Ａｌ源として、Ａ
ｌとＣが直接結合していないＡｌ化合物を用いるＣドー
ピングｐ型エピタキシャルＡｌＧａＡｓ層の製造方法。 【効果】 Ａｌの組成傾斜を有し、高濃度のＣドーピン
グがなされているＡｌＧａＡｓ層を製造できるので、そ
の層をベース層とするＨＢＴは高速動作が可能になる。
濃度が一定であるＡｌＧａＡｓエピタキシャル層をＭＯ
ＣＶＤ法で製造する。 【構成】 Ｃドーピングｐ型エピタキシャルＡｌＧａＡ
ｓ層をＭＯＣＶＤ法で製造する際に、Ａｌ源として、Ａ
ｌとＣが直接結合していないＡｌ化合物を用いるＣドー
ピングｐ型エピタキシャルＡｌＧａＡｓ層の製造方法。 【効果】 Ａｌの組成傾斜を有し、高濃度のＣドーピン
グがなされているＡｌＧａＡｓ層を製造できるので、そ
の層をベース層とするＨＢＴは高速動作が可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、炭素ドーピングｐ型エ
ピタキシャルＡｌＧａＡｓ層の製造方法と、それをベー
ス層とするヘテロ接合バイポーラトランジスタに関し、
更に詳しくは、Ａｌの組成傾斜を有しかつＣ濃度が一定
であるＡｌＧａＡｓ層とそれをベース層にしたヘテロ接
合バイポーラトランジスタに関する。
ピタキシャルＡｌＧａＡｓ層の製造方法と、それをベー
ス層とするヘテロ接合バイポーラトランジスタに関し、
更に詳しくは、Ａｌの組成傾斜を有しかつＣ濃度が一定
であるＡｌＧａＡｓ層とそれをベース層にしたヘテロ接
合バイポーラトランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（he
terojunction bipolar transistor、以後、ＨＢＴとい
う）のベース層として、キャリア濃度が１×１０19cm-3
以上であるＡｌＧａＡｓの高濃度ｐ型ドーピング層が用
いられている。そして、このＡｌＧａＡｓ層は、通常、
有機金属化学気相成長法（Metal organic chemical vap
or deposition 、以後、ＭＯＣＶＤ法という）でＡｌＧ
ａＡｓ結晶をエピタキシャル成長させることにより成膜
されるが、従来はこの成膜操作時に、ＺｎやＢｅをドー
ピングして前記した高濃度のｐ型層にしている。
terojunction bipolar transistor、以後、ＨＢＴとい
う）のベース層として、キャリア濃度が１×１０19cm-3
以上であるＡｌＧａＡｓの高濃度ｐ型ドーピング層が用
いられている。そして、このＡｌＧａＡｓ層は、通常、
有機金属化学気相成長法（Metal organic chemical vap
or deposition 、以後、ＭＯＣＶＤ法という）でＡｌＧ
ａＡｓ結晶をエピタキシャル成長させることにより成膜
されるが、従来はこの成膜操作時に、ＺｎやＢｅをドー
ピングして前記した高濃度のｐ型層にしている。
【０００３】しかしながら、ＺｎやＢｅをドーピングし
て製造した高濃度ｐ型ドーピングＡｌＧａＡｓ層より
も、Ｃをドーピングして製造したｐ型ドーピングＡｌＧ
ａＡｓ層の方が、ＨＢＴのベース層として使用したとき
にそのデバイスの動作が安定するので、最近では、Ｃを
ドーピングすることにより高濃度ｐ型ドーピングＡｌＧ
ａＡｓ層の製造が行なわれている。
て製造した高濃度ｐ型ドーピングＡｌＧａＡｓ層より
も、Ｃをドーピングして製造したｐ型ドーピングＡｌＧ
ａＡｓ層の方が、ＨＢＴのベース層として使用したとき
にそのデバイスの動作が安定するので、最近では、Ｃを
ドーピングすることにより高濃度ｐ型ドーピングＡｌＧ
ａＡｓ層の製造が行なわれている。
【０００４】この場合、Ｃのドーピングは次のようにし
て進められる。すなわち、Ａｌ，ＧａのIII 族元素の原
料として例えば（ＣＨ3)3 Ｇａ，（ＣＨ3)3 Ａｌなどの
有機金属化合物を用い、Ａｓ源として例えば（ＣＨ3)3
Ａｓやアルシンを用いてＭＯＣＶＤ法を行なうときに、
Ｇａ源やＡｌ源のそれぞれの金属元素と直接結合してい
るメチル基などのアルキル基のＣを、未分解のままで、
成長させているＡｌＧａＡｓ結晶の中に取り込むという
方法である。
て進められる。すなわち、Ａｌ，ＧａのIII 族元素の原
料として例えば（ＣＨ3)3 Ｇａ，（ＣＨ3)3 Ａｌなどの
有機金属化合物を用い、Ａｓ源として例えば（ＣＨ3)3
Ａｓやアルシンを用いてＭＯＣＶＤ法を行なうときに、
Ｇａ源やＡｌ源のそれぞれの金属元素と直接結合してい
るメチル基などのアルキル基のＣを、未分解のままで、
成長させているＡｌＧａＡｓ結晶の中に取り込むという
方法である。
【０００５】ところで、ＡｌＧａＡｓ層をＨＢＴのｐ型
ベース層として用いる場合、そのベース層として、Ａｌ
の組成傾斜が形成されているＡｌＧａＡｓ層を用いる
と、ＨＢＴの高電流増幅率が得られ、かつ、高速動作が
可能となることが知られている。このようなｐ型ベース
層を含むＨＢＴとしては、次のような構造のものが代表
例として知られている。
ベース層として用いる場合、そのベース層として、Ａｌ
の組成傾斜が形成されているＡｌＧａＡｓ層を用いる
と、ＨＢＴの高電流増幅率が得られ、かつ、高速動作が
可能となることが知られている。このようなｐ型ベース
層を含むＨＢＴとしては、次のような構造のものが代表
例として知られている。
【０００６】すなわち、ＧａＡｓ基板の上に、Ｓｉをド
ーパントとしキャリア濃度が３×１０18cm-3のＧａＡｓ
から成る厚み５０００Åのサブコレクタ層、Ｓｉをドー
パントとしキャリア濃度が２×１０16cm-3のＧａＡｓか
ら成る厚み５０００Åのコレクタ層、Ｃをドーパントと
しキャリア濃度が４×１０19cm-3のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ
（０≦ｘ≦0.１）から成る厚み１０００Åのベース層、
Ｓｉをドーパントとしキャリア濃度が３×１０17cm-3の
Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓから成る厚み２０００Åのエミッ
タ層、および、Ｓｉをドーパントとしキャリア濃度が３
×１０18cm-3のＧａＡｓから成る厚み１０００Åのキャ
ップ層をこの順序でＭＯＣＶＤ法によって積層したもの
である。
ーパントとしキャリア濃度が３×１０18cm-3のＧａＡｓ
から成る厚み５０００Åのサブコレクタ層、Ｓｉをドー
パントとしキャリア濃度が２×１０16cm-3のＧａＡｓか
ら成る厚み５０００Åのコレクタ層、Ｃをドーパントと
しキャリア濃度が４×１０19cm-3のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ
（０≦ｘ≦0.１）から成る厚み１０００Åのベース層、
Ｓｉをドーパントとしキャリア濃度が３×１０17cm-3の
Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓから成る厚み２０００Åのエミッ
タ層、および、Ｓｉをドーパントとしキャリア濃度が３
×１０18cm-3のＧａＡｓから成る厚み１０００Åのキャ
ップ層をこの順序でＭＯＣＶＤ法によって積層したもの
である。
【０００７】この構造のＨＢＴの場合、ベース層におけ
るＡｌ組成が、コレクタ層からエミッタ層にかけて組成
比（原子比）で０〜0.１に組成制御しており、かつ、Ｃ
をドーパントにして前記した高濃度ｐ型ベース層になっ
ている。
るＡｌ組成が、コレクタ層からエミッタ層にかけて組成
比（原子比）で０〜0.１に組成制御しており、かつ、Ｃ
をドーパントにして前記した高濃度ｐ型ベース層になっ
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記した構造のＨＢＴ
の場合、そのｐ型ベース層では、厚み方向で変化するＡ
ｌ組成と無関係に、ベース層全体においては、ドーパン
トであるＣの濃度が一定であり、しかも再現性よく一定
濃度のＣがドーピングされていることが要求されてい
る。
の場合、そのｐ型ベース層では、厚み方向で変化するＡ
ｌ組成と無関係に、ベース層全体においては、ドーパン
トであるＣの濃度が一定であり、しかも再現性よく一定
濃度のＣがドーピングされていることが要求されてい
る。
【０００９】しかしながら、前記した従来のＭＯＣＶＤ
法でＣドーピングｐ型ＡｌＧａＡｓ層を製造すると、下
記の理由で上記した要求を満たすことが非常に困難とな
る。すなわち、従来の方法では、Ａｌ源が、（ＣＨ3)3
Ａｌのように、ＡｌとＣが直接結合している化合物を用
いているため、Ａｌ源の使用量を変化させることによ
り、成膜させつつあるＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層におけるＡ
ｌ組成を変えていくと、それに応じて、Ａｌx Ｇａ1-x
ＡｓにドーピングされてくるＣの量も変化していくから
である。
法でＣドーピングｐ型ＡｌＧａＡｓ層を製造すると、下
記の理由で上記した要求を満たすことが非常に困難とな
る。すなわち、従来の方法では、Ａｌ源が、（ＣＨ3)3
Ａｌのように、ＡｌとＣが直接結合している化合物を用
いているため、Ａｌ源の使用量を変化させることによ
り、成膜させつつあるＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層におけるＡ
ｌ組成を変えていくと、それに応じて、Ａｌx Ｇａ1-x
ＡｓにドーピングされてくるＣの量も変化していくから
である。
【００１０】本発明は上記した問題を解決することがで
きるＣドーピングｐ型エピタキシャルＡｌＧａＡｓ層の
製造方法と、そのＡｌＧａＡｓ層を用いることにより、
Ｃ濃度が一定で、しかもＡｌの組成傾斜を有するベース
層を備えたヘテロ接合パイポーラトランジスタの提供を
目的とする。
きるＣドーピングｐ型エピタキシャルＡｌＧａＡｓ層の
製造方法と、そのＡｌＧａＡｓ層を用いることにより、
Ｃ濃度が一定で、しかもＡｌの組成傾斜を有するベース
層を備えたヘテロ接合パイポーラトランジスタの提供を
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明においては、Ｃドーピングｐ型エピタキシ
ャルＡｌＧａＡｓ層をＭＯＣＶＤ法で製造する際に、Ａ
ｌ源として、ＡｌとＣが直接結合していないＡｌ化合物
を用いることを特徴とするＣドーピングｐ型エピタキシ
ャルＡｌＧａＡｓ層の製造方法が提供され、また、Ｃ濃
度が層内で一定になっているＡｌＧａＡｓ層をベース層
とすることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジ
スタが提供される。
ため、本発明においては、Ｃドーピングｐ型エピタキシ
ャルＡｌＧａＡｓ層をＭＯＣＶＤ法で製造する際に、Ａ
ｌ源として、ＡｌとＣが直接結合していないＡｌ化合物
を用いることを特徴とするＣドーピングｐ型エピタキシ
ャルＡｌＧａＡｓ層の製造方法が提供され、また、Ｃ濃
度が層内で一定になっているＡｌＧａＡｓ層をベース層
とすることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジ
スタが提供される。
【００１２】本発明方法では、ＭＯＣＶＤ法によって目
的とするＡｌＧａＡｓ層がエピタキシャル成長される。
その場合、Ｇａ源としては、従来と同じように、（ＣＨ
3)3 Ｇａ，（Ｃ2 Ｈ5) 3 Ｇａの有機金属化合物などが用
いられ、またＡｓ源としては（ＣＨ3)3 Ａｓやアルシン
などが用いられるが、Ａｌ源だけは、後述するようなＡ
ｌとＣが直接結合していないＡｌ化合物を用いる。
的とするＡｌＧａＡｓ層がエピタキシャル成長される。
その場合、Ｇａ源としては、従来と同じように、（ＣＨ
3)3 Ｇａ，（Ｃ2 Ｈ5) 3 Ｇａの有機金属化合物などが用
いられ、またＡｓ源としては（ＣＨ3)3 Ａｓやアルシン
などが用いられるが、Ａｌ源だけは、後述するようなＡ
ｌとＣが直接結合していないＡｌ化合物を用いる。
【００１３】このようなＡｌ化合物としては、例えばＡ
ｌＨ3 （アラン）のような水素化アルミニウムをあげる
ことができる。しかし、上記したＡｌＨ3 は極めて不安
定な化合物であるため、実際にＭＯＣＶＤ法を行なうと
きには、このアランに第一アミン，第二アミン，第三ア
ミンなどのアミンを配位結合させることによって安定化
して成る化合物が用いられる。このような化合物として
は、例えば、トリメチルアミンアラン（Ｈ3 ＡｌＮ（Ｃ
Ｈ3)3)，ジメチルエチルアミンアラン（Ｈ3 ＡｌＮ（Ｃ
Ｈ3)2 Ｃ2 Ｈ5)などをあげることができる。
ｌＨ3 （アラン）のような水素化アルミニウムをあげる
ことができる。しかし、上記したＡｌＨ3 は極めて不安
定な化合物であるため、実際にＭＯＣＶＤ法を行なうと
きには、このアランに第一アミン，第二アミン，第三ア
ミンなどのアミンを配位結合させることによって安定化
して成る化合物が用いられる。このような化合物として
は、例えば、トリメチルアミンアラン（Ｈ3 ＡｌＮ（Ｃ
Ｈ3)3)，ジメチルエチルアミンアラン（Ｈ3 ＡｌＮ（Ｃ
Ｈ3)2 Ｃ2 Ｈ5)などをあげることができる。
【００１４】なお、これらアランとアミンとの化合物は
容易に熱分解をするので、ＭＯＣＶＤ装置にＡｌ源とし
て供給したときに、装置内で熱分解してアランを生成す
る。そしてこのアランがＭＯＣＶＤにおけるＡｌ源とし
て機能する。本発明の方法におけるＣのドーピングは、
上記したＧａ源やＡｓ源に含まれているアルキル基中の
Ｃが、未分解のまま、成長しつつあるＡｌＧａＡｓのエ
ピタキシャル結晶層に取り込まれることは従来と同じで
ある。
容易に熱分解をするので、ＭＯＣＶＤ装置にＡｌ源とし
て供給したときに、装置内で熱分解してアランを生成す
る。そしてこのアランがＭＯＣＶＤにおけるＡｌ源とし
て機能する。本発明の方法におけるＣのドーピングは、
上記したＧａ源やＡｓ源に含まれているアルキル基中の
Ｃが、未分解のまま、成長しつつあるＡｌＧａＡｓのエ
ピタキシャル結晶層に取り込まれることは従来と同じで
ある。
【００１５】しかし、Ａｌ源のＡｌは直接Ｃと結合して
いないので、ＡｌＧａＡｓのエピタキシャル成長の際に
は、このＡｌ源からＣが混入してくることはない。した
がって、前記したＡｌの組成傾斜を有するＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓ層を成長させるときでも、Ｃのドーピングは、
Ａｌの組成変化と関係なく、Ｇａ源のＣやＡｓ源のＣで
行なわれることになる。そのため、Ｇａ源やＡｓ源の供
給量を所定値に設定すれば、得られたＡｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓはＡｌの組成傾斜を有するとともに、その層内にドー
ピングされているＣの濃度は供給したＧａ源やＡｓ源の
供給量に規定された一定値となる。
いないので、ＡｌＧａＡｓのエピタキシャル成長の際に
は、このＡｌ源からＣが混入してくることはない。した
がって、前記したＡｌの組成傾斜を有するＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓ層を成長させるときでも、Ｃのドーピングは、
Ａｌの組成変化と関係なく、Ｇａ源のＣやＡｓ源のＣで
行なわれることになる。そのため、Ｇａ源やＡｓ源の供
給量を所定値に設定すれば、得られたＡｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓはＡｌの組成傾斜を有するとともに、その層内にドー
ピングされているＣの濃度は供給したＧａ源やＡｓ源の
供給量に規定された一定値となる。
【００１６】
実施例１ Ｇａ源として（ＣＨ3)3 Ｇａ、Ａｌ源としてＨ3 ＡｌＮ
（ＣＨ3)3、Ａｓ源としてアルシンを用い、ＭＯＣＶＤ
装置内でＧａＡｓ基板の上にＣドーピングＡｌＧａＡｓ
の薄膜を成膜した。
（ＣＨ3)3、Ａｓ源としてアルシンを用い、ＭＯＣＶＤ
装置内でＧａＡｓ基板の上にＣドーピングＡｌＧａＡｓ
の薄膜を成膜した。
【００１７】成膜の条件は、Ｈ3 ＡｌＮ（ＣＨ3)3／
（ＣＨ3)3 Ｇａは１０％（気相比）とし、アルシン／
（Ｈ3 ＡｌＮ（ＣＨ3)3＋（ＣＨ3)3 Ｇａ）は２（モル
比）とし、成長温度５６０℃、成長圧力１気圧、成長時
間４０分とした。得られたＡｌＧａＡｓ薄膜は、厚みが
1.２μｍでＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓの組成を有し、またキ
ャリア濃度は５×１０19cm-3であった。
（ＣＨ3)3 Ｇａは１０％（気相比）とし、アルシン／
（Ｈ3 ＡｌＮ（ＣＨ3)3＋（ＣＨ3)3 Ｇａ）は２（モル
比）とし、成長温度５６０℃、成長圧力１気圧、成長時
間４０分とした。得られたＡｌＧａＡｓ薄膜は、厚みが
1.２μｍでＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓの組成を有し、またキ
ャリア濃度は５×１０19cm-3であった。
【００１８】実施例２ 以下のようにしてＨＢＴを製造した。まず、ＧａＡｓ基
板の上に、常用のＭＯＣＶＤ法によりドーパントがＳｉ
でキャリア濃度３×１０18cm-3のＧａＡｓから成る厚み
５０００Åのサブコレクタ層を形成し、ついでその上に
常用のＭＯＣＶＤ法で、ドーパントがＳｉでキャリア濃
度３×１０16cm-3のＧａＡｓから成るコレクタ層を形成
した。
板の上に、常用のＭＯＣＶＤ法によりドーパントがＳｉ
でキャリア濃度３×１０18cm-3のＧａＡｓから成る厚み
５０００Åのサブコレクタ層を形成し、ついでその上に
常用のＭＯＣＶＤ法で、ドーパントがＳｉでキャリア濃
度３×１０16cm-3のＧａＡｓから成るコレクタ層を形成
した。
【００１９】このコレクタ層の上に、下記の方法で、Ｃ
をドーピングしたＡｌ組成傾斜を有するベース層を形成
した。すなわち、Ａｌ源としてＨ3 ＡｌＮ（ＣＨ3)3、
Ｇａ源として（ＣＨ3)3 Ｇａ、Ａｓ源として（ＣＨ3)3
Ａｓを用い、（ＣＨ3)3 Ａｓ／（Ｈ3 ＡｌＮ（ＣＨ3) 3
＋（ＣＨ3)3 Ｇａ）を１（モル比）で保持しながら、Ｈ
3 ＡｌＮ（ＣＨ3)3と（ＣＨ3)3 Ｇａの気相比を、Ａｌ
組成が０から0.１まで増加するように継時的に変化させ
た。成長温度，成長圧力，成長時間をそれぞれ６００
℃，１分に管理することにより、厚みが１０００Å，キ
ャリア濃度が４×１０19cm-3のＡｌx Ｇａ1- x Ａｓ（０
≦ｘ≦１）から成るベース層が成膜された。
をドーピングしたＡｌ組成傾斜を有するベース層を形成
した。すなわち、Ａｌ源としてＨ3 ＡｌＮ（ＣＨ3)3、
Ｇａ源として（ＣＨ3)3 Ｇａ、Ａｓ源として（ＣＨ3)3
Ａｓを用い、（ＣＨ3)3 Ａｓ／（Ｈ3 ＡｌＮ（ＣＨ3) 3
＋（ＣＨ3)3 Ｇａ）を１（モル比）で保持しながら、Ｈ
3 ＡｌＮ（ＣＨ3)3と（ＣＨ3)3 Ｇａの気相比を、Ａｌ
組成が０から0.１まで増加するように継時的に変化させ
た。成長温度，成長圧力，成長時間をそれぞれ６００
℃，１分に管理することにより、厚みが１０００Å，キ
ャリア濃度が４×１０19cm-3のＡｌx Ｇａ1- x Ａｓ（０
≦ｘ≦１）から成るベース層が成膜された。
【００２０】ついで、このベース層の上に、常用のＭＯ
ＣＶＤ法で、ドーパントがＳｉでキャリア濃度が３×１
０17cm-3のＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓから成る厚み２０００
Åのエミッタ層を形成し、更にその上に、常用のＭＯＣ
ＶＤ法で、ドーパントがＳｉでキャリア濃度が３×１０
18cm-3のＧａＡｓから成る厚み１０００Åのキャップ層
を形成した。
ＣＶＤ法で、ドーパントがＳｉでキャリア濃度が３×１
０17cm-3のＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓから成る厚み２０００
Åのエミッタ層を形成し、更にその上に、常用のＭＯＣ
ＶＤ法で、ドーパントがＳｉでキャリア濃度が３×１０
18cm-3のＧａＡｓから成る厚み１０００Åのキャップ層
を形成した。
【００２１】このようにして製造したＨＢＴにつき、セ
シウム（Ｃｓ）を１次イオンとする２次イオン質量分析
装置を用いてＳＩＭＳプロファイルを測定し、厚み方向
のＣ濃度の分布を調べた。その結果を図１に示した。比
較のために、ベース層の形成時にＡｌ源としてＨ3 Ａｌ
Ｎ（ＣＨ3)3を用いることなく（ＣＨ3)3 Ａｌを用い
て、実施例２と同様の構造のＨＢＴを製造し、このＨＢ
Ｔについても実施例２と同様にＳＩＭＳプロファイルを
測定した。その結果を図２に示した。
シウム（Ｃｓ）を１次イオンとする２次イオン質量分析
装置を用いてＳＩＭＳプロファイルを測定し、厚み方向
のＣ濃度の分布を調べた。その結果を図１に示した。比
較のために、ベース層の形成時にＡｌ源としてＨ3 Ａｌ
Ｎ（ＣＨ3)3を用いることなく（ＣＨ3)3 Ａｌを用い
て、実施例２と同様の構造のＨＢＴを製造し、このＨＢ
Ｔについても実施例２と同様にＳＩＭＳプロファイルを
測定した。その結果を図２に示した。
【００２２】図１，図２から明らかなように、本発明方
法で形成したベース層ではＣ濃度が一定であるが、従来
方法で形成したベース層においては、エミッタ層に近づ
くほど（Ａｌ組成が大になるほど）Ｃ濃度が増加してい
て、ベース層内のＣ濃度はＡｌ組成に対応して変化して
いる。
法で形成したベース層ではＣ濃度が一定であるが、従来
方法で形成したベース層においては、エミッタ層に近づ
くほど（Ａｌ組成が大になるほど）Ｃ濃度が増加してい
て、ベース層内のＣ濃度はＡｌ組成に対応して変化して
いる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
ＭＯＣＶＤ法によれば、Ａｌ組成の変化に関係なく、あ
る一定濃度のＣがドーピングされているＡｌx Ｇａ1-x
Ａｓのエピタキシャル層を形成することができる。これ
は、Ａｌ源として、ＡｌとＣが直接結合していないＡｌ
化合物を用いたことがもたらす効果である。
ＭＯＣＶＤ法によれば、Ａｌ組成の変化に関係なく、あ
る一定濃度のＣがドーピングされているＡｌx Ｇａ1-x
Ａｓのエピタキシャル層を形成することができる。これ
は、Ａｌ源として、ＡｌとＣが直接結合していないＡｌ
化合物を用いたことがもたらす効果である。
【００２４】したがって、本発明方法によれば、Ｃ濃度
が一定でかつＡｌ組成傾斜を有するｐ型Ａｌx Ｇａ1-x
Ａｓ層を形成することができ、そのｐ型Ａｌx Ｇａ1-x
Ａｓ層をベース層とするＨＢＴを製造することができ
る。
が一定でかつＡｌ組成傾斜を有するｐ型Ａｌx Ｇａ1-x
Ａｓ層を形成することができ、そのｐ型Ａｌx Ｇａ1-x
Ａｓ層をベース層とするＨＢＴを製造することができ
る。
【図１】本発明のＭＯＣＶＤ法で形成したｐ型Ａｌx Ｇ
ａ1-x Ａｓ層をベース層とするＨＢＴのＳＩＭＳプロフ
ァイルである。
ａ1-x Ａｓ層をベース層とするＨＢＴのＳＩＭＳプロフ
ァイルである。
【図２】従来のＭＯＣＶＤ法で形成したｐ型Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓ層をベース層とするＨＢＴのＳＩＭＳプロファ
イルである。
1-x Ａｓ層をベース層とするＨＢＴのＳＩＭＳプロファ
イルである。
Claims (4)
- 【請求項１】 炭素ドーピングｐ型エピタキシャルＡｌ
ＧａＡｓ層を有機金属気相成長法で製造する際に、Ａｌ
源として、ＡｌとＣが直接結合していないＡｌ化合物を
用いることを特徴とする炭素ドーピングｐ型エピタキシ
ャルＡｌＧａＡｓ層の製造方法。 - 【請求項２】 前記Ａｌ化合物が、トリメチルアミンア
ランまたはジメチルエチルアミンアランである請求項１
の炭素ドーピングｐ型エピタキシャルＡｌＧａＡｓ層の
製造方法。 - 【請求項３】 Ｃ濃度が層内で一定になっているＡｌＧ
ａＡｓ層をベース層とすることを特徴とするヘテロ接合
バイポーラトランジスタ。 - 【請求項４】 Ｃ濃度が層内で一定で、かつ、Ａｌの組
成傾斜を有するＡｌＧａＡｓ層がベース層である請求項
３のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8552492A JPH05291275A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 炭素ドーピングｐ型エピタキシャルＡｌＧａＡｓ層の製造方法とそれをベース層とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8552492A JPH05291275A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 炭素ドーピングｐ型エピタキシャルＡｌＧａＡｓ層の製造方法とそれをベース層とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291275A true JPH05291275A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=13861294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8552492A Pending JPH05291275A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 炭素ドーピングｐ型エピタキシャルＡｌＧａＡｓ層の製造方法とそれをベース層とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291275A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191014B1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-02-20 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Method for manufacturing compound semiconductor |
-
1992
- 1992-04-07 JP JP8552492A patent/JPH05291275A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191014B1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-02-20 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Method for manufacturing compound semiconductor |
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