JPH0528416A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPH0528416A JPH0528416A JP18491991A JP18491991A JPH0528416A JP H0528416 A JPH0528416 A JP H0528416A JP 18491991 A JP18491991 A JP 18491991A JP 18491991 A JP18491991 A JP 18491991A JP H0528416 A JPH0528416 A JP H0528416A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ギャップスペーサを介して２つのコア半体を
衝合わせて構成される磁気ヘッドにおいて、薄膜状の導
体コイルを容易に形成でき、しかもこの導体コイルをヘ
ッド先端部に近接して配置できると共に、磁路長を短縮
でき、それによって、記録再生効率を良好にできる構造
を提供することを目的とする。 【構成】 磁気コア５、５を有する第１、第２コア半体
１ａ，１ｂ間に磁気ギャップｇが形成された主コア１の
下面、又は磁気コア１５を有する補助コア２の上面のど
ちらか一方に薄膜状の導体コイル９を形成する。そし
て、この導体コイル９が主コア１と補助コア２の間に配
置され、主コア１の磁気コア５と補助コア２の磁気コア
１５を接触状態で接合・固定する。
衝合わせて構成される磁気ヘッドにおいて、薄膜状の導
体コイルを容易に形成でき、しかもこの導体コイルをヘ
ッド先端部に近接して配置できると共に、磁路長を短縮
でき、それによって、記録再生効率を良好にできる構造
を提供することを目的とする。 【構成】 磁気コア５、５を有する第１、第２コア半体
１ａ，１ｂ間に磁気ギャップｇが形成された主コア１の
下面、又は磁気コア１５を有する補助コア２の上面のど
ちらか一方に薄膜状の導体コイル９を形成する。そし
て、この導体コイル９が主コア１と補助コア２の間に配
置され、主コア１の磁気コア５と補助コア２の磁気コア
１５を接触状態で接合・固定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＶＴＲの回転ヘッドシ
リンダー等に装備される磁気ヘッドに関するものであ
る。
リンダー等に装備される磁気ヘッドに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気ヘッドのコイルは、コイル導
線をヘッドチップのコイル窓を通して巻回することによ
って形成されるが、特に小形の磁気ヘッドにおいては前
記巻回工程は手作業に頼らざるを得なかったため、生産
能率向上の際のネックとなっていた。又、自動巻線機を
使用するには、コイル窓を大きく開設する必要があるた
め、磁路長が増大して磁気効率が低下する問題があっ
た。
線をヘッドチップのコイル窓を通して巻回することによ
って形成されるが、特に小形の磁気ヘッドにおいては前
記巻回工程は手作業に頼らざるを得なかったため、生産
能率向上の際のネックとなっていた。又、自動巻線機を
使用するには、コイル窓を大きく開設する必要があるた
め、磁路長が増大して磁気効率が低下する問題があっ
た。
【０００３】この問題を解決するためには、コイルを薄
膜形成工程によって形成することが有効である（例えば
特開昭６３−１２３１７１３号公報［Ｇ１１Ｂ ５／３
１］）。
膜形成工程によって形成することが有効である（例えば
特開昭６３−１２３１７１３号公報［Ｇ１１Ｂ ５／３
１］）。
【０００４】図１１及び図１２に示す磁気ヘッドは本出
願人の提案に係る薄膜コイルを具えた積層型磁気ヘッド
（特願平２−４６４１４号）を示しており、一対のコア
半体１０１ａ，１０１ｂの夫々にコイル導体層１０３、
１０３を形成して、コイルを２層構造とし、巻数の増加
によってコイル出力を増大させたものである。
願人の提案に係る薄膜コイルを具えた積層型磁気ヘッド
（特願平２−４６４１４号）を示しており、一対のコア
半体１０１ａ，１０１ｂの夫々にコイル導体層１０３、
１０３を形成して、コイルを２層構造とし、巻数の増加
によってコイル出力を増大させたものである。
【０００５】一対のコア半体１０１ａ，１０１ｂは接合
層１０６により接合固定されており、接合面間には記録
媒体との対向面に近接して磁気ギャップ部１０２を形成
すると共に、両コア半体１０１ａ，１０１ｂの夫々に絶
縁薄膜１０５、１０５を介してコイル導体層１０３，１
０３を渦巻き状に形成している。
層１０６により接合固定されており、接合面間には記録
媒体との対向面に近接して磁気ギャップ部１０２を形成
すると共に、両コア半体１０１ａ，１０１ｂの夫々に絶
縁薄膜１０５、１０５を介してコイル導体層１０３，１
０３を渦巻き状に形成している。
【０００６】各コア半体１０１ａ，１０１ｂは、非磁性
基板１１１上に絶縁膜を介して複数の磁性膜を積層して
磁気コア１１２を形成すると共に、該磁気コア１１２の
上に接合層１１３を介して非磁性基板１１４を固定して
いる。
基板１１１上に絶縁膜を介して複数の磁性膜を積層して
磁気コア１１２を形成すると共に、該磁気コア１１２の
上に接合層１１３を介して非磁性基板１１４を固定して
いる。
【０００７】両コア半体１０１ａ，１０１ｂのコイル導
体層１０３，１０３の周囲には絶縁層１０４、１０４が
充填され、各コイル導体層１０３の一端に、前記絶縁層
１０４中を相手側のコア半体へ向って伸び、該相手側コ
ア半体のコイル導体層１０３と接触する連結部１３１が
夫々形成されると共に、各コイル導体層１０３の他端に
は、外部回路と接続されるべき端子部１３２が形成され
ている。
体層１０３，１０３の周囲には絶縁層１０４、１０４が
充填され、各コイル導体層１０３の一端に、前記絶縁層
１０４中を相手側のコア半体へ向って伸び、該相手側コ
ア半体のコイル導体層１０３と接触する連結部１３１が
夫々形成されると共に、各コイル導体層１０３の他端に
は、外部回路と接続されるべき端子部１３２が形成され
ている。
【０００８】
【発明が解しようとする課題】ところが、図１１及び図
１２に示す磁気ヘッドに於いて、更に磁路長の短縮及び
コイルを磁気ヘッドの先端部へ近接させる配置は困難で
あり、記録再生効率を向上させることができないといっ
た欠点があった。
１２に示す磁気ヘッドに於いて、更に磁路長の短縮及び
コイルを磁気ヘッドの先端部へ近接させる配置は困難で
あり、記録再生効率を向上させることができないといっ
た欠点があった。
【０００９】又、両コイル導体層１０３，１０３の連結
部１３１の大きさに制約が伴うから、連結部１３１，１
３１どうしの電気的な接続を確実とするには、夫々コア
半体１０１ａ，１０１ｂとなる一対のコア半体ブロック
を接合する際、両コア半体ブロックをトラック幅方向の
みならず、これと直交する方向にも極めて高い精度で位
置合せする必要がある。トラック幅方向の位置合わせ
は、図１１及び図１２の積層型磁気ヘッドにおいては、
各磁気コア１１２どうしを正確に突き合わせる上で従来
から不可欠な工程であるが、これと直交する方向の位置
合せは、両コイル導体層１０３，１０３の電気接続のた
めに新たに必要となった工程であり、これによって製造
工程が煩雑となる欠点があった。
部１３１の大きさに制約が伴うから、連結部１３１，１
３１どうしの電気的な接続を確実とするには、夫々コア
半体１０１ａ，１０１ｂとなる一対のコア半体ブロック
を接合する際、両コア半体ブロックをトラック幅方向の
みならず、これと直交する方向にも極めて高い精度で位
置合せする必要がある。トラック幅方向の位置合わせ
は、図１１及び図１２の積層型磁気ヘッドにおいては、
各磁気コア１１２どうしを正確に突き合わせる上で従来
から不可欠な工程であるが、これと直交する方向の位置
合せは、両コイル導体層１０３，１０３の電気接続のた
めに新たに必要となった工程であり、これによって製造
工程が煩雑となる欠点があった。
【００１０】本発明の目的は、磁路長の短縮及び磁気コ
イルのヘッド先端部への近接を可能にすると共に、磁気
コイルの製造工程が簡単化される磁気ヘッドを提供する
ことである。
イルのヘッド先端部への近接を可能にすると共に、磁気
コイルの製造工程が簡単化される磁気ヘッドを提供する
ことである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドは、
第１コア半体と第２コア半体とのギャップ形成面同士を
ギャップスペーサを介して接合してなる主コアと、前記
第１、第２コア半体のうちの少なくとも一方に対向する
突設部が上端面に形成されると共に該突設部の周囲を巻
回するコイル導体層が被着形成された補助コアとからな
り、該補助コアの上端面側と前記主コアの下端面側を主
コアの磁気コアと補助コアの磁気コアを衝き合わせた状
態で接合固定したことを特徴とする。
第１コア半体と第２コア半体とのギャップ形成面同士を
ギャップスペーサを介して接合してなる主コアと、前記
第１、第２コア半体のうちの少なくとも一方に対向する
突設部が上端面に形成されると共に該突設部の周囲を巻
回するコイル導体層が被着形成された補助コアとからな
り、該補助コアの上端面側と前記主コアの下端面側を主
コアの磁気コアと補助コアの磁気コアを衝き合わせた状
態で接合固定したことを特徴とする。
【００１２】又、本発明の磁気ヘッドは、第１コア半体
と第２コア半体とのギャップ形成面同士をギャップスペ
ーサを介して接合してなり、前記第１、第２コア半体の
うちの少なくとも一方の下端面に突設部が形成されると
共に、該突設部の周囲を巻回するコイル導体層が被着形
成された主コアと、補助コアとからなり、前記主コアの
下端面側と該補助コアの上端面側を主コアの磁気コアと
補助コアの磁気コアを衝き合わせた状態で接合固定した
ことを特徴とする。
と第２コア半体とのギャップ形成面同士をギャップスペ
ーサを介して接合してなり、前記第１、第２コア半体の
うちの少なくとも一方の下端面に突設部が形成されると
共に、該突設部の周囲を巻回するコイル導体層が被着形
成された主コアと、補助コアとからなり、前記主コアの
下端面側と該補助コアの上端面側を主コアの磁気コアと
補助コアの磁気コアを衝き合わせた状態で接合固定した
ことを特徴とする。
【００１３】
【作用】上記構成によれば、補助コアの上端面又は主コ
アの下端面にコイル導体層が被着形成されるので、この
コイル導体層を薄膜形成技術により容易に形成できる。
又、主コアを短くすることによって、磁路長を短くで
き、且つ導体コイル層を磁気ヘッドの先端部へ近接させ
ることができる。
アの下端面にコイル導体層が被着形成されるので、この
コイル導体層を薄膜形成技術により容易に形成できる。
又、主コアを短くすることによって、磁路長を短くで
き、且つ導体コイル層を磁気ヘッドの先端部へ近接させ
ることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しつつ詳細に説明する。図１は本実施例の磁気ヘッドの
断面図、図２は該磁気ヘッドの斜視図、図３は以下で説
明する該磁気ヘッドの補助コアの上端面を示す図であ
る。
しつつ詳細に説明する。図１は本実施例の磁気ヘッドの
断面図、図２は該磁気ヘッドの斜視図、図３は以下で説
明する該磁気ヘッドの補助コアの上端面を示す図であ
る。
【００１５】本実施例の磁気ヘッドは、第１、第２コア
半体１ａ、１ｂからなる主コア１及び補助コア２よりな
る。前記第１、第２コア半体１ａ、１ｂは夫々結晶化ガ
ラス等からなる非磁性基板３ａ、３ａ上にセンダスト等
の金属磁性薄膜とＳｉＯ2等の絶縁薄膜とを交互に積層
してなる積層薄膜等の磁気コア５、５が被着形成されて
おり、該磁気コア５、５上には非磁性基板３ｂ、３ｂが
高融点ガラス６、６により接合固定されている。
半体１ａ、１ｂからなる主コア１及び補助コア２よりな
る。前記第１、第２コア半体１ａ、１ｂは夫々結晶化ガ
ラス等からなる非磁性基板３ａ、３ａ上にセンダスト等
の金属磁性薄膜とＳｉＯ2等の絶縁薄膜とを交互に積層
してなる積層薄膜等の磁気コア５、５が被着形成されて
おり、該磁気コア５、５上には非磁性基板３ｂ、３ｂが
高融点ガラス６、６により接合固定されている。
【００１６】前記第１、第２コア半体１ａ、１ｂはギャ
ップ形成面に露出している磁気コア５、５の端面同士が
ＳｉＯ2等のギャップスペーサを介して衝き合わせた状
態で第１の低融点ガラスにより接合固定されており、該
衝き合わせ部には磁気ギャップｇが形成されて主コア１
が構成されている。尚、上記第１の低融点ガラスのみで
ギャップスペーサを構成してもよい。
ップ形成面に露出している磁気コア５、５の端面同士が
ＳｉＯ2等のギャップスペーサを介して衝き合わせた状
態で第１の低融点ガラスにより接合固定されており、該
衝き合わせ部には磁気ギャップｇが形成されて主コア１
が構成されている。尚、上記第１の低融点ガラスのみで
ギャップスペーサを構成してもよい。
【００１７】前記補助コア２は結晶化ガラス等の非磁性
基板７ａ上にセンダスト等の金属磁性薄膜とＳｉＯ2等
の絶縁薄膜とを交互に積層してなる積層薄膜等の磁気コ
ア１５が被着形成されており、該磁気コア１５上には非
磁性基板７ｂが高融点ガラス１６により接合固定されて
いる。前記補助コア２の上端面２ａには、突設部８ａ、
８ｂが形成されており、該突設部８ａ、８ｂの周囲を夫
々同方向に巻回する銅等からなるコイル導体層９が絶縁
薄膜１０を介して形成されている。更に、前記補助コア
２の上端面２ａは、前記突設部８ａ、８ｂの上端面と前
記コイル導体層９の端子部１９ａ、１９ｂとが露出する
ようにＳｉＯ2等の絶縁薄膜１１が形成されている。
基板７ａ上にセンダスト等の金属磁性薄膜とＳｉＯ2等
の絶縁薄膜とを交互に積層してなる積層薄膜等の磁気コ
ア１５が被着形成されており、該磁気コア１５上には非
磁性基板７ｂが高融点ガラス１６により接合固定されて
いる。前記補助コア２の上端面２ａには、突設部８ａ、
８ｂが形成されており、該突設部８ａ、８ｂの周囲を夫
々同方向に巻回する銅等からなるコイル導体層９が絶縁
薄膜１０を介して形成されている。更に、前記補助コア
２の上端面２ａは、前記突設部８ａ、８ｂの上端面と前
記コイル導体層９の端子部１９ａ、１９ｂとが露出する
ようにＳｉＯ2等の絶縁薄膜１１が形成されている。
【００１８】前記補助コア２と前記接合固定された第
１、第２コア１ａ、１ｂからなる主コア１は、該補助コ
ア２の突設部８ａ、８ｂに露出した磁気コア１５、１５
と該第１、第２コア１ａ、１ｂの磁気コア５、５が衝き
合わされた状態で第２の低融点ガラス、エポキシ樹脂等
の接合層１２により補助コア２の上端面と主コア１の下
端面とが接合固定されている。前記接合層１２による接
合は、第１の低融点ガラス、高融点ガラス６及び高融点
ガラス１６による接合時の温度よりも低温で行えるもの
である。
１、第２コア１ａ、１ｂからなる主コア１は、該補助コ
ア２の突設部８ａ、８ｂに露出した磁気コア１５、１５
と該第１、第２コア１ａ、１ｂの磁気コア５、５が衝き
合わされた状態で第２の低融点ガラス、エポキシ樹脂等
の接合層１２により補助コア２の上端面と主コア１の下
端面とが接合固定されている。前記接合層１２による接
合は、第１の低融点ガラス、高融点ガラス６及び高融点
ガラス１６による接合時の温度よりも低温で行えるもの
である。
【００１９】次に、本発明の磁気ヘッドの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２０】先ず、周知の製造方法により図４に示すよ
うに１ｍｍ厚の非磁性基板３、３間に積層薄膜等の磁気
コア５が形成されている第１、第２コア半体ブロック２
０ａ、２０ｂのギャップ形成面同士を磁気ギャップｇと
なる第１の低融点ガラス２３により接合固定して主コア
ブロック２１を形成する。
うに１ｍｍ厚の非磁性基板３、３間に積層薄膜等の磁気
コア５が形成されている第１、第２コア半体ブロック２
０ａ、２０ｂのギャップ形成面同士を磁気ギャップｇと
なる第１の低融点ガラス２３により接合固定して主コア
ブロック２１を形成する。
【００２１】次に、同様に周知の製造方法により図５に
示すように１ｍｍ厚の非磁性基板７、７間に積層薄膜等
の磁気コア１５が形成されている補助コアブロック２２
の上端面２ａにイオンビームエッチング法等によるエッ
チングを施して、例えば高さ８μｍである突設部８ａ、
８ｂを形成する。その後、前記補助コアブロック２２の
上端面２ａ全域にＳｉＯ2等の例えば１μｍ厚の絶縁薄
膜１０をスパッタリング法、真空蒸着法等により被着形
成する。
示すように１ｍｍ厚の非磁性基板７、７間に積層薄膜等
の磁気コア１５が形成されている補助コアブロック２２
の上端面２ａにイオンビームエッチング法等によるエッ
チングを施して、例えば高さ８μｍである突設部８ａ、
８ｂを形成する。その後、前記補助コアブロック２２の
上端面２ａ全域にＳｉＯ2等の例えば１μｍ厚の絶縁薄
膜１０をスパッタリング法、真空蒸着法等により被着形
成する。
【００２２】次に、図６に示すように、前記補助コアブ
ロック２２の上端面２ａに従来周知のスパッタリング
法、真空蒸着法等の成膜技術とイオンビームエッチング
法等のエッチング技術により突設部８ａ、８ｂの周囲を
巻回する銅等からなる２μｍ厚の第１、第２導体コイル
９ａ、９ｂを形成した後、同様の成膜技術によりＳｉＯ
2等の１μｍ厚の絶縁薄膜（図示せず ）を前記上端面２
ａ側全域に形成する。
ロック２２の上端面２ａに従来周知のスパッタリング
法、真空蒸着法等の成膜技術とイオンビームエッチング
法等のエッチング技術により突設部８ａ、８ｂの周囲を
巻回する銅等からなる２μｍ厚の第１、第２導体コイル
９ａ、９ｂを形成した後、同様の成膜技術によりＳｉＯ
2等の１μｍ厚の絶縁薄膜（図示せず ）を前記上端面２
ａ側全域に形成する。
【００２３】その後、図７に示すように、前記第１、第
２導体コイル９ａ、９ｂ同士を接続するための接続窓
（図示せず）を前記絶縁膜に従来周知のエッチング技術
により夫々形成した後、銅等からなる２μｍ厚の接続コ
イル導体層９ｃを従来周知の成膜技術、エッチング技術
により形成し、第１、第２コイル導体層９ａ、９ｂ同士
を接続してコイル導体層９を形成する。
２導体コイル９ａ、９ｂ同士を接続するための接続窓
（図示せず）を前記絶縁膜に従来周知のエッチング技術
により夫々形成した後、銅等からなる２μｍ厚の接続コ
イル導体層９ｃを従来周知の成膜技術、エッチング技術
により形成し、第１、第２コイル導体層９ａ、９ｂ同士
を接続してコイル導体層９を形成する。
【００２４】その後、図８に示すように、前記補助コア
ブロック２２の上端面に従来周知の成膜技術によりＳｉ
Ｏ2等からなる例えば６μｍ厚の絶縁薄膜１１を形成し
た後、該絶縁薄膜１１と突設部８ａ、８ｂが面一になる
ように前記補助コアブロック２２の上端面側に鏡面研摩
を施す。その後、前記絶縁薄膜１１上に低融点ガラスか
らなる接合層１２をスパッタリング法等により形成した
後、前記導体コイル９の端子部１９ａ、１９ｂが露出
し、且つ主コアブロック２１の下端面側と一致するよう
に、該絶縁薄膜１１と接合層１２等をイオンビームスパ
ッタリング法等によりエッチング除去する。
ブロック２２の上端面に従来周知の成膜技術によりＳｉ
Ｏ2等からなる例えば６μｍ厚の絶縁薄膜１１を形成し
た後、該絶縁薄膜１１と突設部８ａ、８ｂが面一になる
ように前記補助コアブロック２２の上端面側に鏡面研摩
を施す。その後、前記絶縁薄膜１１上に低融点ガラスか
らなる接合層１２をスパッタリング法等により形成した
後、前記導体コイル９の端子部１９ａ、１９ｂが露出
し、且つ主コアブロック２１の下端面側と一致するよう
に、該絶縁薄膜１１と接合層１２等をイオンビームスパ
ッタリング法等によりエッチング除去する。
【００２５】次に、主コアブロック２１の下端面に露出
する磁気コア５、５と補助コアブロック２２の突設部８
ａ、８ｂに露出する磁気コア１５が衝き合わされた状態
で、前記接合層１２の低融点ガラスを溶融固化して図９
に示す接合ブロック２５を形成する。その後、図９に示
す点線ａ−ａ’に沿って切断した後、摺動面加工等を施
して図２に示す磁気ヘッドを完成するのである。
する磁気コア５、５と補助コアブロック２２の突設部８
ａ、８ｂに露出する磁気コア１５が衝き合わされた状態
で、前記接合層１２の低融点ガラスを溶融固化して図９
に示す接合ブロック２５を形成する。その後、図９に示
す点線ａ−ａ’に沿って切断した後、摺動面加工等を施
して図２に示す磁気ヘッドを完成するのである。
【００２６】上述のような構成にすると、コイル導体層
９を薄膜形成技術により形成でき、且つ図１１及び図１
２に示す従来の磁気ヘッドのように第１、第２コア半体
１０１ａ、１０１ｂに形成された各コイル導体層１０
３、１０３を連結部１３１、１３１により連結する必要
がないので、コイル導体層９を容易に形成できる。又、
主コア１の長さを短くして、磁路長を短くでき、且つコ
イル導体層９をヘッド先端部に近接できるので、記録再
生効率を向上させることができる。
９を薄膜形成技術により形成でき、且つ図１１及び図１
２に示す従来の磁気ヘッドのように第１、第２コア半体
１０１ａ、１０１ｂに形成された各コイル導体層１０
３、１０３を連結部１３１、１３１により連結する必要
がないので、コイル導体層９を容易に形成できる。又、
主コア１の長さを短くして、磁路長を短くでき、且つコ
イル導体層９をヘッド先端部に近接できるので、記録再
生効率を向上させることができる。
【００２７】尚、上記実施例の製造工程において、前記
補助コアブロック２２の上端面に絶縁薄膜１１を形成し
た後、該絶縁薄膜１１と突設部８ａ、８ｂが面一になる
ように前記補助コアブロック２２の上端面側に鏡面研摩
を施した後、前記絶縁薄膜１１上に低融点ガラスからな
る接合層１２を形成しているが、前記補助コアブロック
２２の上端面に例えば１μｍ厚の絶縁薄膜１１を形成
し、該絶縁薄膜１１上に低融点ガラスからなる例えば１
０μｍ厚の接合層１２を形成した後、接合層１２と突設
部８ａ、８ｂが面一になるように前記補助コアブロック
２２の上端面側に鏡面研摩を施してもよい。
補助コアブロック２２の上端面に絶縁薄膜１１を形成し
た後、該絶縁薄膜１１と突設部８ａ、８ｂが面一になる
ように前記補助コアブロック２２の上端面側に鏡面研摩
を施した後、前記絶縁薄膜１１上に低融点ガラスからな
る接合層１２を形成しているが、前記補助コアブロック
２２の上端面に例えば１μｍ厚の絶縁薄膜１１を形成
し、該絶縁薄膜１１上に低融点ガラスからなる例えば１
０μｍ厚の接合層１２を形成した後、接合層１２と突設
部８ａ、８ｂが面一になるように前記補助コアブロック
２２の上端面側に鏡面研摩を施してもよい。
【００２８】又、上記実施例では突出部８ａ、８ｂを形
成し、該突出部８ａ、８ｂの周囲を巻回するコイル導体
層９を形成しているが、図１０に示すように突出部８
ａ、８ｂのどちらか一方を形成し、該突出部の周囲を巻
回するコイル導体層９を形成する構成としてもよい。更
に、上記実施例では補助コア２の上端面にコイル導体層
９を形成する構成となっているが、主コア１の下端面に
コイル導体層を形成する構成としてもよい。
成し、該突出部８ａ、８ｂの周囲を巻回するコイル導体
層９を形成しているが、図１０に示すように突出部８
ａ、８ｂのどちらか一方を形成し、該突出部の周囲を巻
回するコイル導体層９を形成する構成としてもよい。更
に、上記実施例では補助コア２の上端面にコイル導体層
９を形成する構成となっているが、主コア１の下端面に
コイル導体層を形成する構成としてもよい。
【００２９】又、コイル導体層を多層構造としてもよ
い。
い。
【００３０】又、上記実施例で主コア１、補助コア２は
それぞれ非磁性基板間に積層薄膜の磁気コア５、１５が
形成された構成であるが、該磁気コア５、１５は単層膜
で形成されたものでもよく、又、センダスト等のバルク
材で形成されてもよく、更に主コア１、補助コア２全体
がフェライト、センダスト等からなるバルク材で形成さ
れた磁気コア５、１５となるものでもよく、主コア１、
補助コア２は適宜変更可能である。尚、補助コア２の磁
気コア１５の厚みは、主コア１の磁気コア５の厚みと同
じ又は大きい方が磁気抵抗が小さくなるので望ましい。
それぞれ非磁性基板間に積層薄膜の磁気コア５、１５が
形成された構成であるが、該磁気コア５、１５は単層膜
で形成されたものでもよく、又、センダスト等のバルク
材で形成されてもよく、更に主コア１、補助コア２全体
がフェライト、センダスト等からなるバルク材で形成さ
れた磁気コア５、１５となるものでもよく、主コア１、
補助コア２は適宜変更可能である。尚、補助コア２の磁
気コア１５の厚みは、主コア１の磁気コア５の厚みと同
じ又は大きい方が磁気抵抗が小さくなるので望ましい。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、補助コアの上端面又は
主コアの下端面にコイル導体層が薄膜形成技術により容
易に被着形成できる。又、主コアを短くして、磁路長を
短くでき、且つ導体コイル層を磁気ヘッドの先端部へ近
接させることができるので、記録再生効率が向上する。
主コアの下端面にコイル導体層が薄膜形成技術により容
易に被着形成できる。又、主コアを短くして、磁路長を
短くでき、且つ導体コイル層を磁気ヘッドの先端部へ近
接させることができるので、記録再生効率が向上する。
【図１】本発明に係る磁気ヘッドの一実施例の磁気ヘッ
ドの断面図である。
ドの断面図である。
【図２】該磁気ヘッドの斜視図である。
【図３】該磁気ヘッドの補助コアの上端面を示す図であ
る。
る。
【図４】該磁気ヘッドの製造方法を示す工程図（斜視
図）である。
図）である。
【図５】該磁気ヘッドの製造方法を示す工程図（斜視
図）である。
図）である。
【図６】該磁気ヘッドの製造方法を示す工程図（上面
図）である。
図）である。
【図７】該磁気ヘッドの製造方法を示す工程図（上面
図）である。
図）である。
【図８】該磁気ヘッドの製造方法を示す工程図（斜視
図）である。
図）である。
【図９】該磁気ヘッドの製造方法を示す工程図（斜視
図）である。
図）である。
【図10】本発明に係る磁気ヘッドの他の実施例の磁気ヘ
ッドの断面図である。
ッドの断面図である。
【図11】従来例の磁気ヘッドの斜視図である。
【図12】該磁気ヘッドの断面図である。
１ 主コア
２ 補助コア
１ａ 第１コア半体
１ｂ 第２コア半体
５ 磁気コア
１５ 磁気コア
８ａ 突設部
８ｂ 突設部
９ コイル導体層
Claims (2)
- 【請求項１】 第１コア半体と第２コア半体とのギャッ
プ形成面同士をギャップスペーサを介して接合してなる
主コアと、前記第１、第２コア半体のうちの少なくとも
一方に対向する突設部が上端面に形成されると共に該突
設部の周囲を巻回するコイル導体層が被着形成された補
助コアとからなり、該補助コアの上端面側と前記主コア
の下端面側を主コアの磁気コアと補助コアの磁気コアを
衝き合わせた状態で接合固定したことを特徴とする磁気
ヘッド。 - 【請求項２】 第１コア半体と第２コア半体とのギャッ
プ形成面同士をギャップスペーサを介して接合してな
り、前記第１、第２コア半体のうちの少なくとも一方の
下端面に突設部が形成されると共に、該突設部の周囲を
巻回するコイル導体層が被着形成された主コアと、補助
コアとからなり、前記主コアの下端面側と該補助コアの
上端面側を主コアの磁気コアと補助コアの磁気コアを衝
き合わせた状態で接合固定したことを特徴とする磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18491991A JPH0528416A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18491991A JPH0528416A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528416A true JPH0528416A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16161631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18491991A Pending JPH0528416A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528416A (ja) |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP18491991A patent/JPH0528416A/ja active Pending
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