JPH05283278A - 積層型セラミックチップコンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 本発明はＮｉまたはＮｉ合金である内部電極
と誘電体層とを有する積層型セラミックチップコンデン
サを、焼成することによって製造する方法であって、焼
成雰囲気の酸素分圧を、焼成工程の昇温部の少なくとも
一部において、温度維持部より低くすることを特徴とす
る。 【効果】 焼結体粒子の粒径が小さくなり、層間厚みを
薄くすることができ、また長寿命となり、しかも初期絶
縁抵抗の値が高くなるという効果が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、積層型セラミックチッ
プコンデンサの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】積層型セラミックチップコンデンサは、
通常、内部電極用のペーストと、誘電体層用のペースト
とをグリーンシート法や印刷法等により積層し、一体同
時焼成して製造される。

【０００３】かかる内部電極には、一般に、ＰｄやＰｄ
合金が用いられているが、Ｐｄは高価であるため、比較
的安価なＮｉやＮｉ合金が使用されつつある。

【０００４】ところで、内部電極をＮｉやＮｉ合金で形
成する場合は、大気中で焼成を行うと電極が酸化してし
まうという問題がある。

【０００５】このため、一般に、脱バインダ後は、Ｎｉ
とＮｉＯの平衡酸素分圧よりも低い酸素分圧で焼成し、
その後熱処理により誘電体層を再酸化させている。この
場合、誘電体材料の緻密化を図るため、通常鉱化剤とし
てＳｉＯ₂ が加えられる。さらには、工程中にＡｌ₂ Ｏ
₃ 等が混入されることが多い。これらとＢａＯ、ＴｉＯ
₂ 等を含むいわゆる粒界相成分は、還元雰囲気中で焼成
を行うと、絶縁抵抗の低下をもたらすものとも考えられ
る。

【０００６】また、誘電体層の還元による絶縁抵抗の低
下等を防止するため、Ｍｎの添加や、Ｃａ置換等も行わ
れている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ＮｉやＮｉ合
金製の内部電極を有する積層型チップコンデンサは、大
気中で焼成して製造されるＰｄ製の内部電極を有する積
層型チップコンデンサに比べ、絶縁抵抗の寿命が圧倒的
に短く、信頼性が低いという問題がある。

【０００８】また、大容量化を目的に誘電体層を薄く製
造しようとする場合、厚さが結晶粒１個分になることが
あり、このような場合には初期絶縁抵抗もとれなくなる
ことが多い。

【０００９】そこで本発明の目的は、層間厚みの薄い誘
電体であっても焼結体粒子粒径が小さく、長寿命でかつ
初期絶縁抵抗の高い積層型セラミックチップコンデンサ
を製造する方法を提供することによる。

【００１０】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（２）の本発明により達成される。 （１）ＮｉまたはＮｉ合金である内部電極と誘電体層と
を有する積層型セラミックチップコンデンサを、昇温
部、該昇温部に続き、所定の焼成温度に維持する温度維
持部、降温部を含む焼成工程によって焼成することによ
って積層型セラミックチップコンデンサを製造する積層
型セラミックチップコンデンサの製造方法であって、焼
成における昇温部の１１００〜１３００℃の一部または
全部の酸素分圧を１０^-12atm以下とすることを特徴とす
る請求項１の積層型セラミックチップコンデンサの製造
方法。

【００１１】（２）焼成において昇温部の少なくとも１
１００℃〜１２００℃の酸素分圧を１０^-12 atm 以下で
あることを特徴する上記（１）の積層型セラミックチッ
プコンデンサ。

【００１２】この場合、焼成温度が少なくとも１１００
〜１３００℃のときに酸素分圧を低くすることが好まし
い。

【００１３】以下、本発明の製造方法の具体的構成につ
いて詳細に説明する。図１には、それぞれ本発明の製造
方法により製造される積層型セラミックチップコンデン
サの好適例を示す。

【００１４】積層型チップコンデンサ１は、内部電極２
１、２５と、誘電体層３とが交互に積層され、各内部電
極２１、２５に接続している１対の外部電極５１、５５
を有するものである。

【００１５】本発明で製造される積層型セラミックチッ
プコンデンサは、内部電極２１、２５がＮｉまたはＮｉ
合金から形成され、この場合、Ｎｉ合金としては、Ｎｉ
を９５重量％以上含有するＮｉと、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、
Ａｌ等の１種以上との合金であることが好ましい。

【００１６】これらは、本発明の製造方法に従い、十分
な寿命や信頼性を得ることができる。

【００１７】なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、微量成
分として、０．１重量％以下のＰ等が含有されていても
よい。

【００１８】内部電極２１、２５の厚み等の諸条件は目
的や用途に応じ適宜決定をすればよいが、通常厚みは、
１〜５μm 、特に２〜３μm 程度である。

【００１９】誘電体層３は、グレインと粒界相で構成さ
れている。

【００２０】誘電体層３の材質は、例えば、下記式で表
わされる組成の誘電体酸化物を含有するものである。

【００２１】式 [(Ba1-x-y CaxSry)O]m・(Ti1-zZrz)O₂

【００２２】この場合、ｘは０〜０．２５、好ましくは
０〜０．１０、ｙは０〜０．０５、好ましくは０〜０．
０１、ｚは０．１〜０．３、好ましくは０．１５〜０．
２０、ｍは１．０００〜１．０２０、好ましくは１．０
０２〜１．０１５である。

【００２３】さらにケイ素の酸化物および／または焼成
により酸化物になる化合物を含有しても構わない。

【００２４】この場合の含有量は酸化物換算で０．２５
重量％以下、特には０〜０．２５重量％程度が好まし
い。

【００２５】また、Ａl 酸化物、Ｎｉ酸化物、Ｍｇ酸化
物、Ｃｏ酸化物、Ｈｆ酸化物等が０．５重量％程度以下
含有されてもよい。

【００２６】さらに、マンガンの酸化物および／または
焼成により酸化物になる化合物を酸化物ＭｎＯ換算で
０．０１〜０．５重量％、好ましくは０．１〜０．４重
量％、イットリウムの酸化物および／または焼成により
酸化物になる化合物を酸化物Ｙ₂ Ｏ₃ 換算で０．０５〜
０．５重量％、好ましくは０．２〜０．４重量％、バナ
ジウムの酸化物および／または焼成により酸化物になる
化合物を酸化物Ｖ₂ Ｏ₅換算で０．００５〜０．３重量
％、好ましくは０．０１〜０．１重量％、タングステン
の酸化物および／または焼成により酸化物になる化合物
を酸化物ＷＯ３換算で０．００５〜０．３重量％、好ま
しくは０．０１〜０．１重量％程度含まれることが好ま
しい。

【００２７】更にまた、本発明に従い製造される積層型
セラミックチップコンデンサは、前記酸化物に加え、Ｌ
ｉ酸化物が含有されてもよい。この場合は、Ｌｉ₂ Ｏで
換算し、合計量が前記範囲であることが好ましい。

【００２８】また、前記酸化物に代え、Ｌｉ酸化物のみ
がＬｉ₂ Ｏ換算で０．００５〜０．５重量％、好ましく
は０．０１〜０．２５重量％、特に好ましくは０．０５
〜０．２０重量％程度含まれるようにしてもよい。

【００２９】なお、通常Ｐはリン酸塩の形で含有させ、
Ｐ以外は通常、上記の最も安定な酸化物の形で含有させ
る。

【００３０】誘電体層３の積層数や厚み等の諸条件は、
目的や用途に応じ適宜決定すればよい。

【００３１】通常積層数は、１〜２００、特に５〜５０
程度であり、厚みは、３〜５０μm、特に１０〜２０μm
程度である。

【００３２】また、本発明の方法により得られる粒子径
は、１〜５μm 程度であることが好ましく、また誘電体
を構成するグレイン以外の部分である粒界相の面積比
が、誘電体層３の任意の断面にて２％以下、好ましくは
０．５〜１．５％、特に好ましくは０．５〜１．０％程
度であることが好ましい。前記範囲をこえると寿命が短
くなり、信頼性が低下する傾向にある。

【００３３】なお、粒界相の面積比の測定には、走査型
電子顕微鏡を用いて写真を撮り、これから求めればよ
い。この粒界相は、通常誘電体材料あるいは内部電極材
料を構成する材質の酸化物や、別途添加された材質の酸
化物、さらには工程中に不純物として混入する材質の酸
化物を成分とし、通常ガラスないしガラス質で形成され
ている。

【００３４】本発明の製造方法においては、外部電極５
１、５５には、通常ＣｕやＣｕ合金あるいはＮｉやＮｉ
合金等を用いる。

【００３５】外部電極５１、５５の厚みは任意であり、
目的や用途に応じ適宜決定すればよいが、通常１０〜５
０μm 程度である。

【００３６】このようにして得られる積層型セラミック
チップコンデンサ１の形状やサイズは、目的や用途に応
じ適宜決定すればよい。例えば直方体状の場合は、通常
１．６〜３．２mm×０．８〜１．６mm×０．６〜１．２
mm程度である。

【００３７】本発明の製造方法は下記のとおりである。
まず、誘電体層３用ペースト、内部電極２１、２５用ペ
ーストおよび外部電極５１、５５用ペーストをそれぞれ
製造する。誘電体層３用のペーストを製造する際に用い
る誘電体の原料粉末としては、通常、後述される誘電体
酸化物の組成に応じ、Ｔｉ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｚｒ等
の酸化物とを用いればよい。

【００３８】この場合、さらに酸化マンガンを用いれば
より一層高い効果が得られる。

【００３９】また、これらには焼成により酸化物になる
化合物、例えば炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、
有機金属化合物等を用いてもよい。

【００４０】さらには、酸化物と、焼成により酸化物に
なる化合物とを併用してもよい。

【００４１】これらの原料粉末は、通常、平均粒子径
０．０００５〜５μm 程度のものが用いられる。

【００４２】このような原料粉末から誘電体材料を得る
には例えば下記のようにすればよい。

【００４３】まず出発原料を所定の量比に配合し、例え
ば、ボールミル等により湿式混合する。

【００４４】次いで、スプレードライヤー等により乾燥
させ、その後仮焼し、、酸化マンガンと、下記式の誘電
体酸化物とを得る。

【００４５】なお、仮焼は、通常８００〜１３００℃に
て、２〜１０時間程度行う。

【００４６】次いで、ジェットミルあるいはボールミル
等にて所定粒径となるまで粉砕し、誘電体材料を得る。

【００４７】誘電体層３用のペーストを調整する際に用
いられる結合剤、可塑剤、分散剤、溶剤等の添加剤は種
々のものであってよい。また、ガラスフリットを添加し
てもよい。

【００４８】結合剤としては、例えばエチルセルロー
ス、アビエチン酸レジン、ポリビニール・ブチラールな
ど、可塑剤としては、例えばアビエチン酸誘導体、ジエ
チル蓚酸、ポリエチレングリコール、ポリアルキレング
リコール、フタール酸エステル、フタール酸ジブチルな
ど、分散剤としては、例えばグリセリン、オクタデシル
アミン、トリクロロ酢酸、オレイン酸、オクタジエン、
オレイン酸エチル、モノオレイン酸グリセリン、トリオ
レイン酸グリセリン、トリステアリン酸グリセリン、メ
ンセーデン油など、溶剤としては、例えばトルエン、テ
ルピネオール、ブチルカルビトール、メチルエチルケト
ンなどが挙げられる。

【００４９】このペーストを調整する際の誘電体材料の
全体に対する割合は５０〜８０重量％程度とし、その
他、結合剤は２〜５重量％、可塑剤は０．１〜５重量
％、 分散剤は０．１〜５重量％、溶剤は２０〜５０重量
％程度とする。

【００５０】次いで、前記誘電体材料とこれらを混合
し、例えば３本ロール等で混練してペースト（スラリ
ー）とする。

【００５１】内部電極２１、２５用のペーストを製造す
る際に用いる導体材料としては、ＮｉやＮｉ合金さらに
はこれらの混合物を用いる。

【００５２】このような導体材料は、球状、リン片状
等、その形状に特に制限はなく、またこれらの形状のも
のが混合したものであってもよい。

【００５３】また、平均粒子径は０．１〜１０μm 、さ
らには０．１〜１μm 程度のものを用いればよい。

【００５４】有機質ビヒクルは、バインダーおよび溶剤
を含有するものである。バインダーとしては、例えばエ
チルセルロース、アクリル樹脂、ブチラール樹脂等公知
のものはいずれも使用可能である。

【００５５】バインダー含有量は１〜５重量％程度とす
る。

【００５６】溶剤としては、例えばテルピネオール、ブ
チルカルビトール、ケロシン等公知のものはいずれも使
用可能である。

【００５７】溶剤含有量は２０〜５５重量％程度とす
る。

【００５８】この他、総計１０重量％程度以下の範囲
で、必要に応じ、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリ
ン脂肪酸エステル等の分散剤や、ジオクチルフタレー
ト、ジブチルフタレート、ブチルフタリルグリコール酸
ブチル等の可塑剤や、デラミ防止、焼結抑制等の目的
で、誘電体、絶縁体等の各種セラミック粉体等を添加す
ることもできる。

【００５９】また、有機金属レジネートを添加すること
も有効である。

【００６０】外部電極４１、４５用のペーストは、上記
の導体材料粉末を含有する通常のペーストを用いればよ
い。

【００６１】このようにして得られた内部電極２１、２
５用ペーストと、誘電体３用ペーストは、印刷法、転写
法、グリーンシート法等により、それぞれ交互に積層さ
れる。

【００６２】次に、所定の積層体サイズに切断した後、
脱バインダ処理および焼成を行い、誘電体層３を再酸化
させるため、熱処理を行う。

【００６３】脱バインダ処理は、通常の条件で行なえば
よいが、特に下記の条件で行なうことが好ましい。

【００６４】昇温速度：１０〜３００℃／時間、 特に５０〜１００℃／時間 保持温度：６００〜１２００℃、 特に７００〜９００℃ 保持時間：０．５〜５時間 特に１〜３時間 酸素分圧：１０^-4〜１０^-8℃／時間、 特に１０^-5〜１０^-6atm

【００６５】雰囲気用ガスには、加湿したＮ₂ Ｈ₂ の混
合ガスを用いることが好適である。

【００６６】本発明においては、焼成を酸素分圧１０^-7
atm 以下、より好ましくは、１０^-7〜１０^-13 atm にて
行うことが好ましい。

【００６７】前記範囲を超えると、内部電極２１、２５
が酸化する傾向にあり、またあまり小さすぎると電極材
料が異常焼結を起こし、途切れてしまう傾向にある。

【００６８】次に、焼成条件としては、下記の条件が好
ましい。

【００６９】昇温速度：５０〜５００℃／時間、 特に２００〜３００℃／時間 保持温度：１２００〜１４００℃、 特に１２５０〜１３５０℃ 保持時間：０．５〜８時間 特に１〜３時間 冷却速度：５０〜５００℃／時間、 特に２００〜３００℃／時間

【００７０】本発明においては、雰囲気用ガスとして、
加湿したＮ₂ とＨ₂ の混合ガスを用い、焼成雰囲気の酸
素分圧を昇温部の１１００〜１３００℃のとき、特に１
１００℃〜１２００℃のときに酸素分圧を１０^-12atm以
下と低くする。

【００７１】引き続いての熱処理は、保持温度ないし最
高温度を８００〜１２００℃、より好ましくは９００〜
１１００℃、特に好ましくは１０００〜１１００℃とし
て行うことが好ましい。

【００７２】前記範囲未満では誘電体材料の酸化が不十
分なために寿命が短くなる傾向になり、前記範囲を越え
ると内部電極のＮｉが酸化し、容量が低下するだけでな
く、誘電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向
にある。

【００７３】かかる熱処理の際の酸素分圧は１０^-8以
上、より好ましくは１０^-4〜１０^-7atm が好ましい。

【００７４】前記範囲未満では、誘電体層３や酸化物層
４の再酸化が困難であり、前記範囲をこえると内部電極
２１、２５が酸化する傾向にある。

【００７５】その他の熱処理条件は下記の条件が好まし
い。 保持時間：０〜１０時間、 特に２〜５時間 冷却速度：５０〜５００℃／時間 特に１００〜３００℃／時間

【００７６】なお、混合ガスを加湿するには、例えばウ
ェッターを使用する。そして、昇温中の一部において大
気における酸素分圧よりも低くするには、かかるウエッ
タ−温度で２０℃以下、好ましくは０℃程度とし、それ
以外は２５℃以上とすればよい。

【００７７】また、脱バインダ処理、焼成および熱処理
は、それぞれを連続して行っても、独立に行ってもよ
い。

【００７８】このようにして得られた焼結体には、例え
ばバレル研磨、サンドブラスト等にて端面研磨を施し、
外部電極用ペーストを焼きつけて外部電極５１、５５を
形成する。

【００７９】必要に応じ、外部電極５１、５５上のめっ
き等によりパッド層を形成する。

【００８０】

【作用】積層型セラミックチップコンデンサの製造にお
いて、焼成時の昇温中に、特には昇温中の温度が１１０
０〜１３００℃、特に１１００℃〜１２００℃のとき
に、誘電体の中の酸素が放出されることが、酸素分析計
を用いた実験により確かめられた。

【００８１】従って、焼成雰囲気の酸素分圧を温度維持
部よりも低くしてやることにより、焼結して閉気孔がで
きる前に十分に誘電体から酸素を吐き出させることがで
き、これにより、次のような作用が生ずるものとも考え
られる。

【００８２】すなわち、閉気孔生成前に十分に誘電体か
ら酸素を放出させることにより、粒成長が抑制され、
アクセプタ準位が形成され（Ｍｎ⁴⁺→Ｍｎ²⁺）、かつ
電極が還元されることになる（例えば、脱バインダ中
に酸化したＮｉ電極（ＮｉＯ）はＮｉに戻されることに
なる）。

【００８３】上記の作用により、焼結体粒径が小さく
なり、層間厚みを薄くすることができ、また上記及び
の作用により初期絶縁抵抗の値を向上させることがで
きる。

【００８４】更には、上記の作用により長寿命化を図
ることができる。すなわち、耐還元性が良好でない場合
には初期絶縁抵抗値が低く、初期値がとれずに、寿命は
ゼロ時間となってしまうが、上記のようにアクセプタ準
位が形成されることによって耐還元性が良好となるから
である。

【００８５】なお、本発明においては、高温において水
から生ずる酸素の分圧を、ウエッターの温度により制御
しようとするものである。参考のために、ウエッター０
℃と３５℃の場合の、Ｈ２が５％のときの酸素分圧の計
算値を下記の表１及び表２に示す。

【００８６】

【表１】

【００８７】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。 実施例１〜７，比較例１〜３ 出発原料 ＢａＣＯ₃ ：６５．２８重量％ ＴｉＯ₂ ：２３．７２重量％ ＺｒＯ₂ ： ７．４９重量％ ＣａＣＯ₃ ： ２．８８重量％ ＳｉＯ₂ ： ０．１８重量％ ＭｎＣＯ₃ ： ０．２０重量％

【００８８】上記の出発原料をジルコニア製ボールミル
で１６時間湿式混合した。

【００８９】次いで、スプレードライヤーで乾燥させた
後、空気中にて、１２００℃の温度で、３時間仮焼し、
下記式で表わされる組成の誘電体酸化物と、ＳｉＯ₂
と、ＭｎＯとを得た。 [(Ba0.92Ca0.08)O]1.004・(Ti0.83Zr0.17)O₂ ：９９．５２重量％ ＳｉＯ₂ ：０．１８重量％ ＭｎＯ ：０．３重量％

【００９０】そして、ボールミルで１６時間湿式粉砕
し、平均粒子径０．５μm のチタン酸バリウム系の誘電
体材料を得た。

【００９１】この誘電体材料を用いて、下記に示される
配合比にて、３本ロールにより混練し、スラリー化して
誘電体層用ペーストとした。

【００９２】 誘電体材料 ：１００重量部 テルピネオール： ２８重量部 トルエン ： １４重量部 分散剤 ： ０．２重量部 ラッカー ： ３６．５重量部

【００９３】次に下記に示される配合比にて、３本ロー
ルにより混練し、スラリー化して内部電極用ペーストと
した。

【００９４】 Ｎｉ ：４４．６重量％ テルピネオール ：５２重量％ エチルセルロース ： ３重量％ ベンゾトリアゾール： ０．４重量％

【００９５】これらのペーストを用い、以下のようにし
て図１に示される積層型セラミックチップコンデンサ１
を製造した。

【００９６】まず、誘電体層用ペーストと、内部電極用
ペーストを用いて、印刷法により交互に積層した。

【００９７】なお、誘電体層３の積層数は４層である。

【００９８】次いで所定サイズに切断した後、脱バイン
ダ処理、焼成および熱処理を連続して下記の条件にて行
った。

【００９９】脱バインダ処理 昇温速度：５０℃／時間 保持温度：８００℃ 保持時間：２時間 雰囲気用ガス：加湿したＮ₂ ガスとＨ₂ （５％）の混合
ガス 酸素分圧：１０^-6atm

【０１００】焼成 昇温速度：２００℃／時間 保持温度：１３００℃ 保持時間：２時間 冷却速度：３００℃／時間 雰囲気用ガス：加湿したＮ₂ とＨ₂ （５％）の混合ガス 酸素分圧：１０^-8atm

【０１０１】熱処理 保持温度：１１００℃ 保持時間：３時間 冷却速度：３００℃／時間 雰囲気用ガス：加湿したＮ₂ ガス 酸素分圧：１０^-6atm

【０１０２】上記脱バインダ処理、焼成および熱処理の
それぞれの雰囲気用ガスの加湿には、ウエッターを使用
し、このウエッターの水温を、図２に示すＸ℃からＹ℃
の温度領域については０℃（Ｗ＝０℃）とし、この温度
領域を種々変動させ、それ以外の領域を３５℃（Ｗ＝３
５℃）として、昇温中の少なくとも一部において焼成雰
囲気の酸素分圧を低くした。

【０１０３】なお、Ｘ℃及びＹ℃の具体的温度について
は下記の表２に示す。

【０１０４】得られた各種焼結体の端面をサンドブラス
トにて研磨した後、Ｉｎ−Ｇａ合金を塗布して、試験用
電極を形成した。

【０１０５】このようにして製造した積層型セラミック
チップコンデンサ１のサイズは、３．２mm×１．６mm×
１．２mmであり、誘電体層３の厚みは６．５μm 、内部
電極２１、２５の厚みは２．５μm である。

【０１０６】次に、得られた種々の試験用コンデンサに
対し、温度２００℃、電圧ＤＣ６４Ｖにて、加速寿命試
験を行い、併せて初期特性試験を行った。

【０１０７】得られた結果を下記の表２に示す。

【０１０８】

【表２】

【０１０９】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の積層
型セラミックチップコンデンサの製造方法においては、
焼成時の昇温中の少なくとも一部において、焼成雰囲気
の酸素分圧を温度維持部における酸素分圧よりも低くす
ることにより焼結体粒子の粒径が小さくなり、層間厚み
を薄くすることができ、また長寿命となり、しかも初期
絶縁抵抗の値が高くなるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法により製造される積層型セラミッ
クチップコンデンサの１例が示される断面図である。

【図２】実施例における昇温過程を示すグラフである。

【符号の説明】

１ 積層型セラミックチップコンデンサ ３ 誘電体層 ２１、２５ 内部電極 ５１、５５…外部電極

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【手続補正書】

【提出日】平成５年２月３日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２】

フロントページの続き (72)発明者 野村 武史 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＮｉまたはＮｉ合金である内部電極と誘
   電体層とを有する積層型セラミックチップコンデンサ
   を、昇温部、該昇温部に続き、所定の焼成温度に維持す
   る温度維持部、降温部を含む焼成工程によって焼成する
   ことによって積層型セラミックチップコンデンサを製造
   する積層型セラミックチップコンデンサの製造方法であ
   って、焼成における昇温部の１１００〜１３００℃の一
   部または全部の酸素分圧を１０^-12atm以下とすることを
   特徴とする請求項１の積層型セラミックチップコンデン
   サの製造方法。
2. 【請求項２】 焼成において昇温部の少なくとも１１０
   ０℃〜１２００℃の酸素分圧を１０^-12 atm 以下である
   ことを特徴する請求項１の積層型セラミックチップコン
   デンサ。