JPH05282621A - 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 金属磁性膜１により閉磁路が構成されてなる
磁気ヘッドにおいて、フロントギャップ部がトラック幅
に相当する金属磁性膜１の単層膜又は非磁性絶縁膜６，
７を介在した積層膜とされるとともに、フロントギャッ
プ部以外の金属磁性膜１が非磁性絶縁膜６，７を介在し
た積層膜とされ、且つ、その膜厚が上記フロントギャッ
プ部の金属磁性膜１の膜厚より厚い。 【効果】 狭トラック化しても、磁気コア断面積の確保
ができ、再生効率を大幅に向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばビデオテープレ
コーダ（ＶＴＲ）等に搭載される磁気ヘッド及び磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ビデオテープレコーダ等の磁気
記録再生装置においては、高画質化等を目的として情報
信号の短波長記録化が進められており、これに対応して
磁性粉に強磁性金属粉末を用いた，いわゆるメタルテー
プや、ベースフィルム上に強磁性金属材料を直接被着し
た蒸着テープ等の高抗磁力磁気記録媒体が使用されるよ
になってきている。

【０００３】一方、これに対処するために磁気ヘッドの
分野においても研究が進められており、高抗磁力磁気記
録媒体用の磁気ヘッドとして磁気コアに金属磁性膜を用
いた，いわゆるメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッド
が種々開発されている。その一例として、例えば薄膜の
金属磁性膜を非磁性絶縁膜を介して何層にも積層してな
る積層膜を、その膜厚方向より一対の非磁性基板によっ
て挾み込んでなるラミネートタイプの磁気ヘッドが提案
されている。かかる磁気ヘッドでは、上記積層膜の膜厚
が、すなわち磁気ギャップのトラック幅に相当するよう
になっている。

【０００４】ところで、磁気記録の分野では、記録信号
の高密度化が進行しており、益々狭トラック化が進んで
いる。このため、上記磁気ヘッドでは、狭トラック化に
つれて積層膜の厚みが薄くなり、磁路を構成する磁気コ
ア断面積の減少によって磁気抵抗が増大し、その結果と
して再生効率が低下する。そこで、トラック幅より厚め
に金属磁性膜よりなる積層膜を形成した後、当該積層膜
の両サイドをカットしてトラック幅とすることにより、
磁気コア断面積の確保を図る方法がある。しかし、トラ
ック幅を切削加工で制御するのは、非常に難しく、狭ト
ラック化が進むにつれて益々困難になってくる。また、
この磁気ヘッドでは、磁気ギャップ近傍に近づくにつれ
てトラック幅より外側の金属磁性膜を流れている磁束が
非磁性絶縁膜を横切ることになる。したがって、その分
磁気抵抗が増加することになり、再生効率が低下する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、かか
る従来の技術的な課題を解消するべく提案されたもので
あって、狭トラック化に有効で、しかも磁気コア断面積
の確保ができる再生効率の高い磁気ヘッドを提供するこ
とを目的とする。さらに本発明は、狭トラック化しても
磁気コア断面積の確保ができる再生効率の高い磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、金属磁性膜により閉磁路が構成されて
なる磁気ヘッドにおいて、フロントギャップ部がトラッ
ク幅に相当する金属磁性膜の単層膜又は非磁性絶縁膜を
介在した積層膜とされるとともに、フロントギャップ部
以外の金属磁性膜が非磁性絶縁膜を介在した積層膜とさ
れ、且つ、その膜厚が上記フロントギャップ部の金属磁
性膜の膜厚より厚いことを特徴とするものである。

【０００７】一方、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、
非磁性基板の両面又は片面に斜めに溝を形成する工程
と、上記溝内に金属磁性層と非磁性絶縁膜を交互に積層
してなる積層膜を形成する工程と、上記溝より飛び出る
積層膜を平面研磨して当該溝内にのみ該積層膜を残存さ
せる工程と、上記積層膜を平面研磨した面にトラック幅
に相当する厚みの金属磁性膜の単層膜又は非磁性絶縁膜
を介在させた積層膜を形成する工程と、上記非磁性基板
をアジマス角分傾けて接合する工程とを有してなるもの
である。

【０００８】

【作用】本発明においては、フロントギャップ部がトラ
ック幅に相当する金属磁性膜の単層膜又は非磁性絶縁膜
を介在した積層膜とされる一方、フロントギャップ部以
外の金属磁性膜が非磁性絶縁膜を介在した積層膜とさ
れ、且つ、その膜厚が上記フロントギャップ部の金属磁
性膜の膜厚より厚くなされているので、狭トラック化し
た場合でもフロントギャップ部以外の金属磁性膜におけ
る磁気コア断面積の確保により再生効率が向上する。

【０００９】一方、本発明の方法では、非磁性基板の斜
め溝内に形成された金属磁性層と非磁性絶縁膜との積層
膜が主磁路を構成することになり、上記積層膜を平坦化
した面上に形成される金属磁性膜の単層膜又は非磁性絶
縁膜を介在させた積層膜がトラック幅を規制することに
なる。したがって、フロントギャップのトラック幅は上
記積層膜によって規制される一方、斜め溝内の積層膜に
よって磁気コア断面積が確保される。

【００１０】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。実施例１ 実施例１に係る磁気ヘッドは、図１に示すように、閉磁
路を構成する金属磁性膜１がその膜厚方向より一対の非
磁性基板２，３によって挾み込まれることにより構成さ
れている。

【００１１】上記金属磁性膜１は、図２に示すように、
フロントギャップ部のみが薄膜の磁性金属層４，５より
なる単層膜とされ、それ以外の部分は非磁性絶縁膜６，
７を介して薄膜の磁性金属層８，９が何層にも積層され
た積層膜とされている。このフロントギャップ部の単層
膜とされる磁性金属層４，５は、かかる磁気ヘッドの磁
気ギャップｇのトラック幅Ｔｗに相当する膜厚とされ、
該磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗを規制するようにな
っている。

【００１２】一方、フロントギャップ部を除く積層膜
は、その膜厚が上記フロントギャップ部の磁性金属層
４，５の膜厚より厚くなされ、十分に記録再生するに足
るだけの磁路を構成する磁気コア断面積を確保するよう
になっている。この積層膜は、上記単層膜の磁性金属層
４，５の一方の面にのみ形成されている。また、この積
層膜を構成する各磁性金属層８，９のフロントギャップ
部近傍における先端は、いずれも単層膜である磁性金属
層４，５に接触するようになされている。すなわち、フ
ロントギャップ部近傍における積層膜の先端が単層膜で
ある磁性金属層４，５の一方の面に平面略くの字状に屈
曲して接するようになっている。なお、磁性金属層８，
９を非磁性絶縁膜６，７を介して積層することにより、
高周波数領域での渦電流損失を回避できる。

【００１３】上記磁性金属層４，５，８，９には、従来
より公知の高飽和磁束密度且つ軟磁気特性に優れた強磁
性合金材料が使用され、結晶質，非結晶質を問わない。
例示するならば、Ｆｅ系合金、Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ
系合金、Ｆｅ−Ｃ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆ
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ
−Ｇａ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金等の結晶質合金材料や、Ｃ
ｏ−Ｚｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ−Ｔａ等のアモルフ
ァス合金等が挙げられる。もちろん、一般に使用される
アモルファス合金（例えばＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏのうち１以
上の元素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉのうち１以上の元素とから
なる合金、またはこれを主成分としＡｌ，Ｂｅ，Ｓｎ，
Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ
等を含んだ合金等のメタル−メタロイド系アモルファス
合金、或いはＣｏ−Ｚｒ，Ｃｏ−Ｈｆ等の遷移元素を主
成分とする合金、またはこれらに希土類元素を添加した
合金等のメタル−メタル系アモルファス合金。）等も使
用可能である。

【００１４】また、上記磁性金属層４，５，８，９を磁
気的に分離する非磁性絶縁膜６，７には、ＳｉＯ₂ 、Ｔ
ａ₂ Ｏ₅ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｒＯ₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 等の如き
絶縁性に優れる材料が使用される。これら非磁性絶縁膜
６，７及び磁性金属層４，５，８，９を形成するには、
スパッタリングや蒸着等の真空薄膜形成技術がいずれも
使用できる。

【００１５】一方、非磁性基板２，３は、例えばセラミ
ックス等の非磁性材料からなり、上記閉磁路を構成する
金属磁性膜１をその膜厚方向より挾み込んで、当該金属
磁性膜１を補強する補助コアとしての役目をする。この
非磁性基板２，３の上記金属磁性膜１との対向面は、上
記金属磁性膜１の側面形状に応じた形となされている。
すなわち、金属磁性膜１の積層膜とされる側と対向する
非磁性基板３の対向面は、この積層膜と同じく凹凸を有
した形となされ、これと反対側の面と対向する非磁性基
板２の対向面は、平坦な面となされている。

【００１６】上記のような形とされた金属磁性膜１をそ
の膜厚方向より挾み込んでなる本実施例に係る磁気ヘッ
ドにおいては、磁気ギャップｇが形成される磁気ギャッ
プ形成面の延長上にある非磁性基板２，３の一部を略円
弧状に切り欠く切欠溝１０，１１と、巻線を巻回するた
めの巻線溝１２及びガラス溝１３内に融着ガラス１４を
充填させることによって接合されている。この磁気ヘッ
ドでは、閉磁路を構成する金属磁性膜１のうちフロント
ギャップ部近傍の単層膜とされる磁性金属層４，５の膜
厚によって、該磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗが規制
されている。したがって、この単層膜とされる磁性金属
層４，５の膜厚を制御することで簡単に狭トラック化が
図れる構成となっている。また、狭トラック化を図った
場合でも、フロントギャップ部以外の金属磁性膜１は積
層膜とされていることから、磁気コア断面積の確保によ
り磁気抵抗の増大が防止されるようになっている。ま
た、フロントギャップ部近傍における積層膜は、各磁性
金属層８，９が磁気ギャップｇ側に向くように屈曲され
ているため、この部分を流れる磁束は非磁性絶縁膜６，
７を横切ることなく磁気ギャップｇに集中する。さら
に、フロントギャップ部近傍における積層膜の端部１
５，１６は、いずれも磁気ギャップｇに対して鋭角をな
すように傾斜されているため、この積層膜の端部１５，
１６が疑似ギャップとして動作するようなことが生じな
い。したがって、本実施例の磁気ヘッドによれば、狭ト
ラック化した場合であっても再生効率の大幅な向上が期
待できる。なお、本実施例の磁気ヘッドでは、フロント
ギャップ部近傍の磁性金属層４，５を単層膜としたが、
これをトラック幅相当の磁性金属層と非磁性絶縁膜から
なる積層膜としても同様の作用効果がある。

【００１７】ところで、上述の磁気ヘッドを作製するに
は、先ず、図３に示すように、平板状をなすセラミック
ス等の非磁性材料からなる非磁性基板１７を作製する。
次に、上記非磁性基板１７の一方の面に、図４に示すよ
うな断面略台形状をなす凹溝１８を、少なくともトラッ
ク幅寸法よりも深い溝として斜めに一定ピッチで複数形
成する。

【００１８】かかる凹溝１８は、溝の端部がきっちりと
直線状をなすものの他、図５に示すように、その溝の端
部が円弧状となっていても構わない。また、この凹溝１
８は、図６中二点鎖線で示す最終的なヘッドチップ１９
のフロントギャップ部２０近傍を除く主磁路形成部分に
形成する。すなわち、ヘッドチップ１９のフロントギャ
ップ部２０に凹溝１８がかからないようにする。また、
上記凹溝１８は、ヘッドチップ１９のバック側の一部を
斜めに横切るようにしてもよいし、或いは横切らないよ
うにしてもどちらでもよい。凹溝１８がヘッドチップ１
９のバック側の一部を斜めに横切った場合には、金属磁
性膜１には図２に示すような凹み４３が形成されるが、
横切らなかった場合には、金属磁性膜１には図２０に示
すように凹みが形成されない。

【００１９】この結果、上記凹溝１８間には、断面略台
形状とされた凸状２１が形成される。かかる凸条２１に
は、最終的にヘッドチップ１９のフロントギャップ部２
０が形成されることになる。

【００２０】次に、図７に示すように、上記非磁性基板
１７の凹溝１８が形成された面に高透磁率を有するセン
ダスト等の金属磁性材料とＳｉＯ₂ 等よりなる非磁性絶
縁材料を交互にスパッタリング又は蒸着して磁性金属層
を何層にも積層した積層膜２２を形成する。このときの
積層膜２２は、上記凹溝１８の溝深さよりもやや厚めと
なるようにする。

【００２１】この結果、上記凹溝１８内には、図８に示
すように、磁性金属層２３が非磁性絶縁膜２４を介して
積層された積層膜２２が形成される。この凹溝１８で
は、溝の端部が傾斜面又は円弧状をなす面とされている
ことから、磁性金属層２３が連続的に成長し、磁気特性
の極端な劣化が起こらない。したがって、後工程でこの
積層膜２２上に形成されるトラック幅相当の膜厚とした
磁性金属層への磁束の集中効果がスムーズになる。

【００２２】次に、上記積層膜２２を平面研磨し、図９
に示すように、上記凹溝１８内にのみ積層膜２２を残存
させる。この凹溝１８内に残存した積層膜２２は、ヘッ
ドチップ１９のフロントギャップ部２０を除く主磁路を
構成する役目をし、該ヘッドチップ１９の磁気ギャップ
ｇのトラック幅寸法よりも厚くなっている。かかる凹溝
１８内に残存する積層膜２２は、ヘッドチップ１９のフ
ロントギャップ部２０近傍まで形成されているので、狭
トラック化が進んでも主磁路の磁気抵抗は大きくならな
い。また、ここでの積層膜２２の膜厚は、２μｍとか３
μｍのトラック幅のときでも、３０μｍ程度に形成可能
なので、後述の工程で容易にトラック位置合わせができ
る。

【００２３】次に、図１０に示すように、上記積層膜２
２を平面研磨した面に二酸化珪素等の非磁性絶縁膜２５
を形成する。しかる後、この非磁性絶縁膜２５上にトラ
ック幅に相当する厚みの磁性金属層２６を形成する。か
かる磁性金属層２６は、単層膜であってもよく、非磁性
絶縁膜を介在させた積層膜であってもよい。

【００２４】次に、上記トラック幅相当の磁性金属層２
６上にガラスをターゲットとして、薄膜のガラススパッ
タ膜２７を形成する。なお、上記磁性金属層２６上に
は、粉末ガラスを被着してもよく、或いはＣｒとＡｕを
順次スパッタリングしてもよい。

【００２５】次に、上述のように形成された非磁性基板
１７を複数形成し、これら非磁性基板１７同士を図１１
に示すようにアジマス角θ分傾けて，いわゆる斜め接合
する。これら複数の非磁性基板１７を接合するに際して
は、各非磁性基板１７に設けられる凹溝１８の溝ピッチ
を揃えた状態で接合する。すなわち、各非磁性基板１７
に形成される凹溝１８が横一直線上に並ぶようにする。

【００２６】次に、この接合一体化された非磁性基板１
７の接合体を、横一列に並ぶ凹溝１８が取り出されるよ
うに、図１１中線ａ−ａ及び線ｂ−ｂで示す位置でスラ
イシングする。この結果、図１２に示すように、凹溝１
８が横一列に並んだ磁気コアブロック２８が形成され
る。

【００２７】次いで、この磁気コアブロック２８に対し
て、図１３に示すように、コイルを巻装するための巻線
溝２９と、ガラス溝３０を形成する。上記巻線溝２９
は、上記トラック幅相当とされた磁性金属層２６に対し
て略直交する方向に断面略台形状をなす溝として形成す
る。一方、ガラス溝３０は、上記トラック幅相当とされ
た磁性金属層２６に対して略直交して断面コ字状をなす
溝として形成する。

【００２８】次に、断面略円弧状をなす融着溝３１を、
各非磁性基板１７にそれぞれ上記トラック幅相当の磁性
金属層２６に近接した位置に、この磁性金属層２６に沿
って形成する。しかる後、上記磁気コアブロック２８を
図１３中線ｃ−ｃで示す位置でスライシングし、図１４
に示すような磁気コア半体ブロック３２を作製する。

【００２９】次に、前述した工程を順次繰り返してこの
磁気コア半体ブック３２と接合される片方の磁気コア半
体ブロックを作製する。すなわち、図１５に示すよう
に、非磁性基板３３の一方の面に断面略台形状をなす凹
溝３４を斜めに一定ピッチで複数形成する。ここでの凹
溝３４は、先の凹溝１８の向きとは逆向きとなるように
形成する。

【００３０】次に、この凹溝３４内にやはり金属磁性材
料と非磁性絶縁材料とを交互にスパッタリングして積層
膜３５を形成する。しかる後、この積層膜３５を平面研
磨してこの上に非磁性絶縁膜（図示は省略する。）を形
成する。そして、さらにこの非磁性絶縁膜上にトラック
幅相当の磁性金属層３６を形成した後、ガラススパッタ
膜（図示は省略する。）を形成する。

【００３１】その後、図１６に示すように、これら非磁
性基板３３同士をアジマス角θ分傾けて接合一体化す
る。

【００３２】次に、この接合一体化された非磁性基板３
３の接合体を、横一列に並ぶ凹溝３４が取り出されるよ
うに、図１６中線ｄ−ｄ及び線ｅ−ｅで示す位置でスラ
イシングする。この結果、図１７に示すように、凹溝３
４が横一列に並んだ磁気コアブロック３７が形成され
る。

【００３３】次に、この磁気コアブロック３７に対し
て、図１８に示すように、先の磁気コアブロック２８に
形成した如くコイルを巻装するための巻線溝３８、ガラ
ス溝３９並びに融着溝４０を形成する。しかる後、上記
磁気コアブロック３７を図１８中線ｆ−ｆで示す位置で
スライシングし、図１９に示すような磁気コア半体ブロ
ック４１を作製する。

【００３４】次に、これら磁気コア半体ブロック３２，
４１の突合わせ面にＳｉＯ₂ をスパッタリングや蒸着等
によって被着し、ギャップ膜（図示は省略する。）を形
成する。次いで、これら磁気コア半体ブロック３２，４
１同士をトラック位置合わせしながら突合わせた後、巻
線溝２９，３８及びガラス溝３０，３９内にガラス棒を
挿入してガラス融着する。

【００３５】この結果、これら磁気コア半体ブロック３
２，４１は、融着ガラス４２によって接合一体化され
る。そして最後に、トラック幅相当とされた磁性金属層
２６，３６と平行に、図１９中線ｇ−ｇ及び線ｈ−ｈで
示す位置でスライシングすることにより、図１に示す磁
気ヘッドが作製される。

【００３６】実施例２ 実施例２に係る磁気ヘッドでは、非磁性絶縁膜と磁性金
属層とからなる積層膜をトラック幅相当の磁性金属層の
両側に形成することによって、閉磁路を構成する金属磁
性膜の磁気コア断面積を増大して磁気抵抗のより一層の
低減を図り、再生効率をさらに高めたものである。

【００３７】かかる磁気ヘッドでは、金属磁性膜４４
が、図２１及び図２２に示すように、フロントギャップ
部のみトラック幅相当とされ、それ以外の部分がそのト
ラック幅相当とされる磁性金属層４５，４６の両側に非
磁性絶縁膜４７，４８を介して磁性金属層４９，５０が
何層にも積層された形となっている。したがって、この
磁気ヘッドでは、先の実施例１の磁気ヘッドに比べてバ
ック側の磁気コア断面積が大幅に増大し、磁気抵抗のよ
り一層の低減によって再生効率が格段向上する。

【００３８】なお、この磁気ヘッドにおいても先の実施
例１の磁気ヘッドと同様に、この金属磁性膜４４をその
膜厚方向より一対の非磁性基板５１，５２によって挾み
込むことによって構成されている。また、かかる磁気ヘ
ッドにおいても、巻線溝５３とガラス溝５４並びに融着
溝５５，５６が形成され、これら溝内に融着ガラス５７
が充填されている。

【００３９】上述の磁気ヘッドを作製するには、以下の
ようにして行う。先ず、図２３に示すように、平板状を
なす非磁性基板５８の両面に、図２４に示すような断面
略台形状をなす凹溝５９，６０を、少なくともトラック
幅寸法よりも深い溝として斜めに一定ピッチで複数形成
する。かかる凹溝５９，６０は、先の実施例１と同じ条
件で形成する。ただし、裏面側に形成する凹溝６０の溝
ピッチは、基板５８の厚みをｔとし、アジマス角をθと
した場合、ｔ・ｔａｎθだけずらして形成する。これ
は、後述の工程で、非磁性基板５８を斜めに接合したと
きに、丁度、凹溝５９，６０の端部が一致するようにな
すためである。

【００４０】この結果、上記凹溝５９，６０間には、断
面略台形状とされた凸状６１，６２がそれぞれ形成され
る。なお、凹溝５９，６０がヘッドチップのバック側の
一部を斜めに横切った場合には、金属磁性膜４４には図
２２に示すような凹み７９が形成されるが、横切らなか
った場合には、金属磁性膜４４には図３４に示すように
凹みが形成されない。

【００４１】次に、図２５に示すように、上記非磁性基
板５８の両面に高透磁率を有するセンダスト等の金属磁
性材料とＳｉＯ₂ 等よりなる非磁性絶縁材料を交互にス
パッタリング又は蒸着して磁性金属層を何層にも積層し
た積層膜６３，６４を形成する。このときの積層膜６
３，６４は、上記凹溝５９，６０の溝深さよりもやや厚
めとなるようにする。

【００４２】この結果、上記凹溝５９，６０内には、図
２６に示すように、磁性金属層６５，６６が非磁性絶縁
膜６７，６８を介して積層された積層膜６３，６４が形
成される。なお、図２６では、一方の凹溝５９内にのみ
形成された積層膜６３を示す。この凹溝５９，６０で
は、溝の端部が傾斜面又は円弧状をなす面とされている
ことから、磁性金属層６５，６６が連続的に成長し、磁
気特性の極端な劣化が起こらない。したがって、後工程
でこの積層膜６３，６４上に形成されるトラック幅相当
の膜厚とした磁性金属層への磁束の集中効果がスムーズ
になる。

【００４３】次に、上記積層膜６３，６４を平面研磨
し、図２７に示すように、上記凹溝５９，６０内にのみ
積層膜６３，６４を残存させる。この凹溝５９，６０に
残存した積層膜６３，６４は、やはり先の実施例の磁気
ヘッドと同じく、ヘッドチップのフロントギャップ部を
除く主磁路を構成する役目をし、該ヘッドチップの磁気
ギャップｇのトラック幅寸法よりも厚くなっている。ま
た、かかる凹溝５９，６０内に残存する積層膜６３，６
４は、ヘッドチップのフロントギャップ部近傍まで形成
されているので、狭トラック化が進んでも主磁路の磁気
抵抗は大きくならない。特に、非磁性基板５８の両側に
積層膜６３，６４が設けられているので、後述の工程で
トラック位置合わせが容易なものとなる。

【００４４】次に、図２８に示すように、平面研磨した
一方の積層膜６３上に二酸化珪素等の非磁性絶縁膜６９
を形成する。しかる後、この非磁性絶縁膜６９上にトラ
ック幅に相当する厚みの磁性金属層７０を形成する。か
かる磁性金属層７０は、単層膜であってもよく、非磁性
絶縁膜を介在させた積層膜であってもよい。

【００４５】次に、上記トラック幅相当の磁性金属層７
０上にガラスをターゲットとして、薄膜のガラススパッ
タ膜７１を形成する。なお、上記磁性金属層７０上に
は、粉末ガラスを被着してもよく、或いはＣｒとＡｕを
順次スパッタリングしてもよい。

【００４６】次に、上述のように形成された非磁性基板
５８を複数形成し、これら非磁性基板５８同士を図２９
に示すようにアジマス角θ分傾けて，いわゆる斜め接合
する。これら複数の非磁性基板５８を接合するに際して
は、各非磁性基板５８に設けられる凹溝５９，６０の溝
ピッチを揃えた状態で接合する。すなわち、各非磁性基
板５８に形成される凹溝５９，６０が横一直線上に並ぶ
ようにする。

【００４７】次に、この接合一体化された非磁性基板５
８の接合体を、横一列に並ぶ凹溝５９，６０が取り出さ
れるように、図２９中線ｉ−ｉ及び線ｊ−ｊで示す位置
でスライシングする。この結果、図３０に示すように、
凹溝５９，６０が横一列に並んだ磁気コアブロック７２
が形成される。

【００４８】次いで、この磁気コアブロック７２に対し
て、図３１に示すように、コイルを巻装するための巻線
溝７３と、ガラス溝７４を形成する。上記巻線溝７３
は、上記トラック幅相当とされた磁性金属層７０に対し
て略直交する方向に断面略台形状をなす溝として形成す
る。一方、ガラス溝７４は、上記トラック幅相当とされ
た磁性金属層７０に対して略直交して断面コ字状をなす
溝として形成する。

【００４９】次に、断面略円弧状をなす融着溝７５を、
各非磁性基板５８の略中央部分に、この磁性金属層７０
に沿って形成する。しかる後、上記磁気コアブロック７
２を図１３中線ｋ−ｋで示す位置でスライシングし、図
３２に示すような磁気コア半体ブロック７６を作製す
る。そして、前述した工程を順次繰り返して上記磁気コ
ア半体ブロック７６と同じ磁気コア半体ブロック７７を
もう一つ作製する。

【００５０】次に、これら磁気コア半体ブロック７６，
７７の突合わせ面にＳｉＯ₂ をスパッタリングや蒸着等
によって被着し、ギャップ膜（図示は省略する。）を形
成する。次いで、これら磁気コア半体ブロック７６，７
７同士をトラック位置合わせしながら突合わせた後、巻
線溝７３及びガラス溝７４内にガラス棒を挿入してガラ
ス融着する。

【００５１】この結果、これら磁気コア半体ブロック７
６，７７は、融着ガラス７８によって接合一体化され
る。そして最後に、トラック幅相当とされた磁性金属層
７０と平行に、図３３中線ｌ−ｌ及び線ｍ−ｍで示す位
置でスライシングすることにより、図２１に示す磁気ヘ
ッドが作製される。

【００５２】なお、かかる磁気ヘッドと逆向きのアジマ
スを有する磁気ヘッドを作製するには、図２９とは逆向
きに非磁性基板５８を図３５に示すように斜め接合した
後、以下、前述の工程と同じように形成する。これによ
り、図２１とは逆向きのアジマス角を有する逆アジマス
の磁気ヘッドが作製される。

【００５３】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気ヘッドにおいては、フロントギャップ部がトラ
ック幅に相当する金属磁性膜の単層膜又は非磁性絶縁膜
を介在した積層膜とされる一方、フロントギャップ部以
外の金属磁性膜が非磁性絶縁膜を介在した積層膜とさ
れ、且つ、その膜厚が上記フロントギャップ部の金属磁
性膜の膜厚より厚くなされているので、狭トラック化が
容易で、しかも狭トラック化しても記録再生するに十分
な磁気コア断面積を確保できる。したがって、本実施例
の磁気ヘッドによれば、磁気抵抗の低減により、再生効
率を大幅に向上させることができ、高抗磁力磁気記録媒
体に対して良好に記録再生することができる。また、本
発明の磁気ヘッドにおいては、フロントギャップ部近傍
の金属磁性膜の端部が磁気ギャップと非平行となされて
いるため、このエッジ部が疑似ギャップとして動作する
ことがない。また、このエッジ部で発生した磁束は、ト
ラック幅相当の金属磁性膜へ集中するため、ヘッドの再
生効率が一段と向上する。

【００５４】一方、本発明の方法によれば、狭トラック
化した場合でも、磁気コア断面積の確保ができ、再生効
率の高い高出力の磁気ヘッドを歩留りよく製造すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の磁気ヘッドの斜視図である。

【図２】実施例１の磁気ヘッドにおける金属磁性膜の斜
視図である。

【図３】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を示
すもので、凹溝形成工程を示す平面図である。

【図４】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を示
すもので、図３の側面図である。

【図５】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を示
すもので、凹溝形成工程における凹溝の他の例を示す要
部拡大側面図である。

【図６】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を示
すもので、凹溝の形成位置を示す斜視図である。

【図７】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を示
すもので、金属磁性膜形成工程を示す側面図である。

【図８】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を示
すもので、図７の要部拡大側面図である。

【図９】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を示
すもので、平面研磨工程を示す要部拡大側面図である。

【図１０】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、トラック幅相当の金属磁性層形成工程を示
す要部拡大側面図である。

【図１１】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、非磁性基板の斜め接合工程を示す側面図で
ある。

【図１２】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、磁気コアブロック形成工程を示す斜視図で
ある。

【図１３】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、溝加工工程を示す斜視図である。

【図１４】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、磁気コア半体ブロック形成工程を示す斜視
図である。

【図１５】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、他方の磁気コア半体ブロックを作製するた
めの凹溝形成工程を示す平面図である。

【図１６】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、他方の磁気コア半体ブロックを作製するた
めの非磁性基板の斜め接合工程を示す側面図である。

【図１７】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、他方の磁気コア半体ブロックを作製するた
めの磁気コアブロック形成工程を示す斜視図である。

【図１８】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、他方の磁気コア半体ブロックを作製するた
めの溝加工工程を示す斜視図である。

【図１９】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、一対の磁気コア半体ブロック接合工程を示
す斜視図である。

【図２０】実施例１の磁気ヘッドにおいて、凹溝がヘッ
ドチップのバック側の一部を斜めに横切らなかったとき
に作製される金属磁性膜の斜視図である。

【図２１】実施例２の磁気ヘッドの斜視図である。

【図２２】実施例２の磁気ヘッドにおける金属磁性膜の
斜視図である。

【図２３】実施例２の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、凹溝形成工程を示す平面図である。

【図２４】実施例２の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、図２３の側面図である。

【図２５】実施例２の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、金属磁性膜形成工程を示す側面図である。

【図２６】実施例２の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、図２５の要部拡大側面図である。

【図２７】実施例２の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、平面研磨工程を示す要部拡大側面図であ
る。

【図２８】実施例２の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、トラック幅相当の金属磁性層形成工程を示
す要部拡大側面図である。

【図２９】実施例２の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、非磁性基板の斜め接合工程を示す側面図で
ある。

【図３０】実施例２の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、磁気コアブロック形成工程を示す斜視図で
ある。

【図３１】実施例２の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、溝加工工程を示す斜視図である。

【図３２】実施例２の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、磁気コア半体ブロック形成工程を示す斜視
図である。

【図３３】実施例２の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、一対の磁気コア半体ブロック接合工程を示
す斜視図である。

【図３４】実施例２の磁気ヘッドにおいて、凹溝がヘッ
ドチップのバック側の一部を斜めに横切らなかったとき
に作製される金属磁性膜の斜視図である。

【図３５】実施例２の磁気ヘッドと逆アジマスの磁気ヘ
ッドを作製するための非磁性基板の斜め接合工程を示す
側面図である。

【符号の説明】

１，４４・・・金属磁性膜 ２，３，５１，５２・・・非磁性基板 ４，５，８，９，４９，５０・・・磁性金属層 ６，７，４７，４８・・・非磁性絶縁膜 １８，５９，６０・・・凹溝

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属磁性膜により閉磁路が構成されてな
   る磁気ヘッドにおいて、 フロントギャップ部がトラック幅に相当する金属磁性膜
   の単層膜又は非磁性絶縁膜を介在した積層膜とされると
   ともに、フロントギャップ部以外の金属磁性膜が非磁性
   絶縁膜を介在した積層膜とされ、且つ、その膜厚が上記
   フロントギャップ部の金属磁性膜の膜厚より厚いことを
   特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 非磁性基板の両面又は片面に斜めに溝を
   形成する工程と、 上記溝内に金属磁性層と非磁性絶縁膜を交互に積層して
   なる積層膜を形成する工程と、 上記溝より飛び出る積層膜を平面研磨して当該溝内にの
   み該積層膜を残存させる工程と、 上記積層膜を平面研磨した面にトラック幅に相当する厚
   みの金属磁性膜の単層膜又は非磁性絶縁膜を介在させた
   積層膜を形成する工程と、 上記非磁性基板をアジマス角分傾けて接合する工程とを
   有してなる磁気ヘッドの製造方法。