JPH05275763A - 強誘電性セラミックディスクからなるアクチュエーター - Google Patents

強誘電性セラミックディスクからなるアクチュエーター

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JPH05275763A
JPH05275763A JP4325656A JP32565692A JPH05275763A JP H05275763 A JPH05275763 A JP H05275763A JP 4325656 A JP4325656 A JP 4325656A JP 32565692 A JP32565692 A JP 32565692A JP H05275763 A JPH05275763 A JP H05275763A
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JP
Japan
Prior art keywords
actuator
disk
disc
ferroelectric
conductive layers
Prior art date
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Pending
Application number
JP4325656A
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English (en)
Inventor
Heinrich Berthold
ハインリッヒ・ベルトルト
Fritz Ullherr
フリッツ・ウルヘアー
Guenter Dr Helke
ギュンター・ヘルク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ceramtec GmbH
Original Assignee
Ceramtec GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Ceramtec GmbH filed Critical Ceramtec GmbH
Publication of JPH05275763A publication Critical patent/JPH05275763A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/872Connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. external electrodes
    • H10N30/874Connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. external electrodes embedded within piezoelectric or electrostrictive material, e.g. via connections
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • H10N30/503Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure with non-rectangular cross-section orthogonal to the stacking direction, e.g. polygonal, circular
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • H10N30/503Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure with non-rectangular cross-section orthogonal to the stacking direction, e.g. polygonal, circular
    • H10N30/505Annular cross-section

Abstract

(57)【要約】 【目的】 両側に導電性層を有するセラミックディスク
が互いに結合し、外部電気供給ラインに接続している
(平行に接続している)強誘電性セラミックディスクか
らなるアクチュエーターに関する。 【構成】 両側に導電性層を有するセラミックディスク
が互いに結合し、そして電気供給ラインに接続してい
る、強誘電性セラミックディスクからなるアクチュエー
ターであって、個々のディスク(1)の導電性層(2)
がディスク(1)の前後にあり、それぞれの場合、絶縁
部(3)はエッジゾーンとして180℃相互に食い違え
て配置してあり、隣接ディスク(1)の絶縁部(3)は
互いに上にあり、一方の側の絶縁部(3)は、ディスク
の他の側の端に延びている導電性層(2)(電極)と反
対の位置にある、上記のアクチュエーターを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、両側に導電性層を有す
るセラミックディスクが、互いに結合し、そして外部電
気供給ラインに接続している(平行に接続している)、
強誘電性セラミックディスクからなるアクチュエーター
に関する。
【0002】
【従来の技術】強誘電性セラミックとは、圧電性及び電
気歪性セラミックの両方を意味すると理解すべきであ
る。強誘電性セラミックからなるアクチュエーターは、
約100μm以下のマイクロメーターの範囲で細かく位
置を定めるためのマイクロシステム技術における駆動部
材としての使用が増加している。強誘電性セラミックか
らなるそのようなアクチュエーターの働きは、機械的に
連続して接続しそして電気的に平行に接続するように、
互いに結合させた強誘電性セラミックの個々のプレート
又はディスクに基づくものである。電圧をかけたとき変
形し、その変形が操作電圧及び部材の数に比例する、プ
レート又はディスク積層材料が形成される。積層物中の
部材を平行に電気接続するには、同じ極性の内部電極を
外部接続する必要がある。これまで、このために金属箔
又は布を、隣接電極間に置き、電極につないできた。こ
の方法では、積層物中の強誘電的に不活性な材料部分を
最少にしたり、隣接電極間の電気接触を確実にしたり、
操作の際の機械負荷の場合における追加レジリエンスを
なくしたりするために、金属をはめこんだり、接着剤結
合部を十分に薄くすることが不可欠である。
【0003】この種のアクチュエーターについてはドイ
ツ特許出願公開第33 30 538号に記載がある。
ピエゾセラミックプレートから製造したパッケージにそ
れぞれ共通な接点をつくるために、電極として施した表
面金属被覆はそれぞれの場合においてプレート端に丸く
取り、各側端表面上にのせ、そしてはんだ付けした金属
グリッドを用いてこの位置で互いに接続させる。
【0004】ピエゾセラミックディスク積層物の製法に
ついては、ドイツ特許出願公開第40 14 526号
に記載されている。この方法では、端に延びている電極
をスパッターリング法でディスク両側に蒸着し、粘度の
低い接着剤を用いて、限定された圧力の下で連続的に結
合して、積層物を形成する。最後に端の接触面をスパッ
ターリング法で被覆することによって、個々のディスク
を平行に電気接続するために必要な接続が得られる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】公知のアクチュエータ
ーに関する問題は、個々のディスクへの電力供給、及び
電圧をアクチュエーターにかけたときの断面の変形分布
である。本発明の目的はこれを改良することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、両側に導電性
層を有するセラミックディスクが、互いに結合し、そし
て電気供給ラインに接続している、強誘電性セラミック
ディスクからなるアクチュエーターであって、個々のデ
ィスク(1)の導電性層(2)がディスク(1)の前後
にあり、それぞれ、絶縁部(3)はエッジゾーンとして
180℃相互に食い違えて配置してあり、隣接ディスク
(1)の絶縁部(3)は互いに上にあり、一方の側の絶
縁部(3)は、ディスクの他の側の端に延びている導電
性層(2)(電極)と反対の位置にある、上記のアクチ
ュエーターである。
【0007】この目的は、個々のディスクの導電性層
が、絶縁ベースのディスクの前後に、それぞれ、相互に
180°食い違えて配置したエッジゾーンとしての部分
的な絶縁部を有し、隣接ディスクの絶縁部は互いに上に
配置し、一方の側の絶縁部は、ディスクの他の側の端に
延びている導電性層と反対の位置にある、アクチュエー
ターによって達成される。
【0008】セラミックディスクは絶縁部領域にくぼみ
を有していてもよく、このくぼみは半円形のものであ
り、絶縁部はくぼみのまわりに同中心的に配置する。
【0009】本発明の利点は本質的には、アクチュエー
ターの断面の変形の特に均一な分布が、ディスクの端の
くぼみに延びる電極及びカウンター電極の金属被覆を有
する複合材料で得られ、そしてディスク全部の外部電気
接続が、それぞれ、連続導電路によって得られることに
あると思われる。
【0010】本発明を、図面を用いて以下にさらに詳し
く説明するが、これらは具体例にすぎない。
【0011】図1a及び図1bは、強誘電性ディスクの
前後を示す図であり、図2は、図1のディスクよりなる
アクチュエーターの断面図であり、そして図3a、b−
図5a、bは、図1の別の具体例を示す図である。
【0012】円形の強誘電性ディスク1よりなるアクチ
ュエーターにおいて、セラミックディスク1は実質的に
完全に両側に導電性層2及び金属被覆を有し、そしてこ
れらは互いに結合している。各導電性層2は、エッジゾ
ーンとして絶縁部3を有し、ディスク1の絶縁部3は、
好ましくは180°食い違えそして鏡像のように配置す
る。ディスク1は、隣接ディスク1の絶縁部3が互いの
上となるように積み重ねる。ディスク1は、2つの円形
のくぼみ4を有していてもよく、このまわりに絶縁部3
がそれぞれ同中心的に配置されている。くぼみの別の
形、例えば切り取った形のもの7(図4a/b及び5a
/b)も可能である。図3a/bの別の具体例では、半
円形のくぼみ4を、中心に配置した穴6と組み合わせ
る。個々の導電性層2への電気供給ラインは、くぼみ
4、6、7に導電路5として配置してもよく、絶縁部3
は確実に、同じ極性の導電性層2を互いに接続する(図
2)。さらに、絶縁部3は、絶縁破壊を防止するように
設計する。電流供給のための導電路はスペースを減少さ
せるように半円形及び円形くぼみ4、6に収容すること
もできる。矢印は、個々のディスク1の分極方向を示
す。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1aは強誘電性ディスクの前面を示す図で
ある。図1bは強誘電性ディスクの後面を示す図であ
る。
【図2】 図1のディスクよりなるアクチュエーターの
断面図である。
【図3】 図3aは図1の別の具体例を示す強誘電性デ
ィスクの前面を示す図である。図3b図3aの強誘電性
ディスクの後面を示す図である。
【図4】 図4aは図1の更に別の具体例を示す強誘電
性ディスクの前面を示す図である。図4bは図4aの強
誘電性ディスクの後面を示す図である。
【図5】 図5aは図1のなお更に別の具体例を示す強
誘電性ディスクの前面を示す図である。図5bは図5a
の強誘電性ディスクの後面を示す図である。
【符号の説明】
1 セラミックディスク 2 導電性層 3 絶縁層 4 くぼみ 5 導電路 6 穴 7 くぼみ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フリッツ・ウルヘアー ドイツ連邦共和国デー−8560 ラウフ,ヘ ーアスブルッカー・シュトラーセ 30 (72)発明者 ギュンター・ヘルク ドイツ連邦共和国デー−8560 ラウフ,ブ ライト・シュトラーセ 29

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 両側に導電性層を有するセラミックディ
    スクが、互いに結合し、そして電気供給ラインに接続し
    ている、強誘電性セラミックディスクからなるアクチュ
    エーターであって、個々のディスク(1)の導電性層
    (2)がディスク(1)の前後にあり、それぞれ、絶縁
    部(3)はエッジゾーンとして180℃相互に食い違え
    て配置してあり、隣接ディスク(1)の絶縁部(3)は
    互いに上にあり、一方の側の絶縁部(3)は、ディスク
    の他の側の端に延びている導電性層(2)(電極)と反
    対の位置にある、上記のアクチュエーター。
  2. 【請求項2】 セラミックディスクが、絶縁部(3)の
    領域にくぼみ(4、6、7)を有する、請求項1のアク
    チュエーター。
  3. 【請求項3】 くぼみ(4)が半円形のものであり、絶
    縁部(3)がくぼみ(4)のまわりに同中心的に配置さ
    れている、請求項2のアクチュエーター。
JP4325656A 1991-12-05 1992-12-04 強誘電性セラミックディスクからなるアクチュエーター Pending JPH05275763A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4140107:7 1991-12-05
DE4140107 1991-12-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05275763A true JPH05275763A (ja) 1993-10-22

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ID=6446336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4325656A Pending JPH05275763A (ja) 1991-12-05 1992-12-04 強誘電性セラミックディスクからなるアクチュエーター

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EP (1) EP0545391A1 (ja)
JP (1) JPH05275763A (ja)
TW (1) TW241363B (ja)

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EP0545391A1 (de) 1993-06-09
TW241363B (ja) 1995-02-21

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