JP2009530799A - モノリシック多層アクチュエータの製造方法及びモノリシック多層アクチュエータ - Google Patents

モノリシック多層アクチュエータの製造方法及びモノリシック多層アクチュエータ Download PDF

Info

Publication number
JP2009530799A
JP2009530799A JP2008558821A JP2008558821A JP2009530799A JP 2009530799 A JP2009530799 A JP 2009530799A JP 2008558821 A JP2008558821 A JP 2008558821A JP 2008558821 A JP2008558821 A JP 2008558821A JP 2009530799 A JP2009530799 A JP 2009530799A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
multilayer actuator
monolithic
actuator
active
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008558821A
Other languages
English (en)
Inventor
シュライナー ハンス−ユルゲン
シュミット ユルゲン
ビンディヒ ライナー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ceramtec GmbH
Original Assignee
Ceramtec GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ceramtec GmbH filed Critical Ceramtec GmbH
Publication of JP2009530799A publication Critical patent/JP2009530799A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/05Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H10N30/053Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by integrally sintering piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2041Beam type
    • H10N30/2042Cantilevers, i.e. having one fixed end
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/871Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)

Abstract

本発明は、金属の内部電極が取り付けられた圧電セラミック製の活性薄膜(2)の積層からなり、前記内部電極は、交互に前記積層から引き出され、外部電極(3)を介して電気的に並列に接続されているモノリシック多層アクチュエータ(1)の製造方法に関する。各活性薄膜(2)上に、両極性の内部電極(9)が導体路として取り付けられており、活性薄膜(2)の全ての積層方向(8)は、多層アクチュエータ(1)の長手軸(5)に対して直角に設けられており、薄膜(2)は、内部電極(9)と協働して、共焼結(cofiring)処理で焼結することによって、公知の、且つ、市場で通常用いられている積層及びラミネート機械用の技術を使用することができる。

Description

本発明は、インターディジタル形電極付多層アクチュエータに関しており、請求項1の上位概念に記載のモノリシック多層アクチュエータの製造方法、及び、請求項2の上位概念に記載の多層アクチュエータに関する。
従来技術のモノリシック多層アクチュエータ(以下、一般的にアクチュエータと呼ぶ)は、一般的に、積層された薄膜層2、例えば、各活性材料間に設けられた導電性の各内部電極4を有している、圧電セラミック又は電歪材料の活性材料から形成されている。それにより、各内部電極4は、電気的に並列接続されて、2つのグループにまとめられ、これらの2つのグループは、アクチュエータの両端子極をなす(図1参照)。
端子極に電圧が印加されると、この電圧は、全ての各内部電極に並列に伝送され、活性材料の全ての層内に電界を生じ、それにより機械的に変形する。これら全ての機械的な変形の和は、アクチュエータの端面での、アクチュエータ軸5の方向の延び及び/又は力として利用可能である。
前述の効果は、33効果と呼ばれる。と言うのは、電界が分極の方向に励起されるからであり(空間方向:第一の指標3)、且つ、同じ方向に生じる機械的な効果(空間方向:第2の指標3)が利用される。それとは異なり、4つのベンディング部材で利用される31効果は、分極方向での電界の印加(空間方向:第1の指標3)、及び、それに対して直角な機械的な効果の利用(空間方向:第2の指標1)を示す。
33効果を利用することができるためには、アクチュエータの分極方向6及び運動方向7は、同じ方向、通常は、アクチュエータ長手軸5の方向である必要がある。つまり、図1に示されているように、各個別層2及び各内部電極4は、アクチュエータ軸5に対して直角であり、積層方向8は、アクチュエータ軸5に対して平行である。
そのために、非常に多数の層乃至セラミック層が、各内部電極と共に相互に積層されている必要があり、その際、各内部電極は、各薄膜金属層として構成されている。寸法7x14x100mmのアクチュエータでは、例えば、各々0.09mm厚の1100個の層が正確に適合するように相互に上下に重ねて積層される必要がある。
本発明の課題は、請求項1の上位概念に記載の多層アクチュエータの製造方法を改善して、公知且つ市場で通常用いられている積層及びラミネート機械用の技術を利用することができるようにすることにある。更に、非常に小さな基底面で、大きな高さを有することができ、且つ、例えば、上述の方法により製造された、請求項2の上位概念に記載の多層アクチュエータを提供することにある。
本発明によると、この課題は、請求項1記載の各要件によって解決される。
各活性薄膜上に、両極性の内部電極が導体路として取り付けられており、活性薄膜の全ての積層方向8は、多層アクチュエータの長手軸に対して直角に設けられており、薄膜は、内部電極と協働して、共焼結(cofiring)処理で焼結することによって、公知の、且つ、市場で通常用いられている積層及びラミネート機械用の技術を使用することができる。
共焼結処理とは、各内部電極が完全にラミネートされていて、且つ、セラミックと一緒に焼結されることである。従って、共焼結(cofiring)処理では、各内部電極は、セラミック薄膜と一緒に1つの作業ステップで同時に焼結される。
本発明によると、この、多層アクチュエータに関する課題は、請求項2記載の各要件によって解決される。
各活性薄膜上に、両極性の内部電極が導体路として取り付けられており、活性薄膜の全ての積層方向は、多層アクチュエータの長手軸に対して直角に設けられており、薄膜は、内部電極と協働して、共焼結処理で焼結することによって、例えば、弁作動用に必要とされる、大きな高さの多層アクチュエータ(33アクチュエータ)を簡単に製造することができる。
例えば、33ベンディングアクチュエータ用に必要とされるような非常に小さな基底面で大きな高さの33アクチュエータを非常に容易に形成することもできる。
このベンディング部材を直接同じプロセスでモノリシックにより製造することも非常に容易に可能である。
各内部電極は、もはや全面が金属層としてアクチュエータ内に取り付けられるのではなく、できる限り微細な導体を備えた各導体路として取り付けられている。そのために、非常に高価な貴金属含有の内部電極材料の一部分しか必要としない。
要するに、本発明の方法によると、簡単且つ複雑でないプロセスにすることができ、貴金属含有の内部電極を節約することができ、従って、アクチュエータ及びベンディング部材用の製造コストを著しく低減することができる。
これまで、コスト上の理由から、大きな部材数で製造可能ではなかったアクチュエータタイプを経済的に製造することができる。寸法7x14x100mmのアクチュエータでは、例えば、各々0.1mm厚の77個の層が正確に適合するように相互に上下に重ねて積層される必要がある。
本発明の構成では、両極性の内部電極は、各々1つのベース導体路と、該ベース導体路からほぼ直角に出ている各櫛形導体路と共に櫛状に形成されており、両極性の各櫛形導体路は、薄膜の縁領域に至る迄、一方の極性の各櫛形導体路が、他方の極性の2つの櫛形導体路間に設けられているように相互に嵌合している。この櫛状に相互に嵌合し合った各内部電極は、以下、インターディジタル形電極(Interdigitalelektroden)と呼ぶ。
有利には、ベース導体路は、薄膜の、対向し合った各側面に当接して設けられている。
有利には、薄膜の厚みは、10μm〜300μm、有利には、30μm〜100μmである。
本発明の構成では、各内部電極の各導体路の幅は、0.05〜0.5mm、有利には、0.1〜0.2mmである。
各内部電極の各導体路間の間隔は、所望の作動電圧の場合に、0.5〜5kV/mm、有利には、1.5〜2.5kV/mmの電界強度が調整されるように選定されている。
本発明の構成では、多層アクチュエータは、活性薄膜に対して付加的に、内部電極なしの非活性薄膜も有しており、その結果、1つ又は複数の活性ゾーン及び1つ又は複数の非活性ゾーンが形成され、且つ、多層アクチュエータは、作動中、湾曲する。
有利には、活性ゾーンと非活性ゾーンとの間に、全面が電気的に外部電極によって接触接続していない内部電極を有する薄膜が設けられている。
有利には、セラミック用に低く焼結した圧電セラミック材料が使われる。そのような圧電セラミック材料は、例えば、DE 198 40 488 A1に記載されている。
以下、本発明について、図示の実施例を用いて詳細に説明する。
図1は、従来技術により構成されたモノリシック33アクチュエータ1を示す。
分極の方向6、運動方向7及び積層方向8は、アクチュエータ軸5の方向である(この点については、発明詳細な説明の冒頭も参照されたい)点は強調すべきである。ここでは、全面の各内部電極が使用されている。
ベンディング部材用のモノリシック33アクチュエータは、従来技術では、有意義に積層/ラミネート方法を介して製造することができず、予め焼結されて電極が設けられた、大きな33アクチュエータによって薄膜ディスクとして鋸状にカットされている。
33ベンディングアクチュエータは、積層/ラミネート方法によって製造されることはできず、焼結且つ電極を設けた部分アクチュエータから、接着によって接合しなければならない。
図2は、本発明のモノリシック33アクチュエータ(多層アクチュエータ)を示す。極性方向6及び運動方向7は、アクチュエータの長手軸5の方向である点を強調する。それに対して、層8の方向は、長手軸に対して直角である。各インターディジタル形電極9は、側面が各外部電極3によって電気的に接続されている。別の外部電極が、対向する側面上に位置してる各外部電極3の1つしか図示していない。
図3は、相互に嵌合し合った各インターディジタル形電極9を備えた本発明のモノリシック33アクチュエータの平面図を示す。
図4は、図3に示したモノリシック33アクチュエータを切断線A−Bに沿って切断した断面を示す。各インターディジタル形電極9の交互に切り換わる極性、及び、層方向8は、分極方向6及び運動方向7に対して直角である点が強調されている。
図5は、本発明の方法によって構成されたモノリシック33ベンディングアクチュエータの(図4に示したような)断面を示す。下側の積層領域内で、インターディジタル形電極9をなくすことによって、非活性ゾーン12が形成される。残りのアクチュエータ束10乃至活性ゾーンは、運動方向に回転した場合に、構造体を下の方に曲げる。全面に取り付けられた、電気的に接触接続していない各内部電極13によって、場合によってはベンディングによって受動ゾーン内に生じた亀裂が延びて拡がっていくのが阻止される。
図6は、本発明の方法によって構成されたモノリシック33ベンディングアクチュエータの断面を示す。真ん中の層領域内で各電極をなくすことによって、非活性ゾーン12が生じる。残りのアクチュエータ束10,11により、交互に膨張した場合に、構造体は、上の方又は下の方に曲がる。全面に取り付けられた、電気的に接触接続していない各内部電極13によって、場合によってはベンディングによって非活性ゾーン12内に生じた亀裂が延びて拡がっていくのが阻止される。
従来技術により構成されたモノリシック33アクチュエータ1 本発明のモノリシック33アクチュエータ(多層アクチュエータ) 相互に嵌合し合った各インターディジタル形電極9を備えた本発明のモノリシック33アクチュエータの平面図 図3に示したモノリシック33アクチュエータを切断線A−Bに沿って切断した断面 本発明の方法によって構成されたモノリシック33ベンディングアクチュエータの(図4に示したような)断面 本発明の方法によって構成されたモノリシック33ベンディングアクチュエータの断面

Claims (10)

  1. 金属の内部電極が取り付けられた圧電セラミック製の活性薄膜(2)の積層からなり、前記内部電極は、交互に前記積層から引き出され、外部電極(3)を介して電気的に並列に接続されているモノリシック多層アクチュエータ(1)の製造方法において、
    各活性薄膜(2)上に、両極性の各内部電極(9)が導体路として取り付けられており、前記活性薄膜(2)の全ての積層方向(8)は、多層アクチュエータ(1)の長手軸(5)に対して直角に設けられており、前記薄膜(2)は、前記各内部電極(9)と協働して、共焼結(cofiring)処理で焼結することを特徴とするモノリシック多層アクチュエータ(1)の製造方法。
  2. 金属の内部電極(9)が取り付けられた圧電セラミック製の各活性薄膜(2)の積層からなり、前記内部電極(9)は、交互に前記積層から引き出され、各外部電極(3)を介して電気的に並列に接続されている、例えば、請求項1記載の方法により製造されたモノリシック多層アクチュエータにおいて、各活性薄膜(2)上に、両極性の各内部電極(9)が導体路として取り付けられており、前記全ての活性薄膜(2)の積層方向(8)は、多層アクチュエータ(1)の長手軸(5)に対して直角に設けられており、前記各薄膜(2)は、前記各内部電極(9)と協働して、共焼結処理で焼結されていることを特徴とするモノリシック多層アクチュエータ。
  3. 両極性の各内部電極(9)は、各々1つのベース導体路(16)と、該ベース導体路(16)からほぼ直角に出ている各櫛形導体路(17)と共に櫛形に形成されており、両極性の前記各櫛形導体路(17)は、薄膜(2)の縁領域に至る迄、一方の極性の前記各櫛形導体路(17)が、他方の極性の2つの前記櫛形導体路間に設けられているように相互に嵌合している請求項2記載のモノリシック多層アクチュエータ。
  4. ベース導体路(16)は、薄膜の対向し合った各側面に当接して設けられている請求項3記載のモノリシック多層アクチュエータ。
  5. 薄膜(2)の厚みは、10μm〜300μm迄、有利には、30μm〜100μmである請求項2から4迄の何れか1記載のモノリシック多層アクチュエータ。
  6. 内部電極(9)の導体路の幅(15)は、0.05〜0.5mm、有利には、0.1〜0.2mmである請求項2から5迄の何れか1記載のモノリシック多層アクチュエータ。
  7. 各内部電極(9)の各導体路間の間隔(14)は、所望の作動電圧で、0.5〜5kV/mm、有利には、1.5〜2.5kV/mmが調整されるように選定されている請求項2から6迄の何れか1記載のモノリシック多層アクチュエータ。
  8. 多層アクチュエータは、活性薄膜に対して付加的に、内部電極なしの非活性薄膜も含み、それにより、1つ又は複数の活性ゾーン(10,11)及び1つ又は複数の非活性ゾーン(12)が形成され、且つ、該多層アクチュエータ(1)が作動中湾曲することができる請求項2から7迄の何れか1記載のモノリシック多層アクチュエータ。
  9. 活性ゾーン(10,11)と非活性ゾーン(12)との間に、外部電極(3)によって電気的に接触接続していない全面の内部電極を備えた薄膜(13)が設けられている請求項8記載のモノリシック多層アクチュエータ。
  10. セラミック用に、低く焼結された圧電セラミック材料が使用されている請求項2から9迄の何れか1記載のモノリシック多層アクチュエータ。
JP2008558821A 2006-03-16 2007-03-15 モノリシック多層アクチュエータの製造方法及びモノリシック多層アクチュエータ Pending JP2009530799A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006012588 2006-03-16
DE102006051080A DE102006051080A1 (de) 2006-03-16 2006-10-25 Vielschichtaktoren mit Interdigitalelektroden
PCT/EP2007/052444 WO2007104784A1 (de) 2006-03-16 2007-03-15 Vielschichtaktoren mit interdigitalelektroden

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009530799A true JP2009530799A (ja) 2009-08-27

Family

ID=38179582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008558821A Pending JP2009530799A (ja) 2006-03-16 2007-03-15 モノリシック多層アクチュエータの製造方法及びモノリシック多層アクチュエータ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090243437A1 (ja)
EP (1) EP1999802A1 (ja)
JP (1) JP2009530799A (ja)
DE (1) DE102006051080A1 (ja)
WO (1) WO2007104784A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008031641B4 (de) * 2008-07-04 2017-11-09 Epcos Ag Piezoaktor in Vielschichtbauweise
ITMO20080197A1 (it) * 2008-07-21 2010-01-22 Univ Degli Studi Modena E Reggio Emilia Trasduttore piezoelettrico torsionale
DE102008042866A1 (de) 2008-10-15 2010-04-22 Robert Bosch Gmbh Piezoelektrischer Aktor
DE102011001359A1 (de) 2011-03-17 2012-09-20 Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Piezoaktorenkomponente
FR3131088A1 (fr) * 2021-12-17 2023-06-23 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Structure capacitive piezoelectrique

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0394487A (ja) * 1989-09-06 1991-04-19 Murata Mfg Co Ltd 圧電アクチュエータ
JPH0555657A (ja) * 1991-08-23 1993-03-05 Tokin Corp 積層型圧電アクチユエータおよびその製造方法
JPH05129675A (ja) * 1991-11-05 1993-05-25 Tokin Corp 積層型圧電アクチユエータ
JP2001291908A (ja) * 2000-02-01 2001-10-19 Murata Mfg Co Ltd 圧電素子およびその製造方法
JP2010502018A (ja) * 2006-08-29 2010-01-21 ドイチェ・ツェントルム・フューア・ルフト−ウント・ラウムファート・エー.ファウ 圧電セラミック製の平面アクチュエータおよび平面アクチュエータの製造法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5315205A (en) * 1991-09-25 1994-05-24 Tokin Corporation Piezoelectric vibrator capable of reliably preventing dielectric breakdown and a method of manufacturing the same
DE4443365A1 (de) * 1994-12-06 1996-06-13 Philips Patentverwaltung Brenn- und Sinterverfahren für ein keramisches elektronisches Bauteil
JPH08204498A (ja) * 1995-01-24 1996-08-09 Murata Mfg Co Ltd 端面反射型表面波装置
JP2842382B2 (ja) * 1996-06-11 1999-01-06 日本電気株式会社 積層型圧電トランスおよびその製造方法
DE19936713C2 (de) * 1999-08-06 2001-08-23 Bosch Gmbh Robert Piezokeramischer Aktor sowie Verfahren zu seiner Herstellung
US6342753B1 (en) * 2000-09-25 2002-01-29 Rockwell Technologies, Llc Piezoelectric transformer and operating method
US7385337B2 (en) * 2004-06-18 2008-06-10 Tdk Corporation Multilayer piezoelectric element

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0394487A (ja) * 1989-09-06 1991-04-19 Murata Mfg Co Ltd 圧電アクチュエータ
JPH0555657A (ja) * 1991-08-23 1993-03-05 Tokin Corp 積層型圧電アクチユエータおよびその製造方法
JPH05129675A (ja) * 1991-11-05 1993-05-25 Tokin Corp 積層型圧電アクチユエータ
JP2001291908A (ja) * 2000-02-01 2001-10-19 Murata Mfg Co Ltd 圧電素子およびその製造方法
JP2010502018A (ja) * 2006-08-29 2010-01-21 ドイチェ・ツェントルム・フューア・ルフト−ウント・ラウムファート・エー.ファウ 圧電セラミック製の平面アクチュエータおよび平面アクチュエータの製造法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1999802A1 (de) 2008-12-10
DE102006051080A1 (de) 2007-10-04
US20090243437A1 (en) 2009-10-01
WO2007104784A1 (de) 2007-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5584066B2 (ja) 積層型圧電構造体
JP2006351602A (ja) 積層型圧電アクチュエータ素子
JP2007173456A (ja) 積層型圧電バイモルフ素子およびその製造方法
JP2009530799A (ja) モノリシック多層アクチュエータの製造方法及びモノリシック多層アクチュエータ
JP4655493B2 (ja) 圧電素子、圧電アクチュエータ並びに圧電素子及び圧電アクチュエータの製造方法
US6215230B1 (en) Alternately stacked piezoelectric actuator in which each electrode layer leaves an alternately L-shaped stripe of piezoelectric material uncovered
JP2009065760A (ja) アクチュエータ
JP2007335664A (ja) 積層型圧電素子及び圧電装置
JP5644925B1 (ja) 圧電素子
WO2012060236A1 (ja) 積層型圧電アクチュエータ及び圧電振動装置
JP5821536B2 (ja) 積層型圧電素子
JP5561247B2 (ja) 圧電素子
US9070857B2 (en) Piezoelectric element
JP5444593B2 (ja) 積層型圧電素子
JPH02237083A (ja) 積層型圧電素子
JP2884378B2 (ja) 積層型圧電アクチュエータおよびその製造方法
JP2010199272A (ja) 積層型圧電素子およびその製法ならびに振動体
JP4818853B2 (ja) 超音波モータ素子
JP4724385B2 (ja) 積層型電子部品及び積層中間体
JP2009130151A (ja) 積層型圧電アクチュエータ
JPH09148638A (ja) 積層圧電アクチュエータおよびその製造方法
JP5747685B2 (ja) 圧電素子
JPH0555657A (ja) 積層型圧電アクチユエータおよびその製造方法
JP2005026583A (ja) セラミック積層型電気機械変換素子
JP2019029405A (ja) 積層型圧電素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100216

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101227

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120815

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120823

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130313