JP2952159B2

JP2952159B2 - マイクロアクチュエータの製造方法

Info

Publication number: JP2952159B2
Application number: JP22217994A
Authority: JP
Inventors: 悦也柳瀬; 良徳嵩; 正國東海
Original assignee: Kawasaki Jukogyo KK
Current assignee: Kawasaki Motors Ltd
Priority date: 1994-09-16
Filing date: 1994-09-16
Publication date: 1999-09-20
Anticipated expiration: 2014-09-20
Also published as: JPH0888419A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、入力された電気信号を
変位や力に変換するマイクロマシンの駆動源などに用い
られ、与えられた変位や力を電気信号に変換する加速度
センサや超音波センサなどのセンサとしても使用可能な
マイクロアクチュエータの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のマイクロアクチュエータは、表面
に電極層となる導電性ペーストが塗布されたグリーンシ
ートが積層された積層体を焼成し、焼成された積層体の
側面に、互いに対向する一対の外部電極が設けられて形
成される。積層体の奇数番目の各電極層の一端部、およ
び偶数番目の各電極層の他端部が積層体の側面に露出し
ている部分には、筋状の絶縁体がそれぞれ形成され、外
部電極は、絶縁体の上から積層体の側面に設けられ、電
極層が両側の外部電極に交互に接続される（特開平６−
８４４０９，特開平６−１２０５７９）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術では、
積層体の形成にグリーンシート法が用いられるので、グ
リーンシートが焼成されて成る圧電層の厚さに下限、数
十μｍがあり、圧電層の厚さを薄くすることができな
い。圧電層の厚さが厚いと、マイクロアクチュエータを
駆動するのに高い電圧、たとえば数百ボルトの電圧が必
要となり、その結果、通常のＩＣ（大規模集積回路）で
の駆動が困難である。

【０００４】また、グリーンシート法で圧電層を形成す
ると、圧電層の結晶性が悪くなり、圧電層の圧電特性お
よび電歪特性が悪くなる。

【０００５】本発明の目的は、低電圧で駆動可能で、圧
電層の結晶性を向上することができるマイクロアクチュ
エータの製造方法を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板表面に、
電極層、圧電性および電歪性を有する圧電層、および電
極層を順次蒸着し、圧電部材を作製する成膜工程と、２
つの圧電部材を電極層が互いに対向するように接合する
接合工程と、両端の２つの基板のうちの一方の基板を除
去し、電極層を露出させ、積層した圧電部材を作製する
基板除去工程とを備え、接合工程と基板除去工程とを繰
返して、所定の積層数だけ積層させた圧電部材を得るこ
とを特徴とするマイクロアクチュエータの製造方法であ
る。また本発明は、圧電性および電歪性を有する圧電層
と電極層とが交互に積層される積層体の側面に、互いに
対向する一対の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、奇
数番目の各電極層の一端部および偶数番目の各電極層の
他端部に達する溝を、絶縁層の表面に複数形成するエッ
チング工程と、絶縁層の表面に、前記溝を介して電極層
に電気的に接続される外部電極を形成する外部電極形成
工程とを備えることを特徴とするマイクロアクチュエー
タの製造方法である。また本発明は、積層体が固定され
た電気絶縁性の基板に、前記外部電極が接続される接続
電極を設け、接続電極にリード線を接続することを特徴
とする。また本発明は、前記接合工程において、陽極接
合法、表面活性化接合法、または接着剤接合法が用いら
れることを特徴とする。また本発明は、前記エッチング
工程における溝の形成は、ＦＩＢ法、ドライエッチング
法またはウェットエッチング法によって行われることを
特徴とする。

【０００７】

【０００８】

【０００９】

【００１０】

【００１１】

【００１２】

【００１３】

【００１４】

【作用】本発明に従えば、マイクロアクチュエータの製
造工程は、蒸着によって基板表面に電極層および圧電層
を形成し、圧電部材を作製する成膜工程と、２つの圧電
部材を接合する接合工程と、基板を除去して電極層を露
出させる基板除去工程とを備える。接合工程と基板除去
工程とが繰返されることによって、圧電層と電極層とが
交互に所定の積層数だけ積層された圧電部材が得られ
る。

【００１５】したがって、蒸着によって圧電層および電
極層を形成するので、従来のグリーンシート法に比べて
圧電層および電極層の厚さを大幅に薄くすることができ
る。電極層の厚さを薄くすることによって、マイクロア
クチュエータの厚さを薄くすることができる。

【００１６】また成膜工程で形成された厚さの薄い圧電
層および電極層を、接合工程と基板除去工程とを繰返す
ことによって所定の積層数に積層するので、従来よりも
厚さの薄い圧電層および電極層によってマイクロアクチ
ュエータを形成することができる。

【００１７】また本発明に従えば、マイクロアクチュエ
ータの製造工程は、積層体の側面に、互いに対向する一
対の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、積層体に含ま
れる奇数番目の各電極層の一端部および偶数番目の各電
極層の他端部に達する溝を絶縁層の表面に複数形成する
エッチング工程と、絶縁層の表面に、外部電極を形成す
る外部電極形成工程とを備えて構成される。

【００１８】したがって、積層体の側面に絶縁層を形成
した後、その電極層に溝を形成するので、従来の筋状の
絶縁体を形成する場合に比べて作業を、高精度で、かつ
簡単に行うことができ、その結果、マイクロアクチュエ
ータの製造工程の簡略化および歩留りの向上を図ること
ができる。

【００１９】

【実施例】図１は、本発明の一実施例のマイクロアクチ
ュエータ４１の構成を示す斜視図である。マイクロアク
チュエータ４１は、圧電層２４と電極層３３ａ，３３ｂ
とが交互に積層される積層体３２と、絶縁層３６，３７
と、外部電極４２，４３と、基板１とを備えて構成され
る。基板１表面に形成された接続電極４２ａ，４３ａに
は、ワイヤーボンディングなどによってリード線４４，
４５が接続されている。

【００２０】積層体３２の側面には、互いに対向するよ
うに一対の絶縁層３６，３７が形成される。図１におけ
る左側の絶縁層３６には、奇数番目の絶縁層３３ａの図
１における左側端部に達する溝３６ａが複数形成され、
図１における右側の絶縁層３７には、偶数番目の電極層
３３ｂの図１における右側端部に達する溝３７ａが複数
形成される。絶縁層３６，３７の表面に形成される外部
電極４２，４３は、溝３６ａ，３７ａを介して電極層３
３ａ，３３ｂに導通する。

【００２１】外部電極４２，４３の図１における下端部
は、基板１の表面に形成される接続電極４２ａ，４３ａ
と連なっており、本実施例では外部電極４２，４３と接
続電極４２ａ，４３ａとは一体に形成される。両端部の
電極層３３ａ，３３ｂは、単一の電極２３で構成され、
両側を圧電層２４で挟まれた各電極層３３ａ，３３ｂ
は、２つの電極２３と２つの接合層２２とを備えて構成
される。

【００２２】マイクロアクチュエータ４１の製造工程を
説明する。

【００２３】図２は、基板１の表面に電極２３、圧電層
２４、および接合層２２を形成する成膜工程を示す図で
ある。図３は、図２の成膜工程で作製された圧電部材２
１の構成を示す斜視図である。図１の成膜工程では、Ｒ
Ｆ（radio frequency）マグネトロンスパッタ法が用い
られる。基板１と、ターゲット２との間に、ＲＦ電源８
によって高周波電圧を印加し、アルゴンプラズマを発生
され、アルゴンイオン３ａでターゲット２をスパッタ
し、ターゲット２を構成する原子または分子２ａを基板
１表面に蒸着する。

【００２４】基板１は、ヒータ７によって蒸着に適した
温度に設定されている。永久磁石４は、基板１とターゲ
ット２との間に発生する電場と直交する磁場を発生さ
せ、これによって、アルゴンプラズマがターゲット２の
近傍に閉じ込められ、スパッタ効率が高くなっている。
スパッタ室３内に充填されたアルゴンガスは、供給口５
を介して供給され、排出口６を介して排出される。

【００２５】ターゲット２は、取換可能になっており、
基板１の表面に所望とする膜が形成される毎に取換えら
れる。基板１の表面には、図３に示されるように、電極
２３、圧電層２４、電極２３、接合層２２の順に蒸着さ
れ、圧電部材２１が形成される。

【００２６】基板１は、酸化マグネシウム、チタン酸ス
トロンチウム、アルミナ、サファイアなどの単結晶から
構成される。電極２３は、白金、アルミニウム、金、銀
などを材料にして形成される。本実施例では、電極２３
は、後述する基板除去工程におけるエッチング処理の際
の耐エッチング性に優れた白金によって形成されてい
る。圧電層２４は、ＰＺＴやＰＬＺＴなどの圧電性およ
び電歪性を有する材料で形成される。接合層２２は、ガ
ラスまたはシリコンを材料として形成される。

【００２７】圧電層２４の厚さは、０．１μｍ〜１０μ
ｍの値に設定される。電極２２の厚さは、数百オングス
トローム〜数千オングストロームの値に設定される。接
合層２２の厚さは、０．１μｍ〜数μｍの厚さに設定さ
れる。

【００２８】圧電層２４は、蒸着によって形成されるの
で、結晶で構成されており、その結晶のＣ軸は、圧電層
２４の厚み方向に配向されている。

【００２９】図４は、圧電部材２１ａと圧電部材２１ｂ
とを陽極接合法によって接合する接合工程を示す図であ
る。なお、ここでは図４における下側の圧電部材２１ａ
の各構成要素は符号に添字ａを付けて示し、上側の圧電
部材２１ｂの各構成要素は符号に添字ｂを付けて示す。

【００３０】まず、下側の圧電部材２１ａを、導電性を
有するホットプレート２７上に載置し、銀ペースト２８
を塗布して、接合層２２ａとホットプレート２７とを電
気的に接続する。次に、上側の圧電部材２１ｂを、接合
層２２ｂと接合層２２ａとが対向するようにして下側の
圧電部材２１ａに密着させる。このとき、上側の接合層
２２ｂはシリコンで形成され、下側の接合層２２ａはガ
ラスで形成されているものとする。また、接合層２２ａ
および２２ｂの互いに対向する面は、鏡面状に研磨され
ていることが好ましい。

【００３１】このように圧電部材２１ａおよび２１ｂが
密着されると、上側の圧電部材２１ｂの基板１ｂに電極
２６が当接され、電極２６とホットプレート２７との間
に２００〜１０００ボルトの電圧が印加される。このと
き印加される電圧は、電圧の印加によって生じる電場
が、シリコンによって形成される接合層２２ｂからガラ
スによって形成される接合層２２ａの方向へ向くように
与えられる。電圧の印加と平行して、接合層２２ａ，２
２ｂの温度が、たとえば４００℃になるようにホットプ
レート２７による加熱が行われる。

【００３２】このように電圧の印加と加熱とを行うと、
接合層２２ａを形成するガラスに含まれるナトリウムイ
オンが、電場の作用によって接合層２２ａの接合層２２
ｂと対向しない側の表面に移動し、ガラス中に残った多
量の負イオンが接合層２２ａの接合層２２ｂと対向する
表面に移動して空間電荷層を形成する。その結果、接合
層２２ａと接合層２２ｂとの間に強い吸引力が生じ、接
合層２２ａと接合層２２ｂとが化学結合される。

【００３３】図５は、基板１ｂを除去する基板除去工程
を示す図である。前述の図４の接合工程によって、２つ
の圧電部材２１ａ，２１ｂが接合されると、電極２３
ａ，２３ｂおよび圧電層２４ａ，２４ｂなどが積層され
て成る積層体３２の両端部に、基板１ａ，１ｂがあるの
で、さらに図４の接合工程を行うためには、２つの基板
１ａ，１ｂのうちのいずれか一方を除去して、電極２３
ａまたは２３ｂを露出させる必要がある。基板１ｂの除
去は、研磨によって基板１ｂをあらかた取除いた後、研
磨によって取残した基板１ｂをエッチング処理によって
完全に除去する。ここでは基板１ｂを取除いたが、基板
１ｂの代わりに基板１ａを取除いてもよい。

【００３４】基板１ｂを、図５の基板除去工程で除去す
ると、図４の接合工程を行ってさらに積層を行う場合に
は、露出された電極２３ｂの表面に前述の接合層２２と
同様な接合層が形成される。このように接合層が形成さ
れた圧電部材３１を用いて、図４の接合工程を行うこと
によって、積層体３２の積層数を、さらに増加すること
ができる。

【００３５】図４の接合工程と図５の基板除去工程とを
繰返すことによって、図６に示されるように、積層体３
２を、所定の積層数まで積層することができる。図４の
接合工程では、劈開またはダイアモンドカッタによる切
断によって複数に分割された圧電部材２１，３１同士を
接合してもよい。また、圧電部材２１と圧電部材３１と
を接合してもよい。

【００３６】このようにして積層が行われると、電極層
３３ａ，３３ｂと圧電層２４とが交互に所定の積層数だ
け積層された積層体３２を得ることができる。積層体３
２の両端部、すなわち図６における上下方向の端部は、
単一の電極２３から成る電極層３３ａ，３３ｂとなって
いる。各圧電層２４の間に介在される電極層３３ａ，３
３ｂは、２つの電極２３の間に２つの接合層２２が介在
された構成となっている。積層体３２の上端部の基板
は、取除かれているが、下端部の基板１は取除かれずに
保存されている。本実施例では、積層体３２の積層数
は、圧電層２４が１００層になるように設定されてい
る。

【００３７】図７は、積層体３２の側面に絶縁層３６，
３７を形成する絶縁層形成工程を示す図である。二酸化
ケイ素やガラスなどの材料から成る一対の絶縁層３６，
３７は、積層体３２の側面に、互いに対向するようにし
て形成される。絶縁層３６，３７は、ＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition）法またはスパッタ法によって形成
される。絶縁層３６，３７の厚さは、数百オングストロ
ームから数千オングストロームの値に設定される。

【００３８】図８は、絶縁層３６，３７に溝３６ａ，３
７ａを形成するエッチング工程を示す図である。絶縁層
３６に形成される複数の溝３６ａは、奇数番目の各電極
層３３ａの一端部、図８では左端部が露出するように形
成される。絶縁層３７に形成される複数の溝３７ａは、
偶数番目の各電極層３３ｂの他端部、図８では右端部が
露出するように形成される。絶縁層３６，３７の溝３６
ａ，３７ａの形成は、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）法に
よって行われる。

【００３９】図１を参照して、エッチング工程が行われ
ると、各絶縁層３６，３７の表面に外部電極４２，４３
を形成する外部電極形成工程が行われる。白金、アルミ
ニウムおよび銀などから成る外部電極４２，４３が形成
されると、外部電極４２，４３は溝３６ａ，３７ａに嵌
まり込み、各電極層３３ａ，３３ｂの電極２３と電気的
に導通する。これによって、奇数番目の電極層３３ａ
は、図１における左側の外部電極４２に接続され、偶数
番目の電極層３３ｂは、図１における右側の外部電極４
３に接続される。外部電極４２，４３は、斜めスパッタ
法によって形成され、基板１表面に形成される接続電極
４２ａ，４３ａと一体にして形成される。

【００４０】接続電極４２ａ，４３ａには、それぞれワ
イヤーボンディングなどによってリード線４４，４５が
接続される。

【００４１】このように構成されたマイクロアクチュエ
ータ４１において、リード線４４，４５を介して外部電
極４２，４３間に、電圧が印加されると、互いに隣接す
る電極層３３ａ，３３ｂ間に電位差が生じる。各電極層
３３ａ，３３ｂは両側の外部電極４２，４３のいずれか
一方に交互に接続されるので、各電極層３３ａ，３３ｂ
の図１における上側に生じる電場と下側に生じる電場と
は互いに逆向きとなる。このように電圧の印加によって
電場が生じると、互いに隣接する圧電層２４同士では、
圧電特性および電歪特性が逆向きとなるように圧電層２
４が積層されているので、全ての圧電層２４が縮み変位
し、または伸び変位し、これに伴って積層体３２の全体
の厚さが変化する。

【００４２】たとえば、数ボルトの電圧を印加した場
合、積層体３２の全体の厚さが０．１パーセントから数
パーセントの間で変化する。圧電層２４の積層数が１０
０層となるように積層すると、積層体３２の全体の厚さ
は０．２から０．３ｍｍであるので、数ボルトの電圧印
加で、積層体３２の厚さは０．２μｍから２μｍだけ変
位する。

【００４３】マイクロアクチュエータ４１に外力が与え
られ、積層体３２が積層方向に押しつぶされたり引伸ば
されたりすると、これに伴って各圧電層２４が縮み変位
または伸び変位し、その結果、各電極層３３ａ，３３ｂ
間に電位差が生じる。この電位差をリード線４４，４５
を介して検出することによって、マイクロアクチュエー
タ４１に与えられている外力の大きさや、積層体３２の
縮み変位または伸び変位の大きさを検知することができ
る。

【００４４】したがって、マイクロアクチュエータ４１
の各圧電層２４は、成膜工程による蒸着によって形成さ
れるので、従来では数十μｍ以上であった厚さを０．１
μｍ〜１０μｍの値にすることができる。その結果、従
来では数百ボルトであった駆動電圧を、大幅に小さく、
たとえば数ボルトにすることができる。これによって、
マイクロアクチュエータ４１の駆動が、通常のＩＣで可
能となり、マイクロアクチュエータ４１の制御が容易に
なる。

【００４５】また、電極２３および接合層２２も成膜工
程による蒸着によって形成されるので、従来のようにグ
リーンシートに導電体ペーストを塗布して電極層を構成
する方法に比べて、電極層３３ａ，３３ｂの厚さを薄く
することができ、その結果、マイクロアクチュエータ４
１の厚さを薄くすることができる。また、１層当たりの
圧電層２４の厚さは薄いのであるが、図４の接合工程お
よび図５の基板除去工程を繰返すことによって、所望の
数だけ圧電層２４を積層することができる。

【００４６】また、圧電層２４が結晶で構成され、その
結晶のＣ軸が圧電層２４の厚み方向、すなわち積層方向
に配向されているので、各電極層３３ａ，３３ｂ間に電
圧が印加された場合における圧電層２４の伸び変位率お
よび縮み変位率を大きくすることができ、また圧電層２
４が外力によって伸び変位または縮み変位された場合に
おける各電極層３３ａ，３３ｂ間に生じる電位差を大き
くすることができる。その結果、従来のマイクロアクチ
ュエータに比べて、電歪特性および圧電特性に優れたマ
イクロアクチュエータを実現することができる。

【００４７】電歪特性が向上すると、印加する駆動電圧
に対して、マイクロアクチュエータ４１が伸び変位また
は縮み変位する大きさが大きくなるので、低電圧で駆動
可能で、厚みの薄い小形化に適したマイクロアクチュエ
ータ４１を実現することができる。

【００４８】圧電特性が向上されると、マイクロアクチ
ュエータ４１が加速度センサなどに用いられた場合、マ
イクロアクチュエータが伸び変位または縮み変位される
大きさに対して、互いに隣接する各電極層３３ａ，３３
ｂ間に生じる電位差が大きくなるので、厚さの薄い小形
のマイクロアクチュエータ４１で微小変位を高精度で検
出できる。

【００４９】また、積層体３２の側面に絶縁層３６，３
７を形成した後、絶縁層３６，３７に溝３６ａ，３７ａ
を形成するので、従来の筋状の絶縁体を形成する場合に
比べて、作業を高精度で、かつ簡単に行うことができ、
その結果、マイクロアクチュエータ４１の製造工程の簡
略化および歩留りの向上を図ることができる。

【００５０】また、リード線４４，４５は、基板１表面
に形成された接続電極４２ａ，４３ａに接続されるの
で、リード線４４，４５を外部電極４２，４３が積層体
３２の側面に対向する部分に接続する場合に比べて、積
層体３２の伸び変位または縮み変位によってリード線４
４，４５が剥離してしまうようなことがなく、リード線
４４，４５の接続状態の信頼性を向上することができ
る。

【００５１】また、図４の接合工程には陽極接合法が用
いられるので、厚さの薄い接合層２２を形成することに
よって接合を行うことができ、マイクロアクチュエータ
４１の厚みを厚くすることなく、積層体３２を積層する
ことができる。

【００５２】また、図８のエッチング工程ではＦＩＢ法
が用いられるので、収束イオンビームが照射される部分
から放射される２次電子を電子レンズなどによって捕獲
し、視角化することによって、収束イオンビームが照射
される部分を確認しながら溝３６ａ，３７ａを形成する
ことができる。その結果、正確な位置に、溝３６ａ，３
７ａを形成することができる。

【００５３】なお上述の実施例では、２つの圧電部材２
１，３１の接合に、陽極接合法を用いたが、表面活性化
接合法または接着剤接合法が用いられてもよい。

【００５４】また、上述の実施例では、図８のエッチン
グ工程においてＦＩＢ法を用いたが、ＲＩＥ法などのド
ライエッチング法、またはウェットエッチング法を用い
てもよい。

【００５５】また、上述の実施例では図２の成膜工程
で、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いたが、ＣＶＤ法
を用いてもよい。

【００５６】また上述の実施例では、積層体３２の片側
の基板１を除去せずに残し、その基板１に接続電極４２
ａ，４３ａを形成したが、基板１を残さずに除去しても
よい。接続電極４２ａ，４３ａを形成するための基板が
必要である場合には、新たな基板を積層体３２の一端部
に接続すればよい。

【００５７】

【００５８】

【００５９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、成膜工程
で形成された厚さの薄い圧電層および電極層を、接合工
程と基板除去工程とを繰返すことによって所定の積層数
に積層するので、従来よりも厚さの薄い圧電層および電
極層によって積層体を形成することができる。

【００６０】また、絶縁層を形成した後、その絶縁層に
溝を形成するので、従来に比べて作業を高精度で、かつ
簡単に行うことができ、その結果、マイクロアクチュエ
ータの製造工程の簡略化および歩留りの向上を図ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例のマイクロアクチュエータ４
１の構成を示す斜視図である。

【図２】基板１表面に電極２３、圧電層２４および接合
層２２を形成する成膜工程を示す図である。

【図３】成膜工程によって形成された圧電部材２１の構
成を示す斜視図である。

【図４】陽極接合法によって２つの圧電部材２１ａ，２
１ｂを接合する接合工程を示す図である。

【図５】基板１ｂを除去する基板除去工程を示す図であ
る。

【図６】積層体３２が所定の積層数だけ積層された状態
を示す図である。

【図７】絶縁層３６，３７を形成する絶縁層形成工程を
示す図である。

【図８】絶縁層３６，３７に溝３６ａ，３７ａを形成す
るエッチング工程を示す図である。

【符号の説明】

１，１ａ，１ｂ基板２ターゲット３スパッタ室４永久磁石７ヒータ８ＲＦ電源２１，２１ａ，２１ｂ，３１圧電部材２２，２２ａ，２２ｂ接合層２３，２３ａ，２３ｂ電極２４，２４ａ，２４ｂ圧電層２６電極２７ホットプレート２８銀ペースト３２積層体３３ａ，３３ｂ電極層３６，３７絶縁層３６ａ，３７ａ溝４２，４３外部電極４２ａ，４３ａ接続電極４４，４５リード線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭63−239588（ＪＰ，Ａ) 特開平６−252464（ＪＰ，Ａ) 特開昭53−118798（ＪＰ，Ａ) 特開平２−82667（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 41/00 - 41/26

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板表面に、電極層、圧電性および電歪
性を有する圧電層、および電極層を順次蒸着し、圧電部
材を作製する成膜工程と、２つの圧電部材を電極層が互いに対向するように接合す
る接合工程と、両端の２つの基板のうちの一方の基板を除去し、電極層
を露出させ、積層した圧電部材を作製する基板除去工程
とを備え、接合工程と基板除去工程とを繰返して、所定の積層数だ
け積層させた圧電部材を得ることを特徴とするマイクロ
アクチュエータの製造方法。
【請求項２】圧電性および電歪性を有する圧電層と電
極層とが交互に積層される積層体の側面に、互いに対向
する一対の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、奇数番目の各電極層の一端部および偶数番目の各電極層
の他端部に達する溝を、絶縁層の表面に複数形成するエ
ッチング工程と、絶縁層の表面に、前記溝を介して電極層に電気的に接続
される外部電極を形成する外部電極形成工程とを備える
ことを特徴とするマイクロアクチュエータの製造方法。
【請求項３】積層体が固定された電気絶縁性の基板
に、前記外部電極が接続される接続電極を設け、接続電
極にリード線を接続することを特徴とする請求項２記載
のマイクロアクチュエータの製造方法。
【請求項４】前記接合工程において、陽極接合法、表
面活性化接合法、または接着剤接合法が用いられること
を特徴とする請求項１記載のマイクロアクチュエータの
製造方法。
【請求項５】前記エッチング工程における溝の形成
は、ＦＩＢ法、ドライエッチング法またはウェットエッ
チング法によって行われることを特徴とする請求項２記
載のマイクロアクチュエータの製造方法。