KR100446624B1 - 양극접합 구조체 및 그 제조방법 - Google Patents

양극접합 구조체 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

양극접합 구조체 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 양극접합 구조체는, 기판과, 기판의 상부에 마련되는 유리판을 구비하고, 기판과 유리판 사이에 적어도 하나 이상의 유전체와 금속막이 증착되고 최상부에는 유전체가 배열되며, 최상부의 유전체와 유리판은 양극접합을 하는 것을 특징으로 한다. 개시된 양극접합 구조체 제조방법은, 기판과 유리판 사이에 적어도 하나 이상의 유전체와 금속막을 증착시키며 최상부에 유전체를 배열하는 단계와, 최상부의 유전체와 유리판을 양극접합시키는 단계를 포함한다. 본 발명은 기판과 유리판 사이에 금속막과 유전체를 적층하는 구조에서 유전체와 유리판의 양극접합, 유전체와 금속막의 양극접합을 가능하게 하여 안정적인 성능을 구현할 수 있으므로 다양한 MEMS 소자를 제조할 수 있게 한다.

Description

양극접합 구조체 및 그 제조방법{Anodic bonding structure and fabricating method thereof}
본 발명은 양극접합 구조체 및 그 제조방법 및 이를 이용한 광스캐너 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유전체와 유리판 또는 유전체와 금속막의 양극접합 구조체 및 그 제조방법 및 이를 이용한 광스캐너 제조방법에 관한 것이다.
양극접합(anodic bonding)이란 마이크로 센서소자 제작에 널리 사용되는 실리콘 기판과 열팽창 계수가 비슷한 유리판을 접합시키는 기술이다. 일반적으로 양극접합에 사용되는 파이렉스 유리(코닝유리 7740)에는 일정량의 나트륨(Na), 칼륨(K)등이 포함되어 있어 200℃이상의 온도로 가열하면 원소들이 전하를 띄며 전압에 따라 쉽게 이동한다. 실리콘과 유리판을 정렬시키고 양쪽에 600V 이상의 전압을 가하면 이동성 전하들은 급속히 움직이며 실리콘과 유리판의 계면에 강한 대전현상이 일어나 실리콘 기판과 유리판이 접합되게 된다. 많은 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)공정에서 양극접합 방법을 이용하고 있는데, 이러한 양극접합은 안정된 실리콘 구조물을 구현하게 한다.
도 1은 종래의 양극접합 구조체를 보인 단면도이다. 베이스 플레이트(11)상부에 기판(13)이 위치하며 상기 기판(13)의 상부에는 유리판이(15)이 설치되어 구조물을 이룬다. 이 구조물에 상술한 정도의 열을 가하고, 유리판(15)의 상부에 음극을 연결하고 베이스 플레이트(11)의 하부에는 양극을 연결하여 상술한 정도의 전압을 가하면, 기판(13)과 유리판(15)사이에 전하를 띈 이온이 이동하며 강한 양극접합을 형성하게 된다.
이러한 양극접합공정은 광스캐너 제조공정에도 이용된다. 기존의 광스캐너 제조방법에서는 실리콘 기판만을 사용하므로 자동화공정을 실행하기가 어려우며 힌지의 불안정한 운동으로 인해 파손이 많아지고 수율이 떨어진다. 이러한 단점을 보완하기 위해 실리콘과 유리판을 접합하여 안정된 소자를 구현하고자 하나 역시 힌지의 안정적인 구동이 어려워 최근에 SOI(Silicon on Insulator)기판을 사용하여 힌지의 안정적 성능을 구현하고자 하는 시도가 있으나 전기적으로 연결이 용이하지 못한 어려움이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 유전체와 유리판간, 유전체와 금속막간의 양극접합 구조체를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 양극접합 구조체를 나타낸 단면도,
도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 양극접합 구조체를 나타낸 단면도,
도 2b는 본 발명의 제2실시예에 따른 양극접합 구조체를 나타낸 단면도,
도 2c는 본 발명의 제3실시예에 따른 양극접합 구조체를 나타낸 단면도,
도 2d는 본 발명의 제4실시예에 따른 양극접합 구조체를 나타낸 단면도,
도 3a는 본 발명의 제1실시예에 따른 양극접합 구조체의 SEM(Scanning Electron Microscopy)사진,
도 3b는 본 발명의 제2실시예에 따른 양극접합 구조체의 SEM(Scanning Electron Microscopy)사진,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 광스캐너 제조방법으로 제조된 광스캐너의 구조를 나타낸 단면도,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 광스캐너 제조방법으로 제조된 광스캐너의 사시도.
도 6a 내지 6k는 본 발명의 실시예에 따른 광스캐너 제조방법을 나타낸 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
21, 31, 31', 41, 51, 51' : 금속막
22, 32, 32', 42, 42', 52, 52' ; 유전체
23, 33, 43, 53 ; 기판
25, 35, 45, 55 ; 유리판
61 ; 제1기판 61' : 토션바
62 ; 유전체 63 ; 제2기판
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 기판과, 상기 기판의 상부에 마련되는 유리판을 구비하는 구조체에 있어서, 상기 기판과 상기 유리판 사이에 적어도 하나 이상의 유전체와 금속막이 증착되고 최상부에는 유전체가 배열되며, 상기 최상부의 유전체와 상기 유리판은 양극접합을 하는 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 기판과 상기 유리판 사이에 각각 하나의 금속막 및 유전체가 순서대로 배열되며, 상기 유전체는 상기 유리판과 양극접합한다.
본 발명에 있어서, 상기 적어도 하나이상의 금속막은 제1금속막 및 제2금속막을 포함하고, 상기 적어도 하나이상의 유전체는 제1 및 제2유전체를 포함하며, 상기 기판과 상기 유리판 사이에 상기 제1금속막, 상기 제1유전체, 상기 제2금속막 및 상기 제2유전체가 순서대로 배열되며, 상기 제2유전체는 상기 유리판과 양극접합하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 적어도 하나이상의 유전체는 제1유전체 및 제2유전체을 포함하며, 상기 기판과 상기 유리판 사이에 제1유전체, 금속막 및, 제2유전체가 순서대로 배열되며, 상기 제2유전체는 상기 유리판과 양극접합하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 적어도 하나이상의 금속막은 제1금속막과 제2금속막을 포함하고, 상기 적어도 하나이상의 유전체는 제1유전체와 제2유전체를 포함하며, 상기 기판과 상기 유리판 사이에 제1금속막, 제1유전체, 제2금속막 및 상기 유리판의 하부에 형성되는 제2유전체가 순서대로 배열되며, 상기 제2금속막과 상기 제2유전체가 양극접합하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 기판은 실리콘이고, 상기 유전체는 이산화규소이며, 상기 금속막은 Au 또는 Cr로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 또한, 기판과, 상기 기판의 상부에 마련되는 유리판을 구비하는 양극접합 구조체 제조방법에 있어서, 상기 기판과 상기 유리판 사이에 적어도 하나 이상의 유전체와 금속막을 증착시키며, 최상부에 유전체를 배열하는 단계;와 상기 최상부의 유전체와 상기 유리판을 양극접합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체 제조방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 양극접합시키는 단계는 300℃ 내지 400℃ 정도의 열과, 800N 내지1200N 정도의 압력과, 800V 내지 2000V 정도의 전압을 가하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 기판은 실리콘으로 형성하며, 상기 유전체는 이산화규소로 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 금속막은 Au 또는 Cr로 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명은 유전체와 유리판의 양극접합 구조체와 유전체와 금속막의 양극접합 구조체를 제공함으로써 MEMS공정등을 이용한 다양한 소자의 제조를 가능하게 할 수 있다.
이하 본 발명에 따른 양극접합 구조체 및 그 제조방법의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제1 내지 제4실시예에 따른 양극접합 구조체를 나타낸 단면도이다. 본 발명의 제1 내지 제3실시예에 따른 양극접합 구조체는기판과 유리판 사이에 마련되는 금속막과 유전체의 적층 구조에서 최상부에 위치하는 유전체와 유리판이 양극접합하는 것을 특징으로 한다.
도 2a를 참조하면, 기판(23)의 상부면에 금속막(21)이 증착되어 있으며, 상기 금속막(21)의 상부에 유전체(22)가 형성되어 있으며 상기 유전체(22)와 유리판(25)이 양극접합함으로써 본 발명의 제1실시예에 따른 양극접합 구조체를 형성하고 있다.
도 2b를 참조하면, 기판(33)의 상부면에 제1금속막(31)이 증착되고, 상기 제1금속막(31)의 상부면에는 제1유전체(32)가 형성되고, 다시 제1유전체(32)의 상부면에 제2금속막(31')이 증착되고, 다시 제2금속막(31')의 상부면에 제2유전체(32')가 형성된 다음, 상기 제2유전체(32')와 유리판(35)이 양극접합함으로써 본 발명의 제2실시예에 따른 양극접합 구조체를 형성한다.
도 2c를 참조하면, 기판(43)의 상부면에 제1유전체(42)가 형성되고 상기 제1유전체(42)의 상부면에 금속막(41)이 증착되고 다시 상기 금속막(41)의 상부면에 제2유전체(42')가 형성되어 본 발명의 제3실시예에 따른 양극접합 구조체를 이룬다.
본 발명의 제4실시예에 따른 양극접합 구조체는 본 발명의 제1 내지 제3실시예에 따른 양극접합 구조체와 달리, 유리판의 하부에 미리 형성된 제2유전체와, 기판의 상부에 배열되는 금속막과 유전체의 적층구조에서 최상부에 위치하는 금속막이 서로 양극접합하는 것을 특징으로 한다.
도 2d를 참조하면, 유리판(55)의 하부에 미리 제2유전체(52')가 형성되어 있으며, 기판(53)의 상부에 제1금속막(51)이 증착되고, 상기 제1금속막(51)의 상부에 제1유전체(52)가 형성되고, 상기 제1유전체(52)의 상부에 다시 제2금속막(51')이 증착되며, 이 제2금속막(51')과 상기 제2유전체(52')가 양극접합하여 본 발명의 제3실시예에 따른 양극접합 구조체가 제조된다.
이하 상기 본 발명의 제1내지 제4실시예에 따른 양극접합 구조체의 구성요소에 대해 상세히 설명한다.
기판(23, 33, 43, 53)은 실리콘 기판이 주로 사용될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 예를 들어 갈륨(Ga), 나이트라이드계 화합물, 비소(As)등의 기판이 사용될 수 있으며, 필요에 따라 두 가지 이상의 물질이 적층된 구조를 사용할 수도 있다.
금속막(21, 31, 31', 41, 51, 51')은 금(Au), 크롬(Cr)등을 사용할 수 있으며 금속의 성질을 나타내는 모든 물질을 사용할 수 있다. 금속막(21, 31, 31', 41, 51, 51')은 스퍼터링과 같은 물리적인 증착법 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition)과 같은 화학적인 증착법을 이용하여 증착될 수 있다.
유전체(22, 32, 32', 42, 42', 52, 52')는 실리콘 옥사이드(SiO2) 또는 나이트라이드계 화합물등을 사용할 수 있으며, 주로 CVD와 같은 화학적인 증착법을 이용해 형성될 수 있다.
본 발명의 제1 내지 제3실시예에 따른 양극접합 구조체에서는 유전체(22, 32, 32', 42, 42')와 유리판(25, 35, 45, 55)간에 양극접합이 형성되며, 본 발명의 제4실시예에 따른 양극접합 구조체에서는 유전체(52')와 금속막(51)간에 양극접합이 형성된다.
이러한 양극접합 구조체를 제조하기 위해서 상술한 금속막(21, 31, 31', 41, 51, 51')과 유전체(22, 32, 32', 42, 42', 52, 52')를 필요에 따라 적정한 수로 순차적으로 증착시킨 다음, 이 형성된 구조체에 350℃ 내지 400℃정도의 열을 가하고 동시에 기판(23, 33, 43, 53)과 유리판(25, 35, 45, 55)에 800 내지 200V 정도의 전압을 가해 유전체(22, 32', 42' 52')과 유리판(25, 35, 45)을 양극접합시키거나 유전체(52')과 금속막(51)을 양극접합시킨다.
도 3a는 실리콘 기판(23), 금속막(21), 실리콘옥사이드(SiO2)로 형성된 유전체(22) 및, 유리판(25)을 구비하는 본 발명의 제1실시예에 따른 양극접합 구조체의 SEM 사진이며, 도 3b는 실리콘 기판(33), 제1금속막(31), 실리콘옥사이드(SiO2)로 형성된 제1유전체(32), 제2금속막(31'), 실리콘옥사이드(SiO2)로 이루어진 제2유전체(32') 및 유리판(35)을 구비하는 본 발명의 제2실시예에 따른 양극접합 구조체의 SEM 사진이다. 이러한 구조체를 제조하기 위한 양극접합의 조건은 온도 400℃정도, 압력 1200N정도, 음극전압 -1500V 정도 및 접합시간 5분정도이다.
도 4는 상술한 양극접합 구조체 및 그 제조방법을 적용하여 제조된 광스캐너의 상부구조를 나타낸 단면도이며, 도 5는 그 사시도다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 광스캐너 제조방법에 의해 제조되는 광스캐너의 상부구조는, 사각형의 프레임(80)과, 프레임(80)내에 분리영역(73)을 사이에 두고 위치하며 프레임(80)으로부터 연장되는 토션바(61')와, 토션바(61')에 연결되는 중앙부분의 사각형의 스캐닝 미러(66") 및 상기 스캐닝 미러의 저면(66")에 형성되는 구동콤전극(61")을 구비한다.
프레임(80)은 토션바(61')를 중심으로 상부 프레임(81)과 하부 프레임(83)으로 나뉜다. 상부 프레임(81)은, 유리판(68)과 유리판(68)의 저면에 위치하며 유리판(68)과 양극접합하는 유전체(SiO2)(67)와 유전체(67)의 저면에 위치하는 금속막(Au 또는 Cr)(66)으로 이루어진다. 여기서, 양극접합 구조체는 상술한 본 발명의 제1실시예에 따른 양극접합 구조체이다.
하부 프레임(83)은 제1기판(Si)(61)과 제1기판(61)의 저면에 증착되는 금속막(Au 또는 Cr)(66')과 제1기판(61)의 상부면에 위치하는 유전체(SiO2)(62)와, 유전체(62)의 상부면에 배열되며 상기 토션바(61')로 연장되는 제2기판(Si)(63)을 구비한다.
스캐닝 미러(66")는 제2기판(63)의 상부면에 금속막(Au 또는 Cr)(66)을 증착시켜 형성하며 빛을 반사하는 기능을 한다.
상기 프레임(80)의 중앙부분과 상기 스캐닝 미러(66")의 두 부분에 제2기판(63)을 관통하도록 핀홀이 형성되며 이 핀홀의 내부로 금속막(66)을 증착시켜 상부 금속막(66)과 유전체(62)를 연결하여 하부 금속막(66')이 전기적으로 연결될 수 있도록 한다.
여기서, 이용된 제1기판(61), 유전체(62) 및 제2기판(63)의 구조는 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼(60) 구조이다. SOI 웨이퍼(60)는 스캐닝 미러(66")의 안정적인 구동을 가능하게 하여 광스캐너의 성능을 향상시킨다.
이하 본 발명의 실시예에 따른 광스캐너의 상부구조 제조방법에 대해 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예에 따른 광스캐너의 상부구조는 상기 본 발명의 실시예에 따른 제1실시예에 양극접합 구조체를 이용한다. 도 6h에서 실리콘으로 이루어진 제2기판(63)의 상부에 금속막(66)이 증착되어 있고 상기 금속막(66)의 상부에 유전체(67)가 형성되어 있으며, 상기 유전체(67)와 유리판(68)이 양극접합되어 있는 것을 볼 수 있다.
도 6a 내지 도 6k는 도 4 및 도 5에 도시된 광스캐너의 상부구조 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 500μm 정도의 두께를 가지는 실리콘 웨이퍼 등으로 된 제1기판(61)을 마련한 다음 이 표면을 산화시켜 1μm 정도의 실리콘 옥사이드와 같은 유전체(62)를 형성한다. 그런 다음 상기 유전체(62)의 상부면에 15μm 정도의 실리콘(63)웨이퍼로 제2기판을 형성하여 SOI 웨이퍼(60)를 만든다.
SOI 웨이퍼(60)의 상부에 AZ7220과 같은 감광막(64)을 도포한 다음 마스크를 씌우고 노광 및 현상을 하면, 도 6b에 도시된 바와 같은 형태로 패터닝된 감광막(64)이 형성된 SOI 웨이퍼(60)가 만들어진다.
제2기판(63)을 ICPRIE(Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch)와 같은 식각공정을 이용해 식각한다. 식각은 15μm 정도의 하부에 존재하는 실리콘 옥사이드로 이루어지는 유전체(62)에서 멈추어 도 6c에 도시된 바와 같이 정확히 15μm 정도의 두께를 가지는 힌지(71)와 스캐닝 미러(66")가 될 부분을 형성하게 된다.
도 6d에 도시된 바와 같이, 다시 감광막(65)을 도포하고 포토공정을 시행하여 홀패터닝을 한다. 도 6e에 도시된 바와 같이, 다시 ICPRIE와 같은 식각공정을 통해 제2기판(63)을 식각하고 RIE(Reactive Ion Etch)를 통해 실리콘 옥사이드(SiO2) 유전체(62)를 식각하여 SOI 웨이퍼(60)를 관통시킨다.
도 6e를 참조하면, 핀홀이 프레임(80)의 중앙부분을 관통하여 제1기판(61)의 표면까지 닿아있으며 스캐닝 미러(66")가 될 부분의 좌측과 우측에 각각 형성되어 제1기판(61)까지 관통하고 있다.
다음으로, 도 6f에 도시된 바와 같이, 스캐닝 미러(66")가 될 부분 및 프레임(80)의 상면에 반사막으로 사용될 Cr를 300Å정도의 두께로 증착하고 다시 그 위에 Au를 3000Å정도 증착하여 금속막(66)을 형성하면, SOI 웨이퍼(60)의 상부 및 하부가 전기적으로 연결되게 된다.
도 6g에 도시된 바와 같이, Au 및 Cr로 이루어진 금속막(66)의 상부면에 CVD와 같은 화학기상증착법을 이용해 5000Å정도의 두께로 실리콘 옥사이드 유전체(67)를 증착하여 패터닝한 다음, 상기 구조물을 뒤집어 도 6h에 도시된 바와 같이 유리판(68), 예를 들어 파이렉스 유리판과 양극접합을 시킨다.
도 6i에 도시된 바와 같이, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 평탄화 공정을 이용하여 500μm 정도 두께의 실리콘 기판(61)을 100μm 정도로 연마하고, 하부구조와 용융접합층으로 사용될 Au 및 Cr의 금속막(66')을 증착한 다음 패터닝한다.
도 6j에 도시된 바와 같이, AZ4620과 같은 감광막(69)을 다시 도포한 다음 일반적인 포토공정을 이용하여 패터닝하여 도시된 형태의 콤(70)구조 및 금속막(66')의 상부 감광패턴(69)을 형성한다.
제1기판(61)을 ICPRIE 와 같은 식각공정을 이용해 식각하면 프레임(80)과 스캐닝 미러(66")의 분리영역(72)이 관통되고, 제2기판(63)에서 연장된 토션바(61')가 형성되어 도 6k에 도시된 바와 같은 구조체가 완성된다.
본 발명의 실시예에 따른 양극접합 구조체 및 그 제조방법은 유리판과 유전체 및 유전체와 금속막 간의 양극접합을 실행할 수 있어 새로운 방식의 콘덴서, 캔티레버, 센서 및 인덕터 등의 MEMs 구조물의 제작이 가능하며, 패키징 공정에 도 이용이 가능하다. 이를 이용한 광스캐너의 상부구조 제조방법에서는, 양극접합을 이용하여 SOI 웨이퍼의 상하부를 전기적으로 연결함으로써 광스캐너의 안정적인 제작 및 구동을 가능하게 하고 전체적인 성능을 향상시킬 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다.
예를 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상에 의해 기판과 유리판 사이에 유전체와 금속막의 다양한 조합체을 구현할 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 양극접합 구조체 및 그 제조방법의 장점은, 기판과 유전체 사이에 금속막과 유전체의 다양한 적층구조의 조합을 가능하게 하여 새로운 소자의 구현을 가능하게 한다는 것이다.
또한, 이를 이용한 광스캐너 제조방법은 양극접합을 이용하여 상부기판과 하부기판을 전기적으로 연결하여 광스캐너의 성능을 전체적으로 향상시킬 수 있다는 것이다.

Claims (20)

  1. 기판과, 상기 기판의 상부에 마련되는 유리판을 구비하는 구조체에 있어서,
    상기 기판과 상기 유리판 사이에 적어도 하나 이상의 유전체와 금속막이 증착되고 최상부에는 유전체가 배열되며, 상기 최상부의 유전체와 상기 유리판은 양극접합을 하는 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 유리판 사이에 각각 하나의 금속막 및 유전체가 순서대로 배열되며, 상기 유전체는 상기 유리판과 양극접합하는 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나이상의 금속막은 제1금속막 및 제2금속막을 포함하고, 상기적어도 하나이상의 유전체는 제1 및 제2유전체를 포함하며,
    상기 기판과 상기 유리판 사이에 상기 제1금속막, 상기 제1유전체, 상기 제2금속막 및 상기 제2유전체가 순서대로 배열되며, 상기 제2유전체는 상기 유리판과 양극접합하는 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나이상의 유전체는 제1유전체 및 제2유전체을 포함하며,
    상기 기판과 상기 유리판 사이에 제1유전체, 금속막 및, 제2유전체가 순서대로 배열되며, 상기 제2유전체는 상기 유리판과 양극접합하는 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나이상의 금속막은 제1금속막과 제2금속막을 포함하고, 상기 적어도 하나이상의 유전체는 제1유전체와 제2유전체를 포함하며,
    상기 기판과 상기 유리판 사이에 제1금속막, 제1유전체, 제2금속막 및 상기 유리판의 하부에 형성되는 제2유전체가 순서대로 배열되며, 상기 제2금속막과 상기 제2유전체가 양극접합하는 것을 특징으로 하는 양극접합구조체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘인 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체는 이산화규소인 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속막은 Au 또는 Cr로 이루어진 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체.
  10. 기판과, 상기 기판의 상부에 마련되는 유리판을 구비하는 양극접합 구조체 제조방법에 있어서,
    상기 기판과 상기 유리판 사이에 적어도 하나 이상의 유전체와 금속막을 증착시키며, 최상부에 유전체를 배열하는 단계; 및
    상기 최상부의 유전체와 상기 유리판을 양극접합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체 제조방법.
  11. 삭제
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 양극접합시키는 단계에서,
    300℃ 내지 400℃ 정도의 열과, 800N 내지1200N 정도의 압력과, 800V 내지 2000V 정도의 전압을 가하는 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체 제조방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체 제조방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 유전체는 이산화규소로 형성하는 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체 제조방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 금속막은 Au 또는 Cr로 형성하는 것을 특징으로 하는 양극접합 구조체 제조방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
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