JPH05274682A - 光ディスク装置 - Google Patents

光ディスク装置

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JPH05274682A
JPH05274682A JP6648592A JP6648592A JPH05274682A JP H05274682 A JPH05274682 A JP H05274682A JP 6648592 A JP6648592 A JP 6648592A JP 6648592 A JP6648592 A JP 6648592A JP H05274682 A JPH05274682 A JP H05274682A
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JP
Japan
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signal
differential amplifier
output
gain
optical disk
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JP6648592A
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Inventor
Eiji Ogami
英司 大上
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Toshiba Corp
Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光ディスクの種類が変わっても、情報の再生
ができる光ディスク装置を提供する。 【構成】 差動増幅器53は、光検出セル19a、19
bの出力信号を増幅する。レベル検知回路59は、差動
増幅器53の出力信号と閾値を比較して、比較結果をA
/Dコンバータ61に送る。A/Dコンバータ61は、
比較結果に応じて「H」または「L」の出力信号をI/
Oコントローラ62を介してゲイン切替部54に入力す
る。ゲイン切替部54では、I/Oコントローラ62出
力信号に応じて全抵抗値が変化し、この結果、差動増幅
器53のゲインが変わる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクに対して情
報の記録あるいは再生を行う光ディスク装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】周知のように、例えば光学ヘッド内の半
導体レーザより出力されるレーザ光によって光ディスク
に情報を記録したり、光ディスクに記録されている情報
を読出す光ディスク装置が種々開発されている。
【0003】このような光ディスク装置では、再生され
た信号から光ディスクの反射率を表す信号をピーク検波
等によりレベル検知を行って生成し、この信号をもとに
してフォーカスのはずれ検知や各種信号(例えば、再生
用信号、フォーカスサーボ用信号、トラッキングサーボ
用信号)のゲインを切り換えたり、ゲインコントロール
を行う基準信号として使用している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光ディスク
は使用される基板や金属被膜層により反射率が違ってく
るが、従来の光ディスク装置では、光ディスクの反射率
を表す信号に対して、ゲイン切換えを行っていなかった
ため再生できる光ディスクの種類が限定されるという問
題があった。
【0005】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、光ディスクの種類
が変わっても情報の再生ができ、多種類の光ディスクに
対処できる光ディスク装置を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】前述した目的とを達成す
るために本発明は、光ディスクに対して情報の記録/再
生を行う光ディスク装置において、前記光ディスクに光
を照射する照射手段と、前記光ディスクによって反射さ
れた光を検出する検出手段と、前記検出手段の出力信号
を増幅する増幅手段と、前記増幅手段の出力信号のレベ
ルに応じて、前記増幅手段のゲインを切り替えるゲイン
切替手段と、を具備する光ディスク装置である。
【0007】
【作用】本発明では、ゲイン切替手段により増幅手段の
出力信号のレベル応じて、増幅手段のゲインを切り替
え、ゲインの切り替えにより、多種類の光ディスクに対
して情報の記録再生を行うことができる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。
【0009】図1は、この発明の光ディスク装置の概略
構成を示すものである。すなわち、光ディスク1は、モ
−タ(図示しない)によって光学ヘッド3に対して、線
速一定または、回転数一定で回転駆動されるようになっ
ている。この光ディスク1は、例えばガラスあるいはプ
ラスチックスなどで円形に形成された基板の表面に、テ
ルルあるいはビスマスなどの金属被膜層がド−ナツ形に
コ−ティングされている。光ディスク1の裏側には、情
報の記録、再生を行うための光学ヘッド3が設けられて
いる。この光学ヘッド3は、次のように構成されてい
る。すなわち、11は半導体レ−ザ(光源)であり、こ
の半導体レ−ザ11からは発散性のレ−ザ光Lが発生さ
れる。この場合、情報を光ディスク1の記録膜1aに書
き込む(記録)に際しては、書き込むべき情報に応じて
その光強度が変調されたレ−ザ光Lが発生され、情報を
光ディスク1の記録膜1aから読み出す(再生)際に
は、一定の光強度を有するレ−ザ光Lが発生される。
【0010】そして、半導体レ−ザ11から発生された
発散性のレ−ザ光Lは、コリメ−タレンズ13によって
平行光束に変換され、偏光ビ−ムスプリッタ14に導か
れる。この偏光ビ−ムスプリッタ14に導かれたレ−ザ
光Lは、この偏光ビ−ムスプリッタ14を通過した後、
1/4波長板15を通過して対物レンズ16に入射さ
れ、この対物レンズ16によって光ディスク1の記録膜
1aに向けて集束される。ここで、対物レンズ16は、
その光軸方向および光軸と直交する方向にそれぞれ移動
可能に支持されており、対物レンズ16が所定位置に位
置されると、この対物レンズ16から発せられた集束性
のレ−ザ光Lのビ−ムウエストが光ディスク1の記録膜
1aの表面上に投射され、最小ビ−ムスポットが光ディ
スク1の記録膜1aの表面上に形成される。この状態に
おいて、対物レンズ16は合焦状態および合トラック状
態に保たれ、情報の書き込みおよび読み出しが可能とな
る。
【0011】また、光ディスク1の記録膜1aから反射
された発散性のレ−ザ光Lは、合焦時には対物レンズ1
6によって平行光束に変換され、再び1/4波長板15
を通過して偏光ビ−ムスプリッタ14に戻される。レ−
ザ光Lが1/4波長板15を往復することによって、こ
のレ−ザ光Lは偏光ビ−ムスプリッタ14を通過した際
に比べて偏波面が90度回転しており、この90度だけ
偏波面が回転したレ−ザ光Lは、偏光ビ−ムスプリッタ
14を通過せずに、この偏光ビ−ムスプリッタ14で反
射される。そして、偏光ビ−ムスプリッタ14で反射し
たレ−ザ光Lはハ−フミラ−17によって2系統に分け
られ、その一方(トラックずれ検出系)のレ−ザビ−ム
Lは第1の投射レンズ18によって第1の光検出器19
上に照射される。この第1の光検出器19は、第1の投
射レンズ18によって結像される光を、電気信号に変換
する光検出セル19a、19bによって構成されてい
る。これらの光検出セル19a、19bによって出力さ
れる信号としては、それぞれγ信号、δ信号が出力され
るようになっている。
【0012】一方、ハ−フミラ−17によって分けられ
た他方(焦点ぼけ検出系)のレ−ザビ−ムLは、ナイフ
エッヂ(光抜出し部材)20によって光軸から離間した
領域を通過する成分のみ抜出され、第2の投射レンズ2
1を通過した後第2の光検出器22上に照射される。こ
の第2の光検出22は、第2の投射レンズ21によって
結像される光を、電気信号に変換する光検出セル22
a、22bによって構成されている。これらの光検出セ
ル22a、22bによって出力される信号としては、そ
れぞれα信号、β信号が出力されるようになっている。
【0013】光学ヘッド3の出力つまり各光検出セル1
9a、19b、22a、22bの出力は、それぞれ増幅
器31、32、41、42に供給される。上記増幅器3
1の出力は増幅器33を介して減算回路としての差動増
幅器38の非反転入力端子に供給される。また、上記増
幅器32の出力は差動増幅器34の非反転入力端子に供
給され、この差動増幅器34の反転入力端子にはスイッ
チング回路35からバイアス電圧(オフセット電圧)が
供給される。スイッチング回路35は図示しない制御回
路から供給される切換信号に応じて基準信号発生回路3
6あるいは基準信号発生回路37から供給される基準信
号としてバイアス電圧を出力するものである。制御回路
から供給される切換信号としては、再生時と記録時とで
異なった信号が供給されるようになっている。基準信号
発生回路36は、記録時に対物レンズ16によるビ−ム
スポットが最適位置となるようにするための、基準信号
としてのバイアス電圧を出力するものであり、基準信号
発生回路37は再生時に対物レンズ16によるビ−ムス
ポットが最適位置となるようにするための、基準信号と
してのバイアス電圧を出力するものであり、それらの値
はそれぞれ装置への設定時にセッティングされるように
なっている。
【0014】また、差動増幅器34の出力は差動増幅器
38の反転入力端に供給される。これにより、差動増幅
器38は光検出セル22aからの検出信号と、光検出セ
ル22bからの検出信号にオフセット電圧を加えた信号
との差を取ることにより、焦点ぼけに応じた信号を出力
するものである。差動増幅器38の出力は、波形整形回
路39で整形され、駆動回路40に供給される。この駆
動回路40は、波形整形回路39から供給される信号に
応じて、対物レンズ16を光ディスク1の記録面1aに
対して垂直方向に駆動するコイル24に対応する電流を
供給することにより、対物レンズ16を駆動するもので
ある。
【0015】また、増幅器41の出力は増幅器43を介
して減算回路としての差動増幅器46の非反転入力端子
に供給される。また、上記増幅器42の出力は差動増幅
器44の非反転入力端子に供給され、この差動増幅器4
4の反転入力端子には基準信号発生回路45からバイア
ス電圧(オフセット電圧)が供給される。基準信号発生
回路45は、記録時および再生時に対物レンズ16によ
るビ−ムスポットが最適位置となるようにするための、
基準信号としてのバイアス電圧を出力するものであり、
その値は装置への設定時にセッティングされるようにな
っている。
【0016】また、差動増幅器44の出力は差動増幅器
46の反転入力端子に供給される。これにより、差動増
幅器48は光検出セル19aからの検出信号と、光検出
セル19bからの検出信号にオフセット電圧を加えた信
号との差を取ることにより、通常のトラッキング時のト
ラックずれに応じた信号を出力するものである。差動増
幅器46の出力は、波形整形回路47で整形され、駆動
回路48に供給される。この駆動回路48は、波形整形
回路47から供給される信号に応じて、対物レンズ16
を光ディスク1の記録面1aに対して水平方向に駆動す
るコイル23に対応する電流を供給することにより、対
物レンズ16を駆動するものである。
【0017】次に、このような構成において動作を説明
する。たとえば今、半導体レ−ザ11から発生された発
散性のレ−ザ光Lは、コリメ−タレンズ13によって平
行光束に変換され、偏光ビ−ムスプリッタ14に導かれ
る。この偏光ビ−ムスプリッタ14に導かれたレ−ザ光
Lは、この偏光ビ−ムスプリッタ14を通過した後、1
/4波長板15を通過して対物レンズ16に入射され、
この対物レンズ16によって光ディスク1の記録膜1a
に向けて集束される。この状態において、情報の記録を
行う際には、強光度のレ−ザ光束(記録ビ−ム光)の照
射によって、光ディスク1上のトラックにピットが形成
され、情報の再生を行う際には、弱光度のレ−ザ光束
(再生ビ−ム光)が照射される。この再生ビ−ム光に対
する光ディスク1からの反射光は、対物レンズ16によ
って平行光束に変換され、再び1/4波長板15を通過
して偏光ビ−ムスプリッタ14に戻される。レ−ザ光L
が1/4波長板15を往復することによって、このレ−
ザ光Lは偏光ビ−ムスプリッタ14を通過した際に比べ
て偏波面が90度回転しており、この90度だけ偏波面
が回転したレ−ザ光Lは、偏光ビ−ムスプリッタ14を
通過せずに、この偏光ビ−ムスプリッタ14で反射され
る。そして、偏光ビ−ムスプリッタ14で反射したレ−
ザ光Lはハ−フミラ−17によって2系統に分けられ、
その一方(トラックずれ検出系)のレ−ザビ−ムLは第
1の投射レンズ18によって第1の光検出器19上に照
射される。一方、ハ−フミラ−17によって分けられた
他方(焦点ぼけ検出系)のレ−ザビ−ムLは、ナイフエ
ッヂ(光抜出し部材)20によって光軸から離間した領
域を通過する成分のみ抜出され、第2の投射レンズ21
を通過した後第2の光検出器22上に照射される。した
がって、光検出セル22a、22b、19a、19bか
ら照射光に応じた信号が出力され、それらの信号がそれ
ぞれ増幅器31、32、41、42に供給される。
【0018】このような状態において、情報の記録時に
おけるフォ−カッシング動作について説明する。すなわ
ち、上記増幅器31からの信号は増幅器33で増幅され
差動増幅器38に供給される。また、増幅器32からの
出力は差動増幅器34に供給される。このとき、スイッ
チング回路35には図示しない制御回路から記録に対す
る切換信号が供給されている。このため、スイッチング
回路35は基準信号発生回路36からの基準信号として
のバイアス電圧を差動増幅器34に供給している。これ
により、差動増幅器34は増幅器32から供給される信
号にバイアス電圧を加えた信号を差動増幅器38に出力
する。したがって、差動増幅器38は光検出セル22a
からの検出信号と、光検出セル22bからの検出信号に
バイアス電圧(オフセット電圧)を加えた信号との差を
取ることにより得られる、焦点ぼけに応じた信号を波形
整形回路39を介して駆動回路4に出力する。これによ
り、駆動回路40は波形整形回路39からの信号に応じ
てコイル24に所定の電流を供給し、対物レンズ16を
垂直方向に駆動して、記録時におけるフォ−カッシング
を行う。この結果、記録時における対物レンズ16によ
るビ−ムスポットが、対物レンズ16の機構的位置ずれ
が生じていたとしても、上記バイアス電圧により補正す
ることにより、最適位置とすることができる。
【0019】また、情報の再生時におけるフォ−カッシ
ング動作について説明する。すなわち、増幅器31から
の信号は増幅器33で増幅され差動増幅器38に供給さ
れる。また、増幅器32からの出力は差動増幅器34に
供給される。このとき、スイッチング回路35には図示
しない制御回路から再生に対する切換信号が供給されて
いる。このため、スイッチング回路35は基準信号発生
回路37からの基準信号としてのバイアス電圧を差動増
幅器34に供給している。これにより、差動増幅器34
は増幅器32から供給される信号にバイアス電圧を加え
た信号を差動増幅器38に出力する。したがって、差動
増幅器38は光検出セル22aからの検出信号と、光検
出セル22bからの検出信号にバイアス電圧(オフセッ
ト電圧)を加えた信号との差を取ることにより得られ
る、焦点ぼけに応じた信号を波形整形回路39を介して
駆動回路40に出力する。これにより、駆動回路40は
波形整形回路39からの信号に応じてコイル24に所定
の電流を供給し、対物レンズ16を垂直方向に駆動し
て、再生時におけるフォ−カッシングを行う。この結
果、再生時における対物レンズ16によるビ−ムスポッ
トが、対物レンズ16の機構的位置ずれが生じていたと
しても、上記バイアス電圧により補正することにより、
最適位置とすることができる。
【0020】ついで、トラッキング動作について説明す
る。すなわち、上記増幅器41からの信号は増幅器43
で増幅され差動増幅器46に供給される。また、増幅器
32からの出力は差動増幅器44に供給される。この
時、基準信号発生回路45からの基準信号としてのバイ
アス電圧が差動増幅器44に供給されている。これによ
り、差動増幅器44は増幅器42から供給される信号に
バイアス電圧を加えた信号を差動増幅器46に出力す
る。したがって、差動増幅器46は光検出セル19aか
らの検出信号と、光検出セル19bからの検出信号にバ
イアス電圧(オフセット電圧)を加えた信号との差を取
ることにより得られる信号を波形整形回路47を介して
駆動回路48に出力する。これにより、駆動回路48は
波形整形回路47からの信号に応じてコイル23に所定
の電流を供給し、対物レンズ16を水平方向に駆動し
て、トラッキングを行う。
【0021】図2は、情報再生回路の構成を示す回路図
である。この情報再生回路は、図1に示す光検出セル1
9a、19bに接続されるもので、図1には示されてい
ない。この情報再生回路は、電流電圧変換器(I/V変
換器)51、抵抗52、差動増幅器53、ゲイン切替部
54、2値化回路58、レベル検知回路59、バッファ
60、A/Dコンバータ61、I/Oコントローラ62
を有する。また、ゲイン切替部54は、スイッチ55、
抵抗56、57からなる。
【0022】電流電圧変換器51は、光検出セル19
a、19bの出力電流を電圧に変換する。差動増幅器5
3は、電流電圧変換器51の出力信号と参照信号REF
の差を取り、この差信号を増幅して出力する。ゲイン切
替部54は、この差動増幅器53のゲインを切り替える
もので、I/Oコントローラ62の指示により、スイッ
チ55が開閉することによって、このゲイン切替部の全
抵抗が変化することによって、差動増幅器53のゲイン
が変わる。
【0023】すなわち、I/Oコントローラ62の指示
により、スイッチ55が開となっている場合、差動増幅
器53のゲインGは G1=R57/R5257は抵抗57の抵抗値 R52は抵抗52の抵抗値 となり、I/Oコントローラ62の指示により、スイッ
チ55が閉となっている場合、差動増幅器53のGは G2=RA/R52 RA=R56・R57/(R56+R57) となる。
【0024】ここでG1≧G2である。
【0025】2値化回路58は、差動増幅器53の出力
信号を2値化して、再生信号として次段に送る。
【0026】レベル検出回路59は、差動増幅器53の
出力信号のピークを検知して閾値と比較し、比較結果を
バッファ60に送る。A/Dコンバータ61は、バッフ
ァ60の出力信号をディジタル信号に変換し、図示しな
いCPUおよびI/Oコントローラ62に送る。すなわ
ち、A/Dコンバータ61はレベル検知回路59によ
り、差動増幅器53の出力信号のピークが閾値よりも大
きいとき信号「H」を出力し、差動増幅器53の出力信
号のピークが閾値よりも小さいとき信号「L」を出力す
る。
【0027】I/Oコントローラ62は、A/Dコンバ
ータ61の出力信号に応じて、スイッチ55の切り替え
を制御する。すなわち、A/Dコンバータ61の出力信
号が「H」の場合、スイッチ55を開とし、差動増幅器
53のゲインを下げ、A/Dコンバータ61の出力信号
が「L」の場合、スイッチ55を閉とし、差動増幅器5
3のゲインを上げる。
【0028】このように本実施例では、光ディスクは使
用される基板や金属被膜層により反射率が違うが、光デ
ィスクの種類が変わり、光ディスクの反射光量のレベル
が変化しても、そのレベルに応じて差動増幅器53のゲ
インを切り替えるようにしたので、多種類の光ディスク
に対処することができる。
【0029】なお、本実施例では、差動増幅器53のゲ
インを2段階に切り替えるように構成したが、レベル検
知回路59の閾値を多数設けて、これに応じてゲイン切
替部54が多段階に抵抗値を切り替えるようにすれば、
差動増幅器53のゲインを多段階に切り替えることがで
きる。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
ディスクに適切なゲインがその光ディスクの信号レベル
により得られるため、多種の光ディスクを再生すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る光ディスク装置の概略
構成図
【図2】情報再生回路の構成を示す回路図
【符号の説明】
1………光ディスク 3………光学ヘッド 11………光源(半導体レ−ザ) 16………対物レンズ 19a、19b…光検出セル 51………電流電圧変換器 53………差動増幅器 54………ゲイン切替部 59………レベル検知回路 61………A/Dコンバータ 62………I/Oコントローラ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光ディスクに対して情報の記録/再生を
    行う光ディスク装置において、 前記光ディスクに光を照射する照射手段と、 前記光ディスクによって反射された光を検出する検出手
    段と、 前記検出手段の出力信号を増幅する増幅手段と、 前記増幅手段の出力信号のレベルに応じて、前記増幅手
    段のゲインを切り替えるゲイン切替手段と、 を具備する光ディスク装置。
  2. 【請求項2】 前記ゲイン切替手段は、 前記増幅器の出力信号のピーク値を検出するレベル検知
    手段と、 前記レベル検知手段の出力信号と閾値との比較を行う比
    較手段と、 前記比較手段の出力信号に応じて、前記増幅器のゲイン
    を設定するゲイン設定手段と、 を具備する請求項第1項記載の光ディスク装置。
JP6648592A 1992-03-25 1992-03-25 光ディスク装置 Withdrawn JPH05274682A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4879076A (en) * 1986-06-17 1989-11-07 Nippon Oil Co., Ltd. Process for the production of polyethylene materials

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4879076A (en) * 1986-06-17 1989-11-07 Nippon Oil Co., Ltd. Process for the production of polyethylene materials

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Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990608