JPH05271199A - N−置換−3−(置換ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体、その製造方法及び除草剤 - Google Patents

N−置換−3−(置換ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体、その製造方法及び除草剤

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JPH05271199A
JPH05271199A JP4098597A JP9859792A JPH05271199A JP H05271199 A JPH05271199 A JP H05271199A JP 4098597 A JP4098597 A JP 4098597A JP 9859792 A JP9859792 A JP 9859792A JP H05271199 A JPH05271199 A JP H05271199A
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    • C07D251/40Nitrogen atoms
    • C07D251/42One nitrogen atom
    • C07D251/46One nitrogen atom with oxygen or sulfur atoms attached to the two other ring carbon atoms

Abstract

(57)【要約】 【目的】 新規なN−置換−3−(置換ヒドラジノ)ベ
ンゼンスルホンアミド誘導体およびそれを有効成分とす
る除草剤を提供する。 【構成】 N−置換−3−(置換ヒドラジノ)ベンゼン
スルホンアミド誘導体は、式(I)で示され、除草剤は
それを有効成分として含有する。 (式中、R1 はC1 −C4 アルキル、モノクロルメチ
ル、C3 −C4 アルケニル、C1 −C4 アルコキシメチ
ル、C1 −C4 アルコキシカルボニル、C1 −C4アル
キルチオエチル、ピリジル、チエニル、テニル、テトラ
ヒドロフルフリル、モルホリノ、無置換フェニル、また
は塩素もしくはC1 −C4 アルキルで置換されたフェニ
ル基を示し、R2 は水素またはC1 −C4 アルキル基を
示し、R3 は、C1 −C4 アルキル基を示し、X1 はC
1 −C3 アルキル、C1 −C3 アルコキシ基または塩素
を示し、X2 はC1 −C3 アルキルまたはC1 −C3
ルコキシ基を示し、Zは、NまたはCHを示す。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、N−置換−3−(置換
ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体、その製造
方法、その誘導体を有効成分とする除草剤、およびその
製造中間体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、除草剤として多数の化合物が提案
されており、N−置換ベンゼンスルホンアミド誘導体に
ついても多種類のものが除草剤として報告されている。
例えば、特開昭59−152377号公報および特開昭
62−129276号公報には、広範な化合物が開示さ
れており、その中には、ベンゼンスルホンアミドのベン
ゼン環の3位に、−NHC(CH3 )=CHCOC
3 、−NHC(CH3 )=CHCOOCH3 、−NH
CH3 、−OCH2 CF3 、または−SCH2 CF3
結合させ、かつ、窒素原子にピリミジン環または、1,
3,5−トリアジン環を結合させたN−置換−3−置換
ベンゼンスルホンアミド誘導体が開示されている。ま
た、特開平2−207075号公報には、ベンゼンスル
ホンアミドのベンゼン環の3位に、−NHN=CHCF
3 、−NHN=CHCOOH、または−NHN=CHC
Cl=CClCOOHを結合させ、かつ、窒素原子にピ
リミジン環または1,3,5−トリアジン環を結合させ
たN−置換−3−置換ベンゼンスルホンアミド誘導体が
開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、環境
中の存在量を少なくできる利点を持つような低薬量で確
実な除草効果を示す除草剤、環境条件の変化にかかわら
ず作物と雑草間に選択性を示す除草剤、及び二期作で後
作に薬害を生じない除草剤など、優れた除草効果を示す
除草剤に対する要望が高い。
【0004】本発明は、従来の上記のような要望に応え
ることを課題としてなされたものである。したがって、
本発明の目的は、優れた除草効果を示す新規な化合物、
その製造方法、その化合物を有効成分とする新規な除草
剤、およびその製造中間体を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ベンゼン
スルホンアミドのベンゼン環の3位に、上記特開昭59
−152377号公報および特開昭62−129276
号公報に開示されているものとは異なる置換基を有する
文献未記載の新規な化合物が、優れた除草効果を有する
ことを見出し、本発明を完成するに至った。
【0006】本発明は次の構成上の特徴を有する。本発
明の第1のものは、N−置換−3−(置換ヒドラジノ)
ベンゼンスルホンアミド誘導体に関するものであって、
下記式(I)で示される。
【化8】 (式中、R1 は、C1 −C4 アルキル基、モノクロルメ
チル基、C3 −C4 アルケニル基、C1 −C4 アルコキ
シメチル基、C1 −C4 アルコキシカルボニル基、C1
−C4 アルキルチオエチル基、ピリジル基、チエニル
基、テニル基、テトラヒドロフルフリル基、モルホリノ
基、無置換フェニル基、または塩素原子もしくはC1
4 アルキル基で置換されたフェニル基を示し、R
2 は、水素原子またはC1 −C4 アルキル基を示し、R
3 は、C1 −C4 アルキル基を示し、X1は、C1 −C
3 アルキル基、C1 −C3 アルコキシ基または塩素原子
を示し、X2 は、C1 −C3 アルキル基またはC1 −C
3 アルコキシ基を示し、Zは、NまたはCHを示す。)
【0007】本発明の第2のものは、上記式(I)で示
されるN−置換−3−(置換ヒドラジノ)ベンゼンスル
ホンアミド誘導体を製造する方法に関するものであっ
て、下記反応式で示される。すなわち、式(IV)で示さ
れる2−アミノ−4,6−ジ置換−1,3,5−トリア
ジンまたはピリミジンと炭酸ジフェニルを反応させて、
式(III )で示されるフェニルカーバメート誘導体を生
成させ、それを単離することなく、式(II)で示される
3−(置換ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体
と反応させることを特徴とする。
【0008】
【化9】 (式中、R1 、R2 、R3 、X1 、X2 およびZは、そ
れぞれ前記と同じ内容を示す。)
【0009】本発明の第3のものは、上記N−置換−3
−(置換ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体の
製造中間体である3−(置換ヒドラジノ)ベンゼンスル
ホンアミド誘導体に関するものであって、下記式(II)
で示される。
【化10】 (式中、R1 、R2 およびR3 は、それぞれ前記と同じ
内容を示す。)
【0010】本発明の第4のものは、除草剤に関するも
のであって、上記式(I)で示されるN−置換−3−
(置換ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体を有
効成分として含有することを特徴とする。
【0011】以下、本発明を詳細に説明する。なお、以
下の説明において、式中、R1 、R2 、R3 、X1 、X
2 およびZはそれぞれ前記と同じ内容を示すので、各符
号の説明を省略する。本発明における上記式(I )で示
されるN−置換−3−(置換ヒドラジノ)ベンゼンスル
ホンアミド誘導体の具体例としては、表1〜表6に示す
ものをあげることができる。
【表1】
【0012】
【表2】
【0013】
【表3】
【0014】
【表4】
【0015】
【表5】
【0016】
【表6】
【0017】上記式(I)で示されるN−置換−3−
(置換ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体は、
下記反応式にしたがい、式(II)で示される3−(置換
ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミドと、式(III )で
示されるフェニルカーバメート誘導体とを、有機溶媒中
で塩基の存在下反応させることによって合成することが
できる。
【化11】
【0018】上記の反応式による合成法としては、次の
A法とB法とが使用できる。 A法: 式(III )で示されるフェニルカーバメート誘
導体を、例えば、ヨーロッパ特許第238,070号公
報に記載された方法で、合成・単離し、その後、式(I
I)で示される3−(置換ヒドラジノ)ベンゼンスルホ
ンアミド誘導体と反応させる方法。 B法: 有機溶媒に、式(IV)で示される2−アミノ−
4,6−ジ置換−1,3,5−トリアジンまたはピリミ
ジンを加え、ついで、塩基を加え、しばらく攪拌した
後、生成物を単離することなく、炭酸ジフェニルを加
え、さらに、式(II)で示される3−(置換ヒドラジ
ノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体を反応させる方法。 式(I)で示されるN−置換−3−(置換ヒドラジノ)
ベンゼンスルホンアミド誘導体において、Z=Nの化合
物を合成する場合には、B法が好ましい。
【0019】上記のA法およびB法の反応において、有
機溶媒としては、ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリドン、アセトニトリル等を用いることができる。ま
た、塩基としては、水素化ナトリウム、ジアザビシクロ
オクタン、ジアザビシクロノネン、ジアザビシクロウン
デセン等を用いることができる。なお、B法において
は、水素化ナトリウムが特に好ましい。反応は、−20
〜100℃、好ましくは0〜50℃の範囲の反応温度
で、0.5〜24時間、好ましくは0.5〜6時間の範
囲の反応時間で行われる。反応終了後、希塩酸水溶液に
反応混合物を加え、生じた析出物を濾取して、風乾した
後、生成物をカラムクロマトグラフィーや洗浄法によっ
て精製し、目的とする式(I)のN−置換−3−(置換
ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体を得ること
ができる。
【0020】上記の反応において、原料となる製造中間
体である式(II)の3−(置換ヒドラジノ)ベンゼンス
ルホンアミドは、式(V)で示される3−アミノベンゼ
ンスルホンアミド誘導体を出発物質として、下記の反応
式にしたがい、合成することができる。
【化12】
【0021】上記の反応式による式(II)で示される化
合物の合成は、次のようにして実施することができる。
即ち、式(V)で示される3−アミノベンゼンスルホン
アミド誘導体のアミノ基をジアゾ化した後、還元するこ
とによって得られる式(VI)で示される3−ヒドラジノ
ベンゼンスルホンアミド誘導体を、式(VII )で示され
るアルデヒド類またはケトン類と共にメタノールまたは
ジオキサン中で、30〜120℃、好ましくは70〜9
0℃において、0.5〜8時間攪拌する。反応終了後、
生成物を反応混合物から濾取するか、または反応混合物
を減圧乾固し、必要ならば洗浄して精製し、式(II)で
示される化合物を純度良く得ることができる。
【0022】なお、上記反応式で使用した式(V)で示
される3−アミノベンゼンスルホンアミド誘導体は、下
記反応式にしたがって得ることができる。すなわち、式
(VIII)で示される4−ニトロ−2−(アミノスルホニ
ル)安息香酸を、式(IX)で示されるアルコールでエス
テル化し、得られる式(X)で示される安息香酸エステ
ル誘導体のニトロ基を、35%塩酸を含んだ式(IX)で
示されるアルコール中で、SnCl2 を用いて還元する
ことによって得ることができる。
【化13】
【0023】上記製造中間体として使用される式(II)
の化合物の具体例としては、表7に示すものをあげるこ
とができる。
【表7】
【0024】本発明の上記式(I)のN−置換−3−
(置換ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体(以
下、「本発明化合物」という。)は、低薬量で確実な除
草効果を示し、かつ、作物と雑草間に選択性を示す。し
たがって、この化合物を有効成分として含有する除草剤
は、例えば、コムギ、イネ、トウモロコシ、ダイズ、ワ
タ、テンサイ、ジャガイモ、トマト、等の重要作物中の
双子葉雑草や単子葉雑草を、発芽前あるいは発芽後に防
除するのに適している。
【0025】本発明の除草剤によって防除することがで
きる双子葉雑草としては、ヒユ属(Amaranthu
s)、センダングサ属(Bidens)、ハコベ属(S
tellaria)、ナス属(Abutilon)、セ
イヨウヒルガオ属(Convolvulus)、シカギ
ク属(Matricaria)、ヤエムグラGaliu
m)、アゼトウガラシ属(Lindernia)等があ
げられる。また、単子葉雑草としては、キビ属(Ech
inochloa)、エノコログサ属(Setari
a)、メヒシバ属(Digitaria)、カラスムギ
属(Avena)、カヤツリグサ属(Cyperu
s)、ヘラオモダカ属(Alisma)、ミズアオイ属
(Monochoria)等があげられる。本発明の除
草剤の施用範囲は、畑地、水田、果樹園等の農耕地の
他、グランド、工場敷地等の非農耕地があげられる。
【0026】本発明化合物は、除草剤としてそのまま使
用することもできるが、通常は製剤補助剤とともに、粉
剤、水和剤、粒剤、乳剤などの種々の形態に製剤して使
用する。このとき、製剤中に、本発明化合物の1種また
は2種以上が、0.1〜95重量%、好ましくは0.5
〜90重量%、より好ましくは2〜70重量%含まれる
ように製剤する。
【0027】製剤補助剤として使用する担体・希釈剤、
界面活性剤を例示すれば、固体担体としては、タルク、
カオリン、ベントナイト、珪藻土、ホワイトカーボン、
クレーなどをあげることができる。液体希釈剤として
は、水、キシレン、トルエン、クロロベンゼン、シクロ
ヘキサン、シクロヘキサノン、ジメチルスルホキシド、
ジメチルホルムアミド、アルコールなどをあげることが
できる。
【0028】界面活性剤は、その効果により使いわける
のが好ましく、乳化剤として、ポリオキシエチレンアル
キルアリールエーテル、ポリオキシエチレンソルビタン
モノラウレートなどをあげることができる。分散剤とし
ては、リグニンスルホン酸塩、ジブチルナフタリンスル
ホン酸塩などをあげることができる。湿潤剤としては、
アルキルスルホン酸塩、アルキルフェニルスルホン酸塩
などをあげることができる。
【0029】前記製剤は、そのまま使用するものと、水
等の希釈剤で所定濃度に希釈して使用するものとに大別
される。希釈して使用する場合において、本発明化合物
の濃度は0.001〜1.0%の範囲が望ましい。ま
た、本発明化合物の使用量は1haあたり、0.01〜
10kg、好ましくは0.05〜5kgである。これら
の使用濃度および使用量は、剤型、使用時期、使用方
法、使用場所、対象作物等によっても異なるため、前記
の範囲にこだわることなく増減することは勿論可能であ
る。さらに、本発明化合物は、他の有効成分、例えば、
殺菌剤、殺虫剤、殺ダニ剤、除草剤と組み合わせて使用
することもできる。
【0030】
【実施例】以下、本発明化合物である上記式(I)で示
されるN−置換−3−(置換ヒドラジノ)ベンゼンスル
ホンアミド誘導体の製造例、製剤例および試験例を示
し、本発明を具体的に説明する。なお、本発明は、その
要旨を越えない限り以下の製造例、製剤例および試験例
によって限定されるものではない。
【0031】合成例1 4−[(エチリデン)ヒドラジノ]−2−
[〔{[(4,6−ジメトキシ−1,3,5−トリアジ
ン−2−イル)アミノ]カルボニル}アミノ〕スルホニ
ル]安息香酸メチルエステル(化合物番号I−1)の合
成 2−アミノ−4,6−ジメトキシ−1,3,5−トリア
ジン1.82g(11.7mmol)を、乾燥ジメチル
アセトアミド18mlに懸濁し、かき混ぜた。これに、
室温下、60%水素化ナトリウム0.46g(11.7
mmol)を添加した。反応液は、発泡が終了すると均
一になった。その後、水冷下、炭酸ジフェニル2.5g
(11.7mmol)の乾燥ジメチルアセトアミド6m
l溶液を滴下した。10分間かき混ぜた後、この反応混
合物に、2−(アミノスルホニル)−4−[(エチリデ
ン)ヒドラジノ]安息香酸メチルエステル2.87g
(10.6mmol)の乾燥ジメチルアセトアミド12
ml溶液を、水冷下滴下した。反応液は、褐色に変化し
た。そのまま、1時間50分かき混ぜた。次に、反応液
を35%塩酸1.2mlを含む氷水170mlに注ぎ、
20分間かき混ぜた。その後、析出固体を濾取、水洗、
風乾した。粗生成物を、シリカゲル(ワコーゲル C−
300)カラムクロマト(酢酸エチル/n−ヘキサン=
1/1)で精製し、さらに、石油エーテルで洗浄した。
白色固体、得量1g(収率20.4%)、融点130℃
分解。その物理化学的性質を表8に示す。
【0032】合成例2〜7 表1に記載のその他のN−置換−3−(置換ヒドラジ
ノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体についても、合成例
1と同様にして合成することができる。それらの物理化
学的性質について、表8に示す。なお、表8および後記
表9中、NMRの項の略号は、次の意味を表す。 S(一重線)、d(ニ重線)、t(三重線)、q(四重
線)、m(多重線)、dd(二重二重線)、br(ブロ
ード)、bs(幅広い一重線)。
【0033】
【表8】
【0034】合成例8 製造中間体:2−(アミノスルホニル)−4−[(エチ
リデン)ヒドラジノ]安息香酸メチルエステル(化合物
番号II−1)の合成 (1)2−(アミノスルホニル)−4−ヒドラジノ安息
香酸メチルエステル(式(VI)において、R3 =C
3 )の合成 4−アミノ−2−(アミノスルホニル)安息香酸メチル
エステル(式(V)において、R3 =CH3 )3g(1
3mmol)を、35%塩酸6mlと水6mlの混合物
に加えて室温で5分間攪拌した。ついで氷水で冷却し、
攪拌して、亜硝酸ナトリウム0.95g(13.7mm
ol)を水3mlに溶解したものを加えてジアゾ化し
た。塩化第一スズ 6.78g(68.5mmol)
を、 35%塩酸6.52mlに溶解し、氷水冷却下、攪
拌しながら、先に調製したジアゾ化物を加えた。20分
間攪拌した後、冷蔵庫で15時間静置した。ついで、反
応混合物を3リットルのビーカーに移し、炭酸水素ナト
リウム粉末38gを加えて攪拌し、pHを6に調整し
た。ついで、300mlの酢酸エチルエステルで2回抽
出した。抽出液を硫酸ナトリウムで乾燥した後、抽出溶
媒を留去し、淡黄色固体を得た。得量2.76g、収率
86%、融点168〜170℃ (2)2−(アミノスルホニル)−4−[(エチリデ
ン)ヒドラジノ]安息香酸メチルエステルの合成 上記(1)で合成した化合物(式(V)において、R3
=CH3 )0.5g(2mmol)をメタノールに溶解
し、これにアセトアルデヒド0.3g(6.8mmo
l)を加えて70℃で3時間攪拌した。ついで、反応混
合物からメタノールを留去し、残査を濾取した後、少量
のメタノールで洗浄し、風乾した。黄色固体、得量0.
316g、収率57.30%。その物理化学的性質を表
9に示す。
【0035】合成例9〜14 表7に記載のその他の3−(置換ヒドラジノ)ベンゼン
スルホンアミド誘導体についても、合成例8と同様にし
て合成することができる。それらの物理化学的性質につ
いて、表9に示す。
【0036】
【表9】
【0037】次に、製剤例および試験例を示すが、担体
(希釈剤)および助剤、その混合比および有効成分は、
広い範囲で変更し得るものである。各製剤例の「部」
は、重量部を表す。 製剤例1(水和剤) 化合物(I−1) 50部 リグニンスルホン酸塩 5部 アルキルスルホン酸塩 3部 珪藻土 42部 を混合粉砕して水和剤とし、水で希釈して使用する。
【0038】 製剤例2(乳剤) 化合物(I−3) 25部 キシレン 65部 ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル 10部 を均一に混合して乳剤とし、水で希釈して使用する。
【0039】 製剤例3(粒剤) 化合物(I−4) 8部 ベントナイト 40部 クレー 45部 リグニンスルホン酸 7部 を均一に混合し、さらに水を加えて練り合わせ、押出し
式造粒機で粒状に加工して粒剤として使用する。
【0040】試験例1 種子発芽試験 直径9cmのシャーレ内に、濾紙2枚を重ねて敷き、供
試化合物の水懸濁液(有効成分0.25ppmおよび
2.5ppm)を6mlずつ注ぎ、アオビユ、コセンダ
ングサ、カミツレ、イヌホウズキ、ノビエ、コゴメカヤ
ツリ、エノコログサの種子を10粒ずつ置床した。その
後28℃の温室内にて発芽させ、置床14日後に発芽お
よび生育阻害程度を肉眼観察により次の6段階の基準で
判定した。調査基準、0:阻害無し、1:31%未満の
阻害、2:31〜50%の阻害、3:51〜70%の阻
害、4:71〜90%の阻害、5:91〜100%の阻
害。その結果を表10に示す。
【0041】
【表10】
【0042】試験例2 茎葉処理による殺草効果試験 ポットで生育させたアオビユ、コセンダングサ、野生カ
ラシナ、ハコベ、エビスグサ、イヌホウズキ、イチビ、
西洋ヒルガオ、カミツレ、エノコログサ、食用ビエ、エ
ンバク、メヒシバ(各供試植物とも1葉〜2葉の時)の
茎葉部に、上記製剤例に示すような水和剤を所定濃度に
調製した供試化合物の薬液を5および50g/ha相当
量を散布した。散布14日後に、次の基準で除草効果を
調査した。調査基準、0:阻害無し、1:31%未満の
阻害、2:31〜50%の阻害、3:51〜70%の阻
害、4:71〜90%の阻害、5:91〜100%の阻
害。それらの結果を表11に示す。
【0043】
【表11】
【0044】試験例3 茎葉処理による殺草効果試験 ポットで生育させたヤエムグラ、コムギ(各供試植物と
も1葉〜2葉の時)の茎葉部に、上記製剤例に示すよう
な水和剤を所定濃度に調製した供試化合物の薬液を5お
よび50g/ha相当量を散布した。散布21日後に、
次の基準で殺草効果を調査した。調査基準、0:阻害無
し、1:31%未満の阻害、2:31〜50%の阻
害、、3:51〜70%の阻害、4:71〜90%の阻
害、5:91〜100%の阻害。それらの結果を表12
に示す。
【表12】
【0045】
【発明の効果】本発明の前記式(I)で示されるN−置
換−3−(置換ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘
導体は、文献未記載の新規な化合物であって、低薬量で
確実な除草効果を示し、かつ、作物と雑草間に選択性を
示す。したがって、この化合物を有効成分として含有す
る本発明の除草剤は、例えば、コムギ、イネ、トウモロ
コシ、ダイズ、ワタ、テンサイ、ジャガイモ、トマト等
の重要作物中の双子葉雑草や単子葉雑草を、発芽前ある
いは発芽後に防除するのに特に適している。また、畑
地、水田、果樹園等の農耕地の他、グランド、工場敷地
等の非農耕地の雑草の防除にも使用することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07D 239/47 A 8615−4C 239/52 8615−4C 251/22 251/42 251/46 295/12 Z 307/14 333/20 401/12 239 8829−4C 251 8829−4C 405/12 239 8829−4C 251 8829−4C 409/12 239 8829−4C 251 8829−4C

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記式(I)で示されるN−置換−3−
    (置換ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体。 【化1】 (式中、R1 は、C1 −C4 アルキル基、モノクロルメ
    チル基、C3 −C4 アルケニル基、C1 −C4 アルコキ
    シメチル基、C1 −C4 アルコキシカルボニル基、C1
    −C4 アルキルチオエチル基、ピリジル基、チエニル
    基、テニル基、テトラヒドロフルフリル基、モルホリノ
    基、無置換フェニル基、または塩素原子もしくはC1
    4 アルキル基で置換されたフェニル基を示し、R
    2 は、水素原子またはC1 −C4 アルキル基を示し、R
    3 は、C1 −C4 アルキル基を示し、X1は、C1 −C
    3 アルキル基、C1 −C3 アルコキシ基または塩素原子
    を示し、X2 は、C1 −C3 アルキル基またはC1 −C
    3 アルコキシ基を示し、Zは、NまたはCHを示す。)
  2. 【請求項2】 下記式(IV) 【化2】 (式中、X1 は、C1 −C3 アルキル基、C1 −C3
    ルコキシ基または塩素原子を示し、X2 は、C1 −C3
    アルキル基またはC1 −C3 アルコキシ基を示し、Z
    は、NまたはCHを示す。)で示される2−アミノ−
    4,6−ジ置換−1,3,5−トリアジンまたはピリミ
    ジンと炭酸ジフェニルとを反応させて、下記式(III ) 【化3】 (式中、X1 、X2 およびZは、上記と同じ内容を示
    す。)で示されるフェニルカーバメート誘導を生成さ
    せ、単離することなく下記式(II) 【化4】 (式中、R1 は、C1 −C4 アルキル基、モノクロルメ
    チル基、C3 −C4 アルケニル基、C1 −C4 アルコキ
    シメチル基、C1 −C4 アルコキシカルボニル基、C1
    −C4 アルキルチオエチル基、ピリジル基、チエニル
    基、テニル基、テトラヒドロフルフリル基、モルホリノ
    基、無置換フェニル基、または塩素原子もしくはC1
    4 アルキル基で置換されたフェニル基を示し、R
    2 は、水素原子またはC1 −C4 アルキル基を示し、R
    3 は、C1 −C4 アルキル基を示す。)で示される3−
    (置換ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体と反
    応させることを特徴とする、下記式(I) 【化5】 (式中、X1 、X2 、R1 、R2 、R3 およびZは、上
    記と同じ内容を示す。)で示されるN−置換−3−(置
    換ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体の製造方
    法。
  3. 【請求項3】 下記式(II) 【化6】 (式中、R1 は、C1 −C4 アルキル基、モノクロルメ
    チル基、C3 −C4 アルケニル基、C1 −C4 アルコキ
    シメチル基、C1 −C4 アルコキシカルボニル基、C1
    −C4 アルキルチオエチル基、ピリジル基、チエニル
    基、テニル基、テトラヒドロフルフリル基、モルホリノ
    基、無置換フェニル基、または塩素原子もしくはC1
    4 アルキル基で置換されたフェニル基を示し、R
    2 は、水素原子またはC1 −C4 アルキル基を示し、R
    3 は、C1 −C4 アルキル基を示す。)で示される3−
    (置換ヒドラジノ)ベンゼンスルホンアミド誘導体。
  4. 【請求項4】 下記式(I) 【化7】 (式中、R1 は、C1 −C4 アルキル基、モノクロルメ
    チル基、C3 −C4 アルケニル基、C1 −C4 アルコキ
    シメチル基、C1 −C4 アルコキシカルボニル基、C1
    −C4 アルキルチオエチル基、ピリジル基、チエニル
    基、テニル基、テトラヒドロフルフリル基、モルホリノ
    基、無置換フェニル基、または塩素原子もしくはC1
    4 アルキル基で置換されたフェニル基を示し、R
    2 は、水素原子またはC1 −C4 アルキル基を示し、R
    3 は、C1 −C4 アルキル基を示し、X1は、C1 −C
    3 アルキル基、C1 −C3 アルコキシ基または塩素原子
    を示し、X2 は、C1 −C3 アルキル基またはC1 −C
    3 アルコキシ基を示し、Zは、NまたはCHを示す。)
    で示されるN−置換−3−(置換ヒドラジノ)ベンゼン
    スルホンアミド誘導体を有効成分として含有することを
    特徴とする除草剤。
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