JPH05264576A - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサInfo
- Publication number
- JPH05264576A JPH05264576A JP4063206A JP6320692A JPH05264576A JP H05264576 A JPH05264576 A JP H05264576A JP 4063206 A JP4063206 A JP 4063206A JP 6320692 A JP6320692 A JP 6320692A JP H05264576 A JPH05264576 A JP H05264576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- silicon
- electrode
- hole
- temperature solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Abstract
(57)【要約】
【目的】可動電極が固定電極へ付着固定する問題を解決
して歩留まり向上させる。 【構成】シリコンカンチレバーの先端へ成形した可動電
極を有するシリコンウエハへ、固定電極を有する下ガラ
スウエハを前記可動電極の下へ配置する。更に、スルー
ホール電極と固定電極を形成した上ガラスウエハを前記
可動電極の上へ配置し、サンドイッチ構造に接合した
後、前記スルーホール電極部孔へ固体の高温はんだボー
ルを挿入し更に、低温はんだペーストを塗布後、温度２
３０℃程度でリフローし、スルーホール電極部孔を封止
する。
して歩留まり向上させる。 【構成】シリコンカンチレバーの先端へ成形した可動電
極を有するシリコンウエハへ、固定電極を有する下ガラ
スウエハを前記可動電極の下へ配置する。更に、スルー
ホール電極と固定電極を形成した上ガラスウエハを前記
可動電極の上へ配置し、サンドイッチ構造に接合した
後、前記スルーホール電極部孔へ固体の高温はんだボー
ルを挿入し更に、低温はんだペーストを塗布後、温度２
３０℃程度でリフローし、スルーホール電極部孔を封止
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加速度センサに係わ
り、特に可動電極が固定電極へ付着固定させることなく
スルーホールを塞ぐものに関する。
り、特に可動電極が固定電極へ付着固定させることなく
スルーホールを塞ぐものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の加速度センサ用ゲージ構造は、特
開平1−152369 号に示すように上ガラスウエハのスルー
ホールにシリコーン樹脂を封止剤として採用していた。
開平1−152369 号に示すように上ガラスウエハのスルー
ホールにシリコーン樹脂を封止剤として採用していた。
【０００３】前記シリコーン樹脂は硬化時に揮発物が発
生し、可動電極が固定電極へ付着固定し加速度センサの
出力感度がなくなる不良が発生する。
生し、可動電極が固定電極へ付着固定し加速度センサの
出力感度がなくなる不良が発生する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】加速度センサ用ゲージ
におけるスルーホール電極部孔をシリコーン樹脂で塞ぐ
作業で発生する可動電極が固定電極へ付着固定する問題
を解決するための手段である。
におけるスルーホール電極部孔をシリコーン樹脂で塞ぐ
作業で発生する可動電極が固定電極へ付着固定する問題
を解決するための手段である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】 手段１ 上ウエハ／シリコン／下ウエハをサンドイッチ構造に接
合した後、上ウエハに設けたスルーホール電極部孔に固
体の高温はんだボールを挿入し、更に低温はんだペース
トを高温はんだボールの上に塗布後、温度２３０℃程度
でリフローする。
合した後、上ウエハに設けたスルーホール電極部孔に固
体の高温はんだボールを挿入し、更に低温はんだペース
トを高温はんだボールの上に塗布後、温度２３０℃程度
でリフローする。
【０００６】手段２ 上ウエハ／シリコン／下ウエハをサンドイッチ構造に接
合した後、上ウエハに設けたスルーホール電極部孔にフ
ラックスなし低温はんだペーストを塗布し、窒素又は、
酸素雰囲気で温度２３０℃程度でリフローする。
合した後、上ウエハに設けたスルーホール電極部孔にフ
ラックスなし低温はんだペーストを塗布し、窒素又は、
酸素雰囲気で温度２３０℃程度でリフローする。
【０００７】手段３ 上ウエハへ設けたスルーホール電極部孔へあらかじめ高
温はんだペーストを塗布し、温度３２０℃程度でリフロ
ーした後、上ウエハ／シリコン／下ウエハをサンドイッ
チ構造に接合する。
温はんだペーストを塗布し、温度３２０℃程度でリフロ
ーした後、上ウエハ／シリコン／下ウエハをサンドイッ
チ構造に接合する。
【０００８】
【作用】手段１における作用としては、揮発性が少ない
高温はんだを先にスルーホールへ挿入することにより、
後から塗布する低温はんだペースト（例えば共晶はんだ
ペースト）の揮発物を、可動電極及び、固定電極側へ行
かせない。ここで、共晶はんだペーストを採用する目的
は、リフロー温度が２３０℃程度で高温はんだに比べ低
温ではんだ付け出来るため、下ウエハ／シリコン／上ウ
エハの接合部に発生する歪を少なくできる。歪が発生す
ると出力特性悪化が原因になるため歪発生は極力少なく
する。
高温はんだを先にスルーホールへ挿入することにより、
後から塗布する低温はんだペースト（例えば共晶はんだ
ペースト）の揮発物を、可動電極及び、固定電極側へ行
かせない。ここで、共晶はんだペーストを採用する目的
は、リフロー温度が２３０℃程度で高温はんだに比べ低
温ではんだ付け出来るため、下ウエハ／シリコン／上ウ
エハの接合部に発生する歪を少なくできる。歪が発生す
ると出力特性悪化が原因になるため歪発生は極力少なく
する。
【０００９】手段２における作用としては、揮発物が少
ないフラックスなし低温はんだペーストを採用する事に
より揮発物が可動電極及び、固定電極に付着する量は少
ない。
ないフラックスなし低温はんだペーストを採用する事に
より揮発物が可動電極及び、固定電極に付着する量は少
ない。
【００１０】手段３における作用としては、シリコンと
ガラスを接合するに前に、揮発物が少ない高温はんだペ
ーストで上ウエハのスルーホール電極部孔を塞ぐため固
定電極への揮発物が付着する量は少ないし、シリコンウ
エハの可動電極には揮発物が付着しない。
ガラスを接合するに前に、揮発物が少ない高温はんだペ
ーストで上ウエハのスルーホール電極部孔を塞ぐため固
定電極への揮発物が付着する量は少ないし、シリコンウ
エハの可動電極には揮発物が付着しない。
【００１１】
【実施例】本発明による加速度センサの３実施例を、図
１，図２及び図３で説明する。
１，図２及び図３で説明する。
【００１２】図１に示すようにカンチレバー１の先端へ
成形した可動電極２を有するシリコンウエハ３と、前記
可動電極２へ対向して固定電極４を配置させた上ガラス
ウエハ５と下ガラスウエハ６を、シリコンウエハ３の上
下へサンドイッチ構造に接合する。前記上ガラスウエハ
５には、固定電極４の反対側へワイヤボンディングパッ
ド７を設け、固定電極４間とをスルーホール電極にて配
線する。
成形した可動電極２を有するシリコンウエハ３と、前記
可動電極２へ対向して固定電極４を配置させた上ガラス
ウエハ５と下ガラスウエハ６を、シリコンウエハ３の上
下へサンドイッチ構造に接合する。前記上ガラスウエハ
５には、固定電極４の反対側へワイヤボンディングパッ
ド７を設け、固定電極４間とをスルーホール電極にて配
線する。
【００１３】その後、ゲージチップに分割するためダイ
シングするが、ウエハの切粉やダイシング作業で使用す
る水がスルーホール電極部孔から可動電極２と固定電極
４の空隙へ侵入させないため、スルーホール電極部孔に
固体の高温はんだボール８を挿入し、更に、低温はんだ
ペースト９（例えば共晶はんだペースト）を塗布後、温
度２３０℃程度でリフローする。
シングするが、ウエハの切粉やダイシング作業で使用す
る水がスルーホール電極部孔から可動電極２と固定電極
４の空隙へ侵入させないため、スルーホール電極部孔に
固体の高温はんだボール８を挿入し、更に、低温はんだ
ペースト９（例えば共晶はんだペースト）を塗布後、温
度２３０℃程度でリフローする。
【００１４】ここで、固体の高温はんだボール８は融点
が３００℃以上のはんだで、低温はんだペースト９は、
融点が２６０℃以下のはんだである。
が３００℃以上のはんだで、低温はんだペースト９は、
融点が２６０℃以下のはんだである。
【００１５】次に、図２で実施例２を説明する。シリコ
ンウエハ３と上ガラスウエハ５と下ガラスウエハ６を使
用するのは実施例１と同じであるが、本実施例は上ガラ
スウエハ５に設けたスルーホールに、フラックスなし低
温はんだペースト９（例えば共晶はんだペースト）を塗
布後、窒素又は酸素雰囲気、温度２３０℃程度でリフロ
ーする。
ンウエハ３と上ガラスウエハ５と下ガラスウエハ６を使
用するのは実施例１と同じであるが、本実施例は上ガラ
スウエハ５に設けたスルーホールに、フラックスなし低
温はんだペースト９（例えば共晶はんだペースト）を塗
布後、窒素又は酸素雰囲気、温度２３０℃程度でリフロ
ーする。
【００１６】次に、図３で実施例３を説明する。シリコ
ンウエハ３と上ガラスウエハ５と下ガラスウエハ６を使
用するのは実施例１と同じであるが、本実施例は上ガラ
スウエハ５に設けたスルーホールに高温はんだペースト
１０を塗布後、温度３２０℃程度でリフローする。
ンウエハ３と上ガラスウエハ５と下ガラスウエハ６を使
用するのは実施例１と同じであるが、本実施例は上ガラ
スウエハ５に設けたスルーホールに高温はんだペースト
１０を塗布後、温度３２０℃程度でリフローする。
【００１７】その後、シリコンウエハ３へ上ガラスウエ
ハ５と下ガラスウエハ６を接合し、ゲージチップに分割
するためダイシングする。
ハ５と下ガラスウエハ６を接合し、ゲージチップに分割
するためダイシングする。
【００１８】実施例１，２，３の上，下ガラスウエハの
材質はシリコンでも良い。
材質はシリコンでも良い。
【００１９】また、スルーホール形状は、テーパ状孔に
図示しているがストレー状孔でもはんだ付け条件を工夫
すれば良い事は言うまでもない。
図示しているがストレー状孔でもはんだ付け条件を工夫
すれば良い事は言うまでもない。
【００２０】
【発明の効果】揮発物の発生を微少にできるため、可動
電極が固定電極へ付着固定する不良が低減出来る。
電極が固定電極へ付着固定する不良が低減出来る。
【図１】実施例１の断面図である。
【図２】実施例２の断面図である。
【図３】実施例３の断面図である。
１…シリコンカンチレバー、２…可動電極、３…シリコ
ンウエハ、４…固定電極、５…上ガラスウエハ、６…下
ガラスウエハ、７…ワイヤボンディングパッド、８…高
温はんだボール、９…低温はんだペースト、１０…高温
はんだペースト。
ンウエハ、４…固定電極、５…上ガラスウエハ、６…下
ガラスウエハ、７…ワイヤボンディングパッド、８…高
温はんだボール、９…低温はんだペースト、１０…高温
はんだペースト。
Claims (3)
- 【請求項１】シリコンウエハをエッチングしてカンチレ
バーとその先端に可動電極を成形した物へ、前記可動電
極へ対向して、ガラスウエハ（又はシリコンウエハ）に
固定電極とワイヤボンディングパッドを設けた下ウエハ
をシリコンウエハの下へ置き、更に前記可動電極に対向
してガラスウエハ（又はシリコンウエハ）へ固定電極と
ワイヤボンディングパッドをスルーホール電極で配線し
た上ウエハをシリコンウエハの上へ書き、前記３部品を
サンドイッチ構造（ガラス／シリコン／ガラス又は、シ
リコン／シリコン／シリコン）に接合し、可動電極の空
隙（容量）の変化を出力として取り出す加速度センサに
おいて、前記スルーホールを塞ぐ方法として、サンドイ
ッチ構造（ガラス／シリコン／ガラス又は、シリコン／
シリコン／シリコン）に接合した後に、スルーホール電
極部孔へ融点が３００℃以上の高温はんだボールを挿入
し更に、融点が２６０℃以下の低温はんだペースト（例
えば共晶はんだ）を塗布してリフローすることを特徴と
する加速度センサ。 - 【請求項２】請求項１において、上ウエハに設けている
スルーホール電極部孔を塞ぐ方法として、高温はんだボ
ールは挿入しないで、フラックスなしの融点が２６０℃
以下の低温はんだペースト（例えば共晶はんだ）のみを
塗布して塞ぐ構造にしたことを特徴とする加速度セン
サ。 - 【請求項３】請求項１において、上ウエハに設けている
スルーホール電極部孔を塞ぐ方法として、あらかじめ融
点が３００℃以上の高温はんだペーストを塗布してリフ
ローした後、下ウエハ，シリコンウエハ，上ウエハの３
部品をサンドイッチ構造に接合することを特徴とする加
速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4063206A JPH05264576A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4063206A JPH05264576A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05264576A true JPH05264576A (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=13222501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4063206A Pending JPH05264576A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05264576A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2280307A (en) * | 1993-06-03 | 1995-01-25 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor acceleration sensor and testing method thereof |
| WO1999046570A1 (fr) * | 1998-03-12 | 1999-09-16 | Yamatake Corporation | Capteur et son procede de production |
| JP2003050248A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Akashi Corp | 検出装置 |
| JP2003530234A (ja) * | 2000-04-07 | 2003-10-14 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | マイクロメカニック構造素子および相当する製造方法 |
| US20130134210A1 (en) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Aya Muto | Joining method and semiconductor device manufacturing method |
| CN111122904A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-05-08 | 北京航天控制仪器研究所 | 一种三明治加速度计微结构制作方法 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP4063206A patent/JPH05264576A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2280307A (en) * | 1993-06-03 | 1995-01-25 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor acceleration sensor and testing method thereof |
| US5526687A (en) * | 1993-06-03 | 1996-06-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor acceleration sensor and testing method thereof |
| GB2280307B (en) * | 1993-06-03 | 1997-01-08 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor acceleration sensor and testing method thereof |
| US5608153A (en) * | 1993-06-03 | 1997-03-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor acceleration sensor and testing method thereof |
| US6382030B1 (en) | 1998-03-12 | 2002-05-07 | Yamatake Corporation | Sensor and method of producing the same |
| EP0982576A1 (en) * | 1998-03-12 | 2000-03-01 | Yamatake Corporation | Sensor and method of producing the same |
| WO1999046570A1 (fr) * | 1998-03-12 | 1999-09-16 | Yamatake Corporation | Capteur et son procede de production |
| EP0982576A4 (en) * | 1998-03-12 | 2007-07-18 | Yamatake Corp | SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING SAME |
| JP2003530234A (ja) * | 2000-04-07 | 2003-10-14 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | マイクロメカニック構造素子および相当する製造方法 |
| JP2003050248A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Akashi Corp | 検出装置 |
| US20130134210A1 (en) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Aya Muto | Joining method and semiconductor device manufacturing method |
| US8746538B2 (en) * | 2011-11-25 | 2014-06-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Joining method and semiconductor device manufacturing method |
| US9087778B2 (en) | 2011-11-25 | 2015-07-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Joining method and semiconductor device manufacturing method |
| CN111122904A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-05-08 | 北京航天控制仪器研究所 | 一种三明治加速度计微结构制作方法 |
| CN111122904B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-05-24 | 北京航天控制仪器研究所 | 一种三明治加速度计微结构制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3181600B2 (ja) | 基板またはチップにフラックスなしで半田付けする方法および装置 | |
| JP2006135264A (ja) | 電子部品の製造方法及びそれを用いた電子部品 | |
| JPH05264576A (ja) | 加速度センサ | |
| US5314842A (en) | Resin-sealed type semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JPH05226487A (ja) | 半導体装置 | |
| US5829665A (en) | Fluxless soldering process | |
| JPH01241828A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH03218645A (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JPS5925378B2 (ja) | 電子部品の実装方法 | |
| JP2671603B2 (ja) | 無フラックスはんだ付け方法 | |
| JPH03196650A (ja) | フリップチップボンディング方法 | |
| JPS59177957A (ja) | チツプ実装方法 | |
| JPH05218136A (ja) | フリップチップ・ボンディング方法 | |
| JPH03108361A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3532361B2 (ja) | Ｉｃ電極上への突起電極形成方法 | |
| JPH04279040A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPS60182754A (ja) | ガラス端子接合用治具 | |
| JPS61113247A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58169914A (ja) | 大電力チツプ用ダイ | |
| JPH07297209A (ja) | ダイボンディング方法 | |
| JPS62216347A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60247385A (ja) | 固体撮像素子のパツケ−ジ封止方法 | |
| JPS6149431A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5992551A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジ | |
| TW200503135A (en) | Method for inspecting surface of UBM |