JPS5992551A - 半導体装置用パツケ−ジ - Google Patents
半導体装置用パツケ−ジInfo
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- JPS5992551A JPS5992551A JP57202131A JP20213182A JPS5992551A JP S5992551 A JPS5992551 A JP S5992551A JP 57202131 A JP57202131 A JP 57202131A JP 20213182 A JP20213182 A JP 20213182A JP S5992551 A JPS5992551 A JP S5992551A
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- cap
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- package
- exhaust vents
- soldering
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- Pending
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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-
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-
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- H01L2924/161—Cap
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置用パッケージに関する。
半導体装置用パッケージに於いて、半導体素子は外部の
湿気に敏感であシ、湿気に触れたりすると、その物性が
変化したシ、リーク不良を起したりするので気密封止が
必要である。
湿気に敏感であシ、湿気に触れたりすると、その物性が
変化したシ、リーク不良を起したりするので気密封止が
必要である。
従来からセラミックパッケージの封止材料としてのろう
材にはＡ ｕ ／ Ｓ ｎろう材が使用されているが、
このものは高価である。
材にはＡ ｕ ／ Ｓ ｎろう材が使用されているが、
このものは高価である。
そこで、半田ろう材を使用することが考えられるが、こ
の半田ろう材を使用すると、その封止部に無数のボイド
が発生する。即ち、セラミックパッケージに於いて、セ
ラミック基板と金属、セラミック等のシールキャップを
半田によシシールする場合、半田溶融時にぬれの悪い部
分がとシ残されたシすると、半田中にガスが巻き込まれ
、これによシボイドが発生する。特に融点が高い九−半
田（Ｐｂ９０％＋ Ｓ ｎ １０％金合金を用いてシー
ルするような場合には半田内に上記ボイドが発生したシ
、ぬれが悪い部分で新たにボイドができたシする。
の半田ろう材を使用すると、その封止部に無数のボイド
が発生する。即ち、セラミックパッケージに於いて、セ
ラミック基板と金属、セラミック等のシールキャップを
半田によシシールする場合、半田溶融時にぬれの悪い部
分がとシ残されたシすると、半田中にガスが巻き込まれ
、これによシボイドが発生する。特に融点が高い九−半
田（Ｐｂ９０％＋ Ｓ ｎ １０％金合金を用いてシー
ルするような場合には半田内に上記ボイドが発生したシ
、ぬれが悪い部分で新たにボイドができたシする。
このボイドの発生は、接続不良またはリーク不良の原因
となシパッケージの信頼度を低下させることになる。
となシパッケージの信頼度を低下させることになる。
本発明は半田封止部の半田ボイドの発生を防止した高信
頼度、低廉なパッケージを提供することを目的としたも
のである。
頼度、低廉なパッケージを提供することを目的としたも
のである。
本発明は半田内部に発生するボイドを外部へ排出するこ
とによシ均一な半田層を形成し、封止信頼性を向上させ
るものである。その為シールキャップに排気孔を形成し
ておき半田溶融時に発生する内部ガスの排出をこの孔を
利用して行うものである。
とによシ均一な半田層を形成し、封止信頼性を向上させ
るものである。その為シールキャップに排気孔を形成し
ておき半田溶融時に発生する内部ガスの排出をこの孔を
利用して行うものである。
次に本発明の一実施例を図面により説明する。
図面はデュアルインライン型セラミックパッケージの構
造を示し１図中、１はセラミック基体、２はシール部（
ろう材）でアシ、シール材料として半田を用いてあシ、
３は金属、セラミック専制のシールキャップである。当
該キャップには封着時発生するガスを排出するための排
気孔４が形成されている。半田溶融時に発生するガスは
、この孔４を通して外部に排出される。この排気孔４は
半田が固化するときは半田によシ充填され、気密性の高
い半田封止が行われる。本発明は１図面の実施例に示す
如きセラミックパッケージのろう材による金属キャップ
封止に好適である。尚１図面中、５は半導体素子（チッ
プ、ペレット）を、６はボンディングワイヤを、また、
７はリードフレームを示す。
造を示し１図中、１はセラミック基体、２はシール部（
ろう材）でアシ、シール材料として半田を用いてあシ、
３は金属、セラミック専制のシールキャップである。当
該キャップには封着時発生するガスを排出するための排
気孔４が形成されている。半田溶融時に発生するガスは
、この孔４を通して外部に排出される。この排気孔４は
半田が固化するときは半田によシ充填され、気密性の高
い半田封止が行われる。本発明は１図面の実施例に示す
如きセラミックパッケージのろう材による金属キャップ
封止に好適である。尚１図面中、５は半導体素子（チッ
プ、ペレット）を、６はボンディングワイヤを、また、
７はリードフレームを示す。
上記排出孔としてはガスを外部に流出し得るような孔で
あれば特に制限はない。図面にはシールキャップを縦に
貫通する全通孔を設けた例を示す。
あれば特に制限はない。図面にはシールキャップを縦に
貫通する全通孔を設けた例を示す。
孔はガスの流出が可能な微細孔であればよい。
本発明によれば従来の平板状の半田クラッドキャップを
使用する場合に比してボイドの発生を著しく低減できる
。即ち、本発明によれば半田中のボイドの原因であるガ
スが排出されるので、ボイドの発生が防止または低減さ
れる。このため、リーク不良が起らず、かつ温度サイク
ル、熱衝撃テストの結果も良好な、信頼性の高い、低コ
ストのパッケージが提供できる。
使用する場合に比してボイドの発生を著しく低減できる
。即ち、本発明によれば半田中のボイドの原因であるガ
スが排出されるので、ボイドの発生が防止または低減さ
れる。このため、リーク不良が起らず、かつ温度サイク
ル、熱衝撃テストの結果も良好な、信頼性の高い、低コ
ストのパッケージが提供できる。
尚、上記実施例ではセラミックパッケージについて説明
したが、サーディプタイプのパッケージ等にも適用でき
る。又、Ａｕ／Ｓｎろう材を封止材料として使用する場
合にも適用できる。
したが、サーディプタイプのパッケージ等にも適用でき
る。又、Ａｕ／Ｓｎろう材を封止材料として使用する場
合にも適用できる。
図面は本発明の実施例を示すパッケージの断面図である
。 ２・・・シール材（半田層）。 第１頁の続き ■出 願 人 日立マイクロコンピュータエンジニアリ
ング株式会社 小平市上水本町１４７９番地
。 ２・・・シール材（半田層）。 第１頁の続き ■出 願 人 日立マイクロコンピュータエンジニアリ
ング株式会社 小平市上水本町１４７９番地
Claims (1)
- 半田ろう材によシ−ルキャップを封止する半導体装置用
パッケージにおいて、前記半田ろう材溶融時に発生する
ガスを外部に排出する排気孔を前記シールキャップに形
成して成ることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202131A JPS5992551A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202131A JPS5992551A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992551A true JPS5992551A (ja) | 1984-05-28 |
Family
ID=16452475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57202131A Pending JPS5992551A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992551A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112309872A (zh) * | 2019-07-30 | 2021-02-02 | 苏州远创达科技有限公司 | 一种多芯片模块的封装工艺 |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57202131A patent/JPS5992551A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112309872A (zh) * | 2019-07-30 | 2021-02-02 | 苏州远创达科技有限公司 | 一种多芯片模块的封装工艺 |
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