JPH05259652A - 薄膜多層基板の製造装置 - Google Patents
薄膜多層基板の製造装置Info
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- JPH05259652A JPH05259652A JP5490892A JP5490892A JPH05259652A JP H05259652 A JPH05259652 A JP H05259652A JP 5490892 A JP5490892 A JP 5490892A JP 5490892 A JP5490892 A JP 5490892A JP H05259652 A JPH05259652 A JP H05259652A
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- insulating resin
- cavity
- resin
- pressure
- upper mold
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/2669—Moulds with means for removing excess material, e.g. with overflow cavities
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁性樹脂を配線導体間の狭い間隔部に未充
填部やボイド等なく完全に充填することのできる薄膜多
層基板の製造装置を提供する。 【構成】 基板上の配線導体周辺部にシ−ル部材を設け
て基板と上型間により気密性のキャビティを形成し、上
型内の給排気口を介して上記キャビティ部内を排気して
絶縁性樹脂を注入し、注入後には上記キャビティ部内を
絶縁性樹脂内の揮発性成分の蒸気圧より高い圧力に加圧
する。 【効果】 薄膜多層基板の製造歩留りと信頼性が向上す
る。
填部やボイド等なく完全に充填することのできる薄膜多
層基板の製造装置を提供する。 【構成】 基板上の配線導体周辺部にシ−ル部材を設け
て基板と上型間により気密性のキャビティを形成し、上
型内の給排気口を介して上記キャビティ部内を排気して
絶縁性樹脂を注入し、注入後には上記キャビティ部内を
絶縁性樹脂内の揮発性成分の蒸気圧より高い圧力に加圧
する。 【効果】 薄膜多層基板の製造歩留りと信頼性が向上す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜多層基板に係り，と
くに薄膜多層基板の微細な配線導体間に未充填部やボイ
ド等なく絶縁性樹脂を充填することのできる薄膜多層基
板の製造装置に関する。
くに薄膜多層基板の微細な配線導体間に未充填部やボイ
ド等なく絶縁性樹脂を充填することのできる薄膜多層基
板の製造装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来の薄膜多層基板の製造方法を図６〜１
０を用いて説明する。図６は薄膜多層基板のベースとな
るセラミック基板１の斜視図である。このセラミック基
板１上に図７に示すように、第１層の配線導体２１とス
ルーホール導体３１を無電解メッキおよび電気メッキに
より形成する。なお、上記配線導体２１とスルーホール
導体３１の寸法は、例えば配線導体２１の幅４は２０μ
ｍ，高さ５は２０〜４０μｍ，スルーホール導体３１の
高さは４０〜６０μｍ、配線導体間隔６は２０〜４０μ
ｍ程度である。次いで図８に示すように、配線導体２間
の間隙部に絶縁性樹脂８を充填し、この表面を機械的に
研磨して平滑にすると同時にスルーホール導体３１の表
面を露出させる。
０を用いて説明する。図６は薄膜多層基板のベースとな
るセラミック基板１の斜視図である。このセラミック基
板１上に図７に示すように、第１層の配線導体２１とス
ルーホール導体３１を無電解メッキおよび電気メッキに
より形成する。なお、上記配線導体２１とスルーホール
導体３１の寸法は、例えば配線導体２１の幅４は２０μ
ｍ，高さ５は２０〜４０μｍ，スルーホール導体３１の
高さは４０〜６０μｍ、配線導体間隔６は２０〜４０μ
ｍ程度である。次いで図８に示すように、配線導体２間
の間隙部に絶縁性樹脂８を充填し、この表面を機械的に
研磨して平滑にすると同時にスルーホール導体３１の表
面を露出させる。
【０００３】次いで図９に示すように第２層の配線導体
２２およびスルーホール導体３２をメッキし、第１層目
のスルーホール導体３１と接続し、以後、同様にして絶
縁性樹脂８を充填して表面を平滑に、スルーホール導体
３２を露出させる。図１０は上記絶縁性樹脂８の成形を
行なうトランスファ成形金型１２の断面図である。な
お、１１はセラミック基板上に置かれたスルーホール導
体３１の上面と同じ高さのスペーサ枠である。。上型１
２を設置して１３０℃程度に加熱し、ポット１３１内に
絶縁性樹脂のタブレット８１を投入し、プランジャ１３
を加圧降下し、例えば配線導体２１とスルーホール導体
３１間の空隙部に絶縁性樹脂８を充填，固化する。第２
層以降の絶縁性樹脂成形についても同様である。
２２およびスルーホール導体３２をメッキし、第１層目
のスルーホール導体３１と接続し、以後、同様にして絶
縁性樹脂８を充填して表面を平滑に、スルーホール導体
３２を露出させる。図１０は上記絶縁性樹脂８の成形を
行なうトランスファ成形金型１２の断面図である。な
お、１１はセラミック基板上に置かれたスルーホール導
体３１の上面と同じ高さのスペーサ枠である。。上型１
２を設置して１３０℃程度に加熱し、ポット１３１内に
絶縁性樹脂のタブレット８１を投入し、プランジャ１３
を加圧降下し、例えば配線導体２１とスルーホール導体
３１間の空隙部に絶縁性樹脂８を充填，固化する。第２
層以降の絶縁性樹脂成形についても同様である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の絶縁性樹脂
成形工程には、 （１）配線導体間の狭い間隔部に樹脂が完全に充填され
ない。すなわち図８に示すように未充填部２０が発生す
る。 （２）このため、樹脂注入前に配線導体間の間隙部の空
気を脱気すると，樹脂注入中に金型内に空気が流入す
る。 （３）上記未充填を減らすために絶縁性樹脂の溶融粘度
を例えば数ポイズ程度に低めると、金型の分割面から樹
脂が流失して金型内の樹脂圧力を低下させ，樹脂内溶剤
の気化によるボイド８２が発生する。
成形工程には、 （１）配線導体間の狭い間隔部に樹脂が完全に充填され
ない。すなわち図８に示すように未充填部２０が発生す
る。 （２）このため、樹脂注入前に配線導体間の間隙部の空
気を脱気すると，樹脂注入中に金型内に空気が流入す
る。 （３）上記未充填を減らすために絶縁性樹脂の溶融粘度
を例えば数ポイズ程度に低めると、金型の分割面から樹
脂が流失して金型内の樹脂圧力を低下させ，樹脂内溶剤
の気化によるボイド８２が発生する。
【０００４】（４）次の銅メッキ工程で上記樹脂の未充
填部２０やびボイド８２にメッキ液が侵入して短絡路を
形成する。 （５）上記樹脂の未充填部やびボイドに残留するメッキ
液により腐食が発生する。 本発明の目的は、上記（１）〜（５）の問題を解決して
製品の信頼性を向上することのできる薄膜多層基板の製
造装置を提供することにある。
填部２０やびボイド８２にメッキ液が侵入して短絡路を
形成する。 （５）上記樹脂の未充填部やびボイドに残留するメッキ
液により腐食が発生する。 本発明の目的は、上記（１）〜（５）の問題を解決して
製品の信頼性を向上することのできる薄膜多層基板の製
造装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、上記配線導体の周辺部を封ずるシ−ル部材と、上記
上型内に上記絶縁性樹脂のオ−バ−フロ−部と上記オ−
バ−フロ−部に接続された給排気口を設け、さらに上記
絶縁性樹脂の注入前には上記シ−ル部材により形成され
る上記セラミック基板と上記上型間のキャビティ部内を
上記給排気口を介して排気する手段と、上記絶縁性樹脂
の注入後には上記キャビティ部内を上記給排気口を介し
て加圧する手段とを備えるようにする。
に、上記配線導体の周辺部を封ずるシ−ル部材と、上記
上型内に上記絶縁性樹脂のオ−バ−フロ−部と上記オ−
バ−フロ−部に接続された給排気口を設け、さらに上記
絶縁性樹脂の注入前には上記シ−ル部材により形成され
る上記セラミック基板と上記上型間のキャビティ部内を
上記給排気口を介して排気する手段と、上記絶縁性樹脂
の注入後には上記キャビティ部内を上記給排気口を介し
て加圧する手段とを備えるようにする。
【０００６】また、上記キャビティ部内の他の加圧手段
として、上記絶縁性樹脂の注入後には補助プランジャに
より上記キャビティ部内の絶縁性樹脂を加圧するように
する。また、上記絶縁性樹脂をトランスファ成形方式に
より充填するようにする。さらに、上記キャビティ部内
の排気と加圧の中間にて上記キャビティ部内を上記排気
圧力と加圧圧力の中間圧力に設定するようにする。さら
に、上記加圧圧力を絶縁性樹脂内の揮発性成分の蒸気圧
より高めるようにする。また、上記絶縁性樹脂がエポキ
シ樹脂であり、上記揮発性成分がメチルケトンの場合に
は、上記加圧圧力を５〜１０kgf/cm2の範囲内に設定す
るようにする。
として、上記絶縁性樹脂の注入後には補助プランジャに
より上記キャビティ部内の絶縁性樹脂を加圧するように
する。また、上記絶縁性樹脂をトランスファ成形方式に
より充填するようにする。さらに、上記キャビティ部内
の排気と加圧の中間にて上記キャビティ部内を上記排気
圧力と加圧圧力の中間圧力に設定するようにする。さら
に、上記加圧圧力を絶縁性樹脂内の揮発性成分の蒸気圧
より高めるようにする。また、上記絶縁性樹脂がエポキ
シ樹脂であり、上記揮発性成分がメチルケトンの場合に
は、上記加圧圧力を５〜１０kgf/cm2の範囲内に設定す
るようにする。
【０００７】
【作用】上記シ−ル部材により上記キャビティ部の気密
性が維持される。また、上記キャビティ部内の排気によ
り上記絶縁性樹脂が狭い間隙部にまで円滑に流入する。
また、上記オ−バ−フロ−部は上記絶縁性樹脂が上記キ
ャビティ部内に満遍なく行き渡るための緩衝空間として
作用する。
性が維持される。また、上記キャビティ部内の排気によ
り上記絶縁性樹脂が狭い間隙部にまで円滑に流入する。
また、上記オ−バ−フロ−部は上記絶縁性樹脂が上記キ
ャビティ部内に満遍なく行き渡るための緩衝空間として
作用する。
【０００８】また、上記キャビティ部内を上記絶縁性樹
脂の注入後に上記排気圧力と加圧圧力の中間圧力に設定
することにより上記絶縁性樹脂を上記キャビティ部内に
十分に流入させる。また、上記キャビティ部内の圧力を
絶縁性樹脂内の揮発性成分の蒸気圧より高めることによ
り溶融された上記絶縁性樹脂内の揮発性成分の気化が抑
止されてボイドの形成が防止される。
脂の注入後に上記排気圧力と加圧圧力の中間圧力に設定
することにより上記絶縁性樹脂を上記キャビティ部内に
十分に流入させる。また、上記キャビティ部内の圧力を
絶縁性樹脂内の揮発性成分の蒸気圧より高めることによ
り溶融された上記絶縁性樹脂内の揮発性成分の気化が抑
止されてボイドの形成が防止される。
【０００９】
【実施例】図１は本発明により改良された成形金型実施
例の断面図である。図１の成形金型により未充填部２０
やボイド８２等の発生を抑止することができる。一例と
して第１配線層に樹脂を充填する場合について説明す
る。第２層以降についても同様である。まず、配線導体
２１およびスルーホール導体３１を形成したセラミック
基板１をプレス機械の下熱板（図示せず）上に固定し、
上型１２を上熱板（図示せず）上に固定する。
例の断面図である。図１の成形金型により未充填部２０
やボイド８２等の発生を抑止することができる。一例と
して第１配線層に樹脂を充填する場合について説明す
る。第２層以降についても同様である。まず、配線導体
２１およびスルーホール導体３１を形成したセラミック
基板１をプレス機械の下熱板（図示せず）上に固定し、
上型１２を上熱板（図示せず）上に固定する。
【００１０】次いで図２に示すように、セラミック基板
１の凹みにシール部材１０をはめこみ，その外周にスペ
ーサ枠１１を設置する。スペーサ枠１１の上面がスルー
ホール導体３の上面と同じになるようにスルーホール導
体の高さ応じたものを選択して使用する。また、シール
材１０には厚さ１０mm程度のシリコンゴム材等を用いれ
ば層数が４０層程度まで１種類のシール材で済ますこと
ができる。次いでセラミック基板１と上型１２を１３０
℃程度に加熱し，型締まする。この型締めにより上型１
２，スペーサ枠１１およびセラミック基板１でかこまれ
るキャビティ２４が形成される。
１の凹みにシール部材１０をはめこみ，その外周にスペ
ーサ枠１１を設置する。スペーサ枠１１の上面がスルー
ホール導体３の上面と同じになるようにスルーホール導
体の高さ応じたものを選択して使用する。また、シール
材１０には厚さ１０mm程度のシリコンゴム材等を用いれ
ば層数が４０層程度まで１種類のシール材で済ますこと
ができる。次いでセラミック基板１と上型１２を１３０
℃程度に加熱し，型締まする。この型締めにより上型１
２，スペーサ枠１１およびセラミック基板１でかこまれ
るキャビティ２４が形成される。
【００１１】図１において、上記の状態でタブレット８
１を上型１２のポット１３１内に投入し，０リング１４
付きのプランジャ１３をポット１３１に挿入して固定す
る。次いで図３に示すタイミングチャ−トに従ってキャ
ビティ２４内の温度，成形圧力，真空吸引，空気圧力印
加等を行なう。
１を上型１２のポット１３１内に投入し，０リング１４
付きのプランジャ１３をポット１３１に挿入して固定す
る。次いで図３に示すタイミングチャ−トに従ってキャ
ビティ２４内の温度，成形圧力，真空吸引，空気圧力印
加等を行なう。
【００１１】すなわち、真空ポンプを給排気口１９に接
続してキャビティ２４内を１０Ｔorr程度にまで脱気し
てからプランジャ１３を下降させてタブレット８１をキ
ャビティ２４内に流入する。キャビティ２４内は十分に
排気されているので２０のような未充填部は発生しな
い。しかし、真空吸引により溶融樹脂圧力は上昇せず、
樹脂はキャビティ２２内を充満後，オーバフロー部１５
内にせり上がる。
続してキャビティ２４内を１０Ｔorr程度にまで脱気し
てからプランジャ１３を下降させてタブレット８１をキ
ャビティ２４内に流入する。キャビティ２４内は十分に
排気されているので２０のような未充填部は発生しな
い。しかし、真空吸引により溶融樹脂圧力は上昇せず、
樹脂はキャビティ２２内を充満後，オーバフロー部１５
内にせり上がる。
【００１２】このままでは樹脂圧力が低いため溶融樹脂
内の揮発成分が気化してボイドを発生するので、上記真
空脱気を止めてキャビティ２４内を一旦大気圧に戻した
後，給排気口１９から空気、または窒素，炭素ガス等の
不活性ガスを圧力５〜１０kgf/m2にて注入し、オーバフ
ロー部１５を含むキャビティ内の圧力を５〜１０kgf/cm
2にする。この圧力５〜１０kgf/cm2を溶融樹脂も受ける
ので、樹脂が硬化するまでこの圧力を継続すると樹脂中
の揮発成分は気化に至らず、ボイドの発生を抑止するこ
とができる。
内の揮発成分が気化してボイドを発生するので、上記真
空脱気を止めてキャビティ２４内を一旦大気圧に戻した
後，給排気口１９から空気、または窒素，炭素ガス等の
不活性ガスを圧力５〜１０kgf/m2にて注入し、オーバフ
ロー部１５を含むキャビティ内の圧力を５〜１０kgf/cm
2にする。この圧力５〜１０kgf/cm2を溶融樹脂も受ける
ので、樹脂が硬化するまでこの圧力を継続すると樹脂中
の揮発成分は気化に至らず、ボイドの発生を抑止するこ
とができる。
【００１３】図４は絶縁性樹脂８として通常用いられて
いるエポキシ樹脂内に残存する溶剤のメチルエチルケト
ン（通称ＭＥＫ）の蒸気圧線図である。同図より、樹脂
の溶融温度１３０℃における蒸気圧は３.８kgf/cm2であ
り，また同硬化温度１７０℃における蒸気圧は９.０kgf
/cm2であるから、樹脂温度が１３０℃のときにはキャビ
ティ２４内を５kgf/cm2程度の圧力とし，樹脂温度が１
７０℃のときには１０kgf/cm2程度の圧力にすればメチ
ルエチルケトンは蒸発せず、したがってボイドも発生し
ないことがわかる。したがって、樹脂内の残存溶剤の種
類に応じて上記キャビティ２４内圧力を同様にして適宜
設定するようにする。
いるエポキシ樹脂内に残存する溶剤のメチルエチルケト
ン（通称ＭＥＫ）の蒸気圧線図である。同図より、樹脂
の溶融温度１３０℃における蒸気圧は３.８kgf/cm2であ
り，また同硬化温度１７０℃における蒸気圧は９.０kgf
/cm2であるから、樹脂温度が１３０℃のときにはキャビ
ティ２４内を５kgf/cm2程度の圧力とし，樹脂温度が１
７０℃のときには１０kgf/cm2程度の圧力にすればメチ
ルエチルケトンは蒸発せず、したがってボイドも発生し
ないことがわかる。したがって、樹脂内の残存溶剤の種
類に応じて上記キャビティ２４内圧力を同様にして適宜
設定するようにする。
【００１４】図５は本発明による薄膜多層基板の製造装
置の他の実施例の断面図である。図１においては充填し
た溶融樹脂を気体により加圧していたが、図５において
はオーバフロー部１５に樹脂がたまった後，真空脱気を
止めオーバフロー１５の上部に０リング１４１を装着し
た補助プランジャ１３２を下降させて樹脂を加圧するよ
うにする。これにより溶融樹脂の圧力は図１の場合と同
様の５〜１０kgf/cm2に保持されるので，上記ボイドの
発生を同様に抑止することができる。
置の他の実施例の断面図である。図１においては充填し
た溶融樹脂を気体により加圧していたが、図５において
はオーバフロー部１５に樹脂がたまった後，真空脱気を
止めオーバフロー１５の上部に０リング１４１を装着し
た補助プランジャ１３２を下降させて樹脂を加圧するよ
うにする。これにより溶融樹脂の圧力は図１の場合と同
様の５〜１０kgf/cm2に保持されるので，上記ボイドの
発生を同様に抑止することができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明により、配線導体間の狭い間隔部
に未充填部やボイド等を発生することなく、樹脂を完全
に充填した薄膜多層基板の製造装置を提供することがで
きる。また、上記未充填部やボイド等の除去によりによ
り、メッキ液の侵入によって生じる配線の短絡やメッキ
液による腐食等を防止して薄膜多層基板の製造歩留りや
信頼性を大幅に向上することができる。
に未充填部やボイド等を発生することなく、樹脂を完全
に充填した薄膜多層基板の製造装置を提供することがで
きる。また、上記未充填部やボイド等の除去によりによ
り、メッキ液の侵入によって生じる配線の短絡やメッキ
液による腐食等を防止して薄膜多層基板の製造歩留りや
信頼性を大幅に向上することができる。
【図１】本発明による絶縁性樹脂成形装置実施例の断面
図である。
図である。
【図２】図１において、セラミック基板にシール材とス
ペーサ枠を組立てた状態を示す斜視図である。
ペーサ枠を組立てた状態を示す斜視図である。
【図３】本発明における絶縁性樹脂成形プロセスのタイ
ミングチャ−トである。
ミングチャ−トである。
【図４】絶縁性樹脂の残存溶剤の蒸気圧線図の一例であ
る。
る。
【図５】本発明による絶縁性樹脂成形装置の他の実施例
の断面図である。
の断面図である。
【図６】セラミック基板の斜視図である。
【図７】第１層配線導体を設けたセラミック基板の斜視
図である。
図である。
【図８】第１層配線導体部に絶縁性樹脂を充填したセラ
ミック基板の斜視図である。
ミック基板の斜視図である。
【図９】図８の上に第２層配線導体を設けたセラミック
基板の斜視図である。
基板の斜視図である。
【図１０】従来の絶縁性樹脂成形装置の断面図である。
１…セラミック基板，８…絶縁性樹脂，１０…シール部
材，１１…スペーサ，１２…上型，１３…プランジャ，
１４、１４１、１７…０リング，１５…オーバフロー部
(樹脂だまり)，１６…埋栓，１８…流路，１９…給排気
口，２０…未充填部，２１、２２…配線導体，２４…キ
ャビティ，３１、３２…スルーホール導体、８１…タブ
レット(成形前の絶縁性樹脂)，８２…ボイド，１３１…
ポット，１３２…補助プランジャ。
材，１１…スペーサ，１２…上型，１３…プランジャ，
１４、１４１、１７…０リング，１５…オーバフロー部
(樹脂だまり)，１６…埋栓，１８…流路，１９…給排気
口，２０…未充填部，２１、２２…配線導体，２４…キ
ャビティ，３１、３２…スルーホール導体、８１…タブ
レット(成形前の絶縁性樹脂)，８２…ボイド，１３１…
ポット，１３２…補助プランジャ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｋ 63:00 Ｂ２９Ｌ 31:34 4Ｆ
Claims (6)
- 【請求項１】 セラミック基板上にスペ−サを介して上
型を押し付け、上記上型のポットより絶縁性樹脂を投入
して上記セラミック基板上の配線導体の間隙部に上記絶
縁性樹脂を充填する薄膜多層基板の製造装置において，
上記配線導体の周辺部を封ずるシ−ル部材と、上記上型
内に上記絶縁性樹脂のオ−バ−フロ−部と上記オ−バ−
フロ−部に接続された給排気口を設け、さらに上記絶縁
性樹脂の注入前には上記シ−ル部材により形成される上
記セラミック基板と上記上型間のキャビティ部内を上記
給排気口を介して排気する手段と、上記絶縁性樹脂の注
入後には上記キャビティ部内を上記給排気口を介して加
圧する手段とを備えたことを特徴とする薄膜多層基板の
製造装置。 - 【請求項２】 セラミック基板上にスペ−サを介して上
型を押し付け、上記上型のポットより絶縁性樹脂を投入
して上記セラミック基板上の配線導体の間隙部に上記絶
縁性樹脂を充填する薄膜多層基板の製造装置において，
上記配線導体の周辺部を封ずるシ−ル部材と、上記上型
内に補助プランジャを備えた上記絶縁性樹脂のオ−バ−
フロ−部と、上記オ−バ−フロ−部に接続された給排気
口とを設け、さらに上記絶縁性樹脂の注入前には上記シ
−ル部材により形成される上記セラミック基板と上記上
型間のキャビティ部内を上記給排気口を介して排気する
手段と、上記絶縁性樹脂の注入後には補助プランジャに
より上記キャビティ部内の絶縁性樹脂を加圧する手段と
を備えたことを特徴とする薄膜多層基板の製造装置。 - 【請求項３】 請求項１または２において、上記絶縁性
樹脂をトランスファ成形方式により充填するようにした
ことを特徴とする薄膜多層基板の製造装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
上記キャビティ部内の排気と加圧の中間に上記キャビテ
ィ部内を上記排気圧力と加圧圧力の中間圧力に設定する
手段を設けたことを特徴とする薄膜多層基板の製造装
置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
上記加圧圧力を絶縁性樹脂内の揮発性成分の蒸気圧より
高めるようにしたことを特徴とする薄膜多層基板の製造
装置。 - 【請求項６】 請求項５において、上記絶縁性樹脂がエ
ポキシ樹脂であり、上記揮発性成分がメチルケトンの場
合には、上記加圧圧力を５〜１０kgf/cm2の範囲内に設
定するようにしたことを特徴とする薄膜多層基板の製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5490892A JPH05259652A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 薄膜多層基板の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5490892A JPH05259652A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 薄膜多層基板の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259652A true JPH05259652A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12983703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5490892A Pending JPH05259652A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 薄膜多層基板の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259652A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7077174B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-07-18 | Bae Systems Plc | Method of potting a component |
| JP2008302535A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止装置および樹脂封止方法 |
| NL2003792C2 (nl) * | 2009-07-17 | 2011-01-18 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het met gecontroleerde gasdruk omhullen van elektronische componenten. |
| CN102209448A (zh) * | 2010-03-29 | 2011-10-05 | 奥托立夫开发公司 | 电路板保护盒及其安装方法 |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP5490892A patent/JPH05259652A/ja active Pending
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| WO2011008098A2 (en) | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Fico B.V. | Method and device for encapsulating electronic components with controlled gas pressure |
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