JPH08111482A - 電子パワーデバイスのヒートシンクを電気的に絶縁するための方法および装置 - Google Patents

電子パワーデバイスのヒートシンクを電気的に絶縁するための方法および装置

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JPH08111482A
JPH08111482A JP7239849A JP23984995A JPH08111482A JP H08111482 A JPH08111482 A JP H08111482A JP 7239849 A JP7239849 A JP 7239849A JP 23984995 A JP23984995 A JP 23984995A JP H08111482 A JPH08111482 A JP H08111482A
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electronic power
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 デバイスの熱伝導性を最適なレベルに維持し
ながら、電子パワーデバイスのヒートシンクを電気的に
絶縁する方法および装置を提供する。 【解決手段】 この方法および装置は、ヒートシンクを
有する電子デバイス１１の面上の絶縁層９の形成を含
む。絶縁層は、プリント配線の製造において「はんだマ
スク」として一般に知られているエポキシ樹脂から形成
され得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子パワーデバ
イスのヒートシンクを電気的に絶縁するための方法およ
び装置に関する。
【０００２】
【関連技術の説明】かなりの熱を放散させる電子パワー
デバイスの中にはヒートシンクが設けられるものがある
ことが知られている。図１を参照すると、このデバイス
は、エポキシ樹脂から製造されたパッケージ２内に置か
れる集積回路チップ１を含む。チップは、はんだにより
従来、高い熱伝導性の金属、典型的には銅から製造され
るヒートシンク３に接続される。ヒートシンク３の１つ
の面は、熱の流れを周囲の空気に伝えるように電子デバ
イスの外側に突出する。ヒートシンクは、特定の特徴、
すなわち高い熱伝導性および大きい放散表面を有してい
なければならない。
【０００３】いくかつの適用例、たとえば高性能のオー
ディオ装置において、放散表面をさらに増大させ、した
がって熱放散を高めるように、ヒートシンクをオーディ
オ装置の外部の金属シャーシに接続することが望まし
い。しかしながら、この配置には、オーディオ装置のシ
ャーシが、集積化したチップの動作に悪影響を与え得る
静電気または他の電位を有するかもしれないという欠点
がある。場合によっては、シャーシと、ヒートシンク
と、集積化したチップとの間の電圧が、パワーデバイス
のチップに取返しのつかない損傷を与えるかもしれな
い。
【０００４】したがって、ヒートシンクを、それが接触
して置かれる機械的構造物から電気的に絶縁することが
望ましい。しかしながら、同時に、デバイスの熱伝導
性、すなわちその熱放散を最適なレベルで維持すること
が望ましい。
【０００５】この問題に対する可能な解決策として、チ
ップ１を収容するパッケージ２の成型の間に、ヒートシ
ンク３上に絶縁層４（図２）を設けることが考えられ
る。しかしヒートシンクを絶縁するにはこの方法は適切
ではない。なぜなら、絶縁層の厚さを確実にすることが
困難であるからである。一方で、絶縁層が厚すぎれば、
ヒートシンクは熱を外部に放散させることができない。
他方で、厚さが不十分であれば、ヒートシンクのいくつ
かの領域が露出されたままであるかもしれない。
【０００６】別の可能な解決策として、金属、典型的に
はアルミニウムの層を用いることが考えられ、これはヒ
ートシンク上に堆積され、次に酸化される。しかしこの
方法には、製造プロセスをより複雑にし、高い費用がか
かるという欠点がある。
【０００７】別の可能な解決策として、化学処理によっ
て絶縁層を堆積させることが考えられる。しかしこの方
法も適切ではない。なぜなら、化学処理は選択性に乏し
く、パワーデバイスのチップを汚すかまたはデバイスの
コンタクト５（図１）を被覆してしまうかもしれないか
らである。
【０００８】
【発明の概要】先行技術の前述の問題は、電子パワーデ
バイスのヒートシンクを電気的に絶縁するための方法お
よび装置が与えられる、この発明の１つの例示的な実施
例により克服される。この方法および装置は、ヒートシ
ンクの効果的な電気絶縁を与え、デバイスの所望の熱伝
導性特性を維持する。この方法は、ヒートシンクを含む
電子デバイスの面上の絶縁層の形成を含み、この装置
は、結果として生じる電子デバイスを含む。
【０００９】この発明の１つの実施例において、絶縁層
は、プリント配線の製造において「はんだマスク」とし
て一般に知られているエポキシ樹脂である。
【００１０】この発明の特徴および利点は、添付の図面
において非限定的な例としてのみ図示された、好ましい
がこれに限られるわけではない実施例の説明から明らか
になるであろう。
【００１１】
【発明の実施の形態】ここで図面を参照する。図３に示
されるように、一群のパワーデバイス各々は、ヒートシ
ンクの面を含む上方部分８が金型の外壁よりも上に突出
するように、金型６内にある。
【００１２】積層ステップの間、金型６およびパワーデ
バイス１１が積層成形機械に挿入される。この機械は、
プリント基板上にエポキシ樹脂の絶縁層を堆積させるの
に一般に用いられるタイプのものでもよい。この樹脂は
一般に「はんだマスク」と呼ばれる。積層成形機械は一
般に、材料の２つの層が巻かれる２つのローラを含む。
第１の層９（図５）はエポキシ樹脂の層であり、第２の
層１０（図５）はポリエステルからなる裏あて層であ
る。
【００１３】金型６はデバイス１１とともに、デバイス
１１だけが上方ローラ、すなわちパワーデバイスの突出
部分８と面するローラ、の作用を受けるように、積層成
形機械内を通る。２つの層９および１０は、まだゲル状
態であるエポキシ樹脂９と、金型６と、パワーデバイス
１１との間の接触を容易にするように、加熱雰囲気にお
いて堆積される。
【００１４】次に、エポキシ樹脂の層９を構成するゲル
の流動性を止める、すなわち、ゲルを固化するように、
システム全体が冷却される。ゲル９が冷却されると、裏
あて層１０が剥離され、ゲル層９を露出したまま残す。
ゲル層は作業領域全体（金型６およびデバイス１１）に
広がっているので、選択的に金型６をカバーする部分か
ら除去される。
【００１５】金型６をカバーする部分から層９を除去す
るために、マスク１２（図７）が与えられ、これには、
パワーデバイス１１をカバーする樹脂９の領域だけへの
紫外線の通過を可能にする開口が設けられる。これらの
領域は適宜ＵＶ線１３（図７）に晒され、硬化するかま
たは重合する。その結果、これらの領域を化学処理で除
去することができない。
【００１６】金型６に置かれた樹脂９を除去するため
に、炭酸ナトリウム、Ｎａ2 ＣＯ3 の塩水で化学処理が
行なわれ、ＵＶ線１３に晒されずかつ硬化されなかった
領域をエッチングする。この態様において、図８に示さ
れた構造が得られ、絶縁層９がデバイス１１上だけに残
される。
【００１７】絶縁層９（エポキシ樹脂）はまだ機械的に
強くない（すなわち、まだ機械的に掻き傷をつけられ損
傷されるかもしれない）。絶縁層９の機械的強度を向上
させるために、ＵＶ線１３でさらに硬化または重合が行
なわれる。最後に、オーブンでの熱硬化が約１７０℃で
約８時間行なわれ、絶縁層９およびパワーデバイス１１
のパッケージ２の両方をさらに重合させる。より良好な
結果を達成するために、図６に示されるように、パッケ
ージ２の上方部分８は樹脂の層９の厚さ以下の量だけ突
出すべきである。もし、図５に示されるように、上方部
分８がその厚さの量を超えて突出する場合には、エアポ
ケット１４ａおよび１４ｂが形成されてしまう。この結
果は望ましくないであろう。なぜなら、絶縁層９の不必
要な領域が除去された後、デバイス１１およびヒートシ
ンク３の露出した表面を残すからである。
【００１８】乾燥状態のエポキシ樹脂９のロールは、保
証された厚さで供給装置により供給される。このように
して、たとえば２５または５０μｍの一定の厚さを有す
ることが可能である。さらに、特殊なロールまたは特殊
な機械を製造する必要がない。なぜなら、それらはプリ
ント基板の製造のために既に利用可能であるからであ
る。
【００１９】別の利点は、この発明がデバイスのパッケ
ージ２を熱硬化させるための既存のステップを用いて、
絶縁層９も硬化させることである。
【００２０】図９に示されたこの発明の第２の実施の形
態では、ドクター１６により、ゼラチン状（液状）樹脂
９をスクリーン印刷フレーム１５を介して塗布する。ス
クリーン印刷フレーム１５の厚さは、デバイス１１上に
形成する上述の絶縁層の厚さの要件を満たす。このステ
ップの後に、既に説明されたＵＶ線硬化および熱硬化が
続く。絶縁層の厚さは、スクリーン印刷フレームの厚
さ、および液状の樹脂の濃度により制御される。
【００２１】上述の方法に従って形成されるデバイス
は、良好に動作することが見いだされている。５０μｍ
の厚さの乾燥樹脂の薄膜は、５ｎＡの損失でヒートシン
クを１０００Ｖの電圧から絶縁する。接合パッケージ耐
熱性、Ｒthは、１．３〜１．４×１０11Ωのオーダであ
ることが見いだされており、これは所望の特性を完全に
満たす。さらに、絶縁されたデバイスは、約１００℃の
温度で２時間を超えて、圧力釜内に置かれている。この
処理の後、絶縁物は剥離しなかった。同様に、これらの
デバイスは約１７５℃の温度で約８時間ドライエッチン
グされ、さらに約２ｍｍを超えてパッケージと接触する
ように、約１０秒間、約２４０℃の温度で、デバイスの
終端部からはんだに浸漬された。これらの最後の２つの
場合のいずれも、絶縁物が剥離しなかった。
【００２２】絶縁層のための他の材料、たとえばナイロ
ン、マイラー、アクリル樹脂、またははんだマスクを構
成する異なる材料、たとえばアクリル材料およびポリイ
ミドを用いることが可能である。
【００２３】さらに、絶縁層は他の方法で、たとえば電
気化学的に、化学的に、真空により、接着により、与え
られ得る。
【００２４】こうして、この発明の少なくとも１つの例
示的な実施例を説明したが、当業者はさまざまな変更
例、変形例、および改良例を容易に思いつくであろう。
そのような変更例、変形例、および改良例は、この発明
の精神および範囲内であることが意図される。用いられ
る材料ならびにそれらの形状および寸法は、いかなる所
要のものであってもよい。したがって、前述の説明は単
に例示するものであり、限定するものとして意図されな
い。この発明は、前掲の特許請求の範囲およびその均等
物に規定されるものとしてのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】ヒートシンク絶縁のない電子パワーデバイスの
断面図である。
【図２】ヒートシンク絶縁を備えた電子パワーデバイス
の断面図である。
【図３】製造金型に嵌められた一群の電子パワーデバイ
スを示す斜視図である。
【図４】製造金型に嵌められ、この発明の方法に従って
処理されているパワーデバイスの断面図である。
【図５】この発明の方法に従って処理されるパワーデバ
イスのパッケージおよび金型の断面図である。
【図６】この発明の方法に従って処理されるパワーデバ
イスのパッケージおよび金型の断面図である。
【図７】この発明の方法の付加的なステップに従って処
理されるパワーデバイスおよび金型の断面図である。
【図８】この発明の方法に従って得られるパワーデバイ
スの断面図である。
【図９】金型に嵌められ、この発明の方法の別の実施例
に従って処理されるパワーデバイスの断面図である。
【符号の説明】
２ パッケージ ３ ヒートシンク ９ 絶縁層 １１ 電子パワーデバイス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 パオロ・クレマ イタリア、20044 ベルナレッジョ（プロ ビンス・オブ・ミラノ）、ビア・マッツィ ーニ、６

Claims (49)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子パワーデバイスの少なくとも１つの
    ヒートシンクを電気的に絶縁するための方法であって、 前記少なくとも１つのヒートシンクの面上に絶縁層を形
    成するステップを備える、方法。
  2. 【請求項２】 前記形成ステップは、はんだマスクから
    前記絶縁層を形成するステップを含む、請求項１に記載
    の方法。
  3. 【請求項３】 前記形成ステップは、 （ａ） 金型に、前記少なくとも１つのヒートシンクの
    面が前記金型の外表面より上に突出するように、前記電
    子パワーデバイスを挿入するステップと、 （ｂ） 材料の層を前記少なくとも１つのヒートシンク
    の面および前記金型の外表面上に配置するステップと、 （ｃ） 前記少なくとも１つのヒートシンクの面上に配
    置された前記材料の層の領域を硬化させ、絶縁層を形成
    するステップと、 （ｄ） 前記金型の外表面上に配置された前記材料の層
    の未硬化の領域を除去するステップとを備える、請求項
    １に記載の方法。
  4. 【請求項４】 ステップ（ｂ）は、乾燥エポキシ樹脂を
    含む絶縁層を配置するステップを含む、請求項３に記載
    の方法。
  5. 【請求項５】 ステップ（ｃ）は、前記少なくとも１つ
    のヒートシンクの面上に配置された前記材料の層の領域
    を、紫外線に晒すことにより重合させるステップを含
    む、請求項３に記載の方法。
  6. 【請求項６】 ステップ（ｄ）は、前記未硬化の領域を
    化学的にエッチングするステップを含む、請求項３に記
    載の方法。
  7. 【請求項７】 ステップ（ｄ）の後に行なわれ、前記少
    なくとも１つのヒートシンクの面上に配置された前記絶
    縁層の領域を硬化させる第２の硬化ステップをさらに備
    える、請求項３に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記第２の硬化ステップは、 （ｅ） 前記少なくとも１つのヒートシンクの面上に配
    置された前記絶縁層の領域を、紫外線に晒すことにより
    さらに重合させるステップと、 （ｆ） 前記電子パワーデバイスを加熱するステップと
    を備える、請求項７に記載の方法。
  9. 【請求項９】 ステップ（ｆ）は、前記電子パワーデバ
    イスのパッケージを熱硬化させるステップをさらに含
    む、請求項８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 ステップ（ａ）は、前記少なくとも１
    つのヒートシンクの面が前記絶縁層の厚さ以下の量だけ
    前記金型の外表面より上に突出するように、前記電子パ
    ワーデバイスを前記金型に挿入するステップを含む、請
    求項３に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 ステップ（ｂ）は、プリント配線を製
    造するのに用いられる積層成形機械で前記材料の層を配
    置するステップを含む、請求項３に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記形成ステップは、前記はんだマス
    クが巻かれるローラから前記はんだマスクを与えるステ
    ップを含む、請求項２に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記形成ステップは、前記少なくとも
    １つのヒートシンクの面、およびスクリーン印刷フレー
    ムを介する金型の外表面上に、材料の層を塗布するステ
    ップを含む、請求項３に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 ステップ（ｂ）は、液状エポキシ樹脂
    の層を塗布するステップを含む、請求項３に記載の方
    法。
  15. 【請求項１５】 ステップ（ｃ）は、前記少なくとも１
    つのヒートシンクの面上に配置された前記材料の層の領
    域を、紫外線に晒すことにより重合させるステップを含
    む、請求項１４に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記少なくとも１つのヒートシンクの
    面上に配置された前記材料の層を硬化させる熱硬化ステ
    ップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記熱硬化ステップは、前記電子パワ
    ーデバイスのパッケージを熱硬化させるステップを含
    む、請求項１６に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記形成ステップは、ナイロン、マイ
    ラー、アクリル樹脂、ポリイミド、エポキシ樹脂および
    その混合物からなるグループから選択される材料で前記
    絶縁層を形成するステップを含む、請求項３に記載の方
    法。
  19. 【請求項１９】 前記形成ステップは、前記絶縁層を接
    着するステップを含む、請求項３に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記形成ステップは、電子化学的プロ
    セスにより前記絶縁層を形成するステップを含む、請求
    項３に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記形成ステップは、化学的プロセス
    により前記絶縁層を形成するステップを含む、請求項３
    に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記形成ステップは、真空プロセスに
    より前記絶縁層を形成するステップを含む、請求項３に
    記載の方法。
  23. 【請求項２３】 ステップ（ｂ）は、乾燥エポキシ樹脂
    を含む絶縁層を配置するステップを含む、請求項１０に
    記載の方法。
  24. 【請求項２４】 ステップ（ｂ）は、液状エポキシ樹脂
    を含む絶縁層を配置するステップを含む、請求項１０に
    記載の方法。
  25. 【請求項２５】 ステップ（ｂ）は、プリント配線を製
    造するのに用いられる積層成形機械で前記材料の層を配
    置するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
  26. 【請求項２６】 ステップ（ｃ）は、前記少なくとも１
    つのヒートシンクの面上に配置された前記材料の層の領
    域を、紫外線に晒すことにより重合させるステップを含
    む、請求項１０に記載の方法。
  27. 【請求項２７】 ステップ（ｄ）は、前記未硬化の領域
    を化学的にエッチングするステップを含む、請求項１０
    に記載の方法。
  28. 【請求項２８】 （ｅ） 前記絶縁層の領域を、紫外線
    に晒すことによりさらに重合させるステップと、 （ｆ） 前記電子パワーデバイスを加熱するステップと
    をさらに備える、請求項２７に記載の方法。
  29. 【請求項２９】 ステップ（ｆ）は、前記電子パワーデ
    バイスのパッケージを熱硬化させるステップをさらに含
    む、請求項２８に記載の方法。
  30. 【請求項３０】 パッケージと、 外表面を有する電子パワーデバイスとを備え、前記電子
    パワーデバイスは、前記パッケージ内に部分的に配置さ
    れ、さらに第１の材料を含むヒートシンクを備え、前記
    ヒートシンクは、内表面および外面を有し、前記ヒート
    シンクの内表面は、前記電子パワーデバイスの外表面に
    沿って配置され、前記ヒートシンクは、前記パッケージ
    内に部分的に配置され、さらに前記ヒートシンクの外面
    上に配置された第２の材料の層を備える、電子パワーデ
    バイスのヒートシンクを電気的に絶縁するための装置。
  31. 【請求項３１】 前記第２の材料の層は、電気絶縁性で
    ありかつ熱伝導性である、請求項３０に記載の電子パワ
    ーデバイスのヒートシンクを電気的に絶縁するための装
    置。
  32. 【請求項３２】 前記パッケージは、第１の表面を含
    み、前記電子パワーデバイスは、前記電子パワーデバイ
    スの外表面が前記パッケージの第１の表面と同一平面に
    あるように、前記パッケージ内に部分的に配置される、
    請求項３０に記載の電子パワーデバイスのヒートシンク
    を電気的に絶縁するための装置。
  33. 【請求項３３】 前記パッケージは、第２の表面をさら
    に含み、前記ヒートシンクは、前記ヒートシンクの外面
    が前記パッケージの第２の表面と同一平面にあるよう
    に、前記パッケージ内に部分的に配置される、請求項３
    ２に記載の電子パワーデバイスのヒートシンクを電気的
    に絶縁するための装置。
  34. 【請求項３４】 外表面を有する金型をさらに含み、前
    記第２の材料の層はある厚さであり、前記電子パワーデ
    バイスは、前記ヒートシンクの外面が前記第２の材料の
    層の厚さ以下の量だけ前記金型の外表面より上に突出す
    るように、前記金型内に部分的に配置される、請求項３
    ０に記載の電子パワーデバイスのヒートシンクを電気的
    に絶縁するための装置。
  35. 【請求項３５】 表面を有するシャーシと、 前記シャーシにより支持されるパッケージと、 外表面を有する電子パワーデバイスとを備え、前記電子
    パワーデバイスは、前記パッケージ内に部分的に配置さ
    れ、さらに第１の材料を含むヒートシンクを備え、前記
    ヒートシンクは、内表面および外面を有し、前記ヒート
    シンクの内表面は、前記電子パワーデバイスの外表面に
    沿って配置され、前記ヒートシンクは、前記パッケージ
    内に部分的に配置され、さらに前記シャーシの表面およ
    び前記ヒートシンクの外面に接続され、前記電子パワー
    デバイスから前記シャーシに熱を伝導するための熱伝導
    手段を備える、電子パワーデバイスのヒートシンクを電
    気的に絶縁するための装置。
  36. 【請求項３６】 前記熱伝導手段は、前記電子パワーデ
    バイスを前記シャーシから電気的に絶縁するための手段
    を含む、請求項３５に記載の電子パワーデバイスのヒー
    トシンクを電気的に絶縁するための装置。
  37. 【請求項３７】 前記パッケージは第１の表面を含み、
    前記電子パワーデバイスは、前記電子パワーデバイスの
    外表面が前記パッケージの第１の表面と同一平面にある
    ように、前記パッケージ内に部分的に配置される、請求
    項３５に記載の電子パワーデバイスのヒートシンクを電
    気的に絶縁するための装置。
  38. 【請求項３８】 前記パッケージは、第２の表面をさら
    に含み、前記ヒートシンクは、前記ヒートシンクの外面
    が前記パッケージの第２の表面と同一平面にあるよう
    に、前記パッケージ内に部分的に配置される、請求項３
    ７に記載の電子パワーデバイスのヒートシンクを電気的
    に絶縁するための装置。
  39. 【請求項３９】 パッケージと、 外表面を有する電子パワーデバイスとを備え、前記電子
    パワーデバイスは、前記パッケージ内に部分的に配置さ
    れ、さらに第１の材料を含むヒートシンクを備え、前記
    ヒートシンクは、内表面および外面を有し、前記ヒート
    シンクの内表面は、前記電子パワーデバイスの外表面に
    沿って配置され、前記ヒートシンクは、前記パッケージ
    内に部分的に配置され、さらにある厚さの第２の材料の
    層を備え、前記第２の材料の層は、前記ヒートシンクの
    外面上に配置され、さらに外表面を有する金型を備え、
    前記パッケージは、前記ヒートシンクの外面が前記第２
    の材料の層の厚さ以下の量だけ前記金型の外表面より上
    に突出するように、前記金型内に部分的に配置される、
    電子パワーデバイスのヒートシンクを電気的に絶縁する
    ための装置。
  40. 【請求項４０】 前記第２の材料の層は、電気絶縁性で
    ありかつ熱伝導性である、請求項３９に記載の電子パワ
    ーデバイスのヒートシンクを電気的に絶縁するための装
    置。
  41. 【請求項４１】 前記パッケージは第１の表面を含み、
    前記電子パワーデバイスは、前記電子パワーデバイスの
    外表面が前記パッケージの第１の表面と同一平面にある
    ように、前記パッケージ内に部分的に配置される、請求
    項３９に記載の電子パワーデバイスのヒートシンクを電
    気的に絶縁するための装置。
  42. 【請求項４２】 前記パッケージは、第２の表面をさら
    に含み、前記ヒートシンクは、前記ヒートシンクの外面
    が前記パッケージの第２の表面と同一平面にあるよう
    に、前記パッケージ内に部分的に配置される、請求項４
    １に記載の電子パワーデバイスのヒートシンクを電気的
    に絶縁するための装置。
  43. 【請求項４３】 装置内の電子パワーデバイスの加熱を
    減じる方法であって、前記装置は、シャーシと、前記シ
    ャーシにより支持されかつ第１の表面および第２の表面
    を有するパッケージと、外表面を有する電子パワーデバ
    イスとを含み、前記電子パワーデバイスは、前記電子パ
    ワーデバイスの外表面が前記パッケージの第１の表面と
    同一平面にあるように、前記パッケージ内に部分的に配
    置され、さらに内表面および外面を有するヒートシンク
    を含み、前記ヒートシンクの内表面は、前記電子パワー
    デバイスの外表面に沿って配置され、前記ヒートシンク
    は、前記ヒートシンクの外面が前記パッケージの第２の
    表面と同一平面にあるように、前記パッケージ内に部分
    的に配置され、前記方法は、熱伝導性材料の層で前記ヒ
    ートシンクの外面と前記シャーシとを接続し、前記ヒー
    トシンクと前記シャーシの間で熱が伝導する状態にし、
    それによって前記電子パワーデバイスが動作するとき、
    前記電子パワーデバイスにより生じる熱が、ヒートシン
    クから前記熱伝導性材料の層を介して前記シャーシに伝
    導されるようにするステップを備える、方法。
  44. 【請求項４４】 前記接続ステップは、電気絶縁性であ
    る熱伝導性材料の層を接続するステップを含む、請求項
    ４３に記載の方法。
  45. 【請求項４５】 電子パワーデバイスのヒートシンクを
    電気的に絶縁するための装置を配置する方法であって、
    前記装置は、シャーシと、パッケージと、外表面を有す
    る電子パワーデバイスと、第１の材料を含みかつ外面を
    有するヒートシンクと、第２の材料の層とを含み、前記
    方法は、 （ａ） 前記シャーシから前記パッケージを支持するス
    テップと、 （ｂ） 前記電子パワーデバイスを前記パッケージ内に
    少なくとも部分的に配置するステップと、 （ｃ） 前記ヒートシンクを前記電子パワーデバイスの
    外表面に沿って配置するステップと、 （ｄ） 前記第２の材料の層を前記ヒートシンクの外面
    に沿って配置するステップと、 （ｅ） 前記第２の材料の層を前記シャーシに接続する
    ステップとを備える、方法。
  46. 【請求項４６】 前記パッケージは第１の表面を含み、
    ステップ（ｂ）は、前記電子パワーデバイスの外表面が
    前記パッケージの第１の表面と同一平面にあるように、
    前記電子パワーデバイスを前記パッケージ内に少なくと
    も部分的に配置するステップを含む、請求項４５に記載
    の方法。
  47. 【請求項４７】 前記パッケージは、第２の表面をさら
    に含み、ステップ（ｃ）は、前記ヒートシンクの外面が
    前記パッケージの第２の表面と同一平面にあるように、
    前記ヒートシンクを前記電子パワーデバイスの外表面に
    沿って配置するステップを含む、請求項４６に記載の方
    法。
  48. 【請求項４８】 ステップ（ｄ）において配置される前
    記第２の材料の層は、電気絶縁性でありかつ熱伝導性で
    ある、請求項４５に記載の方法。
  49. 【請求項４９】 ステップ（ｄ）は、プリント基板を製
    造するのに用いられる積層成形機械で前記第２の材料の
    層を配置するステップを含む、請求項４５に記載の方
    法。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6063646A (en) * 1998-10-06 2000-05-16 Japan Rec Co., Ltd. Method for production of semiconductor package
EP2206145A4 (en) * 2007-09-28 2012-03-28 Tessera Inc FLIP-CHIP CONNECTION WITH DOUBLE POSTS
US20100044860A1 (en) * 2008-08-21 2010-02-25 Tessera Interconnect Materials, Inc. Microelectronic substrate or element having conductive pads and metal posts joined thereto using bond layer
US8580607B2 (en) 2010-07-27 2013-11-12 Tessera, Inc. Microelectronic packages with nanoparticle joining
US8853558B2 (en) 2010-12-10 2014-10-07 Tessera, Inc. Interconnect structure
WO2014188624A1 (ja) * 2013-05-22 2014-11-27 株式会社カネカ 放熱構造体
US9633971B2 (en) 2015-07-10 2017-04-25 Invensas Corporation Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles
US10886250B2 (en) 2015-07-10 2021-01-05 Invensas Corporation Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02100346A (ja) * 1988-10-07 1990-04-12 Mitsubishi Metal Corp 半導体装置用基板
JPH0424952A (ja) * 1990-05-15 1992-01-28 Mitsubishi Materials Corp ハイブリッド型半導体装置
JPH04123442A (ja) * 1990-09-14 1992-04-23 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5480079A (en) * 1978-08-07 1979-06-26 Dai Ichi Seiko Co Ltd Method of forming semiconductor seal
JPS55143054A (en) * 1979-04-25 1980-11-08 Hitachi Ltd Resin sealed semiconductor device
JPS5753947A (en) * 1980-09-17 1982-03-31 Hitachi Ltd Transistor and electronic device containing it
JPS6077445A (ja) * 1983-10-05 1985-05-02 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPS60132350A (ja) * 1983-12-21 1985-07-15 Toshiba Corp 樹脂封止半導体装置
JPS61194755A (ja) * 1985-02-25 1986-08-29 Hitachi Ltd 半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02100346A (ja) * 1988-10-07 1990-04-12 Mitsubishi Metal Corp 半導体装置用基板
JPH0424952A (ja) * 1990-05-15 1992-01-28 Mitsubishi Materials Corp ハイブリッド型半導体装置
JPH04123442A (ja) * 1990-09-14 1992-04-23 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

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