JP2607877B2 - 樹脂補強型ｌｓｉ実装構造体の製造方法 - Google Patents
樹脂補強型ｌｓｉ実装構造体の製造方法Info
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- JP2607877B2 JP2607877B2 JP62074093A JP7409387A JP2607877B2 JP 2607877 B2 JP2607877 B2 JP 2607877B2 JP 62074093 A JP62074093 A JP 62074093A JP 7409387 A JP7409387 A JP 7409387A JP 2607877 B2 JP2607877 B2 JP 2607877B2
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- lsi
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、LSI実装構造体の製造方法に係り、特に、
フリツプチツプ実装され、樹脂補強されてなる実装構造
体の改良された製造方法に関する。
フリツプチツプ実装され、樹脂補強されてなる実装構造
体の改良された製造方法に関する。
LSIチツプを実装基板上に複数個の電気的接合点を介
して実装してなるLSI実装構造体は、チツプ上の集積回
路数の増加に伴なつて、多数の接合点を有する様になつ
ている。そのため、第４図に示す様に、LSIチツプ面全
体に亘つて接合点を形成し得るフリツプチツプ接合され
たLSI実装構造体が検討されている。この場合、接合点
は、低融点合金いわゆる半田柱が用いられるが、これら
合金類は腐食や酸化が比較的起り易いためこれらから保
護するための手段が用いられるのが普通である。その場
合、この様な実装構造体全体をハーメチツクなパツケー
ジに収納して保護する手段を取る以外は、樹脂による保
護に頼らざるを得ない。樹脂による保護は非常に簡便で
あり、比較的適正な価格でこの種実装構造体を提供し得
る点で有利である。
して実装してなるLSI実装構造体は、チツプ上の集積回
路数の増加に伴なつて、多数の接合点を有する様になつ
ている。そのため、第４図に示す様に、LSIチツプ面全
体に亘つて接合点を形成し得るフリツプチツプ接合され
たLSI実装構造体が検討されている。この場合、接合点
は、低融点合金いわゆる半田柱が用いられるが、これら
合金類は腐食や酸化が比較的起り易いためこれらから保
護するための手段が用いられるのが普通である。その場
合、この様な実装構造体全体をハーメチツクなパツケー
ジに収納して保護する手段を取る以外は、樹脂による保
護に頼らざるを得ない。樹脂による保護は非常に簡便で
あり、比較的適正な価格でこの種実装構造体を提供し得
る点で有利である。
しかるに、防食、酸化防止を目的とする以上、接合点
が点在しているLSIチツプと実装基板とで作る間隙に
は、樹脂を完全に充てんする必要があるにもかかわら
ず、多くの場合に、完全な充てんが出来ない状態が生ず
る。
が点在しているLSIチツプと実装基板とで作る間隙に
は、樹脂を完全に充てんする必要があるにもかかわら
ず、多くの場合に、完全な充てんが出来ない状態が生ず
る。
これまで提案されてきた例を以下に紹介するがいずれ
もプロセスが煩雑であつたり、特定のデバイスにのみ適
用可能であるなど実用性の点で多くの問題を残してい
る。
もプロセスが煩雑であつたり、特定のデバイスにのみ適
用可能であるなど実用性の点で多くの問題を残してい
る。
まず、第３図の様に実装基板側のLSIチツプと対向す
る面内に貫通孔（13）を設け、そこにノズル（12）から
液状樹脂を注入、充てんする方法の提案がある。しか
し、高集積化されたLSIチツプでは、接合点も高密度に
チツプ全面に分布することになり、所望の貫通孔を実装
基板上に設けることが実質上難しくなる。また、実装基
板も高密度の多層化された配線群を有するため、それを
避けて貫通孔を設けることには大きな困難が伴なう。従
つて、この方法は、接合点の少ないLSIチツプを実装し
た場合に限つて適用し得る。但し、ガラス基板などの場
合は、貫通孔がガラスクラツクの発生点になるなどの不
都合が生ずる為実用性に乏しい。
る面内に貫通孔（13）を設け、そこにノズル（12）から
液状樹脂を注入、充てんする方法の提案がある。しか
し、高集積化されたLSIチツプでは、接合点も高密度に
チツプ全面に分布することになり、所望の貫通孔を実装
基板上に設けることが実質上難しくなる。また、実装基
板も高密度の多層化された配線群を有するため、それを
避けて貫通孔を設けることには大きな困難が伴なう。従
つて、この方法は、接合点の少ないLSIチツプを実装し
た場合に限つて適用し得る。但し、ガラス基板などの場
合は、貫通孔がガラスクラツクの発生点になるなどの不
都合が生ずる為実用性に乏しい。
次に、間隙に充てんする困難さを回避するため、第４
図の様に、LSIチツプ実装前に、実装基板上に液状樹脂
を載置し、その上からLSIチツプを押し付けて、接合さ
せる方法が提案されている。この方法は、接合に用いら
れる半田の接合温度で樹脂が著しく変質しないことが前
提条件となる。LSIチツプ接合に汎用されている95％Pb
−５％Snあるいは60％Pb−40％Sn合金は、最高温度200
〜300℃で用いられる。この温度は、多くの未硬化の樹
脂にとつては苛酷であり変質の回避は困難である。ま
た、用いる樹脂によつては、フリツプチツプ接合特有の
セルフアライン機能を阻害する恐れもあり、位置合せな
どに新たな困難が伴なうことになる。
図の様に、LSIチツプ実装前に、実装基板上に液状樹脂
を載置し、その上からLSIチツプを押し付けて、接合さ
せる方法が提案されている。この方法は、接合に用いら
れる半田の接合温度で樹脂が著しく変質しないことが前
提条件となる。LSIチツプ接合に汎用されている95％Pb
−５％Snあるいは60％Pb−40％Sn合金は、最高温度200
〜300℃で用いられる。この温度は、多くの未硬化の樹
脂にとつては苛酷であり変質の回避は困難である。ま
た、用いる樹脂によつては、フリツプチツプ接合特有の
セルフアライン機能を阻害する恐れもあり、位置合せな
どに新たな困難が伴なうことになる。
これに対し、比較的オーソドツクスな方法として、第
５図の様に、フリツプチツプ接合後、チツプ端面から、
毛細管現象を利用して充てんして行く方法が特開昭60−
147140号公報にて提案された。この方法は、上述の２案
よりは実用性が高いものの樹脂によつては満足した結果
が得られないことも多い。特に、無機粉末などを多量に
配合した高粘度の樹脂では流動性に乏しく充てん不良が
生ずることが多く、適用樹脂が限られてしまうことにな
る。また、LSIチツプ及び実装基板の清浄度に左右され
る要素が多く、プロセス条件に余裕が乏しく、充てん完
了までにかなりの時間がかかるなど量産に適用するには
多くの困難が伴なう。またチツプサイズが大きくなれば
なるどボイドのない充てんを行なうことが難しくなる。
５図の様に、フリツプチツプ接合後、チツプ端面から、
毛細管現象を利用して充てんして行く方法が特開昭60−
147140号公報にて提案された。この方法は、上述の２案
よりは実用性が高いものの樹脂によつては満足した結果
が得られないことも多い。特に、無機粉末などを多量に
配合した高粘度の樹脂では流動性に乏しく充てん不良が
生ずることが多く、適用樹脂が限られてしまうことにな
る。また、LSIチツプ及び実装基板の清浄度に左右され
る要素が多く、プロセス条件に余裕が乏しく、充てん完
了までにかなりの時間がかかるなど量産に適用するには
多くの困難が伴なう。またチツプサイズが大きくなれば
なるどボイドのない充てんを行なうことが難しくなる。
本発明は、これら従来技術の欠点を克服すべくなされ
たもので、より簡便な樹脂充てん法を提供しようとする
ものである。
たもので、より簡便な樹脂充てん法を提供しようとする
ものである。
上記従来技術は、いずれも実用プロセスとして適用す
るに足るだけの要件をすべて備えておらず何らかの欠点
を有している。これらの中では、毛細管現象を利用して
充てんする第３の方法が、従来汎用されてきたLSIチツ
プ、実装基板をそのまゝ使用できる点、従来の実装構造
体製造プロセスを踏襲できる点で最も有用と考えられ
る。しかし乍ら、充てんに時間を要する、樹脂の流動性
に関する物性の制約がある、LSIチツプ及び実装基板の
清浄度の影響を受け易いなどの問題があり、量産性に乏
しい面をもつている。
るに足るだけの要件をすべて備えておらず何らかの欠点
を有している。これらの中では、毛細管現象を利用して
充てんする第３の方法が、従来汎用されてきたLSIチツ
プ、実装基板をそのまゝ使用できる点、従来の実装構造
体製造プロセスを踏襲できる点で最も有用と考えられ
る。しかし乍ら、充てんに時間を要する、樹脂の流動性
に関する物性の制約がある、LSIチツプ及び実装基板の
清浄度の影響を受け易いなどの問題があり、量産性に乏
しい面をもつている。
これら従来技術の持つ欠点を克服し、真に量産性にす
ぐれた樹脂充てんLSI実装構造体の製造方法を提供する
のが本発明の主たる目的である。また、樹脂充てんの良
否を樹脂硬化前にチエツクし得る充てん検査工程を含む
製造プロセスを提供することも本発明の目的である。
ぐれた樹脂充てんLSI実装構造体の製造方法を提供する
のが本発明の主たる目的である。また、樹脂充てんの良
否を樹脂硬化前にチエツクし得る充てん検査工程を含む
製造プロセスを提供することも本発明の目的である。
本発明をを概説すれば、本発明の第１の発明は、集積
回路が形成され、かつ実装基板との電気的接合に係わる
複数個の接合体が形成されているLSIチツプと実装基板
とをフリツプチツプ接合してなるLSI実装構造体の製造
方法において、LSIチツプと実装基板とが作る間隙に以
下に示す工程： （１） LSIチツプと実装基板とをフリツプチツプ接合
する工程 （２） 液状樹脂を該LSIチツプの縁辺に沿つて全周に
該実装基板及び該LSIチツプに接触する様に供給、載置
する工程 （３） 液状樹脂が載置された実装構造体を10ミリTorr
以下の減圧状態に保つておく工程 （４） 減圧の状態を保ちながら不活性ガスで徐々に加
圧する工程 （５） 常圧以上にする工程 を順次含む液状樹脂充てん手段により無機粉末を含む樹
脂を充てんしてなることを特徴とする樹脂補強型LSI実
装構造体の製造方法に関する。
回路が形成され、かつ実装基板との電気的接合に係わる
複数個の接合体が形成されているLSIチツプと実装基板
とをフリツプチツプ接合してなるLSI実装構造体の製造
方法において、LSIチツプと実装基板とが作る間隙に以
下に示す工程： （１） LSIチツプと実装基板とをフリツプチツプ接合
する工程 （２） 液状樹脂を該LSIチツプの縁辺に沿つて全周に
該実装基板及び該LSIチツプに接触する様に供給、載置
する工程 （３） 液状樹脂が載置された実装構造体を10ミリTorr
以下の減圧状態に保つておく工程 （４） 減圧の状態を保ちながら不活性ガスで徐々に加
圧する工程 （５） 常圧以上にする工程 を順次含む液状樹脂充てん手段により無機粉末を含む樹
脂を充てんしてなることを特徴とする樹脂補強型LSI実
装構造体の製造方法に関する。
また本発明の第２の発明は、上記第１の発明における
第（５）工程の後に、以下の工程： （６） 樹脂の充てん増体を非破壊的に検査する工程 を付加してなることを特徴とする樹脂補強型LSI実装構
造体の製造方法に関する。
第（５）工程の後に、以下の工程： （６） 樹脂の充てん増体を非破壊的に検査する工程 を付加してなることを特徴とする樹脂補強型LSI実装構
造体の製造方法に関する。
前記した本発明の目的は、例えば第１図に示す工程で
次の様にして達成される。
次の様にして達成される。
まず、通常の工程でシリコンチツプ（１）を実装用基
板（２）上にフリツプチツプ実装され実装構造体（５）
を得る。しかる後に、硬化後に所望の特性を示す液状の
樹脂（３）が、第１図（ａ），（ｂ）の如く、シリコン
チツプ（１）周辺に切れ目なく供給，載置される。この
工程は非常に重要で、樹脂は、シリコンチツプ（１）周
縁部と実装用基板（２）のシリコンチツプが実装されて
いる周辺部とに接触しシリコンチツプと実装用基板
（２）とが作る間隙を完全に閉じていることが肝要であ
る。供給される樹脂はあらかじめ脱気しておいても良
い。
板（２）上にフリツプチツプ実装され実装構造体（５）
を得る。しかる後に、硬化後に所望の特性を示す液状の
樹脂（３）が、第１図（ａ），（ｂ）の如く、シリコン
チツプ（１）周辺に切れ目なく供給，載置される。この
工程は非常に重要で、樹脂は、シリコンチツプ（１）周
縁部と実装用基板（２）のシリコンチツプが実装されて
いる周辺部とに接触しシリコンチツプと実装用基板
（２）とが作る間隙を完全に閉じていることが肝要であ
る。供給される樹脂はあらかじめ脱気しておいても良
い。
次に、これを第１図（ｃ）の様に回転真空ポンプ
（７）のついた減圧容器（９）に入れ減圧状態を作る。
回転真空ポンプ（７）で達成し得る減圧状態で十分であ
るが、具体的には20〜10Torr,好ましくは10ミリTorr以
下がよい。この工程で、樹脂からの脱気及びシリコンチ
ツプと実装用基板（２）が作る間隙からの脱気が行なわ
れる。間隙からの脱気を容易にするため、樹脂の粘性を
下げる目的で実装構造体（５）全体が熱板（８）によつ
て加温されることもあるが、この際の加温条件は50〜80
℃が適当である。
（７）のついた減圧容器（９）に入れ減圧状態を作る。
回転真空ポンプ（７）で達成し得る減圧状態で十分であ
るが、具体的には20〜10Torr,好ましくは10ミリTorr以
下がよい。この工程で、樹脂からの脱気及びシリコンチ
ツプと実装用基板（２）が作る間隙からの脱気が行なわ
れる。間隙からの脱気を容易にするため、樹脂の粘性を
下げる目的で実装構造体（５）全体が熱板（８）によつ
て加温されることもあるが、この際の加温条件は50〜80
℃が適当である。
次に、回転真空ポンプ（７）を止め、加圧する工程に
入る。加圧するための媒体としては空気，窒素ガス，ア
ルゴンガス，ヘリウムガスなど不活性なガスを用いるの
が適当である。この工程により、間隙と外部との圧力差
からチツプ周辺部の樹脂が間隙に押し込まれ、樹脂充て
んが完了する。
入る。加圧するための媒体としては空気，窒素ガス，ア
ルゴンガス，ヘリウムガスなど不活性なガスを用いるの
が適当である。この工程により、間隙と外部との圧力差
からチツプ周辺部の樹脂が間隙に押し込まれ、樹脂充て
んが完了する。
その後ただちに加熱硬化することも出来るが、その前
に充てん状態をチエツクする工程をとるのが望ましい。
若し充てんが完全でなければ、工程をとめ、不良品を作
り続けることを未然に防止できるからである。勿論すべ
ての実装構造体（５）について充てん状態をチツクする
必要はない。ロツト毎あるいは樹脂のロツトが変わる毎
に数個チエツクすれば十分である。充てん状態のチエツ
クには超音波探傷法が最も有効である。樹脂充てん後の
実装構造体（５）を水あるいは不活性なフツ素系媒体中
に浸せきし、超音波探傷を行なう。しかるのち、バツチ
炉あるいはベルト炉を用いて加熱硬化しLSI実装構造体
が完成する。
に充てん状態をチエツクする工程をとるのが望ましい。
若し充てんが完全でなければ、工程をとめ、不良品を作
り続けることを未然に防止できるからである。勿論すべ
ての実装構造体（５）について充てん状態をチツクする
必要はない。ロツト毎あるいは樹脂のロツトが変わる毎
に数個チエツクすれば十分である。充てん状態のチエツ
クには超音波探傷法が最も有効である。樹脂充てん後の
実装構造体（５）を水あるいは不活性なフツ素系媒体中
に浸せきし、超音波探傷を行なう。しかるのち、バツチ
炉あるいはベルト炉を用いて加熱硬化しLSI実装構造体
が完成する。
本発明におけるLSI実装構造体製造プロセスによつ
て、ボイドのない樹脂充てんを可能とするのは、LSIチ
ツプと実装基板とが作る間隙を減圧状態に保ちながら樹
脂充てんを行なう点にありかつ減圧状態を充てんすべき
樹脂によつて保ちながら充てんを完了する点にある。こ
の作用により樹脂の流動性が悪い場合でもボイドが残ら
ない樹脂充てんが確実に行なわれる。
て、ボイドのない樹脂充てんを可能とするのは、LSIチ
ツプと実装基板とが作る間隙を減圧状態に保ちながら樹
脂充てんを行なう点にありかつ減圧状態を充てんすべき
樹脂によつて保ちながら充てんを完了する点にある。こ
の作用により樹脂の流動性が悪い場合でもボイドが残ら
ない樹脂充てんが確実に行なわれる。
例えば、樹脂充てんにより、実装構造体の冷熱サイク
ル特性が向上するのは、樹脂の熱膨張係数が少なくとも
接合に用いている半田の熱膨張係数程度に小さいからで
ある。この場合、無機フイラーが重量比で樹脂成分のほ
ぼ２倍量加えられ、かなり粘稠な樹脂組成物となる。こ
の様な樹脂組成物を従来の方法で充てんしようとする
と、かなりの時間を要する上、温度管理などに厳しい条
件を設定しなけれればらず、それでも完全な充てんを行
なえない場合も生ずる。
ル特性が向上するのは、樹脂の熱膨張係数が少なくとも
接合に用いている半田の熱膨張係数程度に小さいからで
ある。この場合、無機フイラーが重量比で樹脂成分のほ
ぼ２倍量加えられ、かなり粘稠な樹脂組成物となる。こ
の様な樹脂組成物を従来の方法で充てんしようとする
と、かなりの時間を要する上、温度管理などに厳しい条
件を設定しなけれればらず、それでも完全な充てんを行
なえない場合も生ずる。
以下、本発明の効果を具体的に示すため、一実施例を
第１図に基づいて説明する。
第１図に基づいて説明する。
〔実施例１〜12〕 接合用の半田接続部（４）を設けたシリコンチツプ
（１）を通常の方法でアルミナ製の実装用基板（２）上
にフリツプチツプ実装する。チツプサイズは10mm×10m
m、厚さ0.55mm、実装用基板（２）は20mm×20mm、厚さ1
mmである。チツプと基板の間隙はほぼ100μｍである。
半田接続部（４）はチツプ面全体に分布し、224個存在
する。これに、第１表に示す組成の液状の樹脂（３）を
それぞれ第１図（ａ），（ｂ）に示された如くに実装構
造体（５）に載置する。次にこれらを第１図（ｃ）の様
な構成からなる減圧装置（６）にセツトし、回転真空ポ
ンプ（７）を用いて減圧容器（９）内で１ミリTorr程度
まで減圧にする。その際の加温条件は60℃程度とする。
あらかじめ熱板（８）を加熱しておき、回転真空ポンプ
（７）を始動させる前に60℃程度の雰囲気となるように
しておく。回転真空ポンプ（７）で５〜10分脱気後、バ
ルブ（10）を閉じ、リークバルブ（11）を徐々に開い
て、常圧まで戻して行く。常圧まで戻す時間は１〜３分
程度である。
（１）を通常の方法でアルミナ製の実装用基板（２）上
にフリツプチツプ実装する。チツプサイズは10mm×10m
m、厚さ0.55mm、実装用基板（２）は20mm×20mm、厚さ1
mmである。チツプと基板の間隙はほぼ100μｍである。
半田接続部（４）はチツプ面全体に分布し、224個存在
する。これに、第１表に示す組成の液状の樹脂（３）を
それぞれ第１図（ａ），（ｂ）に示された如くに実装構
造体（５）に載置する。次にこれらを第１図（ｃ）の様
な構成からなる減圧装置（６）にセツトし、回転真空ポ
ンプ（７）を用いて減圧容器（９）内で１ミリTorr程度
まで減圧にする。その際の加温条件は60℃程度とする。
あらかじめ熱板（８）を加熱しておき、回転真空ポンプ
（７）を始動させる前に60℃程度の雰囲気となるように
しておく。回転真空ポンプ（７）で５〜10分脱気後、バ
ルブ（10）を閉じ、リークバルブ（11）を徐々に開い
て、常圧まで戻して行く。常圧まで戻す時間は１〜３分
程度である。
完全に常圧に戻したのち、脱気槽から樹脂充てん実装
構造体（５）をとり出し、周辺の余分な樹脂を除去した
のち、超音波探傷装置AT−5000（日立建機製）を用い、
充てん状態のチエツクを行なう。水中に浸せきし、25MH
zの超音波探傷子を用いて測定する。
構造体（５）をとり出し、周辺の余分な樹脂を除去した
のち、超音波探傷装置AT−5000（日立建機製）を用い、
充てん状態のチエツクを行なう。水中に浸せきし、25MH
zの超音波探傷子を用いて測定する。
そのあと、空気循環恒温槽を用いて、110℃で10時間
加熱した後、200℃で10時間加熱して樹脂硬化を行な
い、樹脂補強型実装構造体（５）が完成する。それぞ
れ、10個ずつ作成し、樹脂充てん良品率を第１表に示し
た。
加熱した後、200℃で10時間加熱して樹脂硬化を行な
い、樹脂補強型実装構造体（５）が完成する。それぞ
れ、10個ずつ作成し、樹脂充てん良品率を第１表に示し
た。
〔比較例１〜12〕 実施例１〜12で用いたと同じ組成について、特開昭60
−147140号公報に開示されている方法による樹脂充てん
を試みた。その結果、充てん良品率は第２表に示す如く
であつた。
−147140号公報に開示されている方法による樹脂充てん
を試みた。その結果、充てん良品率は第２表に示す如く
であつた。
実施例と比較例の対比から明らかな様に、本発明によ
る樹脂補強型LSI実装構造体は、すべての樹脂組成にお
いて高い良品率が得られており、公知の方法とは全く異
なる機構によつて樹脂充てんがなされていることを示す
ものである。
る樹脂補強型LSI実装構造体は、すべての樹脂組成にお
いて高い良品率が得られており、公知の方法とは全く異
なる機構によつて樹脂充てんがなされていることを示す
ものである。
尚、本発明の目的を達成する類似の方法として、あら
かじめ実装構造体（５）を減圧容器（９）内に設置し、
別途シリンダなどに充てんしておいた液状樹脂減圧状愛
を維持したまゝ、チツプ周辺部に切れ目なく供給したの
ち、常圧に戻すという工程をとることも可能であるが、
若干装置が複雑になる。また、LSI実装構造体（５）と
しては、第７図の様に、チツプ背面に放熱板（14）など
の付加物が付いたものに対しても本発明の方法は適用可
能である。
かじめ実装構造体（５）を減圧容器（９）内に設置し、
別途シリンダなどに充てんしておいた液状樹脂減圧状愛
を維持したまゝ、チツプ周辺部に切れ目なく供給したの
ち、常圧に戻すという工程をとることも可能であるが、
若干装置が複雑になる。また、LSI実装構造体（５）と
しては、第７図の様に、チツプ背面に放熱板（14）など
の付加物が付いたものに対しても本発明の方法は適用可
能である。
〔発明の効果〕 以上述べてきた様に、本発明の樹脂充てん法によれ
ば、歩留り良く樹脂補強型LSI実装構造体が得られ、低
価格で信頼性の高いLSI実装構造体を供給できることに
なる。
ば、歩留り良く樹脂補強型LSI実装構造体が得られ、低
価格で信頼性の高いLSI実装構造体を供給できることに
なる。
第１図は本発明の製造方法を示すための図、第１図
（ａ）は実装構造体の平面図、第１図（ｂ）は実装構造
体の立面図、第１図（ｃ）は減圧工程及び常圧工程を説
明するための装置模式図、第２図は実装構造体の断面
図、第３図，第４図，第５図はいずれも従来の樹脂充て
ん法を示すための説明図、第６図は本発明の製造方法の
工程フロー図、第７図の本発明を適用した実装構造体の
断面図である。 １……シリコンチツプ、２……実装用基板、３……樹
脂、４……半田接続部、５……実装構造体、６……減圧
装置、７……回転真空ポンプ、８……熱板、９……減圧
容器、10……バルブ、11……リークバルブ、12……ノズ
ル、13……貫通孔、14……放熱板。
（ａ）は実装構造体の平面図、第１図（ｂ）は実装構造
体の立面図、第１図（ｃ）は減圧工程及び常圧工程を説
明するための装置模式図、第２図は実装構造体の断面
図、第３図，第４図，第５図はいずれも従来の樹脂充て
ん法を示すための説明図、第６図は本発明の製造方法の
工程フロー図、第７図の本発明を適用した実装構造体の
断面図である。 １……シリコンチツプ、２……実装用基板、３……樹
脂、４……半田接続部、５……実装構造体、６……減圧
装置、７……回転真空ポンプ、８……熱板、９……減圧
容器、10……バルブ、11……リークバルブ、12……ノズ
ル、13……貫通孔、14……放熱板。
フロントページの続き (72)発明者 曽我 太佐男 日立市久慈町4026番地 株式会社日立製 作所日立研究所内 (72)発明者 沢畠 守 日立市久慈町4026番地 株式会社日立製 作所日立研究所内 (72)発明者 児玉 弘則 日立市久慈町4026番地 株式会社日立製 作所日立研究所内 (72)発明者 正木 亮 国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式 会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭54−11696（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−10764（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】集積回路が形成され、かつ実装基板との電
気的接合に係わる複数個の接合体が形成されているLSI
チツプと実装基板とをフリツプチツプ接合してなるLSI
実装構造体の製造方法において、LSIチツプと実装基板
とが作る間隙に以下に示す工程を順次含む液状樹脂充て
ん手段により無機粉末を含む樹脂を充てんしてなること
を特徴とする樹脂補強型LSI実装構造体の製造方法。 （１） LSIチツプと実装基板とをフリツプチツプ接合
する工程 （２） 液状樹脂を該LSIチツプの縁辺に沿つて全周に
該実装基板及び該LSIチツプに接触する様に供給、載置
する工程 （３） 液状樹脂が載置された実装構造体を10ミリTorr
以下の減圧状態に保つておく工程 （４） 減圧の状態を保ちながら不活性ガスで徐々に加
圧する工程 （５） 常圧以上にする工程。 - 【請求項２】集積回路が形成され、かつ実装基板との電
気的接合に係わる複数個の接合体が形成されているLSI
チツプと実装基板とをフリツプチツプ接合してなるLSI
実装構造体の製造方法において、LSIチツプと実装基板
とが作る間隙に以下に示す工程を順次含む液状樹脂充て
ん手段により無機粉末を含む樹脂を充てんしてなること
を特徴とする樹脂補強型LSI実装構造体の製造方法。 （１） LSIチツプと実装基板とをフリツプチツプ接合
する工程 （２） 液状樹脂を該LSIチツプの縁辺に沿つて全周に
該実装基板及び該LSIチツプに接触する様に供給、載置
する工程 （３） 液状樹脂が載置された実装構造体を10ミリTorr
以下の減圧状態に保つておく工程 （４） 減圧の状態を保ちながら不活性ガスで徐々に加
圧する工程 （５） 常圧以上にする工程 （６） 樹脂の充てん状態を非破壊的に検査する工程。 - 【請求項３】樹脂の充てん状態を検査する手段が超音波
を用いた探傷法であることを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載の樹脂補強型LSI実装構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62074093A JP2607877B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 樹脂補強型ｌｓｉ実装構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62074093A JP2607877B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 樹脂補強型ｌｓｉ実装構造体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63241955A JPS63241955A (ja) | 1988-10-07 |
| JP2607877B2 true JP2607877B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=13537225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62074093A Expired - Fee Related JP2607877B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 樹脂補強型ｌｓｉ実装構造体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2607877B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994024694A1 (en) * | 1993-04-14 | 1994-10-27 | Amkor Electronics, Inc. | Interconnection of integrated circuit chip and substrate |
| US5834339A (en) * | 1996-03-07 | 1998-11-10 | Tessera, Inc. | Methods for providing void-free layers for semiconductor assemblies |
| JP2828021B2 (ja) * | 1996-04-22 | 1998-11-25 | 日本電気株式会社 | ベアチップ実装構造及び製造方法 |
| TW392315B (en) * | 1996-12-03 | 2000-06-01 | Nippon Electric Co | Boards mounting with chips, mounting structure of chips, and manufacturing method for boards mounting with chips |
| US5795818A (en) * | 1996-12-06 | 1998-08-18 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit chip to substrate interconnection and method |
| JP2001093938A (ja) | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011040512A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411696A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-27 | Toshiba Corp | Sealing method of electronic components |
| JPS58107641A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Seiko Keiyo Kogyo Kk | 半導体装置の封止方法 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62074093A patent/JP2607877B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63241955A (ja) | 1988-10-07 |
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